JPS6136708B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6136708B2 JPS6136708B2 JP54021697A JP2169779A JPS6136708B2 JP S6136708 B2 JPS6136708 B2 JP S6136708B2 JP 54021697 A JP54021697 A JP 54021697A JP 2169779 A JP2169779 A JP 2169779A JP S6136708 B2 JPS6136708 B2 JP S6136708B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- roller electrode
- square
- ceramic
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置にかかり、とくにセラミツ
ク容器上の角型金属枠部に金属蓄部を用いて電気
的に封止してなる半導体装置において、角型金属
枠部周縁のセラミツクを改良し、電気的に封止方
法をも改良したものである。
ク容器上の角型金属枠部に金属蓄部を用いて電気
的に封止してなる半導体装置において、角型金属
枠部周縁のセラミツクを改良し、電気的に封止方
法をも改良したものである。
従来のこの種の角型金属枠部を有する半導体装
置は角型金属枠部を取り付けるセラミツク面は平
面に形成されている。一方、半導体素子の実装集
積度が増加するに伴ない、半導体素子が大きくな
るから角型金属枠部の形状は正方形に近くなつて
来る。そして、角型金属枠部に金属蓋部を電気的
に用いるローラ電極の角度は角型金属枠部の形状
が大きくなり、しかも正方形になるにしたがつて
例えば20゜から８゜と小さくしないとローラ電極
の先端が角型金属枠部を取り付けたセラミツク面
に接触し、封止が完全に行なえない。そこで、角
型金属枠部の形状が大きくなり、しかも正方形に
なるとローラ電極の角度は８゜以下を用いないと
従来の角型金属枠部を有する半導体装置を使用す
ることが出来ない。しかも、ローラ電極の角度が
８゜前後に成ると金属蓋部と接触する面積が大き
くなるため、電気的に封入する条件範囲が非常に
狭くなり、安定な品質を得ることがむずかしくな
る。即ち、従来技術を示す第１図、第２図、第３
図に示す如く、従来のセラミツク型の半導体装置
は、セラミツク基材１に外部リード２を取り付
け、角型枠部４をロー付け材料５を用いてセラミ
ツク基材１に取り付けてある。半導体素子８はセ
ラミツク基材１に取り付け、内部リード６とを金
属細線７で配線されている。角型枠部４はセラミ
ツク基材１の平面にロー付けされ、ローラ電極９
を用いて金属蓋部３が角型枠部４に電気的に封止
している。
置は角型金属枠部を取り付けるセラミツク面は平
面に形成されている。一方、半導体素子の実装集
積度が増加するに伴ない、半導体素子が大きくな
るから角型金属枠部の形状は正方形に近くなつて
来る。そして、角型金属枠部に金属蓋部を電気的
に用いるローラ電極の角度は角型金属枠部の形状
が大きくなり、しかも正方形になるにしたがつて
例えば20゜から８゜と小さくしないとローラ電極
の先端が角型金属枠部を取り付けたセラミツク面
に接触し、封止が完全に行なえない。そこで、角
型金属枠部の形状が大きくなり、しかも正方形に
なるとローラ電極の角度は８゜以下を用いないと
従来の角型金属枠部を有する半導体装置を使用す
ることが出来ない。しかも、ローラ電極の角度が
８゜前後に成ると金属蓋部と接触する面積が大き
くなるため、電気的に封入する条件範囲が非常に
狭くなり、安定な品質を得ることがむずかしくな
る。即ち、従来技術を示す第１図、第２図、第３
図に示す如く、従来のセラミツク型の半導体装置
は、セラミツク基材１に外部リード２を取り付
け、角型枠部４をロー付け材料５を用いてセラミ
ツク基材１に取り付けてある。半導体素子８はセ
ラミツク基材１に取り付け、内部リード６とを金
属細線７で配線されている。角型枠部４はセラミ
ツク基材１の平面にロー付けされ、ローラ電極９
を用いて金属蓋部３が角型枠部４に電気的に封止
している。
この様な構造の半導体装置は角型枠部へ金属蓋
