JPS6144457Y2 - - Google Patents
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- JPS6144457Y2 JPS6144457Y2 JP1985067003U JP6700385U JPS6144457Y2 JP S6144457 Y2 JPS6144457 Y2 JP S6144457Y2 JP 1985067003 U JP1985067003 U JP 1985067003U JP 6700385 U JP6700385 U JP 6700385U JP S6144457 Y2 JPS6144457 Y2 JP S6144457Y2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4248—Feed-through connections for the hermetical passage of fibres through a package wall
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、支持体と、ブツシング状の形をし且
つ気密封止金属接合によりこの支持体に取付けら
れた蓋体と、この蓋体内側で前記支持体上に取付
けられ、動作時に光ビームを放射する光源と、こ
の光源と対向する位置に該光源から放射される光
ビームの通路内において前記蓋体に取付けられた
レンズとを有する光学結合素子に関するものであ
る。
つ気密封止金属接合によりこの支持体に取付けら
れた蓋体と、この蓋体内側で前記支持体上に取付
けられ、動作時に光ビームを放射する光源と、こ
の光源と対向する位置に該光源から放射される光
ビームの通路内において前記蓋体に取付けられた
レンズとを有する光学結合素子に関するものであ
る。
この種の光学結合素子は、「アイ・イー・イ
ー・イー・トランザクシヨンズ オン エレクト
ロン デバイス(I.E.E.E.Transactions on
Electron Device)」第ED−24巻、第7号、1977
年7月、第990〜994頁に発表されたアベ マサユ
キ氏外の論文に記載されている。この輪文に記載
されている光学結合素子は発光ダイオードを具え
ているが、この発光ダイオードの代りに半導体レ
ーザを具えてもよい。このレンズ状素子は光学フ
アイバの端部で構成され、発光ダイオードにより
発生した光はこのレンズ状素子を経て放射され
る。このような結合素子は、光学フアイバを経て
伝送する光パルスによりデータを伝送する光通信
方式に用いられる。しかし光学結合素子は、レン
ズ状素子のほかに、レンズ、半透明鏡等のような
他の光学素子を有してもよい。例えばこの種結合
素子は、デイスクに記憶されたデータを光学手段
により読取るビデオまたはオーデイオデイスク/
読取装置(ビデオ ロング プレイおよびオーデ
イオ ロング プレイ装置とも称する)に用いる
ことができる。この光学手段は少くとも上述した
光源、レンズ状素子、ビデオ/オーデイオデイス
クの反射表面および光検出器を具える。レンズ状
素子の後方に配置した光学素子に光をできるだけ
有効に伝送するためにレンズ状素子は光源に対し
正しい位置且つ正しい距離に配置する必要があ
る。上述した論文には2個の光学素子間の位置お
よび距離を正しく調整することが記載されてい
る。
ー・イー・トランザクシヨンズ オン エレクト
ロン デバイス(I.E.E.E.Transactions on
Electron Device)」第ED−24巻、第7号、1977
年7月、第990〜994頁に発表されたアベ マサユ
キ氏外の論文に記載されている。この輪文に記載
されている光学結合素子は発光ダイオードを具え
ているが、この発光ダイオードの代りに半導体レ
ーザを具えてもよい。このレンズ状素子は光学フ
アイバの端部で構成され、発光ダイオードにより
発生した光はこのレンズ状素子を経て放射され
る。このような結合素子は、光学フアイバを経て
伝送する光パルスによりデータを伝送する光通信
方式に用いられる。しかし光学結合素子は、レン
ズ状素子のほかに、レンズ、半透明鏡等のような
他の光学素子を有してもよい。例えばこの種結合
素子は、デイスクに記憶されたデータを光学手段
により読取るビデオまたはオーデイオデイスク/
読取装置(ビデオ ロング プレイおよびオーデ
イオ ロング プレイ装置とも称する)に用いる
ことができる。この光学手段は少くとも上述した
