JPS63281445A - ウェ−ハ集積回路の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、一枚のウェーハ上に複数個の半導体集積回路
ブロックを形成し、これら半導体集積回路ブロックを切
り離ざず相互配線を施すことにより製造されるウェーハ
集積回路の製造方法において、 半導体集積回路ブロックの周囲に、半導体集積回路ブロ
ックψ位で繰り返される配線パターンを予め形成してお
くことにより、 ブロック間相互配線用のマスク設泪及び検査が容易でま
た配線切断や接続のための特別な■稈を不要にできるよ
うにしたものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明はつ］−−ハ集積回路の！１ＩｉＩ造方法に係り
、特に一枚のウェーハ上に形成される複数個の半導体集
積回路ブロックの相互配線についての製造方法に関する
。

論理集積回路の外部で信号が遅延する現象（オツブロッ
クディレィ）を無くすこと、ウェーハスクライブ■稈や
組立て■程を省略して一１ストダウンを図ること、スク
ライビング領域を有効パターン領域として使用すること
などを１］的として、一枚のウェーハ上に複数個のブロ
ックからなる集積回路を形成する技術が種々検Ｈされて
いる。

かかる目的に基づいて形成されたつ■−ハ集積回路で（
よ、歩留り改善を目的として予備のブロックも含めて冗
長に一枚のウェーハ上に複数個のブロックが搭載されて
おり、その中からテス１へにより正常に動作する良品の
ブロックを選択し、それら良品の一／［Ｊツク間を配線
することにより製造されるから、配線の方法が重要とな
る１、〔従来の技術〕 従来のつ］−−ハ集積回路のｒｉＡ造方法には人別して
次の２通りの方法があった。第１の製造ブノ法はウェー
ハ上の複数個の半導体集積回路ブロックの良否試験の結
末に応じて、良品のブロック間の相互配線用のマスクを
作成して配線・”Ａ　Ｍする方法である。

また、従来の第２の製造方法はつｌ−ハ集積回路に共通
のブロック間相互配線を設けておき、良否試験の結果に
応じて、レーデやヒユーズあるいはマスク等を用いて、
配線の切断、接続を行ない、目的とする配線を達成する
方法である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、良否試験の結果、一枚のウェーハ上の良
品と判定された半導体集積回路ブロックの位置は、各つ
Ｆ−ハ毎に異なるのが通常であるため、前記した第１の
製造方法では各つＩ−へ毎に専用の配線用マスクを設計
１作成しな（）ればならず、極めてコストが高くなると
いう問題点がある。

また、前記した第２の製造方法では配線の切断。

接続個所におりる信頼性や特性の均−竹などに関して問
題が牛じやすく、またプ［１セスが複９１１となる問題
点がある。

更に、前記第１及び第２の製造方法はいずれも−つ　　
　　− ブロック間配線パターンはブロック単位の繰り返しにな
っていないため、ブ］」ツク内配線とブロック外配線と
は別々に取扱わねばならず、製造−ｒ稈が繁雑であり、
・またブロック間配線パターンを、各つＬ−ハ集積回路
システム毎に設ＫＩ　Ｌ、なりればならないため、設δ
１工程も繁雑であるという問題点を右していた。

本発明は上記の魚に鑑みて創作されたもので、上記の諸
問題点を解決した新規なつ丁−ハ集積回路の製造方法を
提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明のつＴ−ハ集梢回路の製造方法は、一枚のつＪ−
へ十に複数個の半導体集積回路ブロックとＪ（にそれら
の各々の周囲に一定配線パターンの第１の配線層を形成
し、良品と判定された半導体集積回路ブロック間の相互
配線のためにコンタクトボールを第１の配線層を臨むよ
う所定位置に開孔した後、第１の配線層の上方に一定配
線パターンの第２の配線層を形成して配線を行ない、ウ
ェ一へ集積回路を製造する。

〔作用〕

一枚のウェーハ」−に複数個の半導体集積回路ブロック
を形成し、これら半導体集積回路ブロックを切り離さず
良品と判定された半導体集積回路ブロック間の相互配線
を施すことによりＶＪ造されるウェーハ集積回路の製造
方法において、まず半導体集積回路ブ１コック及び第１
の配線層が形成される。

