JPS58111116A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents

薄膜磁気ヘツド

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Publication number
JPS58111116A
JPS58111116A JP20943381A JP20943381A JPS58111116A JP S58111116 A JPS58111116 A JP S58111116A JP 20943381 A JP20943381 A JP 20943381A JP 20943381 A JP20943381 A JP 20943381A JP S58111116 A JPS58111116 A JP S58111116A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
inter
thin film
magnetic head
gap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20943381A
Other languages
English (en)
Inventor
Harunobu Saito
斉藤　治信
Saburo Suzuki
三郎 鈴木
Masanobu Hanazono
雅信 華園
Shinichi Hara
真一 原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Computer Basic Technology Research Association Corp
Original Assignee
Computer Basic Technology Research Association Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Computer Basic Technology Research Association Corp filed Critical Computer Basic Technology Research Association Corp
Priority to JP20943381A priority Critical patent/JPS58111116A/ja
Publication of JPS58111116A publication Critical patent/JPS58111116A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109—Details
    • G11B5/313—Disposition of layers
    • G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は薄膜磁気ヘッドに関し、特に薄膜磁気ヘッドの
耐クラツシユ性の改善に関する。
薄膜磁気ヘッドは、基本的には、磁性体間に層間絶縁−
を介在させてギャップ材と導体コイルを積層した構造で
ある。このような薄膜磁気ヘッドの性能を向上するには
、磁気ギヤツブ深ｉを極力小さくしなければならないが
、目的の磁気ギヤツブ果さを出すためにフロントギャッ
プ部を加工すると、トラック！−層間喚−雫が露出しや
すい。
しかるに従来は、層間絶縁噛の材料として導体コイルの
凹凸を吸収して平担化しやすい有機相１旨を用いている
。このような有機樹脂のＩ−間絶縁層がトラック面に露
出すると、周囲の温湿度変化で露出面が膨出して耐クラ
ツシユ性を低下させる原因となる。
本発明はかかる従来技術の欠点を解消した薄膜磁気ヘッ
ドを提供するためＫなされたもので、その主たる特徴は
、薄膜磁気ヘッドの１間絶縁層を、少なくともフロント
ギャップ部の先端部分については無機絶縁材料で形成す
ることにある。
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
第１図は本発明にかかる薄膜磁気ヘッドの一例を示す断
面図であり、その７０ントギャップ部の断面構造を拡大
して第２図に示しである。
第１図においイ、８はホトセラムなどの基板で、この上
に薄膜磁気ヘッドが１つまたは２つ以上、積層形成され
る。すなわち、基板８上にアルミナなどの保罐膜７が堆
積され、その上に下部磁性体６、アルミナなどのギャッ
プ材１ｌｌ１５、導体コイル４が順次噴嗜される。従来
は、この上に直ちに有機絶縁材料の層が堆積されるのが
普通であったが、本実施例では酸化ケイ素などの無機絶
縁材料の層間絶縁層ｌが堆積され、イオンミーリング法
などによって所定のパターンエングが行なわれる。そし
て、この層間絶縁層１の上に従来と同様の有機樹脂の層
間絶縁層２が堆積され、パターンニングされる０層間絶
縁層ｌは導体コイル４の凹凸にしたがって凹凸のめる上
面を有するが、この凹凸は層間絶縁層２によって吸収さ
れ、平坦化される。
有機樹脂の層間絶縁層２のパターンニングは、例えばウ
ェットエツチング法によって行なわれる。
この際、第２図に示すように、フロントギャップ部にお
いて、眉間絶縁ｌＩ２をその下端が層間絶縁ｍｌの上面
に達するまでエツチングする。そして、その上に上部磁
性体３を形成する。
本実施例の薄膜磁気ベッドは第２図から明らかなように
、磁気ギャップ深さ加工の方向（矢印Ｃの方向）から晃
たとき、有機樹脂の層間絶縁１１１２を無機絶縁材料の
！ＩＩＩ！ｌ絶縁層１の前端Ａ１つまり磁気ギャップ深
さ０の位置より亀後退させ、フロントギャップ部の少な
くとも先端部分については、眉間絶縁層を実質的に無機
材料で形成した構造にしている。したがって、磁気ギャ
ップ深さがＯとなるまで磁気ギャップ深さ加工しても、
有機樹脂がトラック面に露出することはなく、露出する
可能性があるのは、無機絶縁材料だけである。無機絶縁
材料は有機樹脂よりも機械的強度が大きく、周囲の温湿
度変化によって膨出する恐れもない。
したがって、薄膜磁気ヘッドの耐クラツシユ性を向上で
きる。さらに、無機絶縁材料の層間＃Ｐ、、縁層ｌの前
端Ａの位置は、厚い有機樹脂の層の場合よりも高精度に
エツチングすることが可能であり、したがって、磁気ギ
ャップ深さ０の位置のバラツキを従来よりも小さくする
ことができる。
第３図および第４図は、それぞれ本発明の別異の実施例
を示す゛断面図である。
第３図に示す実施例は、酸化ケイ素などの無機絶縁材料
の１１１１をフロントギャップ部の先端部分にギャップ
材層５上に直接堆積し、導体コイル４上には有機樹脂の
１１１２だけを堆積した構造である。
これ以外は第１図の構造と同様である。
第４図の実施例は、無機絶縁材料の層２１を導体コイル
４０下方に形成した点が第１図と違う。
これら２つの実施例の構造によっても、第１図および第
２図で示した実施例の構造と同等の利点が得られること
は明らかである。
本発明は以上に述べた如くであり、耐クラツシユ性が向
上し、かつａ気ギャップ深さ０の位置のバラツキが減少
した優れた薄膜磁気ヘッドを提供できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は同上
実施例のフロントギャップ部の拡大断面図、第３図およ
び第４図はそれぞれ本発明の他の別異の実施例を示す断
面図である。 １．１１，２］・・・無機絶縁材料から成る眉間絶縁層
、２．１２・・・有機樹脂から成る眉間絶縁層、３・・
・上部磁性体、４・・・導体コイル、５・・・ギャップ
材層、６・・・下部磁性体、７・・・保護膜、８・・・
基板。 第１図 第２図　　□

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、磁性体間に１間絶縁１を介在させてギャップ材と導
    体コイルとを積層した薄膜磁気ヘッドにおいて、該−間
    絶縁噛を、該薄膜磁気ヘッドのフロントギャップ部の少
    なくとも先端部分については無機絶縁材料で形成したこ
    とを特徴とす薄膜磁気ヘッド。
JP20943381A 1981-12-25 1981-12-25 薄膜磁気ヘツド Pending JPS58111116A (ja)

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