KR200309911Y1 - 다층 배선 - Google Patents

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KR200309911Y1
KR200309911Y1 KR2019970019840U KR19970019840U KR200309911Y1 KR 200309911 Y1 KR200309911 Y1 KR 200309911Y1 KR 2019970019840 U KR2019970019840 U KR 2019970019840U KR 19970019840 U KR19970019840 U KR 19970019840U KR 200309911 Y1 KR200309911 Y1 KR 200309911Y1
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서유완
박준석
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주식회사 하이닉스반도체
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure

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Abstract

본 고안은 IMD층에 발생하는 크랙을 제거하여 제 1 금속 배선과 제 2 금속 배선의 단락을 방지하므로 배선의 신뢰성을 향상시키기 위한 다층 배선에 관한 것이다.
본 고안의 다층 배선은 기판상에 제 1 콘택홀을 갖으며 형성되는 제 1 절연막, 상기 제 1 콘택홀을 포함한 제 1 절연막상의 제 1 배선 영역에 형성되는 제 1 배선용 제 1 도전체, 상기 제 1 도전체상에 형성되는 다수 개의 제 2 콘택홀을 갖으며 상기 제 1 도전체를 포함한 제 1 절연막상의 소정 영역에 형성되는 제 2 절연막과, 상기 제 2 절연막을 포함한 제 1 절연막상에 형성되어 상기 다수 개의 제 2 콘택홀과 각각 전기적으로 연결되는 다수 개의 제 2 배선용 제 2 도전체를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.

Description

다층 배선
본 고안은 다층 배선에 관한 것으로, 특히 배선의 신뢰성을 향상시키는 다층 배선에 관한 것이다.
디바이스의 기능이 점점더 복잡해지고 많은 기능을 가짐에 따라 칩 내부의 소자간에 많은 연결선 즉 배선들이 필요하게 되었다.
소자의 금속 배선 구조는 회로상에서의 전류의 양과 금속 물질의 전류 흐름 능력 및 특정 공정에서의 금속의 두께 등 여러 가지 제약 조건에 의해서 결정되므로 금속 배선의 넓이를 조절하여야 하고 또한 한 층이 아닌 두 개 이상의 다층 구조를 갖는다.
상기 배선 중에서도 소자의 가장자리에 위치하는 소자의 입력단 및 출력단에는 많은 전류의 흐름이 있기 때문에 다른 내부 소자의 금속 배선의 넓이 보다 더 넓은 금속 배선이 필요하다.
종래의 다층 배선은 도 1에서와 같이, 기판(도시하지 않음)상에 제 1 콘택홀을 갖으며 형성되는 절연막(11), 상기 제 1 콘택홀을 포함하여 상기 절연막(11)상의 제 1 배선 영역에 제 1 금속층으로 형성되는 제 1 배선층(12), 상기 제 1 배선층(12)상에 한 개의 제 2 콘택홀을 갖으며 형성되는 IMD(Inter Metal Dielectric)층(14)과, 상기 제 2 콘택홀을 포함하여 상기 IMD층(14)상에 제 2 금속층으로 형성되는 한 개의 제 2 배선층(16)으로 구성된다.
그러나 종래의 다층 배선은 IMD층과 제 1, 제 2 금속 배선용 금속층의 서로 다른 열 팽창 계수로 상기 IMD층에 압력이 가해지므로 크랙(Crack)이 발생하여 상기 제 1 금속 배선과 제 2 금속 배선이 단락된다는 문제점이 있었다.
본 고안은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 IMD층에 발생하는 크랙을 제거하여 제 1 금속 배선과 제 2 금속 배선의 단락을 방지하므로 배선의 신뢰성을 향상시키는 다층 배선을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 다층 배선을 나타낸 구조 사시도
도 2는 본 고안의 실시예에 따른 다층 배선을 나타낸 구조 사시도
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
31: 절연막 32: 제 1 배선층
34: IMD층 36: 제 2 배선층
본 고안의 다층 배선은 기판상에 제 1 콘택홀을 갖으며 형성되는 제 1 절연막, 상기 제 1 콘택홀을 포함한 제 1 절연막상의 제 1 배선 영역에 형성되는 제 1 배선용 제 1 도전체, 상기 제 1 도전체상에 형성되는 다수 개의 제 2 콘택홀을 갖으며 상기 제 1 도전체를 포함한 제 1 절연막상의 소정 영역에 형성되는 제 2 절연막과, 상기 제 2 절연막을 포함한 제 1 절연막상에 형성되어 상기 다수 개의 제 2 콘택홀과 각각 전기적으로 연결되는 다수 개의 제 2 배선용 제 2 도전체를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 고안에 따른 다층 배선의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 고안의 실시예에 따른 다층 배선은 도 2에서와 같이, 기판(도시하지 않음)상에 제 1 콘택홀을 갖으며 형성되는 절연막(31), 상기 제 1 콘택홀을 포함하여 상기 절연막(31)상의 소정 영역에 제 1 배선 영역에 제 1 금속층으로 형성되는 제 1 배선층(32), 상기 제 1 배선층(32)을 포함한 절연막(31)상에 상기 제 1 배선층(32)상의 두 개의 제 2 콘택홀을 갖으며 형성되는 IMD(34)층과, 상기 IMD층(34)상에 상기 두 개의 제 2 콘택홀과 각각 전기적으로 연결되어 형성되는 두 개의 제 2 배선층(36)으로 구성된다. 여기서 상기 각 제 2 배선층(36)의 폭은 종래 기술에 따른 제 2 배선층(16)의 폭보다 좁다.
본 고안의 다층 배선은 IMD층상에 폭이 좁은 복수 개의 제 2 금속 배선을 형성하므로, 상기 IMD층상에 가해지는 압력을 분산시켜서 상기 IMD층상에 발생되는 크랙을 억제하여 제 1 금속 배선과 제 2 금속 배선의 단락을 방지하므로 배선의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 기판상에 제 1 콘택홀을 갖으며 형성되는 제 1 절연막;
    상기 제 1 콘택홀을 포함한 제 1 절연막상의 제 1 배선 영역에 형성되는 제 1 배선용 제 1 도전체;
    상기 제 1 도전체상에 형성되는 다수 개의 제 2 콘택홀을 갖으며 상기 제 1 도전체를 포함한 제 1 절연막상의 소정 영역에 형성되는 제 2 절연막;
    상기 제 2 절연막을 포함한 제 1 절연막상에 형성되어 상기 다수 개의 제 2 콘택홀과 각각 전기적으로 연결되는 다수 개의 제 2 배선용 제 2 도전체를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 다층 배선.
KR2019970019840U 1997-07-25 1997-07-25 다층 배선 KR200309911Y1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9691822B2 (en) 2015-01-23 2017-06-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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