JPH04502508A - 多係数圧力センサ - Google Patents

多係数圧力センサ

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 多係数圧力センサ 発明の背景 1、発明の分野 本発明は、静圧を受けたときにたわみを生じるように選択された材料で形成され たストリップまたはブロックを具備する圧力センサに関する。
2、従来技術の説明 2つの圧力差に応答してたわみを生じるダイアフラムを使用した圧力センサがよ く知られている。ある種の方法においては、例えば静電容量を検出してダイアフ ラムのたわみを検出することにより、ダイアフラムをたわませている差圧の大き さを測定できる。ダイアフラム型の差圧センサでは、ライン圧(圧力センサを取 り囲む周囲の圧力とダイアフラムに加えられる2つの圧力の平均値との差)の上 昇によってセンサハウジングにゆがみが生じることが知られている。
金属製感知ダイアフラムを使用する場合、変形する外部ハウジングの物理的、機 械的構造を調整したり選定するほか、金属ダイアフラムの予圧レベルを変化させ ることによって前記ゆがみは補正されていた。
また、静水圧が物体のすべての面に作用するとき、物体を形成する材料の弾性係 数の関数として、物体が圧縮され硬直化することも知られている。さらに、一つ の材料の弾性係数または圧縮率を、もう一つの材料と異なるように選択でき、そ の結果静水圧に対し、異なった応答をさせ得ることも良く知られている。しかし ながら、異なる弾性係数を有する2つの異なる材料を一対として形成したストリ ップつまり部材が圧力を受けている場合の、前記ストリップのたわみは、このよ うな圧力の大きさの検出にはこれまで利用されていなかった。
発明の概要 本発明は、弾性係数の異なる2層または複数の固体材料から作られた部材を使用 した圧力センサに関し、前記部材は、好ましくは熱膨張係数が類似し、共に接着 されるか、さもなくば実質的に一体的に形成される。前記材料が同一の温度また は熱(膨張)係数を有していれば、湿度が変化した場合に、両材料の寸法は同じ ように変化するため、部材が温度変化に反応してたわむことがない。
しかしながら、部材を包囲している静水圧が変化したときには、2つの材料の層 の長さは変化し、相異なる新たな寸法になる。材料の層は、接着されているかま たは一体化されているため、差動が抑制され、発生した応力は、曲げ、たわみ、 ゆがみ、ねじれ、そりを部材に生じさせる。一般的に、前記たわみは、接着され ていない状態での個々の材料に発生するたわみよりも非常に大きい。言い換えれ ば、変位の増幅が行われ、これが発生したたわみの測定を容易にしているのであ る。
たわみは、容量型センサ電極、光学式センサ、ひずみゲージまたは他の類似する センサによって検出できる。静電容量による検出方式は、発生する小さなたわみ を測定するのに十分な感度を有する。
前記圧力センサの部材に適した材料は、例えばシリコンと、コーニング社774 0パイレツクス(硼珪酸ガラス)またはコーニング社1729ガラス等のガラス である。シリコンおよびガラスは互いに陽極接合(anodie bondin g)によって接合でき、同様の熱膨張係数を存する。コーニング社の1729ガ ラスは、コーニング社の7740よりも熱膨張係数がシリコンに近い。2つの材 料の弾性係数は約2倍違っている。例えば、シリコンのヤング率は約17.4X 103kg/mm” (約24X106psi)であるのに対し、硼珪酸ガラス (パイレックス)のヤング率は約7.2X103kg/mm2 (約10XI  06ps i) である。
好ましくは双方の他の材料と異なるヤング率を有する第3の材料による層を付加 することができる。例えば、約39.8X10 kg/mm2 (約55X10 6ps 1)(Dヤング率を有するサファイヤは第3の材料として適している。
サフアイヤはまた異なる熱膨張係数を有していて、陽極接合によっては接合でき ない。窒化アルミニュームもまた第3の材料として使用できる。
接着されたガラスおよびシリコンの円板(ディスク)でたわみ部材ができている ならば、このたわみ部材を中心部で支持でき、円板が支持されている個所の参照 (基準)面に対する周縁部のたわみを測定することができる。一般的に、たわみ 部材の周りを取り囲む、実質的に非圧縮性の流体を収容するために、ある型式の ハウジングが使用される。
そして、可撓性の隔離ダイアフラムまたは他の構成物を介して前記流体の静水圧 は変化させられ、測定される流体の静水圧は、部材の各面に一様に作用してたわ みを生じさせる。
