JPH0227732A - 低抵抗配線接続加工方法 - Google Patents
低抵抗配線接続加工方法Info
- Publication number
- JPH0227732A JPH0227732A JP17740688A JP17740688A JPH0227732A JP H0227732 A JPH0227732 A JP H0227732A JP 17740688 A JP17740688 A JP 17740688A JP 17740688 A JP17740688 A JP 17740688A JP H0227732 A JPH0227732 A JP H0227732A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- wirings
- low resistance
- contact
- holes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路に関し、特に、配線間の接続
に関する。
に関する。
従来この種の配線間の接続は、第3図に示すように、集
束イオンビーム加工装置及び集束レーザ光を用いて行な
われている。はじめに、イオンビーム及びレーザ光によ
り接続する2本の配線1.1′に穴3を開ける。次にこ
の2つの穴30間に、タングステン及びモリブデン等の
膜2を形成して2つの穴3の周辺を含んだ2つの穴3の
間の配線を行なっていた。
束イオンビーム加工装置及び集束レーザ光を用いて行な
われている。はじめに、イオンビーム及びレーザ光によ
り接続する2本の配線1.1′に穴3を開ける。次にこ
の2つの穴30間に、タングステン及びモリブデン等の
膜2を形成して2つの穴3の周辺を含んだ2つの穴3の
間の配線を行なっていた。
上述した従来の配線接続加工は、接続したいそれぞれの
配線部分にそれぞれ1個の小さな穴を開けていたので、
従来の配線と新しい配線の間の接触抵抗が高くなるとい
う欠点があった。
配線部分にそれぞれ1個の小さな穴を開けていたので、
従来の配線と新しい配線の間の接触抵抗が高くなるとい
う欠点があった。
本発明の目的は配線と新しい配線をコンタクトを使用し
て接続する際の接続抵抗を低くすることを提供すること
にある。
て接続する際の接続抵抗を低くすることを提供すること
にある。
本発明の低抵抗配線接続加工は、LSI配線終7後の配
線パターンの修正で配線と追加配線の抵抗が非常に高く
大きさを自由にコンタクトを取ることをゆるされた追加
配線において、修正の対象となる複数本の配線にコンタ
クトをそれぞれとり、新しい配線を追加することにより
、配線パターンの接続を行なう場合、配線する前に配線
の間をエツチングしておき、配線のコンタクトを縦横に
数多くとることによって低抵抗配線を得るものである。
線パターンの修正で配線と追加配線の抵抗が非常に高く
大きさを自由にコンタクトを取ることをゆるされた追加
配線において、修正の対象となる複数本の配線にコンタ
クトをそれぞれとり、新しい配線を追加することにより
、配線パターンの接続を行なう場合、配線する前に配線
の間をエツチングしておき、配線のコンタクトを縦横に
数多くとることによって低抵抗配線を得るものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の全体平面図である。
l、1′は修正対象の配線であり、2本の配線を電気が
流れるように接続する。配線1,1′の接続は集束イオ
ンビーム加工装置及び集束レーザ光を用いて行なわれる
。はじめにイオンビーム及びレーザ光により接続する2
本の配線1,1′をエツチングにより、それぞれ10個
づつ穴(コンタクト)3を開ける。次にこれら2つの穴
3の間にタングステン及びモリブランの膜2を穴3がす
べて含まれるように広く形成する。また新規配線する前
に接続する配線間をエツチングすることにより、配線の
厚さ方向にも新規配線が接触され配線間が低抵抗になる
。
流れるように接続する。配線1,1′の接続は集束イオ
ンビーム加工装置及び集束レーザ光を用いて行なわれる
。はじめにイオンビーム及びレーザ光により接続する2
本の配線1,1′をエツチングにより、それぞれ10個
づつ穴(コンタクト)3を開ける。次にこれら2つの穴
3の間にタングステン及びモリブランの膜2を穴3がす
べて含まれるように広く形成する。また新規配線する前
に接続する配線間をエツチングすることにより、配線の
厚さ方向にも新規配線が接触され配線間が低抵抗になる
。
第2図は本発明の他の実施例の全体平面図である。修正
対象の2本の配線1,1′間に電流が流れるように接続
するコンタクト穴3は、上の配線1で10コとり、下の
配線1′で6コとっている。
対象の2本の配線1,1′間に電流が流れるように接続
するコンタクト穴3は、上の配線1で10コとり、下の
配線1′で6コとっている。
また新規配線2は、他の配線l、1′と交差しないよう
に1字形にしである。このように多くのコンタクト穴3
をとることにより接触抵抗を下げ、修正配線の抵抗が低
くなるようにした。また第1図の実施例に比べ、新規配
線2を丁字形にしたために、従来から有る他の配線と交
差しないようにできるという利点がある。
に1字形にしである。このように多くのコンタクト穴3
をとることにより接触抵抗を下げ、修正配線の抵抗が低
くなるようにした。また第1図の実施例に比べ、新規配
線2を丁字形にしたために、従来から有る他の配線と交
差しないようにできるという利点がある。
以上説明したように、本発明は、配線パターンの追加配
線修正で配線と追加配線の抵抗が非常に高く、数多く自
由にコンタクトを取ることをゆるされた追加配線におい
て、配線する前に接続する配線間をエツチングしておき
、配線のコンタクトを縦横に数多くとることによって、
低抵抗配線が与られるという効果がある。
線修正で配線と追加配線の抵抗が非常に高く、数多く自
由にコンタクトを取ることをゆるされた追加配線におい
て、配線する前に接続する配線間をエツチングしておき
、配線のコンタクトを縦横に数多くとることによって、
低抵抗配線が与られるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す平面図、第2図は本発
明の他の実施例を示す平面図、第3図は従来例を示す平
