JPS6158258A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特には外部接続
のための取出口となるバンブ電極の形成に関するもので
ある。
のための取出口となるバンブ電極の形成に関するもので
ある。
〈従来技術〉
ＩＣやＬＳＩ等のための回路素子が形成された半導体チ
ップは、使用にあたってこれら回路素子を外部回路と接
続することが必要になり、そのためにチップ側に電極か
設けられ、該電極に外部回路と接続するためのリード線
をボンディングすることによってプリント基板等に接続
するためのリード線としている。
ップは、使用にあたってこれら回路素子を外部回路と接
続することが必要になり、そのためにチップ側に電極か
設けられ、該電極に外部回路と接続するためのリード線
をボンディングすることによってプリント基板等に接続
するためのリード線としている。
ここで半導体チップに設けられる電極としてはリード線
としてリードフレームを用いてチップ側電極との間をワ
イヤによってボンディングする構造の場合には、一般に
回路素子間の配線等と同時に作成したＡｌ蒸若膜がその
まま用贋られ、該Ａｌミ極ＶｃＡｕワイヤを熱圧着等に
より直ちにボンディングしている。
としてリードフレームを用いてチップ側電極との間をワ
イヤによってボンディングする構造の場合には、一般に
回路素子間の配線等と同時に作成したＡｌ蒸若膜がその
まま用贋られ、該Ａｌミ極ＶｃＡｕワイヤを熱圧着等に
より直ちにボンディングしている。
上述のようなワイヤボンディングによって外部接続用リ
ードを引き出した半導体構造とは異なり絶縁フィルムを
支持基板として金属膜を被着し。
ードを引き出した半導体構造とは異なり絶縁フィルムを
支持基板として金属膜を被着し。
該金属膜をリード線状にパターニングした後、このパタ
ーニングされたリード線の先端を半導体チップ側の電極
に対向７＜てボンディングし、外部接続用リード線を引
き出す構造のものも実用化されてｂる。後者のようにリ
ード線の先端をチップ側の電極に対向させてボンディン
グする場合、半導体チップ側の電極は、リード線側の余
興材料との関係、或いは構造的な理由等からＡｉ電極の
みでは確実なボンディングを得ることは難かしく、従っ
てＡｌ逝極上に突起状のバンブ電極を予め作成し、該バ
ンブ電極を介してチップ側とリード線側とを接続するこ
とが一般に行われている。
ーニングされたリード線の先端を半導体チップ側の電極
に対向７＜てボンディングし、外部接続用リード線を引
き出す構造のものも実用化されてｂる。後者のようにリ
ード線の先端をチップ側の電極に対向させてボンディン
グする場合、半導体チップ側の電極は、リード線側の余
興材料との関係、或いは構造的な理由等からＡｉ電極の
みでは確実なボンディングを得ることは難かしく、従っ
てＡｌ逝極上に突起状のバンブ電極を予め作成し、該バ
ンブ電極を介してチップ側とリード線側とを接続するこ
とが一般に行われている。
上記のバンブ電極は通常メッキによって形成されるが、
メッキされたバンプとなる金属の結晶状態は非常に不規
則な状態にあり、内部応力が大きくまた硬さもマイクロ
ビッカース硬度で約１２０〜１５０Ｈｖの値を示す。
メッキされたバンプとなる金属の結晶状態は非常に不規
則な状態にあり、内部応力が大きくまた硬さもマイクロ
ビッカース硬度で約１２０〜１５０Ｈｖの値を示す。
処でバンブ電極と外部接続のためのリード線との間は熱
及び圧力によってボンディングされるがこのときバンブ
電極には約７００ ｋｇ／□□□２ もの圧力が掛る。
及び圧力によってボンディングされるがこのときバンブ
電極には約７００ ｋｇ／□□□２ もの圧力が掛る。
従ってバンブ電極が硬い場合、圧力を印加するときの衝
撃荷重及び印加時の圧力が直接バンプ下のＳｉ半導体基
板にまで達し易く、このような外力或いは内部応力のた
めに半導体基板にクランクが入り、製品の歩留を著しく
低下させている。尚上記クラックの発生は、内部応力が
大きい場合には、Ａｌミ極等に引張り若しくは圧縮応力
を及ぼしクラックの発生を助長する。
撃荷重及び印加時の圧力が直接バンプ下のＳｉ半導体基
板にまで達し易く、このような外力或いは内部応力のた
めに半導体基板にクランクが入り、製品の歩留を著しく
低下させている。尚上記クラックの発生は、内部応力が
大きい場合には、Ａｌミ極等に引張り若しくは圧縮応力
を及ぼしクラックの発生を助長する。
また同一半導体チップ内の複数個のバンプ電極間に高さ
における不揃いが生じている場合、ボンディング時の圧
力によってリード線かバンブ電極に食り込めば不揃いに