前記センサにより、参照用真空チャンバを要することなく、絶対圧が測定される 。したがって、参照チャンバのリーク(漏れ)から生じる問題が解消される。
本発明の他の実施態様では、ダイアフラムと同様の円板状部材を、その縁の部分 でベースに対して支持させることができ、円板が適正に構成配置されて組立体の 周囲に静水圧が作用する場合は、これによって発生するたわみが測定できる。
たわみか抑制され内部歪みが生じるような場合は、検出のために歪みゲージを使 用することができる。
ブロックまたはベースの一端の面に沿って片持ち梁が支持され、梁の自由端はベ ースの他方の部分から間隔をおいて配置される。片持ち梁がシリコンで作られ、 ベースがパイレックスのようなガラスで作られていて、梁が、梁の長手方向の一 部分で接着されているとすれば、組立体が圧力を受けたときに、梁の自由端はた わみを受けるであろう。さらに、片持ち梁それ自体が、相異なる2つの層で作ら れ、たわみ部材を形成することもできる。
組立体が、たわみを生じさせる静水圧を受けた場合、互いに隣接して接着された 2つの材料間での寸法差の変化によつて応力が誘起される。二つの材料は、相互 のインターフェイス面(接合界面)ではほぼ同一長さに規制されるので、圧力が 加えられたときに、曲げまたはゆがみが発生する。
本発明の特徴を使用した圧力センサは絶対圧検出装置であり、また非常に簡易な ものであって、ここに図示したように、前記二つの構成要素を二つの圧力源間の 差圧の指示が得られるように、ハウジング内に装着できる。
開示された圧力センサは通常、例えば7.2kg/mm”(10,000psi )を超える範囲の高圧範囲用であるが、0.36kg/mm2(500ps i ) 〜72.5kg/mm2(100,000p s i) ノ範囲テモ作動テ キル。このような高圧範囲において大きい応力を受けない小型で簡素なセンサを 、簡単に製作でき、したがって容易にたわみを検出できる。
部材がシリコーンオイルに取り囲まれている絶対圧センサにおいて、2またはそ れ以上の材料からなるたわみ部材つまり湾曲部は、静電容量の検出に際し、間隔 の変化か容量の増減をもたらすように設計できる。センサは、普通の電子的変換 、伝送機能を利用できるので、オイルの誘電率の温度係数を相殺し、かつ一般的 な電子工学を利用できるようにするため現存する検出回路の原理を使用できる。
図面の簡単な説明 図1は本発明による典型的な圧力センサの側断面図であり、そこに装着されてい る本発明のたわみ部材を示す図である。
図2は本発明の圧力センサに使用される片持ち梁型のたわみ部材を示す側断面図 である。
図3は本発明に係る片持ち梁型センサの変形例を示す図である。
図4は非対称円板たわみ部材を使用したセンサの断面図である。
図5は増大した流体ライン静圧によって変形した円板の全体を示す図4の側断面 図であり、流体静圧の変化を検出するため二つのコンデンサを使用した例を示す 図である。
図6は複係数円板型たわみ部材を示す本発明の変形例を示す図である。
図7はたわみを示す圧力を検出するために、三種の異なった材料が使用され、か つ容量検出が使用された本発明よって製作された多係数センサを示す図である。
図8は二つの静水圧間の圧力差の指示を検出するために、本発明のセンサ部材が 使用された圧力センサの構造を示す断面図である。
図9は本発明に係る、センサ構成要素のたわみを測定するための光学的構成部分 を有する圧力センサを示す図である。
図10は圧力検出用の複係数構成要素の一つとして歪みゲージを使用した本発明 の圧力センサを示す図である。
実施例の詳細な説明 図1において、符号10で全体を示す圧力検出用組立体は、例えばシリコーンオ イルのような、実質的に非圧縮性の流体で充満された内部チャンバ12を有する 外側閉塞ハウジング11を包含する。チャンバ12は、その縁に沿ったシール部 14でハウジングの他の部分と密封され、全体を符号13で示した可撓性の隔離 ダイアフラムで部分的に囲まれている。
全体を符号16で示した圧力センサ組立体はチャンバ12の内側に装着され、チ ャンバ内で滑らないように支持される。
センサは可撓性つまり柔軟な台15によって予定位置に保持される。適当な、ゴ ムを基体とした材料またはエラストマー(弾性重合体)を適用できる。センサ組 立体16は、全体が符号17で示されたたわみ検出部材を含み、このたわみ部材 17は、これを囲む静水圧に対して歪む複係数(blmodulus )たわみ 円板からなる。ここで「複係数」という用語は、異なる弾性係数を有し、互いに 接着または結合されている二つの異なった材料から形成された構造を示す。
