JPS63253637A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS63253637A JPS63253637A JP8679187A JP8679187A JPS63253637A JP S63253637 A JPS63253637 A JP S63253637A JP 8679187 A JP8679187 A JP 8679187A JP 8679187 A JP8679187 A JP 8679187A JP S63253637 A JPS63253637 A JP S63253637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- aluminum wiring
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マニュアルプローブ針によるアルミ配線切断
の際の、近傍のアルミ配線とのショートを容易に防ぐこ
とが可能な半導体集積回路に関する。
の際の、近傍のアルミ配線とのショートを容易に防ぐこ
とが可能な半導体集積回路に関する。
従来の半導体集積回路のアルミ配線パターン部は第３図
の斜視図に示される様な構成となっている。
の斜視図に示される様な構成となっている。
１は第１アルミ配線、２は第２アルミ配線、６は第１絶
縁膜、４は第２絶縁膜、５は半導体基板であり、半導体
基板５．上に回路素子（図示せず）を形成し、前記回路
素子上に第１及び第２絶縁膜６．４を形成した後第１及
び第２アルミ配線１．２によりて内部接続及び外部接続
を行うようにしている。
縁膜、４は第２絶縁膜、５は半導体基板であり、半導体
基板５．上に回路素子（図示せず）を形成し、前記回路
素子上に第１及び第２絶縁膜６．４を形成した後第１及
び第２アルミ配線１．２によりて内部接続及び外部接続
を行うようにしている。
そして前記半導体集積回路は、製造過程に於て不良解析
等の目的で、プローブ針６を用いて第１アルミ配線１あ
るいは第２のアルミ配線２の切断を行う必要がある。
等の目的で、プローブ針６を用いて第１アルミ配線１あ
るいは第２のアルミ配線２の切断を行う必要がある。
しかしながら、従来の半導体集積回路ではその微細化故
、マニュアルプローブ針でアルミ配線を切断する際、近
傍の他のアルミ配線とショートしてしまう可能性が高く
、オプション回路切断時、不良解析時等正しい評価が困
難であった。
、マニュアルプローブ針でアルミ配線を切断する際、近
傍の他のアルミ配線とショートしてしまう可能性が高く
、オプション回路切断時、不良解析時等正しい評価が困
難であった。
第４図は第３図に於けるアルミ切断面の部分拡大側面図
である。
である。
前記第４図の従来アルミ配線パターンに於て、今、プロ
ーブ針６により矢印９の方向に向かって第１アルミ配線
１を切断したとき、該第１アルミ配線１より切り取られ
たアルミ（ず７は前記プローブ針６に引きずられて行く
。この時、プローブ針６は微かな振動あるいは手元の狂
いで動いてしまい、前記アルミ（ず７は数ミクロン離れ
た第２アルミ配線２に達っしてしまい、結果第１アルミ
配線１と第２アルミ配線２とがショートしてしまう。
ーブ針６により矢印９の方向に向かって第１アルミ配線
１を切断したとき、該第１アルミ配線１より切り取られ
たアルミ（ず７は前記プローブ針６に引きずられて行く
。この時、プローブ針６は微かな振動あるいは手元の狂
いで動いてしまい、前記アルミ（ず７は数ミクロン離れ
た第２アルミ配線２に達っしてしまい、結果第１アルミ
配線１と第２アルミ配線２とがショートしてしまう。
本発明の目的は、近傍のアルミ配線とのショートを防ぎ
、容易にアルミ配線の切断を可能とする半導体集積回路
を提供するものである。
、容易にアルミ配線の切断を可能とする半導体集積回路
を提供するものである。
上記目的を達成するための本発明の構成は、半導体基板
上に回路素子を形成すると共に、アルミ配線パターンを
有する集積回路に於て、隣り合うアルミ配線との間に、
アルミ配線切断時に相方のアルミ配線のショートを防ぐ
ためのポリシリコンのストッパーを形成したことを特徴
とする。
上に回路素子を形成すると共に、アルミ配線パターンを
有する集積回路に於て、隣り合うアルミ配線との間に、
アルミ配線切断時に相方のアルミ配線のショートを防ぐ
ためのポリシリコンのストッパーを形成したことを特徴
とする。
〔実施例〕
以下本発明の実施例を図面に基づ（・て詳述する。
第１図は本発明による半導体集積回路のアルミ配線のパ
ターン部の斜視図で、第２図は第１図に於けるアルミ配
線パターン部切断面部分拡大側面図であり、８はポリシ
リコンのストッパーである。
ターン部の斜視図で、第２図は第１図に於けるアルミ配
線パターン部切断面部分拡大側面図であり、８はポリシ
リコンのストッパーである。
尚、第１、第２、第３％第４図の共通部分には同一番号
を付し説明を省略する。
を付し説明を省略する。
