JPS6136951A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6136951A JPS6136951A JP15980884A JP15980884A JPS6136951A JP S6136951 A JPS6136951 A JP S6136951A JP 15980884 A JP15980884 A JP 15980884A JP 15980884 A JP15980884 A JP 15980884A JP S6136951 A JPS6136951 A JP S6136951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- lower layer
- wirings
- semiconductor device
- upper layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は、半導体装置に関し、特に２１ｆ４以上の金属
配線を有する半導体装置に関する。
配線を有する半導体装置に関する。
ロ、従来の技術
従来、２層以上の金属配線を有する半導体装置において
、下層金属配線と上層金属配線は層間絶縁膜で絶縁され
、下層金属配線上の所定の箇所の層間絶縁膜に貫通孔を
設けて、下層金属配線と上層金属配線を接続している。
、下層金属配線と上層金属配線は層間絶縁膜で絶縁され
、下層金属配線上の所定の箇所の層間絶縁膜に貫通孔を
設けて、下層金属配線と上層金属配線を接続している。
層間絶縁膜にはリンを含んだＳｉｎ、の多結晶物質（以
降ＰＳＧと呼ぶ）が使用される。この下層金属配線の上
をＰＳＧが被う場合に、下層金属配線の段部が急になり
、上層金属配線が下層金属配線の段部で断線する不良が
発生する。その為に、段部の段ダラシとして、シラノー
ル溶液（Ｓｉ（ＯＨ）４溶液）を塗布し、スチーム中で
熱処理して５ｉｎ２に変えてなめらかにしている（以降
シリカと呼ぶ）。しかし、下層金属配線が形成されてし
まっている為に１このシリカのスチーム中での熱処理は
高温の熱処理ができず、シリカが完全にＳｉＯ！に変化
しきれず、エツチング液で急激にエツチングされてしま
う問題があった。この為、下層金属配線と上層金属配線
を結ぶ貫通孔を開けるときに、下層金属配線の幅が細か
ったり、貫通孔の位置がズしたりした場合、エツチング
液が段部のシリカに達し、シリカを急激（Ｃエツチング
し、段部が再び急となってし甘い、上層金属配線の断線
を起こしてしまう問題を生じていた。
降ＰＳＧと呼ぶ）が使用される。この下層金属配線の上
をＰＳＧが被う場合に、下層金属配線の段部が急になり
、上層金属配線が下層金属配線の段部で断線する不良が
発生する。その為に、段部の段ダラシとして、シラノー
ル溶液（Ｓｉ（ＯＨ）４溶液）を塗布し、スチーム中で
熱処理して５ｉｎ２に変えてなめらかにしている（以降
シリカと呼ぶ）。しかし、下層金属配線が形成されてし
まっている為に１このシリカのスチーム中での熱処理は
高温の熱処理ができず、シリカが完全にＳｉＯ！に変化
しきれず、エツチング液で急激にエツチングされてしま
う問題があった。この為、下層金属配線と上層金属配線
を結ぶ貫通孔を開けるときに、下層金属配線の幅が細か
ったり、貫通孔の位置がズしたりした場合、エツチング
液が段部のシリカに達し、シリカを急激（Ｃエツチング
し、段部が再び急となってし甘い、上層金属配線の断線
を起こしてしまう問題を生じていた。
ハ０発明が解決しようとする問題点
このような断線事故を羊独に検査するには広帯検査によ
る他はないが、通常の金属顕微鏡では発見することがで
きず、電子顕微鏡によらなければならない。しかし、電
子顕做儒では多大の工数を必要とし実際的ではない。し
たがって、２晴以上の金属配線を有する半導体装置を製
造する場合、このような上層配線の断線事故を起さない
ような下層金属配線の太さおよび開口の目ずれの限度に
ついて、十分な噴射データを揃えることが問題になって
いる。
る他はないが、通常の金属顕微鏡では発見することがで
きず、電子顕微鏡によらなければならない。しかし、電
子顕做儒では多大の工数を必要とし実際的ではない。し
たがって、２晴以上の金属配線を有する半導体装置を製
造する場合、このような上層配線の断線事故を起さない
ような下層金属配線の太さおよび開口の目ずれの限度に
ついて、十分な噴射データを揃えることが問題になって
いる。
二６問題点を解決するための技術手段
上記問題に対し、本発明では、下層配線の太さおよび上
層配線との接続用貫通孔のずれの程度を種々に変えて、
簡単な導通試験により、上層配線の断線が知り得る検査
配線群を半導体装置の機能と独立に設けている。