図示のように、たわみ部材17は、第1の材料つまりユニではシリコンで作られ た第1の円板20、および適当な、硼珪酸ガラスのような第2の材料で作られ、 第1の円板とほぼ同一寸法およびほぼ同一厚さを有する第2の円板21からなる 。シリコンおよび硼珪酸ガラスを使用する場合、シリコンの厚さが、接合された 層の全体厚さの0.42に近いときに好ましい感度を得ることができる。好まし い厚みは次の式で算出できる。
シリコン厚さ÷(シリコン厚さ+パイレックス厚さ)−バイレックスのヤング率 ÷シリコンのヤング率= (7,2x 103kg/mm2(IOXIO6ps i))÷(17,4X10 kg/mm” (24第2の円板21は実質的に第 1の円板とは異なる弾性係数を有する材料で作られている。二つの円板20およ び21は、ここでいう境界面であるインターフェイス面22に沿って、例えば陽 極接合で互いにしっかりと接着されている。これらの円板は全体的に完全に接着 されていて一体化されている。
通常の大気圧下においては前記接着された円板は、点線23で示すようにほぼ平 らな形状を呈している。たわみ部材17は適当な中央支持台24でベース部材2 5に支持されている。
センサ組立体16のベース部材25は参照(基準)面26を有し、全体を通して 均質な材料(例えば硼珪酸ガラスのような)からなる。
シリコンとガラスの円板2oおよび21との弾性係数は異なっているので、それ ぞれの面が同じ静水圧を受けた場合、異なる寸法の変化を生じる。寸法が同じ二 つの円板の、一方が他方の上に置かれ、かつ接合されていないで高圧を受けたな らば、高い弾性係数の円板は低い弾性係数の円板はどは直径が減少しないことを 観察できる。すなわち、互いに接合されていなかったならば、パイレックスの円 板はシリコンの円板よりも小さくなるであろう。
二つの円板が互いのインターフェイスで接合されている場合は、インターフェイ スの応力のため、発生した応力によって各円板は半径方向の湾曲を生ずる。円板 は、温度測定に用いられるバイメタル円板と同じようにたわむか巻上がるかする 。
図1に示すように、円板2oおよび21が接着されて部材17を形成し、例えば 数百から数千psi(数百キロパスカルから数千キロパスカル)の範囲の、ダイ アフラム13に作用する高い静水圧を受けたとき、部材17はたわみ、シリコン 円板20の外周部とガラス支持ベース上の面26との間の間隔が変化する。適当 な金属の層でガラス支持ベースを金属化することにより、コンデンサの電極3o が形成される。
導電性シリコン層20および電極30間の静電容量は圧力の関数で変化する。電 極30は、外部ハウジングに設けられ、密封された開口を通して外に貫通してい る適当なリード31に接続されている。適当なり−ド32が、シリコン円板2゜ に電気的に接続されている。リード31および32が電子回路に接続されること により、たわみ部材17にたわみが生じたときの容量の変化を測定できる。
たわみの全体量はたわみ部材に作用する圧力に比例し、たわみ部材を形成する二 つの材料の膨張温度係数が一致しているならば、センサの利用可能な動作範囲全 体にわたって絶対圧を測定するのに効果的である。
たわみ部材つまりセンサの変形例を図2に示す。たわみ部材は片持ち梁および支 持部材を形成する二つの固体材料を具備する。前記梁は一つの材料で作られ、一 方、片持ち梁を支持するベースは、前記梁とは異なる弾性係数を有する異なった 材料から作られる。
本発明のこの例では、全体を符号35で示す圧力検出構成要素つまりたわみ部材 は硼珪酸ガラス(パイレックスガラス)のブロック36からなる。前記ガラスは 、その上に高くした棚部つまりボス37を有し、そこには、所望の幅および長さ の梁またはブレード38か装着されている。シリコンの梁38は、前記ボス37 の上部つまりインターフェイス面に対し、インターフェイス40に沿って接着さ れた第1の部分39を有している。梁38の第2の自由端部分41が、ベース3 6の凹部つまり低い面42に覆いかぶさっている。
インターフェイス40のために、均一な静水圧か検出部材35に加えられたとき 、シリコンの弾性係数に対するガラスの弾性係数の差異によってインターフェイ スに沿って生起されるべき応力が発生され、シリコン梁に矢印46で示されるモ ーメントを生じさせ、自由端部分41を点線で示すようにたわませる。梁部分4 1の外縁付近の面42上にはコンデンサの電極43が形成される。適当なリード 44が電気伝導性のあるシリコン梁に接続され、そしてリード45が前記コンデ ンサ電極43に接続される。