部を電気的に封止するのに用いるローラ電極の角
度Ａは金属蓋部３の外形寸法と角型枠部の厚に依
り決定される。したがつて、従来の半導体装置の
場合、金属蓋部３の外形寸法が大きくなると、角
型枠部４の厚を厚くするか又はローラ電極の角度
Ａを小さくしないと角型枠部をロー付けするセラ
ミツク基材１にローラ電極が接触し、電気的な封
止が不充分となる。又ローラ電極の角度を小さく
することによつて、電気的な封止は可能になるが
使用条件が狭くなり作業の安定性をかいていた。
角型枠部の厚を厚くすることは角型枠部を打ち抜
くプレス性の不安定性及び角型枠部の巾が必然的
に大きくなるから半導体素子を組み込む作業に不
利となる。このため、サイズの大きい半導体素子
を組み込むための大型な角型枠部を有する半導体
装置を供給することが出来なかつた。
部を電気的に封止するのに用いるローラ電極の角
度Ａは金属蓋部３の外形寸法と角型枠部の厚に依
り決定される。したがつて、従来の半導体装置の
場合、金属蓋部３の外形寸法が大きくなると、角
型枠部４の厚を厚くするか又はローラ電極の角度
Ａを小さくしないと角型枠部をロー付けするセラ
ミツク基材１にローラ電極が接触し、電気的な封
止が不充分となる。又ローラ電極の角度を小さく
することによつて、電気的な封止は可能になるが
使用条件が狭くなり作業の安定性をかいていた。
角型枠部の厚を厚くすることは角型枠部を打ち抜
くプレス性の不安定性及び角型枠部の巾が必然的
に大きくなるから半導体素子を組み込む作業に不
利となる。このため、サイズの大きい半導体素子
を組み込むための大型な角型枠部を有する半導体
装置を供給することが出来なかつた。
本発明の目的は前述した従来の角型枠部を有す
る半導体装置の角型枠部をロー付けするセラミツ
ク基体を改良し、ローラ電極の角度を小さくする
ことなく、大型な角型枠部を有する半導体装置を
提供するものである。
る半導体装置の角型枠部をロー付けするセラミツ
ク基体を改良し、ローラ電極の角度を小さくする
ことなく、大型な角型枠部を有する半導体装置を
提供するものである。
即ち、本発明の半導体装置はセラミツク基体に
ロー付けする角型枠部の外周縁から角型枠部の厚
より離れた部分のセラミツク基体に段差あるいは
凹部を設けたものである。
ロー付けする角型枠部の外周縁から角型枠部の厚
より離れた部分のセラミツク基体に段差あるいは
凹部を設けたものである。
次に第４図、第５図、第６図を参照して本発明
の一実施例を説明する。セラミツク基体２１に外
部リード２２を取り付け、角型枠部２４をロー付
け材料２５を用いてロー付けし、半導体素子２８
はセラミツク基体２１に取り付けた後、内部リー
ド２６とを金属細線２７で配線されている。角型
枠部２４はセラミツク基体２１の平面にロー付け
され、角型枠部の外周縁から角型枠部の厚より離
れた部分から、セラミツク基体２１−１の様に段
差を設けてあり、ローラ電極３１を用いて金属蓋
部２３が角型枠部２４に電気的に封止している。
第６図は大型な角型枠部２４を有する半導体装置
をローラ電極２９を用いて電気的に封止する図で
あるが、角型枠部２４をロー付けしたセラミツク
平面に段差を設けてあるから、角度１３の大きい
ローラ電極を用いても、ローラ電極のエツヂがセ
ラミツク平面に接触することなく、安定な封止を
行なうことが出来る。
の一実施例を説明する。セラミツク基体２１に外
部リード２２を取り付け、角型枠部２４をロー付
け材料２５を用いてロー付けし、半導体素子２８
はセラミツク基体２１に取り付けた後、内部リー
ド２６とを金属細線２７で配線されている。角型
枠部２４はセラミツク基体２１の平面にロー付け
され、角型枠部の外周縁から角型枠部の厚より離
れた部分から、セラミツク基体２１−１の様に段
差を設けてあり、ローラ電極３１を用いて金属蓋
部２３が角型枠部２４に電気的に封止している。
第６図は大型な角型枠部２４を有する半導体装置
をローラ電極２９を用いて電気的に封止する図で
あるが、角型枠部２４をロー付けしたセラミツク
平面に段差を設けてあるから、角度１３の大きい
ローラ電極を用いても、ローラ電極のエツヂがセ
ラミツク平面に接触することなく、安定な封止を
行なうことが出来る。
以上、本発明について説明したが角型枠部を有