よる誤差を吸収できるが、上述のようにバンブ電極が硬
い場合には、高さが不足したバンプ電極部ではリード線
との間が浮いた状態になる惧れがあり、ボンディング不
良の原因になっていた。
における不揃いが生じている場合、ボンディング時の圧
力によってリード線かバンブ電極に食り込めば不揃いに
よる誤差を吸収できるが、上述のようにバンブ電極が硬
い場合には、高さが不足したバンプ電極部ではリード線
との間が浮いた状態になる惧れがあり、ボンディング不
良の原因になっていた。
〈発明の目的〉
大発明は上記従来の半導体装置におけるバンプ形成工程
の問題点ＶＣ鑑みてなされたもので、外部接続用リード
線を高い信頼度でボンディングすることかできるバンブ
電極を備えた半導体装置を製造する方法を提供する。
の問題点ＶＣ鑑みてなされたもので、外部接続用リード
線を高い信頼度でボンディングすることかできるバンブ
電極を備えた半導体装置を製造する方法を提供する。
〈実施例〉
第１図におりで、Ｓｉ半導体基板１には従来公知の技術
によって回路素子が作り込まれ、表面か酸化膜等の絶縁
膜２上で被われている。絶縁膜２で被われた半導体基板
表面には、外部回路と接続するためお電極３が、上記回
路素子と電気的接続された状態で、素子間配線用の導体
と共にパノーＳｉやＡｌ蒸着膜によって形成されてカる
。
によって回路素子が作り込まれ、表面か酸化膜等の絶縁
膜２上で被われている。絶縁膜２で被われた半導体基板
表面には、外部回路と接続するためお電極３が、上記回
路素子と電気的接続された状態で、素子間配線用の導体
と共にパノーＳｉやＡｌ蒸着膜によって形成されてカる
。
電極３が形成された半導体基板表面は、ＰＳＧ等からな
るパッシベーション模４で被われて保護されるが、該パ
ッシベーション摸４は少なくとも上記Ａｌミ極３を被う
部分５が窓開けされ、Ａｌミ極３の上表面か露出される
。次に露出されたＡｌミ極３の表面を含め、半導体チッ
プ表面に、次に述べるバンブ電極を形成するためのメッ
キ電極となる金属膜６が蒸着等により形成される。該金
属膜６は上述のようにメッキ電極としての他、バンブ電
極とＡＩ電極３間のバリアとなって相互拡散を防止する
と共に両電極間を緊密に接合させるためにも介挿される
。例えば、ＡＩ電極３に被着される少なくとも最下層金
属がＴｉ、Ｖ等の遷移金属から選ばれたＴ ｉ −Ｗ
、 Ｃｒ−Ｃｕ−Ａｕ等の多層金属膜によって形成され
る。
るパッシベーション模４で被われて保護されるが、該パ
ッシベーション摸４は少なくとも上記Ａｌミ極３を被う
部分５が窓開けされ、Ａｌミ極３の上表面か露出される
。次に露出されたＡｌミ極３の表面を含め、半導体チッ
プ表面に、次に述べるバンブ電極を形成するためのメッ
キ電極となる金属膜６が蒸着等により形成される。該金
属膜６は上述のようにメッキ電極としての他、バンブ電
極とＡＩ電極３間のバリアとなって相互拡散を防止する
と共に両電極間を緊密に接合させるためにも介挿される
。例えば、ＡＩ電極３に被着される少なくとも最下層金
属がＴｉ、Ｖ等の遷移金属から選ばれたＴ ｉ −Ｗ
、 Ｃｒ−Ｃｕ−Ａｕ等の多層金属膜によって形成され
る。
上記金属＠６は少なくともバンブ電極を形成する部分を
除いてレジストによりマスクされ、露出した金属膜６を
電極としてＡｕ 、 Ａｇ 、 Ｓｎ／Ｐｂのような材
料でメッキによりバンブ電極７が形成される。
除いてレジストによりマスクされ、露出した金属膜６を
電極としてＡｕ 、 Ａｇ 、 Ｓｎ／Ｐｂのような材
料でメッキによりバンブ電極７が形成される。
ここでメッキ処理時にレジストから上記金属膜６を窓開
けする形状は１Ｍ電極３の寸法Ａよりもバンプ′＠極７
の底面の寸法Ｂが小さくなるように選ばれる。即ちバン
ブ電極７の底面がＡｉ電極３の表面を覆い尽くすほどに
充分大きいバンブ電極を形成した場合Ｇては、ボンディ
ング時の圧力や内部応力によってＡｌミ極３の端に位置
する半導体基板にクラックが発生し易い。しかし本実施
例の如くバンブ電極７の面積を小さく設計すれば、上記
のようなりラック発生を防止することができる。
けする形状は１Ｍ電極３の寸法Ａよりもバンプ′＠極７
の底面の寸法Ｂが小さくなるように選ばれる。即ちバン
ブ電極７の底面がＡｉ電極３の表面を覆い尽くすほどに
充分大きいバンブ電極を形成した場合Ｇては、ボンディ
ング時の圧力や内部応力によってＡｌミ極３の端に位置
する半導体基板にクラックが発生し易い。しかし本実施
例の如くバンブ電極７の面積を小さく設計すれば、上記
のようなりラック発生を防止することができる。