シリコン梁38がベース36に対してたわんだ場合、梁38と電極43との間に 形成された可変コンデンサと、梁38と電極43Aとの間に形成される比較的固 定されているコンデンサとの容量の差が、適当な電気回路で測定できる。
同じ誘電体材料で構成された固定コンデンサおよび可変コンデンサは、センサ内 のオイルの誘電率の変化を補償するために使用できる。検出部材にはまた、二つ の材料が使われている。これら二つの材料は異なる弾性係数を有し、かつ二つの 別々の材料かそれに沿って一体化されるインターフェイスを有している。二つの 材料が高圧にさらされたとき、応力が発生し、次には、受けている静水圧を判定 するための測定可能なたわみを生じさせる。
片持ち梁型センサ49の変形例を図3に示す。この形状のセンサ49には、その 一端部にボス51を有するベース50が設けられている。ベース50はガラスの ような適当な材料で作られている。全体を符号52で示す片持ちたわみ梁は二つ の異なる材料から形成されている。この例において、前記梁52は、全体を符号 53で示すシリコンの下層と、符号54で示す硼珪酸ガラスの上層とからなる。
層53および54はインターフェイス55において接合され、単一の固体ブロッ クを形成している。たわみ梁部材52の一方の端部は、インターフェイス58に おいてボス51の上面に接合されている。
センサ49が静水圧を受けたとき、たわみ梁部材52はインターフェイス55に おける応力レベルによってたわむ。その上に容量変化測定のための適当なコンデ ンサ電極を形成している面59に関係してたわみが発生する。たわみ梁部材は使 用されている層の特性に依存して上方または下方にたわむ。
最初の二つの層の、好ましくない熱膨張係数のわずかな不一致を補正するため、 前記の二つの層と実質的に異なった膨張係数を有する第3の層を付加することが できる。例えば、第3の層は、パイレックスつまり硼珪酸ガラスの上に付着され た(deposited )アルミニューム被膜でもよいし、または弾性係数は ほぼ同じであるが、より高い熱膨張係数を有するガラス薄膜を、層が硼珪酸ガラ スの溶融温度以下でとける溶融ガラスフリット(rrit)のような方法で硼珪 酸ガラス層に適用することもできる。
また、容量検出に代わって、光学センサまたは他の適当なセンサを使用できる。
コンデンサ電極はまたどのような所望の形式にも構成できる。例えば、分割され た(split )コンデンサ電極をベースの上に形成することができ、たわみ 部材が動いたときに検出される直列静電容量はたわみ部材上にリードを設ける必 要を回避する。
図4および5に示した装置は、容量検出用に特に良好に適用され、特に、圧力変 化に対して反対極性に等量だけ間隙を変化させる二つの容量センサが使われるこ とによって、現存する容量差動圧力センサと共に使われる変換、伝送機能が、較 正の補助として使用できる。
本発明のこの形態において、図1に示したものと同様の外部ハウジングの中に配 置されたたわみ部材、つまり全体を符号60で示す構成要素は、シリコンのよう な材料で作られた円板63の上に交互にサンドイッチ状に配置された第1のガラ ス電極支持部61、および第2のガラス電極支持部62を含む。ここで、シリコ ン円板は、中央部65を有するように形成される。
この中央部は、この中央部65を限定する円周の回りの一方の面から内側に向か って深溝64が形成され、2分割平面に対して非対称に支持されている。前記溝 は、円板63の縁(リム部)に対して中央部65を支持する薄肉部(ウェブ)を 残している。各電極支持部61および62はそれぞれ圧力開口66を有しており 、円板63の両側のチャンバ67および68に、それぞれ静水圧が伝達されるよ うにしている。チャンバ67内の静水圧はチャンバ68内の静水圧と同じである 。中央部65全体にかかる差動静水圧はない。
前記電極支持部61および62に対する円板63の弾性係数の差によって、発生 する応力の関数として、円板63はたわむ。
円板63に面した支持部の表面には、コンデンサ電極、つまり電極69.70が 形成されている。電極は、温度変化によるオイルの誘電率変化を相殺する面比率 を持つように選択できる。導電性のシリコンで作られている円板63は、コンデ ンサの共通電極を形成している。湾曲部材60が、図5に示すように増加する圧 力を全面に受けたとき、円板63が電極支持部とは異なる弾性係数を有している ので、たわみ部材は変形する。電極支持部61および62は、その周縁部71゜ 72においてそれぞれ円板63に接着されている。