光源、レンズ状素子、ビデオ/オーデイオデイス
クの反射表面および光検出器を具える。レンズ状
素子の後方に配置した光学素子に光をできるだけ
有効に伝送するためにレンズ状素子は光源に対し
正しい位置且つ正しい距離に配置する必要があ
る。上述した論文には2個の光学素子間の位置お
よび距離を正しく調整することが記載されてい
る。
この調整中レンズ状素子を経て光学フアイバ内
に放射される光の量を観察する。光学フアイバが
エポキシ樹脂により固着された蓋体は、所定位置
で観察された光の量が最大となるまで支持体に対
してずらせるようにする。次いで蓋体は、これを
支持体に固着するために用いるエポキシ樹脂が硬
化されるまでこの位置に保持される。このことは
結合素子を製造するに要する時間の点から欠点と
なる。また、蓋体と支持体との間のスペースはエ
ポキシ樹脂の硬化中にでる溶剤によつて汚染され
る。したがつて、半導体光源に対して真空スペー
スまたは不活性ガスが充填されたスペースをつく
ることができない。
に放射される光の量を観察する。光学フアイバが
エポキシ樹脂により固着された蓋体は、所定位置
で観察された光の量が最大となるまで支持体に対
してずらせるようにする。次いで蓋体は、これを
支持体に固着するために用いるエポキシ樹脂が硬
化されるまでこの位置に保持される。このことは
結合素子を製造するに要する時間の点から欠点と
なる。また、蓋体と支持体との間のスペースはエ
ポキシ樹脂の硬化中にでる溶剤によつて汚染され
る。したがつて、半導体光源に対して真空スペー
スまたは不活性ガスが充填されたスペースをつく
ることができない。
本考案の目的は、エポキシ樹脂のような接着剤
を必要とすることなく、光源に対するレンズの位
置および距離を極めて正確簡単に調整し且つ保持
し得ると共に光源を気密封止ハウジング内に収納
した結合素子を提供することにある。
を必要とすることなく、光源に対するレンズの位
置および距離を極めて正確簡単に調整し且つ保持
し得ると共に光源を気密封止ハウジング内に収納
した結合素子を提供することにある。
本考案は、冒頭に記載した様式の光学結合素子
において、蓋体はフランジを有し、レンズはこの
フランジに可塑性金属ハンダ層により取付けら
れ、この金属ハンダ層は、レンズを蓋体に対して
ずらすことによりこのレンズとフランジ間の気密
封止を維持しながら塑性的に変形されて光源に対
するレンズの位置決めおよび距離調節を可能にす
る0.1mmから2mmの間の厚さを有することを特徴
とするものである。
において、蓋体はフランジを有し、レンズはこの
フランジに可塑性金属ハンダ層により取付けら
れ、この金属ハンダ層は、レンズを蓋体に対して
ずらすことによりこのレンズとフランジ間の気密
封止を維持しながら塑性的に変形されて光源に対
するレンズの位置決めおよび距離調節を可能にす
る0.1mmから2mmの間の厚さを有することを特徴
とするものである。
このような光学結合素子を製造した後、可塑性
金属ハンダ層によりレンズを蓋体に対しずらせて
光源に対するレンズの位置決めおよび距離調整を
行うことが可能で、この場合ハンダ層は可塑的に
変形され、結合素子は気密封止を保たれる。この
ため不活性ガスが充填されまたは真空にされた塵
埃のない空所内に結合素子を有利に製造し、その
後レンズを排気または不活性ガス充填空所の外側
から光源に対して調整することができる。したが
つて調整に必要なマイクロマニピユレータを上記
空所内に位置させる必要はなくその結果結合素子
に必要な製造手段は通常のトランジスタおよびダ
イオードの製造に用いられる製造手段と同様とな
る。
金属ハンダ層によりレンズを蓋体に対しずらせて
光源に対するレンズの位置決めおよび距離調整を
行うことが可能で、この場合ハンダ層は可塑的に
変形され、結合素子は気密封止を保たれる。この
ため不活性ガスが充填されまたは真空にされた塵
埃のない空所内に結合素子を有利に製造し、その
後レンズを排気または不活性ガス充填空所の外側
から光源に対して調整することができる。したが
つて調整に必要なマイクロマニピユレータを上記
空所内に位置させる必要はなくその結果結合素子
に必要な製造手段は通常のトランジスタおよびダ
イオードの製造に用いられる製造手段と同様とな
る。
本考案を図面で説明する。
図に示す光学結合素子10は支持体1、蓋体
3、発行ダイオード5、レンズ7およびハウジン
グ11を具える。蓋体3は通常の溶接接合(抵抗
溶接)によつて支持体1に連結する。発光ダイオ