バンブ電極７が形成された後レジストが除去され、続い
て不要となった金属膜６か除去される。
て不要となった金属膜６か除去される。
上記バンブ電極７はメッキによる形成時に生じた結晶の
不安定さを軽減し、内部応力を除去するために熱処理（
例えば４００°Ｃ１３０分程度）が施こされる。該熱処
理は応力緩和が図られるだけではなく、メッキ硬さを軟
らかくし、またバンプ電極７−金属膜６−Ａｌミ極３間
の密着力を向上させる。
不安定さを軽減し、内部応力を除去するために熱処理（
例えば４００°Ｃ１３０分程度）が施こされる。該熱処
理は応力緩和が図られるだけではなく、メッキ硬さを軟
らかくし、またバンプ電極７−金属膜６−Ａｌミ極３間
の密着力を向上させる。
上記実施例は熱処理前に半導体基板表面を覆っている不
要金属膜を除去したが、これは金属膜６の材料によって
は熱処理時エツチング特性が変化して作業を困難にする
惧れがあることを考慮し、比較的作業の容易な熱処理前
の状態で予め不要となった金属膜部分を除去し、その後
に熱処理を施こす。
要金属膜を除去したが、これは金属膜６の材料によって
は熱処理時エツチング特性が変化して作業を困難にする
惧れがあることを考慮し、比較的作業の容易な熱処理前
の状態で予め不要となった金属膜部分を除去し、その後
に熱処理を施こす。
しかし金属膜６Ｔｒｉ半導体基板表面を保護する働きが
あるため、金＠膜６によって熱処理中の汚染等を防ぎ熱
処理後に不要金属＠６を除去する工程を採ることもでき
る。
あるため、金＠膜６によって熱処理中の汚染等を防ぎ熱
処理後に不要金属＠６を除去する工程を採ることもでき
る。
特に金属膜６として、Ａｌミ極３に接する最下層にＴｉ
、Ｖ等の遷移金属が用いられる場合には熱処理によりＡ
１表面に耐食性の高い遷移金属との合金層が形成され、
こめ合金層がすぐれた保護機能を果す。従って半尋体千
ツブは熱処理によっても高信頼性を維持することができ
る。
、Ｖ等の遷移金属が用いられる場合には熱処理によりＡ
１表面に耐食性の高い遷移金属との合金層が形成され、
こめ合金層がすぐれた保護機能を果す。従って半尋体千
ツブは熱処理によっても高信頼性を維持することができ
る。
上述のようにＡｌミ極３の表面に耐食性のある合金層が
形成されるため、半導体基板の電極形状としては、第２
図に示す如く、パッシベーション膜４に形成したＡｌミ
極上の開口部５の寸法Ｃより、バンブ電極７の寸法Ｂを
小さく設計しても実用に供することができる。即ち金属
膜６をエツチング除去する際、バンプ電極周囲のＡｌミ
極表面がエツチング液に晒されたとしても、Ａｌミ極表
面は合金層が形成されているためエツチング液に侵され
ることはな（ハ。従って本実施例においてはバンブ電極
７をマスクに不要な金属膜６を除去することができ、金
属膜６のエツチングにはフォトリングラフィ工程を必要
としなくなり、工程の簡略化を図り得る。
形成されるため、半導体基板の電極形状としては、第２
図に示す如く、パッシベーション膜４に形成したＡｌミ
極上の開口部５の寸法Ｃより、バンブ電極７の寸法Ｂを
小さく設計しても実用に供することができる。即ち金属
膜６をエツチング除去する際、バンプ電極周囲のＡｌミ
極表面がエツチング液に晒されたとしても、Ａｌミ極表
面は合金層が形成されているためエツチング液に侵され
ることはな（ハ。従って本実施例においてはバンブ電極
７をマスクに不要な金属膜６を除去することができ、金
属膜６のエツチングにはフォトリングラフィ工程を必要
としなくなり、工程の簡略化を図り得る。
金属＠６の最下層は遷移金属が選ばれるが、その上の金
属膜ｒ／ｉＣｕ 、Ａｕ 、Ｐｔ等を用いることができ
る。
属膜ｒ／ｉＣｕ 、Ａｕ 、Ｐｔ等を用いることができ
る。
く効 果〉
以上本発明によれば、バンブ電極をメッキで形成した後
熱処理を施こすことにより、硬度の比較的小さい安定し
たバンブ電極を作成することができ、リード線をボンデ
ィングする際に生じる半導、床基板の破損や、ボンディ
ング不良を防ぐことができ、半導体装置の歩留りを高め
確実なボンディングを得ることができる。
熱処理を施こすことにより、硬度の比較的小さい安定し
たバンブ電極を作成することができ、リード線をボンデ
ィングする際に生じる半導、床基板の破損や、ボンディ
ング不良を防ぐことができ、半導体装置の歩留りを高め
確実なボンディングを得ることができる。
第１図は本発明による一実施例を説明するための半導体
基板の要部断面図、第２図は木発Ｅ′ＡＶｃよる池の実
施例を説明するだめの半導体基板の要部断面図である。 １：半導体基板、 ３：パノ電極 ６：金属膜、 ７：バンプ電極代理人 弁理士
