JPS6132212A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘツドの製造方法

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JPS6132212A
JPS6132212A JP15282084A JP15282084A JPS6132212A JP S6132212 A JPS6132212 A JP S6132212A JP 15282084 A JP15282084 A JP 15282084A JP 15282084 A JP15282084 A JP 15282084A JP S6132212 A JPS6132212 A JP S6132212A
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thin
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哲夫 小林
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘッドに関し、特に高精度ギャップ深
さ加工に好適な製造方法に関するものである。　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　１５〔発明の背景〕 従来の薄膜磁気ヘッドにおいて、ギャップ深さを加工す
る際は、実素子ではなく、加工検知パ、ターンにより加
工量を決めている為、実素子と加工検知パターンの間に
ずれが生じ、素子間の並び精度等により、ギャップ深さ
寸法のバラツキが起こるという問題があった。ギャップ
深さ寸法が大きいと、記録媒体側へ十分な記録磁界が得
られなぐなる。又、ギャップ深さがゼ四位置より更にギ
ャップ深さ加工を追い込み過ぎると、ギャップ長の増加
、媒体対向面側への有機樹脂の露出が発生し、耐クラツ
シユ性が悪くなる。
耐クラツシユ性については、従来第１図の層間絶縁層９
の前端を位置人より後退させることにより、磁気ギャッ
プ深さ０（位置Ａ）まで、加工して粉トラック面に有機
樹脂部が露出せず、耐クラツシユ性を向上できるように
していた（特開昭５８−９８８２号公報参照）。また、
層間絶縁層９を、・有機絶縁材と有機絶縁材で構成し、
磁気ギャップ深さがＯになるまで加工してもトラック面
に露出するのは、無機絶縁材だけとなるように形成して
耐クラツシユ性を向上させたものがある（特開昭５８−
１１１１１６号公報参照）。
しかし、ギャップ深さ寸法が小さく、高精度ギャップ深
さを有し、かつ耐クラツシユ性に優れた蒋膜磁気ヘッド
を安定して製造することは困難であ。
る。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、ギャップ深さ寸法の小さい、。
高精度ギャップ深さを有し、耐クラツシユ性の−ねた薄
膜磁気ヘッドを安定して製造することができる薄膜磁気
ヘッドの製造方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するために、本発明の薄膜磁気Ｏヘッド
の製造方法では、有機絶縁膜をマスクとしてギャップ材
をエツチングした後、さらに前記有機絶縁膜をエツチン
グすることに特徴がある。。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図面により説明する。１５第２
図は、本発明の製造工程の一部を示す断面図である。
第２図（＆）において、基板１上に、下地膜２を介して
、下部磁性体３の形成、ギャップ材４の形成。
導体コイル５の形成、有機絶縁膜６の形成を順次行う。
有機絶縁膜６はスピン塗布、熱硬化により膜形成され、
ネガ型ホトレジストを用いたウェットエツチングにより
３ｏ＝５ｏ度のテーパー形状をもつパターンを得ること
ができる。
次に第２図Ｃ＃３）に示す様に、有機絶縁膜６をマスク
としてギヤツブ材ヰをエツチングする。この方法はウェ
ット式、ドライ式のどちらでもよいが、。
ギャップと有機絶縁膜６のエッチングレートカ同等にな
る方法が望ましい。こねはギヤツブ材ヰにテーパを持た
せる為である。　　　　　　　　　１０例えば、イオン
ミリング装置を用い、ＣＦ４　圧力１．６　Ｘ　１０　
　ｔｏｒｒ　、　　加速電圧５００Ｖ、イオン人射角６
０度の条件でエツチングすると、ギャップ材（Ａｔ　＠
　Ｏ，）　＋　　有機絶縁膜（ｐＩＱ）、のエツチング
選択比は、６：５程度であり、ギヤツブ材ヰに有機絶縁
膜テーパ角を転写することができる。
第２図（０）に示すように、再び、有機絶縁膜６をエツ
チングする。これはギャップ深さ加工停止点より有機絶
縁膜先端点（ギャップ深さゼロ位置）Ｑを後退させる為
であり、有機絶縁膜６だけを選択的にエツチングするこ
とができる方法を選べばよ。
い。例えば、イオンミリング装置を用い％Ｏ，ＩＦ力１
．６Ｘ１０　　Ｔｏｒｒ　、　　加速電圧４００Ｖ、イ
オ。
ン入射角９０度の条件で１０分間エツチンダする５と有
機絶縁膜６は２〜３μｍギャップ材パターソより小さく
なる。従って、第２図（０）に示すＡ点が有機絶縁膜先
端点となり、ギャップ深さゼロ位置となる。又、有機絶
縁膜後退量が、ギャップ深さ寸法となる（元の位置を破
線で示す）。　　　　ｌＯ第２図（、ｉ）に示すように
、上部磁性体７．保護膜８を順次形成し、薄膜ヘッド素
子が完成する。・第２図（ｄ）に示す媒体対向面側であ
るＣ方向からギャップ深さ加工を行い、ギャップ材４が
、必要ギャップ長となるＢ点まで研磨することにより薄
）膜磁気ヘッドが完成する。
本実施によれば、薄膜ヘッドは、有機絶縁膜６゜の後退
量によりギャップ深さを高精度に制御することができ、
ギャップ長の変化により、ギャップ深さ加工を高精度で
停止させることができる。２゜さらに、有機絶縁膜６を
露出させることなくギャップ深さ寸法を小さくすること
ができる。　　　。
ギャップ深さ加工は、実素子のギャップ長を監視しなが
らできるので、加工検知パターンは不要になり、実素子
と加工検知パターンのズレ、素子間の並び精度は問題に
ならなくなる。従って、基板面内の素子有効面積を広く
とることができる。。
又、有機絶縁膜６をテーパ惨状を持ったパターンに形成
した後、再度有機絶縁膜６をエツチングして後退させる
ので、ギャップ深さ寸法が均一な薄膜磁気ヘッドを製造
することができる。　　　　・〔発明の効果〕 本発明によれば、ギャップ深さ寸法の小さい、。
高精度ギャップ深さ寸法を有する。電気的特性の均一な
薄膜磁気ヘッドを安定して製造することができる。した
がって、薄膜磁気ヘッドは、高性能かつ高信頼性になり
、高歩留りで製造できる。。
【図面の簡単な説明】
第１図は薄膜磁気ヘッドの断面図、第２図（＆）〜（ｄ
）は薄膜磁気ヘッドの断面図であり、製造プロセス図で
ある。 ■！薄基板２：下地膜、３：下部磁性体、４：。 ギャップ材、５：導体コイル、６：有機絶縁膜、・７：
上部磁性体、８：保護膜、９：層間絶縁層、。 １０＋絶縁層。　　　　　　　　　　　　　　　５、ω 第　　　２ 第　　　１　　　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）少なくとも基板上に下部磁性体、ギャップ材導体
    コイル、有機絶縁膜及び上部磁性体を形成してなる薄膜
    磁気ヘッドにおいて、前記有機絶縁膜をマスクとして前
    記ギャップ材をエッチングした後、さらに前記有機絶縁
    膜をエッチングすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
JP59152820A 1984-07-25 1984-07-25 薄膜磁気ヘツドの製造方法 Expired - Lifetime JPH0646447B2 (ja)

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