ード5は半導体装置の製造において既知の方法に
より冷却部材15を介して支持体1に装着する。
また支持体1には接続導線17をも接続しこの導
線17を支持体1および冷却部材15を経て発光
ダイオード5に電気的に接続する。更に支持体1
からガラス貫通部材21により電気的に絶縁され
た他の接続導線19を発光ダイオード5に接続す
る。レンズ7はインジウム製の可塑性金属ハンダ
層23によつて蓋体3のフランジ25上に取付け
る。このためレンズ7は光源に向かう方向および
この方向に対し直角な面内にずらせることがで
き、この場合インジウムハンダ層23は可塑性的
に変形されるが、結合素子10の気密は保たれ
る。レンズ7の縁部には、このレンズをインジウ
ムハンダ層23によつて蓋体3のフランジ25に
連結できるように、ハンダ付け可能な銀層または
その他のハンダ付け可能な金属層がシルクスクリ
ーン法で設けられる。
3、発行ダイオード5、レンズ7およびハウジン
グ11を具える。蓋体3は通常の溶接接合(抵抗
溶接)によつて支持体1に連結する。発光ダイオ
ード5は半導体装置の製造において既知の方法に
より冷却部材15を介して支持体1に装着する。
また支持体1には接続導線17をも接続しこの導
線17を支持体1および冷却部材15を経て発光
ダイオード5に電気的に接続する。更に支持体1
からガラス貫通部材21により電気的に絶縁され
た他の接続導線19を発光ダイオード5に接続す
る。レンズ7はインジウム製の可塑性金属ハンダ
層23によつて蓋体3のフランジ25上に取付け
る。このためレンズ7は光源に向かう方向および
この方向に対し直角な面内にずらせることがで
き、この場合インジウムハンダ層23は可塑性的
に変形されるが、結合素子10の気密は保たれ
る。レンズ7の縁部には、このレンズをインジウ
ムハンダ層23によつて蓋体3のフランジ25に
連結できるように、ハンダ付け可能な銀層または
その他のハンダ付け可能な金属層がシルクスクリ
ーン法で設けられる。
或いはまたレンズ7には、既知のスパツタ技術
によつてチタンまたはクロムのような接着層、次
いで白金またはニツケルのような可溶性層を設け
ることができる。
によつてチタンまたはクロムのような接着層、次
いで白金またはニツケルのような可溶性層を設け
ることができる。
前記の可塑性金属ハンダ層の厚さは0.1mm乃至
2mmの範囲にあることが必要であつて、この範囲
内の厚さではじめて気密封止を損うことなくレン
ズの位置を調整することが可能で、特に0.5mm乃
至1mmの範囲とするのが好ましい。
2mmの範囲にあることが必要であつて、この範囲
内の厚さではじめて気密封止を損うことなくレン
ズの位置を調整することが可能で、特に0.5mm乃
至1mmの範囲とするのが好ましい。
ハウジング11はエポキシ樹脂により蓋体3上
に装着する。この装着は簡単に行うことができ
る。その理由はエポキシ樹脂の溶剤が光源を収納
した気密封止スペース内に入ることがないからで
ある。ハウジング11によつてレンズ7を衝突お
よび損傷から保護する。或いはまたハウジング1
1をクランプはめ合いによつて蓋体3上に装着す
ることができる。このハウジング11にはその端
部13にねじ27を設けこれに他の光学素子を固
着し得るようにする。
に装着する。この装着は簡単に行うことができ
る。その理由はエポキシ樹脂の溶剤が光源を収納
した気密封止スペース内に入ることがないからで
ある。ハウジング11によつてレンズ7を衝突お
よび損傷から保護する。或いはまたハウジング1
1をクランプはめ合いによつて蓋体3上に装着す
ることができる。このハウジング11にはその端
部13にねじ27を設けこれに他の光学素子を固
着し得るようにする。
蓋体3は例えばニツケルでつくることができ
る。支持体1はニッケル/鉄合金、例えばフエル
ニコでつくられる。ハウジング11はその機能に
応じ黄銅またはアルミニウムで造る。ハウジング
にねじを設ける場合には黄銅を用いるのが好適で
ある。また上述したインジウムハンダ接続層23
の代りに他の可塑性金属ハンダ接続層を用いるこ
ともできる。この場合の好適な材料としては例え
ばインジウムおよび/または鉛の合金のような鉛
と金属との合金がある。
る。支持体1はニッケル/鉄合金、例えばフエル
ニコでつくられる。ハウジング11はその機能に
応じ黄銅またはアルミニウムで造る。ハウジング
にねじを設ける場合には黄銅を用いるのが好適で
ある。また上述したインジウムハンダ接続層23