するセラミツク半導体装置のあらゆるパツケージ
に効果がある。
するセラミツク半導体装置のあらゆるパツケージ
に効果がある。
第１図は従来のセラミツク容器に角型枠部を有
する半導体装置を示す上面図であり、第２図は第
１図の−′部の断面の一部を拡大した断面図
であり、第３図は第２図の一部を拡大し、ローラ
電極で金属蓋部を封止する状態を示す断面図であ
る。第４図は本発明の一実施例を示す上面図であ
り、第５図は第４図の−′部の断面の一部を
拡大した断面図であり、第６図は第５図の一部を
拡大し、ローラ電極で金属蓋部を封止する状態を
示す断面図である。 尚、図において、１，２１……セラミツク基
体、２１−１……セラミツク基体の段差部、２，
２２……外部リード、３，２３……金属蓋部、
４，２４……角型枠部、５，２５……ロー付け材
料、６，２６……内部リード、７，２７……金属
細線、８，２８……半導体素子、９，２９……ロ
ーラ電極である。
する半導体装置を示す上面図であり、第２図は第
１図の−′部の断面の一部を拡大した断面図
であり、第３図は第２図の一部を拡大し、ローラ
電極で金属蓋部を封止する状態を示す断面図であ
る。第４図は本発明の一実施例を示す上面図であ
り、第５図は第４図の−′部の断面の一部を
拡大した断面図であり、第６図は第５図の一部を
拡大し、ローラ電極で金属蓋部を封止する状態を
示す断面図である。 尚、図において、１，２１……セラミツク基
体、２１−１……セラミツク基体の段差部、２，
２２……外部リード、３，２３……金属蓋部、
４，２４……角型枠部、５，２５……ロー付け材
料、６，２６……内部リード、７，２７……金属
細線、８，２８……半導体素子、９，２９……ロ
ーラ電極である。
Claims (1)
- １ セラミツク容器に角型金属枠部を取り付け該
角型金属枠部に金属蓋を取り付けた半導体装置に
おいて、該角型金属枠部の外周縁から該角型金属
枠部の肉厚だけ離れたセラミツク平面に凹部ある
いは段差を設けてあることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2169779A JPS55115347A (en) | 1979-02-26 | 1979-02-26 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2169779A JPS55115347A (en) | 1979-02-26 | 1979-02-26 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55115347A JPS55115347A (en) | 1980-09-05 |
| JPS6136708B2 true JPS6136708B2 (ja) | 1986-08-20 |
Family
ID=12062254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2169779A Granted JPS55115347A (en) | 1979-02-26 | 1979-02-26 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55115347A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04502508A (ja) * | 1988-12-23 | 1992-05-07 | ローズマウント インコ． | 多係数圧力センサ |
-
1979
- 1979-02-26 JP JP2169779A patent/JPS55115347A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04502508A (ja) * | 1988-12-23 | 1992-05-07 | ローズマウント インコ． | 多係数圧力センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55115347A (en) | 1980-09-05 |
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