センサつまり湾曲部材60が静水圧力を受けたとき、応力が発生し、円板の中央 部65がたわむ。前記深溝64およびそれが形成する細(て非対称なウェブは、 支持部62およびコンデンサ電極70の方に向かって中央部65をたわませる。
コンデンサ電極69および円板63の間と、電極70および円板63の間との容 量が変化する。2組の電極間の容量の変化は反対極性を示す。
図6は図4の装置の変形を示し、センサ75を有する。センサ75は、シリコン で作られた円板つまり要素77からなるたわみ部材76を含み、例えばインター フェイス81においてガラスの円板80に対して一体的に接着された中央たわみ 円板部79を限定する円周溝78を有する。電極支持ブロック82は、符号83 で全体を示すラインにおいてシリコン円板77の外周縁??Aに接着された縁( リム)84を有する。
本発明のこの形態では、縁??Aはその全面にわたっては支持されておらず、縁 84によってブロック82内に形成されている凹部の内側のベース表面85の一 部分上に、縁の内側非支持部77Bが張出している。シリコン円板77の、外周 縁77Aの非支持部77Bは、溝78が隔離体として作用するため、電極支持部 内に形成されている凹部のベースの面85に対してほとんどたわまないであろう 。円板77の縁77Aの外周部が接着されているインターフェイス83は、円周 インターフェイスである。
支持ブロック82は、円板77を支持している面85および縁84で限定される チャンバへ連通される通路86を有している。したがって、図1に示したように センサがハウジングの中に位置されていて、全センサ75が加圧された流体によ って囲まれているとき、シリコン円板の中央部79は、シリコンと中央部79に 接着されているガラス層つまり円板80との弾性係数の差によってたわむ傾向に ある。その結果、面85および円板の中央部79の間隙が減少させられる。
コンデンサ電極87は面85のほぼ中央に装着されていて、円板77およびコン デンサ電極87が適当な回路に接続された場合、静電容量に基づく中央部たわみ の検出が可能になる。
符号90で全体が示されている参照電極つまりコンデンサ電極が、縁84近くの 面85の円周部に近接して設けられており、このコンデンサ電極90と円板77 の外周縁?7Aの張出部77Bとの組合わせにより、検出回路で使用される参照 電極およびそれによる参照(基準)静電容量を提供する。
中央部79およびガラス円板80からなるたわみ部材76は、中央部79および これに一体的に接着されたガラス円板80の両方の面における静水圧が増大した ときに、溝78の下方に残されているウェブにおいてたわむように構成される。
参照電極は、温度変化によるオイルの誘電率変化の影響が打ち消されるように、 適当な寸法でよく、またたわみ部材76と同じ非圧縮性流体(オイル)にさらさ れるような場所に設定本発明のさらに変形した形態を図7に示す。図7において は、三つの異なる材料が接着されてたわみ部材を形成している。最初つくられる ときには、三つの材料の層の外周寸法はほぼ同一である。そして図7は、センサ つまりたわみ部材95が、高い静水圧を受けているときの図である。本発明のこ の形態では、第1のガラスペースつまりブロック96(平面図では、同様に円ま たは矩形となる)は、その外周近くにインターフェイス97を有し、その部分に おいて、シリコンでつくられた円板98の縁99と接着されている。円板98は 中央たわみ部100を有しており、そこは厚さが薄くなっており、周縁部におい て縁99で支持されている。
全体が符号102で示される第3のブロックつまり第3の材料部材(volum e)は、ブロック96と同様の第2のベースつまりブロックを有するが、これは ガラスまたはシリコンと比べて異なり、好ましくはこれよりも高い弾性係数を有 する材料でつくられ、そして例えばヤング率が39.8X103kg/mm”  (55X106ps i) のサファイアテ作ルコとができる。このブロック1 02は、インターフェイス面103を有し、その面で、縁99に対し、ブロック 96とは反対側の縁99の面で接着されている。ブロック96は、図示のように 硼珪酸ガラスでつくられている。
ブロック96は、圧力を加えられた流体がそこをとおり、ブロック96の面10 5と円板98の中央部100との間に形成されるチャンバ104に進入すること を許容する通路96Aを有する。ブロック102は、シリコン円板98の中央部 100とブロック102の面108との間に限定されるチャンバ107に圧力を 加えられた流体が進入するための通路102Aを有する。
同一の圧力Pが両方のチャンバ104および107に与えられると、中央部10 0に対する差動静水圧は存在しない。