次にコンタクトホールが開孔された後、第２の配線層が
形成される。この第２の配線層は一枚のウェーハ上のす
べての半導体集積回路ブロックの各々の周囲で、かつ、
第１の配線層の上方に第１の配線層による配線パターン
と直交する方向の一定配線パターンで形成される。

従って、第１及び第２の配線層による配線パターンは互
いに異なるが、いずれも良品の半導体集積回路ブロック
の位置に拘らず、すべてのウェーハ集積回路に共通にで
きる。また、配線をレーザやヒユーズ又はマスク等を用
いて接続したり、切断したり覆る必要はなく、コンタク
トホールの開孔１０買の選択によって所望の配線が行な
える。。

〔実施例〕

第１図は本発明１ノ法により製造されたウェーハ集積回
路の一実施例の説明図で、同図（Ａ）は半導体集積回路
ブロック（以下、単に「ブロック」という）周囲の配線
を示し、同図（１３）はつ］−一八へ積回路全体の構成
図を示す。第１図（Ａ）。

（Ｂ）において、１はブロックで、一枚のつ〕−一ハ２
十に例えば１２個搭載されている。ブロック１はパッド
３＋”□３ｇを右している、。

ウェーハ２土に形成されたブロック１はその内部配線と
共に第１図（Ａ）中、垂直り向の配線４へ−１１の配線
パターンをもつ第１の配線層がその周囲に形成される。

この第１の配線層にＪこる配線の一部はパッド３＋　、
３２．３ｓ及び３６に接続されている。

次にブロック間相互配線のために、第１の配線層の上部
を覆う絶縁層の所定位置に後述する如くコンタクトホー
ルが第１の配線層を臨むように穿設された後、その絶縁
層の表面に更に、配線４〜１１の長手方向と直交する方
向に、第１図（Ａ）に示す如く、配線１２へ・１９の配
線パターンをもつ第２の配線層がｌｆｆ積される。この
第２の配線層による配線の一部はパッド３３．３４．３
７及び３８に接続されている。

なお、第１図（Ａ）において、配線４と８の間、７と１
１の間が非接続となっているが、この非接続部の上方に
配線１２〜１９の配線用マスクにより配線１２〜１９の
形成時と同時に配線が形成される。同様に、配線１２及
び１５の各非接続部に対応する位置には、配線４〜１１
の配線用マスクにより配線４〜１１の形成時と同時に配
線が形成される。従って、上記の非接続部は、後］ホす
る第３図の］ンタク１ヘボール３０．３１のような］ン
タクトホールを穿設することによって接続することがで
きる。

一枚のウェーハ２上の１２個のブロック１′の夫々につ
いて第１図（Ａ）に示した配線パターンと同じ配線パタ
ーンが形成される。すなわち、ブロック間配線がブ［」
ツク単位に繰り返される第１図（Ａ＞の配線パターンに
より、構成されるため、つ１−ハ２全体の配線パターン
は第１図（Ｂ）に示す如くになる１゜ 次に良品のブロック間の相方配線について更に説明覆る
。本実施例では、ウェーハ２」−に搭載された１２個の
ブロック１の夫々について、前記第１の配線層形成直後
にパッド３＋＝３ａに検査装置の端子をあてて良否検査
が行なわれる。この良否検査の結果、良品と判定された
ブ［＝１ツク１のうち、第１図（Ｂ）にＡ、Ｂで示す２
つの隣接するブロックが良品であるものとし、第２図に
示す如くブロックΔのパッドａ１どブロックＢのパッド
ｂ＋　　（いずれも第１図＜Ａ）のパッド３１に相当）
とを接続し、かつ、ブロックへのパッドａ３　（第１図
（Ａ＞のパッド３３に相当）とブロックＢのパッドｂ７
　（第１図（Ａ＞のパッド３７に相当）とを接続する場
合を例にとって説明する。

第２図中、一点鎖線より左側の■で示す領域にはブロッ
クＡ及びその周辺の配線パターンが形成されており、右
側の■で示す領域にはブロックＢ及びその周辺の配線パ
ターンが形成されている。