第１及び第２図によると、第１アルミ配線１及び第２ア
ルミ配線２との間にポリシリコンストッパー８を設けた
ことにより第１絶縁膜６が第１アルミ配線１及び第２ア
ルミ配線２との間で盛り上がっていることが判る。該第
１絶縁膜６はガラス質で非常に堅いため、プローブ針６
は図中矢印９の方向に向かって、第１アルミ配線１を切
断した後、前記第１絶縁膜６の盛り上りに引っかかり第
２アルミ配線２に達しない。従って、アルミ配線間のシ
ョートは起こらない。
ルミ配線２との間にポリシリコンストッパー８を設けた
ことにより第１絶縁膜６が第１アルミ配線１及び第２ア
ルミ配線２との間で盛り上がっていることが判る。該第
１絶縁膜６はガラス質で非常に堅いため、プローブ針６
は図中矢印９の方向に向かって、第１アルミ配線１を切
断した後、前記第１絶縁膜６の盛り上りに引っかかり第
２アルミ配線２に達しない。従って、アルミ配線間のシ
ョートは起こらない。
以上の説明で明らかなように、本発明によれば半導体集
積回路内アルミ配線間にショート防止ストッパーを設け
ることにより、容易にアルミ配線の切断を実現するもの
である。尚、実施例で述べたポリシリコンストッパーは
特別な工程を必要とせず、通常プロセスにより形成可能
である。
積回路内アルミ配線間にショート防止ストッパーを設け
ることにより、容易にアルミ配線の切断を実現するもの
である。尚、実施例で述べたポリシリコンストッパーは
特別な工程を必要とせず、通常プロセスにより形成可能
である。
第１図は本発明による半導体集積回路のアルミ配線パタ
ーン部の斜視図、第２図は第１図のアルミ配線バター一
部切断面部分拡大側面図であ未。 第３図は従来技術の半導体集積回路のアルミ配線パター
ン部の斜視図、第４図は第３図のアルミ配線パターン部
切断面部分拡大側面図である。 １・・・・・・第、１アルミ配線。 ２・・・・・・第２アルミ配線、 ５・・・・・・半導体基板、 ６・・・・・・プローブ針・ ８・・・・・・ポリシリコンストッパー。
ーン部の斜視図、第２図は第１図のアルミ配線バター一
部切断面部分拡大側面図であ未。 第３図は従来技術の半導体集積回路のアルミ配線パター
ン部の斜視図、第４図は第３図のアルミ配線パターン部
切断面部分拡大側面図である。 １・・・・・・第、１アルミ配線。 ２・・・・・・第２アルミ配線、 ５・・・・・・半導体基板、 ６・・・・・・プローブ針・ ８・・・・・・ポリシリコンストッパー。
Claims (1)
- 半導体基板上に回路素子を形成すると共に、アルミ配線
パターンを有する集積回路に於て、隣り合うアルミ配線
間に、アルミ配線切断時に相方のアルミ配線のショート
を防ぐためのポリシリコンのストッパー層を形成したこ
とを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8679187A JPS63253637A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8679187A JPS63253637A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63253637A true JPS63253637A (ja) | 1988-10-20 |
Family
ID=13896595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8679187A Pending JPS63253637A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63253637A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005166726A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Sii Nanotechnology Inc | 集積回路の配線変更方法 |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP8679187A patent/JPS63253637A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005166726A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Sii Nanotechnology Inc | 集積回路の配線変更方法 |
| JP4567321B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2010-10-20 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 集積回路の配線変更方法 |
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