適当なコンデンサ電極が面105および10gに装着される。
これらの面の間隔は、たわみ部材95に加わる静水圧が変わることによってそれ ぞそれの間隔が変化し、中央部100に関して測定される容量は、たわみ部材9 5が、図7に矢印“P”で示される一様な外部および内部の静水圧を受けたとき に変化する。
低いかまたはゼロの圧力においては、ブロックまたは層102および96、なら びに円板98はほぼ同一の幅寸法であり、円板98は実質上平らで、面105お よび108の中間に位置することが分かるであろう。
本発明のこの形態では、異なった弾性係数を有するブロックの間に円板が一体的 に接着されていることによって、円板98の周縁に近接してモーメントが発生し 、中央部10をたわませる。
図1〜図7の各形態において、たわみ部材に面するハウジング部分、またはたわ み部材自体に小さい段差つまり凹部を形成でき、その凹部は、過圧状態の間、湾 曲部材を十分に支持する過圧停止面を提供する。
図8は、圧力P1およびP2の差圧測定に適用される典型的な圧力センサの図で あり、本発明の原理が適用されている。
本発明のこの形態では、差圧センサ115は、環状外部壁を有するハウジング1 16を含み、ハウジングは分割壁117によって第1のチャンバ118および第 2のチャンバ119からなる二つのチャンバに分割されている。これらのチャン バは追従性のある隔離ダイアフラム120および121でそれぞれ囲繞されてい る。
中央壁117は、全体が符号122で示され、第1のシリコン材料の層123、 および硼珪酸ガラス124のような、異なった材料の第2の層を含む第1の複体 数圧力変換器を支持するために使用されている。シリコン層123か壁117の 面125に近く配置されている場合、絶縁された材料の層の上から壁に付着され た適当な金属のリング状の電極126が、シリコン電極つまり部材123および 電極126間の容量検出のために設けられる。
複体数センサは、適当な絶縁された支持台130の上に支持され、接着されたシ リコンおよびガラスの層123゜124からなる。
センサ組立体132はセンサ122と全く同様に組立てられ、チャンバ119内 に配置されているセンサ132の接着されている二つの層を示すため同一符号が 使用されている。
チャンバ118および119は適当な非圧縮流体で満たされており、静水圧P1 およびP2が加えられたとき、前に説明したように弾性係数の差によって各層は たわみ、各センサの円板または電極123の面、および絶縁された層の上に付着 された金属の静電容量電極126からなる容量検出電極によってたわみの総量が 測定できる。
異なった静水圧のもとにおける二つのセンサ122および132のたわみの差に よって差圧も得られる。
図9には、本発明のさらなる変形を示し、本発明のこの形態では、ファブリ・ペ ロット型のようなたわみ型センサを示す圧力センサ140からなる。本発明のこ の形態では、ハウジング141は二つの部分142,143に分かれている。
ハウジングは適当な材料でつくられ、各ハウジング部分は全体を符号142Aお よび143Aで示す部分的な間隙を接合線144に沿って有し、全体を符号14 5で示す複体数構成要素つまり部材を受け入れる。
複体数構成要素145は、適当な第1の材料、例えばシリコンで作られた第1の 板体(plate )つまり部分146、および第1の材料とは異なった弾性係 数を有する第2の板体つまり部分147を含む。例えば第2の板体147はシリ コン層に関連して使用されている硼珪酸ガラスでよい。これら二つの層は、これ までに説明したように接合されている。各ノ\ンジング部分はまた、少なくとも 板体の中央部に重なっても)る、より深い凹部142Bおよび143Bをそれぞ れ有し、複体数構成要素145の端部は凹部142Aおよび143A内に保持さ れている。凹部142Aおよび143Aは、センサのハウジング部142および 143が複体数構成要素145を確実に保持するように配置されたとき、締め付 けの働きをする。
凹部142Bによって形成されたチャンバは適当な非圧縮流体で満たされ、通路 148によってハウジング部142の外面上の隔離チャンバ150に連通されて いる。隔離チャンバは、非圧縮性の流体を囲む適当な可撓性の隔離ダイアフラム 151によって閉鎖され、チャンバ142B、通路148およびチャンバ15は 非圧縮性の流体で満たされる。さらに、点線で示される1つまたはそれ以上の適 当な通路152が、ハウジング141の対をなす部分142,143の間に形成 され、チャンバ142Bおよび143Bの間で流体を連絡させる。チャンバ14 3Bもまた非圧縮性の流体で満たされる。