福 士 愛 彦（他２名）第１図 ７ 繍′ｉ′Ｉｌ″ｆ口六■耐 手続補正書 昭和６０年 ６月 ６日
基板の要部断面図、第２図は木発Ｅ′ＡＶｃよる池の実
施例を説明するだめの半導体基板の要部断面図である。 １：半導体基板、 ３：パノ電極 ６：金属膜、 ７：バンプ電極代理人 弁理士
福 士 愛 彦（他２名）第１図 ７ 繍′ｉ′Ｉｌ″ｆ口六■耐 手続補正書 昭和６０年 ６月 ６日
Claims (4)
- １．半導体基板上の外部接続用電極部にパッド電極を形
成した半導体装置の製造方法において、半導体基板表面
の電極部を露出させる工程と、露出した電極部を被って
金属膜を形成する工程と、少なくとも電極部を被う領域
の金属膜を残して半導体基板表面をマスクする工程と、
電極部の金属膜上にパッド電極をメッキによって形成す
る工程と、金属膜上にパッド電極が形成された後熱処理
する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - ２．前記金属膜は、少なくともパッド電極下の部分を残
して、前記熱処理前に除去されることを特徴とする請求
の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 - ３．前記金属膜は、少なくともパッド電極下の部分を残
して、前記熱処理後に除去されることを特徴とする請求
の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 - ４．前記電極部はＡｌからなり、金属膜のＡｌに被着さ
れる層は遷移金属を含んでなり、熱処理によって耐食性
のＡｌ合金表面層を形成することを特徴とする特許請求
の範囲第３項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181291A JPS6158258A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
| US07/905,683 US5310699A (en) | 1984-08-28 | 1992-06-29 | Method of manufacturing a bump electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181291A JPS6158258A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6158258A true JPS6158258A (ja) | 1986-03-25 |
Family
ID=16098113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59181291A Pending JPS6158258A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6158258A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006523025A (ja) * | 2003-04-10 | 2006-10-05 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池用金属コンタクト構造体及び製法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52155056A (en) * | 1976-06-18 | 1977-12-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of semiconductor device |
-
1984
- 1984-08-28 JP JP59181291A patent/JPS6158258A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52155056A (en) * | 1976-06-18 | 1977-12-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006523025A (ja) * | 2003-04-10 | 2006-10-05 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池用金属コンタクト構造体及び製法 |
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