面図である。 ■・・・・・・配線、2・・・・・・新規配線、3・・
・・・・コンタクト穴。 代理人 弁理士 内 原 晋
明の他の実施例を示す平面図、第3図は従来例を示す平
面図である。 ■・・・・・・配線、2・・・・・・新規配線、3・・
・・・・コンタクト穴。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 集積回路の配線終了後の配線パターンの修正で配線と追
加配線の抵抗が非常に高く自由な大きさにコンタクトを
取ることをゆるされた追加配線において、修正の対象と
なる複数本の配線にコンタクトをそれぞれとり、新しい
配線を追加することにより、配線パターンの接続を行な
う場合、配線する前に接続する配線間をエッチングして
おき、配線のコンタクトを縦横に数多くとることによっ
て低抵抗配線を与られることを特徴とする低抵抗配線接
続加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17740688A JPH0227732A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 低抵抗配線接続加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17740688A JPH0227732A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 低抵抗配線接続加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0227732A true JPH0227732A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16030376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17740688A Pending JPH0227732A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 低抵抗配線接続加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0227732A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05508748A (ja) * | 1991-05-14 | 1993-12-02 | フルオロウェア・インコーポレーテッド | 傾斜ボックス |
US5378496A (en) * | 1992-12-03 | 1995-01-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of manufacturing magnetic recording medium |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP17740688A patent/JPH0227732A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05508748A (ja) * | 1991-05-14 | 1993-12-02 | フルオロウェア・インコーポレーテッド | 傾斜ボックス |
US5378496A (en) * | 1992-12-03 | 1995-01-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of manufacturing magnetic recording medium |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4054484A (en) | Method of forming crossover connections | |
JPS6218732A (ja) | 集積回路とその個性化方法 | |
JPS621247A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0227732A (ja) | 低抵抗配線接続加工方法 | |
JPH01185943A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2808594B2 (ja) | 信号遅延回路 | |
JPH01214040A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
JPH11154708A (ja) | プログラミング可能な半導体装置 | |
JPH1117315A (ja) | 可撓性回路基板の製造法 | |
JPS62186569A (ja) | 電界効果型トランジスタの製造方法 | |
JP3265389B2 (ja) | 転写用バンプ保持装置 | |
JP2534496B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0786281A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JPS63299141A (ja) | 半導体装置の層間導通方法 | |
JPH022121A (ja) | 配線パターン | |
JPS62150847A (ja) | 配線接続方法 | |
JP2712806B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH05190554A (ja) | フリップチップ型半導体装置及びその製造方法 | |
JPS61154050A (ja) | 半導体製造方法 | |
JPS6235537A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS63107043A (ja) | 半導体装置の導電線路の形成方法 | |
JPS62165341A (ja) | 半導体装置 | |
JPH03123059A (ja) | 半導体装置 | |
JPH03191542A (ja) | フィルムキャリアテープの製造方法 | |
JPH01747A (ja) | 半導体装置の製造方法 |