第２図において、前記第１の配Ｉｉ１層の表面に絶縁層
が形成された後、黒丸で示した位置にコンタクトホール
２０〜２５が人々穿設される。しかる後に、第２の配線
層が上記絶縁層上に」任積されることにより、上記のパ
ッドａ、−ｂ、間、及びａ３−ｂ７間の配線ができる。

ここで、−例として第２図に破線２６で囲んで示した領
域の配線接続について更に詳細に第３図と共に説明する
。第３図（Δ）、（Ｂ）中、第２図ど同一構成部分には
同一符号を付しである。第３図（Ａ＞、（Ｂ）において
、第１の配線層２８ａ及び２８ｂは非接続とされており
、その上に絶縁層２９が形成されでいる。この絶縁層２
９の所定位置にはコンタクトホール２５．３０及び３１
が夫々第１の配線層２８ａ、２８ｂを臨むように開孔さ
れている。

一端が前記パッドｂ７に接続される第２の配線層３２ａ
は］マスク１へホール２５を介して第１の配線層２８ａ
に接続されるよう、絶縁層２９の上に形成される。また
、配線層３２ｂは］ンタクトホール３０，３１を介して
第１の配線層２８ａ。

２８ｂと接続されるように絶縁層２９の上に形成される
。なお、配線層３２ｂは第２図には図示されていない。

このように、本実施例によれば、配線を切断覆る工程が
なく、接続・】１接続の個所の信頼性を高くできる。

なお、上記の実施例では第１図乃至第３図において垂直
方向に延在する配線は下層の配ＦＡ層で、水平方向に延
看する配線は」一層の配線層であるとして説明し１ζが
、その逆でもよいことは勿論である。

〔発明の効果〕

上述の如く、本発明によれば、第１及び第２の配線層に
よる配線パターンは、一枚のウェーハ上の良品の半導体
集積回路ブロックの位置に関係なく予め設定した一定パ
ターンで形成されるため、配線用マスクの作成が従来に
比し極めて安洒で、簡単に作成できると」（に、配線用
マスクをすべてのつ１−ハ集積回路に共用することがで
きる。また、本発明によれば、レーザ、ヒユーズ又はマ
スク等を用いて配線を切断したり、接続しないので、簡
単なプロレスで信頼竹高く、均一な特性の配線を行なう
ことができ、更に半導体集積回路ブロックをウェーハ上
に形成する従来方法と同じ要領で、ブロック内配線パタ
ーンにブロック間配線パターンを含めて同時に形成する
ことができる。また更にブロック間配線マスクを製造し
た際の検査も従来では困難であったが、本発明によれば
、限られた領域を検査することを繰り返せばよいので従
来の半導体集積回路の場合と同様に検査することができ
、しかも本発明のブロック間配線パターンは汎用性があ
るため、多くのシステムに適用することができる等の数
々の特長を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法により製造されたウェーハ集積回路
の一実施例の説明図、 第２図は本発明方法によるブロック間配線の一実施例を
示す図、 第３図は第２図の要部の配線説明図である。 図において、 １、Ａ、Ｂは半導体集積回路ブロック、２はウェーハ、 ３＋　〜３ａ、ａ＋、ａ３．ｂ＋、ｂ７はパット、’　
　２０へ−２５，３０，３１はコンタクトホール、２８
ａ、２８ｂは第１の配線層、 ２９は絶縁層、 ３２ａ、３２ｂは第２の配線層である。 ヌＸ ゛乏イ 、−１５戸主 １撃 よタ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　一枚のウェーハ上に複数個の半導体集積回路ブロック
   を形成し、これら半導体集積回路ブロックを切り離さず
   良品と判定された該半導体集積回路ブロック間の相互配
   線を施すことにより製造されるウェーハ集積回路の製造
   方法において、 前記複数個の半導体集積回路ブロックと共にそれらの各
   々の周囲に一定配線パターンの第１の配線層を形成し、
   前記良品と判定された前記半導体集積回路ブロック間の
   相互配線のためにコンタクトホールを該第１の配線層を
   臨むよう所定位置に開孔した後、該複数個の半導体集積
   回路ブロックの各々の周囲で、かつ、該第１の配線層の
   上方に該第１の配線層による配線パターンと直交する方
   向の一定配線パターンの第２の配線層を形成して配線を
   行ない製造することを特徴とするウェーハ集積回路の製
   造方法。