本発明のこの形態では、隔離ダイアフラム151の外部面に対して与えられる、 矢印155で示された静水圧を受けたときの複体数構成要素145のたわみを測 定するために、ファブリ・ペロット・センサとして知られる光学的たわみセンサ 154が使用されている。センサ154は、複係数構成要素ノ板体ツまり層14 7の上に装着された光反射要素156を含む。ハウジング部143は部分反射性 と部分透過性を備えたプレート158を構成要素156に対向させてその外部に 有し、かつ適当なガラス材料が充填されたチャンバ157を有する。
要素156の位置によって変化する光の透過は、複体数構成要素145のたわみ の測定信号として使用される。ファブリ・ペロット型センサは干渉計型センサで あり、本発明に利用される代表的な光学技術であり、イギリス特許第2.086 ,572A号明細書(この中に参照されている米国特許第4,428,239号 )に示されている。たわみ複体数構成要素の片面のたわみは、説明したように本 発明によって検出される。
こうして、他の形式の光学的たわみセンサを含む他の形式のたわみセンサが所望 のように使用できる。
図10は、本発明の一実施態様を示し、静水圧を受けている複体数部材上に歪ゲ ージを装着した図である。)<イレ・ノクスからなる単一のブロック部材170 が台171上に装着され、内部チャンバ174を有するハウジング173の壁に 取付けられている。チャンバ174内の静水圧はたわみブロック170の全面に 作用する。薄膜歪ゲージ180.181および182が、ブロック170の上面 に接着されている。これらの歪ゲージはシリコンからなる。ブロック170およ び歪ゲージ180〜182は異なった弾性係数有する2つの異な−った材料から なり、接合面つまりインターフェイス面177に沿って付着、沈積(depos ition)により一体的に結合されている。
たわみブロック170を静水圧下におくことにより、前記ブロックは前述のよう に圧縮される。そして、シリコン歪ゲージは同一の度合で圧縮されないために応 力が発生し、これらの応力は歪ゲージ180,181および182で測定できる 。歪ゲージは周知の方法でドープ処理されたシリコンで形成できる。歪ゲージは 単に説明のために概略を図示したもののほか、所望の形態に適合でき、チャンバ 174内の静水圧を表す出力を取出せる歪ゲージ検出手段によって、単一のブロ ック部材170上に発生した応力を検出できる。
歪ゲージは本発明の他の実施態様にも適用できる。単一のたわみブロック170 は圧力で包囲され、台171で支持されているところ以外では、チャンバ74の すべての壁面から間隔を有して位置されていることに注意しなければならない。
こうして、単一ブロックのたわみ部材つまり構成要素は、少なくとも二つの、互 いに異なる固体材料でつくられている。
そしてその各々は別々の体積を存し、他の材料とインターフェイスを有して一体 化され、各材料は実質的に異なった弾性係数を有し、単一ブロック部材の外面に 静水圧を受けることができる。圧力の変化は前記二つのブロック部材(volu me)のインターフェイスにおいて内部応力を誘起し、単一のブロックたわみ部 材にたわみを発生させる。たわみまたはゆがみは、静電容量検出および光学的検 出またはその他、前記たわみを表す適当な手段で測定される。
単一ブロック部材は、必要に応じ、例えばシリコンブロックの一部分を酸化する ことによって一体化できる。検出手段のための接続部を通じての電気の供給は、 検出ダイアフラム型圧力センサで知られている方法で実施することができる。
本発明を好ましい実施例によって説明したが、この技術に熟練した技術者は、本 発明の範囲および考えから外れることなく形式および詳細にわたり変更が可能で あることを理解されるであろう。
F/lツづ 国際調査報告 1m#lesw++al^DDluJ−電−1111M、r/TI(RQ/MA ++’1

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.インターフェイス手段をその上に有するブロック部材(volume)を規 定するための第1分量(quantity)の固体材料と、 前記第1分量の材料とは異なる弾性係数を有すると共に、その上にインターフェ イス手段を有し、前記第1分量の材料のインターフェイス手段と係合して単一の 固体本体を形成する第2分量の固体材料と、 付与された圧力の関数として単一本体の各部分が応力を受けるように、前記単一 本体の露出部分上に実質的に一様な静水圧を付与する手段と、 前記単一本体の少なくとも一部分に関連して、前記付与された静水圧を示す信号 を出力する手段とを具備したことを特徴とする圧力センサ。
