JPS6154016A - 磁気記録媒体用基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、耐はく離性が優れ、経時的劣化の少ない硬質
磁気記録媒体を与える基板に関するものである。さらに
詳しくいえば、本発明は下地層を介して基板上に磁性層
を設ける形式の硬質磁気記録媒体例えば磁気ディスクを
製造するための、下地層が強固に接合された基板に関す
るものである。

従来の技術 円板状アルミニウム基板の両面に下地層を介して磁性層
を設けた、いわゆる磁気ディスクは、コンタクト°スタ
ート・ストップ方式の磁性記録媒体としてよく知られて
いるが、これは、従来、アルミニウム基板上にｒ−７エ
ライト磁性粉とバインダーとの混合物を塗布する方法に
よって製造されていた。

しかるに、近年、記録密度の大きい磁気ディスクが要望
されるようになシ、それの達成のために磁性層の薄層化
がはかられた結果、めっき、スパッタリング、イオンブ
レーティング、真空蒸着などによって、基板上に形成さ
れる金属磁性層が、コーティング法による酸化鉄磁性層
に代わるものとして注目されつつある。

この種の磁気ディスクは、通常アルミニウム又はその合
金から成る基板と、その上に施されたクロムやニッケル
ーリンなどから成る下地層と、さらにその上に設けられ
たコバルト−ニッケル合金、コバルト−ニッケルーリン
合金から成る磁性層で構成されているが、製造時の下地
層のはく離、保存中に起る金属腐食、使用に際しスター
ト及びストップのたびに伴うヘッドの衝撃などにより往
々にして各層間のはく離を生じる結果、磁気特性や機械
的強度が低下し、使用時間が短縮されるという欠点を有
する。

このような欠点を改善するものとして、例えばアルマイ
ト−アルミニウム系基板に関し、これを熱処理してアル
マイトとアルミニウムの間のひずみを除去し、両者間の
はく離を防止する方法が提案されているが（特開昭５８
−１６０６７号公報〕、この方法は基板と下地層の限ら
れた組合せの材料にのみ有効であυ、他の材料に一般的
に適用することができない。

発明が解決しようとする問題点 本発明の第１の目的は、基板主体上に強固に結合した下
地層を有する磁気記録媒体用基板を提供することであり
、第２の目的は、使用される材料の組合せに関係なく適
用しうる下地層と基板主体との接合技術によ多形成され
た、優れた耐はくν１１及び機械的強度を有する磁気記
録媒体用基板を提供することである。

問題点を解決するための手段 本発明者らは、種々研究を重ねた結果、非磁性金属板か
ら成る基板主体上に下地層を設けるに尚り、両者の間に
それぞれの構成金属の共存領域を介在させることにより
その目的を達成しうろことを見出し、この知見に基づい
て本発明をなすに至った。

すなわち、本発明は、非磁性金属板とその上に設けた下
地層から成る磁気記録媒体用基板において、前記金属板
と下地層との間に基板、下地層それぞれの構成金属の共
存領域を介在させたことを特徴とする基板である。

本発明の基板の主体としては、アルミニウム、アルミニ
ウム合金、ＳＵＢ　、黄銅などの非磁性金属が用いられ
、また下地層としては、クロム、ニッケル、モリブデン
のような金属又はそれらとリン、ホウ素などとの合金が
用いられる。

そして、本発明においては、この基板主体と下地層との
間に、基板主体の構成金属と下地層の構成金属との共存
領域を設けることが必要である。

この共存領域は０．０１〜２μｍ、好ましくは０．０５
〜０．５μｍの範囲内の厚さで、基板主体上面から下地
層下面へ向って段階的又は連続的な濃度変化で基板主体
の金属成分を減じ、したがって下地層の金属成分を増加
させて設けられる。

このような共存領域の形成は、例えば基板主体を１００
℃以上の温度で徐々に昇温し、ターゲットの金属組成を
所定の濃度変化が得られるように変えながら、蒸着、イ
オンブレーティング又はスパッタリングすることによっ
て、あるいは基板主体の構成金属と下地層の構成金属の
塩を、異なった割合で含有する少なくとも１種のめつき
浴を用いて無電解めっきすること（二よって行うことが
できる。

このようにして形成された、共存領域の上面（二下地層
を常法に従って設ければ、所望の基板が得られる。この
ようにして得られる基板の共存領域は、通常、段階的な
濃度変化を示すが、これを６５０°Ｃ以上の温度に少な
くとも１時間加熱することによシ連続的な濃度勾配を有
する共存領域とすることができる。本発明の基板の共存
領域が、基板主体の構成金属と下地層の構成金属とを含
有していることは、例えばＳ工Ｍ８　（’５ｅｃｏｎｄ
ａｒｙ　工ｏｎＭａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｇｒａｐｈｙ
　）によシ容易に確認することができる。

次に添付図面によシ本発明の構成をさらに詳細に説明す
る。第１図は、本発明基板の断面斜視図であって、非磁
性金属板から成る主体１と下地層３との間に′、それぞ
れを構成する金属の共存領域２が設けられている状態を
示す。この共存領域２は、非磁性金属板や下地層が２ｇ
１以上の構成金属から成っている場合、その全部を含有
するのが好ましいが、場合によっては、全部を含む必要
はなく、非磁性金属板の中の１種と下地層の中の１種を
含むだけでも十分にその目的を達成することができる。

この共存領域２においては、基板主体のｌｉｌ成金成金
下地層の構成金属は、固溶体又は金属間化合物を形成し
てお）、基板主体及び下地層のいずれに対しても強固な
結合を形成することができる。

本発明の基板は、下地層の上にさらに所要の磁性層及び
所望に応じて保護層を形成させることによシ、磁気記録
媒体を製造することができる。この際の磁性層及び保護
層の形成は、従来用いられている任意の手段によって行
うことができる。

