JPH0227732A - 低抵抗配線接続加工方法 - Google Patents

低抵抗配線接続加工方法

Info

Publication number
JPH0227732A
JPH0227732A JP17740688A JP17740688A JPH0227732A JP H0227732 A JPH0227732 A JP H0227732A JP 17740688 A JP17740688 A JP 17740688A JP 17740688 A JP17740688 A JP 17740688A JP H0227732 A JPH0227732 A JP H0227732A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
wirings
low resistance
contact
holes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17740688A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Koizumi
小泉 雄二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP17740688A priority Critical patent/JPH0227732A/ja
Publication of JPH0227732A publication Critical patent/JPH0227732A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路に関し、特に、配線間の接続
に関する。
〔従来の技術〕
従来この種の配線間の接続は、第3図に示すように、集
束イオンビーム加工装置及び集束レーザ光を用いて行な
われている。はじめに、イオンビーム及びレーザ光によ
り接続する2本の配線1.1′に穴3を開ける。次にこ
の2つの穴30間に、タングステン及びモリブデン等の
膜2を形成して2つの穴3の周辺を含んだ2つの穴3の
間の配線を行なっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の配線接続加工は、接続したいそれぞれの
配線部分にそれぞれ1個の小さな穴を開けていたので、
従来の配線と新しい配線の間の接触抵抗が高くなるとい
う欠点があった。
本発明の目的は配線と新しい配線をコンタクトを使用し
て接続する際の接続抵抗を低くすることを提供すること
にある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の低抵抗配線接続加工は、LSI配線終7後の配
線パターンの修正で配線と追加配線の抵抗が非常に高く
大きさを自由にコンタクトを取ることをゆるされた追加
配線において、修正の対象となる複数本の配線にコンタ
クトをそれぞれとり、新しい配線を追加することにより
、配線パターンの接続を行なう場合、配線する前に配線
の間をエツチングしておき、配線のコンタクトを縦横に
数多くとることによって低抵抗配線を得るものである。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の全体平面図である。
l、1′は修正対象の配線であり、2本の配線を電気が
流れるように接続する。配線1,1′の接続は集束イオ
ンビーム加工装置及び集束レーザ光を用いて行なわれる
。はじめにイオンビーム及びレーザ光により接続する2
本の配線1,1′をエツチングにより、それぞれ10個
づつ穴(コンタクト)3を開ける。次にこれら2つの穴
3の間にタングステン及びモリブランの膜2を穴3がす
べて含まれるように広く形成する。また新規配線する前
に接続する配線間をエツチングすることにより、配線の
厚さ方向にも新規配線が接触され配線間が低抵抗になる
第2図は本発明の他の実施例の全体平面図である。修正
対象の2本の配線1,1′間に電流が流れるように接続
するコンタクト穴3は、上の配線1で10コとり、下の
配線1′で6コとっている。
また新規配線2は、他の配線l、1′と交差しないよう
に1字形にしである。このように多くのコンタクト穴3
をとることにより接触抵抗を下げ、修正配線の抵抗が低
くなるようにした。また第1図の実施例に比べ、新規配
線2を丁字形にしたために、従来から有る他の配線と交
差しないようにできるという利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、配線パターンの追加配
線修正で配線と追加配線の抵抗が非常に高く、数多く自
由にコンタクトを取ることをゆるされた追加配線におい
て、配線する前に接続する配線間をエツチングしておき
、配線のコンタクトを縦横に数多くとることによって、
低抵抗配線が与られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す平面図、第2図は本発
明の他の実施例を示す平面図、第3図は従来例を示す平
面図である。 ■・・・・・・配線、2・・・・・・新規配線、3・・
・・・・コンタクト穴。 代理人 弁理士  内 原   晋

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 集積回路の配線終了後の配線パターンの修正で配線と追
    加配線の抵抗が非常に高く自由な大きさにコンタクトを
    取ることをゆるされた追加配線において、修正の対象と
    なる複数本の配線にコンタクトをそれぞれとり、新しい
    配線を追加することにより、配線パターンの接続を行な
    う場合、配線する前に接続する配線間をエッチングして
    おき、配線のコンタクトを縦横に数多くとることによっ
    て低抵抗配線を与られることを特徴とする低抵抗配線接
    続加工方法。
JP17740688A 1988-07-15 1988-07-15 低抵抗配線接続加工方法 Pending JPH0227732A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17740688A JPH0227732A (ja) 1988-07-15 1988-07-15 低抵抗配線接続加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17740688A JPH0227732A (ja) 1988-07-15 1988-07-15 低抵抗配線接続加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0227732A true JPH0227732A (ja) 1990-01-30

Family

ID=16030376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17740688A Pending JPH0227732A (ja) 1988-07-15 1988-07-15 低抵抗配線接続加工方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0227732A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05508748A (ja) * 1991-05-14 1993-12-02 フルオロウェア・インコーポレーテッド 傾斜ボックス
US5378496A (en) * 1992-12-03 1995-01-03 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method of manufacturing magnetic recording medium

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05508748A (ja) * 1991-05-14 1993-12-02 フルオロウェア・インコーポレーテッド 傾斜ボックス
US5378496A (en) * 1992-12-03 1995-01-03 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method of manufacturing magnetic recording medium

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4054484A (en) Method of forming crossover connections
JPS6218732A (ja) 集積回路とその個性化方法
JPS621247A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0227732A (ja) 低抵抗配線接続加工方法
JPH01185943A (ja) 半導体集積回路装置
JP2808594B2 (ja) 信号遅延回路
JPH01214040A (ja) 半導体集積回路の製造方法
JPH11154708A (ja) プログラミング可能な半導体装置
JPH1117315A (ja) 可撓性回路基板の製造法
JPS62186569A (ja) 電界効果型トランジスタの製造方法
JP3265389B2 (ja) 転写用バンプ保持装置
JP2534496B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0786281A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JPS63299141A (ja) 半導体装置の層間導通方法
JPH022121A (ja) 配線パターン
JPS62150847A (ja) 配線接続方法
JP2712806B2 (ja) 半導体集積回路
JPH05190554A (ja) フリップチップ型半導体装置及びその製造方法
JPS61154050A (ja) 半導体製造方法
JPS6235537A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS63107043A (ja) 半導体装置の導電線路の形成方法
JPS62165341A (ja) 半導体装置
JPH03123059A (ja) 半導体装置
JPH03191542A (ja) フィルムキャリアテープの製造方法
JPH01747A (ja) 半導体装置の製造方法