  2. 2.前記第1および第2分量の材料が、ほぼ同一の熱膨張係数を有するように選 択されていることを特徴とする請求項1記載の圧力センサ。
  3. 3.前記第1および第2の材料のインターフェイス手段がインターフェイス面を 含み、前記インターフェイス面は、第1および第2の材料で構成された前記単一 本体が外部静水圧を受けたとき、その部分に応力が発生されるように、互いに接 着されていることを特徴とする請求項1記載の圧力センサ。
  4. 4.前記二つの分量の材料は互いに接合された状態で一様厚さの層を形成し、前 記圧力センサはさらに参照面に対して前記層を装着するための第1の手段と、前 記参照面に対する前記層のたわみを検出する第2の手段からなる圧力指示手段と を具備したことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の圧力センサ。
  5. 5.前記第1分量の材料は梁からなり、前記第2分量の材料は支持部材からなり 、これら梁および支持部材は、それぞれのインターフェイスにおいて互いに接着 され、前記梁および支持部材の他部分は互いに間隔をおかれており、これにより 前記梁および支持部材のインターフェイス部に、前記二つの他部分の間のたわみ が静水圧の関数として発生することを特徴とする請求項1または2記載の圧力セ ンサ。
  6. 6.ハウジングと組合わされた圧力センサであって、前記ハウジングを第1およ び第2のチャンバに分離する分割壁と、 前記第1のチャンバに設けられた第1の単一本体、および前記第2のチャンバに 設けられた第2の単一本体と、ハウジングに対する第1および第2本体それぞれ のたわみを別個に指示する手段を含み、付与圧力を指示するように関連付けられ た手段とを具備し、 前記第1および第2チャンバが異なった静水圧を受けたとき、前記たわみを別個 に指示する手段が、第1および第2チャンバの静水圧の差の表示を与えるように 構成されたことを特徴とする請求項1,2または3記載の圧力センサ。
  7. 7.前記付与された静水圧を指示するように関連付けられた手段が、参照位置に 対する単一本体のたわみを検出する光学的検出手段からなることを特徴とする請 求項1〜6のいずれかに記載の圧力センサ。
  8. 8.前記圧力を指示するように関連付けられた手段が、前記単一本体の歪を検出 する歪ゲージからなることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の圧力セ ンサ。
  9. 9.前記圧力を指示するように関連付けられた手段が、たわみを検出するコンデ ンサからなることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の圧力センサ。
  10. 10.二つの固体材料からなる単一本体のたわみ部材であって、前記単一本体が 、第1の固体ブロック部材を規定する第1分量の材料と、第2のブロック部材を 規定し、前記第1分量の材料とは異なる弾性係数を有する第2分量の材料とで構 成され、第1および第2のブロック部材がインターフェイス部で一体的に形成さ れている単一本体のたわみ部材と、単一本体のたわみ部材の露出部分上に実質的 に一様な静水圧を付与し、付与された圧力の関数として参照位置に対する少なく とも単一本体のたわみ部材各部に実質的に測定可能なたわみを生じさせる手段と を具備したことを特徴とする圧力センサ。
  11. 11.前記第1の層に接着された第3の材料の層を具備し、前記第3の材料が、 温度変化によって生じる圧力センサのたわみ誤差を低減させるように、選定され た他の材料と異なる熱膨張係数を有していることを特徴とする請求項10記載の 圧力センサ。
  12. 12.圧力によって第1の割合で圧縮される第1の領域、およびこれと一体とな っていて、圧力によって、第1の割合と異なる第2の割合で圧縮される第2の領 域からなり、流体中に配置された本体であって、前記圧縮割合の差に起因して、 前記圧力でゆがめられるように構成された本体と、本体のゆがみを検出し、圧力 を示す出力信号を得るため、前記本体に装着された手段を具備したことを特徴と する流体圧検出のための圧力センサ。
  13. 13.圧力によって前記本体が湾曲され、検出手段によって前記本体の湾曲が検 出されることを特徴とする請求項12記載の圧力センサ。
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