の代りに他の可塑性金属ハンダ接続層を用いるこ
ともできる。この場合の好適な材料としては例え
ばインジウムおよび/または鉛の合金のような鉛
と金属との合金がある。
図は本考案の光学結合素子の1例を示す断面図
である。 1……支持体、3……ブツシング状蓋体、5…
…光源(発光ダイオード、半導体レーザダイオー
ド)、7……レンズ、10……光学結合素子、1
1……ハウジング、13……端部、15……冷却
部材、17,19……接続導線、21……ガラス
貫通部材、23……可塑性金属ハンダ層、25…
…フランジ、27……ねじ。
である。 1……支持体、3……ブツシング状蓋体、5…
…光源(発光ダイオード、半導体レーザダイオー
ド)、7……レンズ、10……光学結合素子、1
1……ハウジング、13……端部、15……冷却
部材、17,19……接続導線、21……ガラス
貫通部材、23……可塑性金属ハンダ層、25…
…フランジ、27……ねじ。
Claims (1)
- 支持体と、ブツシング状の形をし且つ気密封止
金属接合によりこの支持体に取付けられた蓋体
と、この蓋体の内側で前記支持体上に取付けら
れ、動作時に光ビームを放射する光源と、この光
源と対向する位置に該光源から放射される光ビー
ムの通路内において前記蓋体に取付けられたレン
ズとを有する光学結合素子において、蓋体はフラ
ンジを有し、レンズはこのフランジに可塑性金属
ハンダ層により取付けられ、この金属ハンダ層
は、レンズを蓋体に対してずらすことによりこの
レンズとフランジ間の気密封止を維持しながら塑
性的に変形されて光源に対するレンズの位置決め
および距離調節を可能にする0.1mmから2mmの間
の厚さを有することを特徴とする光学結合素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL7904283 | 1979-05-31 | ||
NL7904283A NL7904283A (nl) | 1979-05-31 | 1979-05-31 | Koppelelement met een lichtbron en en lensvormig element. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS614450U JPS614450U (ja) | 1986-01-11 |
JPS6144457Y2 true JPS6144457Y2 (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=19833275
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7364980A Pending JPS55162286A (en) | 1979-05-31 | 1980-05-31 | Coupling element |
JP1985067004U Granted JPS614451U (ja) | 1979-05-31 | 1985-05-08 | 光学結合素子 |
JP1985067003U Granted JPS614450U (ja) | 1979-05-31 | 1985-05-08 | 光学結合素子 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7364980A Pending JPS55162286A (en) | 1979-05-31 | 1980-05-31 | Coupling element |
JP1985067004U Granted JPS614451U (ja) | 1979-05-31 | 1985-05-08 | 光学結合素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4355323A (ja) |
EP (1) | EP0021473B1 (ja) |
JP (3) | JPS55162286A (ja) |
CA (1) | CA1143462A (ja) |
DE (1) | DE3061601D1 (ja) |
NL (1) | NL7904283A (ja) |
Families Citing this family (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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