発明の効果 本発明の基板は、下地層が基板主体に強固に結合してい
るため、安定ではく離を生じることがなく、コンタクト
°スタート°ストップ（ａＳＳ　）が良好な磁気記録媒
体を与えることができる。また、下地層としてクロム、
ニッケル、モリブデンなどを用いる場合、結果的にこの
大部分をアルミニウムのような基板用金属と置換し、同
様の効果を得ることになるため、これらの価格の高い金
属の使用量が減少し、原料費の面でもかなシの節減をは
かることができる。

実施例 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。

実施例１ 円板状アルミニウムーマグネシウム合金（ＡＡ５０８６
　）を基板主体として用い、これを２２０〜２６００Ｃ
に徐々に昇温させながら、クロムとアルミニウムーマグ
ネシウム合金の混合物をターゲットとして、１５分間マ
グネトロンスパッタリングを行うことによシ下地層付基
板を得た。

このものをＳ工ＭＳ計測したところ第２図に示すような
プロフィルが得られた。

次に、この下地層の上に、マグネトロンスパッタリング
によ５０．０６μｍ厚のＣＯ□ｓＮｉ□２磁性層を設け
、さらに０．０２μｍ厚のカーボン保護層を設けたＯ １　　このようにして得た磁気ディスクを用いて、常法
に従いａＳＳ試験を行った結果を以下に示す。

１０．０００　　　　　　　　　０ ２０．０００　　　　　　　　　０ ３０．０００　　　　　　　　　０ ５０．０００　　　　　　　　　３ 実施例２ 実施例１（＝おけるターゲットのクロムをニッケルに変
え、１０分間スパッタリングすること以外は全〈実施例
１と同様にして磁気ディスク用基板を得た。このものは
、はぼ第２図と同じＳ工ＭＥプロフィルを示した。

この基板上に実施例１と同様にして磁性層及び保護層を
設けて、磁気ディスクを製造し、これのａＳＳ試験を行
った。その結果を以下に示す。

１０．０００　　　　　　　　０ ２０．０００　　　　　　　　０ ３０．０００　　　　　　　　０ ５０．０００　　　　　　　　５ 実施例３ 円板状のアルミニウムーマグネシウム合金（ＡＡ５０８
６　）を常法に従い、研摩、脱脂したのち、リン酸ナト
リウム系クリーナと水で洗浄し、さらにフッ化水素酸２
５容量係と硝酸７５容量チから成る混酸でエツチング処
理し、水洗した。

次いで、これを酸化亜鉛４０１／ｌ及びカセイソーダ４
０ａｌ／ｌを含む水溶液中に２５°Ｃで３分間没せきし
、亜鉛置換したのち、水洗した。

この上うに前処理したアルミニウムーマグネシウム合金
から成る基板主体を、以下に示す組成をもつ１）１１約
８のめつき浴中に８５℃で１０分間浸せきし、て、化学
めっきを行い、厚さ２．３μｍのニッケルーリンめっき
層を施した。

めっき浴組成 塩化ニッケル　　　　　　　２４０ 次亜塩素酸ナトリウム　　　　　２１０クエン酸ナトリ
ウム　　　　　　５９０ホウ酸　　　　　　　　　３１
０ 次いで、このようにしてめっきした円板を、３５０℃に
５時間保持したのち、Ｓ工ＭＳ測定したところ、第６図
に示す結果を得た。

この円板に実施例１と同様にして磁性層及び保護層を施
したのち、ａＳＳ試験を行った結果を以下に示す。

ａｓｓ回数　　　　　　出力低下率（％）１０，０００
　　　　　　　　　０ ２０．０００　　　　　　　　　０ ３０．０００　　　　　　　　　０ ５０．０００　　　　　　　　　７ 実施例４ 円板状のアルミニウムーマグネシウム合金（ＡＡ５０８
６　）を基板主体として用い、この上に先ずＯｒ、。Ａ
４゜をターゲットとして、基板温度１０５℃で４分間、
次いでクロムのみをターゲットとして、基板温度１０５
°Ｃで４分間それぞれスパッタリングすることによシ、
下地層付きの基板を得た。このものの８１Ｍ５プロフイ
ルは第４図に示すとおりであった。

この基板を用いて実施例１と同様にして磁気ディスクを
製造し、　ａＳＳ試験を行った結果を以下に示す。

Ｃ８Ｓ回数　　　　　　　出力低下率（％）１０．００
０　　　　　　　　　　０ ２０．０００　　　　　　　　　　０ ３０．０００　　　　　　　　　　０ ５０．０００　　　　　　　　　　　　　　　７比較例 実施例１と同じ基板主体に対し、直接にクロムだけをタ
ーゲットとして常温でスパッタリングを行うことによυ
、共存領域を有しない下地層付き基板を得た。

この基板の上に、実施例１と同様にして磁性層及び保護
層を施すことにより磁気ディスクを製造した。この磁気
ディスクのａＳＳ試験の結果を以下に示す。

ｉ　ｏ　、　ｏｏｏ　　　　　　　　　　　。

２０．０００　　　　　　　　　　０ ３０．０００　　　　　　　　　　７ ５０．０００　　　　　　　　　　１５以上の結果から
明らかなように、本発明の共存領域を有する基板を用い
ると、ａＳＳ回数を増大させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明基板の構造を示す断面斜視図、第２〜４
図は、各実施例で得た基板のＳ工ＭＳ　　プロフィルを
示すグラフである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　非磁性金属板とその上に設けた下地層から成る磁気
   記録媒体用基板において、前記金属板と下地層との間に
   、それぞれの構成金属の共存領域を介在させたことを特
   徴とする基板。