層配線との接続用貫通孔のずれの程度を種々に変えて、
簡単な導通試験により、上層配線の断線が知り得る検査
配線群を半導体装置の機能と独立に設けている。
ホ、実施例
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明に係る検査配線群の平面図である。
第１図において、下層配線１は、段階的に幅を変えられ
ており、下層配線１の上に層間絶縁膜が被着され、下層
配線１の各幅毎に層間絶縁膜には貫通孔３があけられ、
この貫通孔３を通して、下層配＃１と交差する上層配線
ｕ１〜ｕ５がそれぞれ下層配線１と接続されている。な
お上層配線ｕ１〜ｕ５のそれぞれの両端には、Ｐ１〜Ｑ
１、Ｐ２〜Ｑ２、・・・・・・の一対の電極が設けられ
ている。
ており、下層配線１の上に層間絶縁膜が被着され、下層
配線１の各幅毎に層間絶縁膜には貫通孔３があけられ、
この貫通孔３を通して、下層配＃１と交差する上層配線
ｕ１〜ｕ５がそれぞれ下層配線１と接続されている。な
お上層配線ｕ１〜ｕ５のそれぞれの両端には、Ｐ１〜Ｑ
１、Ｐ２〜Ｑ２、・・・・・・の一対の電極が設けられ
ている。
第２図Ｌ＋ｌ 、 ｆｂ）は共に第１図のＡ−Ａ断面図
であり、同図ｆａ）は上層配線が正常な場合、同図（ｂ
）は上層配線が断線の場合を示している。すなわち、第
２図（ａ）においては、下層配線１を被う１間絶縁膜２
にあけられた貫通孔３は下層配線１の幅の中心にあるた
め、層間絶縁膜２の、下層配線の段部による段部を滑ら
かにするシリカ４は、貫通孔３をあけるときのエツチン
グ液とは離れているためになんの影響も受けずに、正常
に付着している。その結果、上層配線ｕ５も断線せず正
常に保たれている。しかるに、同図（ｂ） においては
、貫通孔３が下層配線の幅の中心よりずれているので、
段ダラシのシリカ４はエツチング液で除去されて急激な
段部となり、上層配線ｕ５は段切れ５となっている。
であり、同図ｆａ）は上層配線が正常な場合、同図（ｂ
）は上層配線が断線の場合を示している。すなわち、第
２図（ａ）においては、下層配線１を被う１間絶縁膜２
にあけられた貫通孔３は下層配線１の幅の中心にあるた
め、層間絶縁膜２の、下層配線の段部による段部を滑ら
かにするシリカ４は、貫通孔３をあけるときのエツチン
グ液とは離れているためになんの影響も受けずに、正常
に付着している。その結果、上層配線ｕ５も断線せず正
常に保たれている。しかるに、同図（ｂ） においては
、貫通孔３が下層配線の幅の中心よりずれているので、
段ダラシのシリカ４はエツチング液で除去されて急激な
段部となり、上層配線ｕ５は段切れ５となっている。
しだがって、第２図（ａ）の場合、電極Ｐ５−Ｑ５の間
の導通試峻は異常がないが、同図（ｂ）は導通零となる
。
の導通試峻は異常がないが、同図（ｂ）は導通零となる
。
第３図は本発明の他の実施例に係る検査用配線群の平面
図である。第３図において、それぞれ正方形の大きさの
違う下層配線１１〜１５が適当々間隔をおいて一列に配
置され、眉間絶縁膜を介して、下層配線１１〜１５の上
に直線状に上層配線６が形成され、下層配＠１１〜１５
のそれぞれとけ、層間絶縁膜にあけられた貫通孔３を通
して接続されている。さらに、上層配線６の一端には電
極Ａが設けられ、また、各下ｌ脅配線との接続部から横
に分岐した支線の端部にもそれぞれ電極Ｂｌ、Ｂ２．・
・・・・・が設けられており、下層配線１１〜１５の段
部における上層配線の断線の有無を調べるには、電極Ａ
Ｋ対する電極Ｂｌ 、 Ｂ２ 、・・・・・・のそれぞ
れの導通の検査をする。
図である。第３図において、それぞれ正方形の大きさの
違う下層配線１１〜１５が適当々間隔をおいて一列に配
置され、眉間絶縁膜を介して、下層配線１１〜１５の上
に直線状に上層配線６が形成され、下層配＠１１〜１５
のそれぞれとけ、層間絶縁膜にあけられた貫通孔３を通
して接続されている。さらに、上層配線６の一端には電
極Ａが設けられ、また、各下ｌ脅配線との接続部から横
に分岐した支線の端部にもそれぞれ電極Ｂｌ、Ｂ２．・
・・・・・が設けられており、下層配線１１〜１５の段
部における上層配線の断線の有無を調べるには、電極Ａ
Ｋ対する電極Ｂｌ 、 Ｂ２ 、・・・・・・のそれぞ
れの導通の検査をする。
へ３発明の効果
本発明の半導体装置によれば、サンプルとする各下層配
線の幅毎、および接続用貫通孔の位置ずれ毎の上層配線
の段切れ発生が容易に検証でき、段切れの発生のない多
層金属配線を有する半導体装置を製造するだめの実用価
値の高い設計資料を容易に得ることができる。
線の幅毎、および接続用貫通孔の位置ずれ毎の上層配線
の段切れ発生が容易に検証でき、段切れの発生のない多
層金属配線を有する半導体装置を製造するだめの実用価
値の高い設計資料を容易に得ることができる。
第１図は本発明の一実施例に係る検査用配線群の平面図
、第２図（ａ） 、 （ｂ）は第１図のＡ−Ａ断面図で
、同図ｔａ）は上層配線の正常なもの、同図（ｂ）は上
層配線段切れのものを示す図、第３図は本発明の他の実
施例に係る検査用配線群の平面図である。 １．１１〜ｇ５・・・・・・下層配線、ｕｌ〜ｕ５，６
・・・・・・上層配線、２・・・・・・層間絶縁膜、３
・・・・・・貫通孔、４・・・・・・シリカ、５・・・
・・・段切れ部、Ｐ１〜Ｐ５．Ｑ、１〜Ｑ５．Ａ。 Ｂ１−Ｂ５・・・・・・電極。 代理人 弁理士 内 原 晋／ ２：：’、’
、、。 （−′□ 第？図
、第２図（ａ） 、 （ｂ）は第１図のＡ−Ａ断面図で
、同図ｔａ）は上層配線の正常なもの、同図（ｂ）は上
層配線段切れのものを示す図、第３図は本発明の他の実
施例に係る検査用配線群の平面図である。 １．１１〜ｇ５・・・・・・下層配線、ｕｌ〜ｕ５，６
・・・・・・上層配線、２・・・・・・層間絶縁膜、３
・・・・・・貫通孔、４・・・・・・シリカ、５・・・
・・・段切れ部、Ｐ１〜Ｐ５．Ｑ、１〜Ｑ５．Ａ。 Ｂ１−Ｂ５・・・・・・電極。 代理人 弁理士 内 原 晋／ ２：：’、’
、、。 （−′□ 第？図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、２層以上の多層配線を有する半導体装置において、
前記多層配線のうち、前記装置本来の機能と直接関係す
る配線群の他に直接関係しない検査用配線群を有し、こ
の検査用配線群の下層配線の違った形の複数箇所で層間
絶縁膜を介して上層配線が交差され、この交差点におい
て前記層間膜にあけられた貫通孔を通して前記下層配線
と上層配線とが接続されていることを特徴とする半導体
装置。 ２、上記検査用配線群の下層配線は段階的に幅を変えた
直線状であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の半導体装置。 ３、上記検査用配線群の下層配線は互いに分離して配置
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15980884A JPS6136951A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15980884A JPS6136951A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6136951A true JPS6136951A (ja) | 1986-02-21 |
Family
ID=15701704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15980884A Pending JPS6136951A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6136951A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4835466A (en) * | 1987-02-06 | 1989-05-30 | Fairchild Semiconductor Corporation | Apparatus and method for detecting spot defects in integrated circuits |
| JPH0334353A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-14 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-07-30 JP JP15980884A patent/JPS6136951A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4835466A (en) * | 1987-02-06 | 1989-05-30 | Fairchild Semiconductor Corporation | Apparatus and method for detecting spot defects in integrated circuits |
| JPH0334353A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-14 | Nec Corp | 半導体装置 |
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