JPS6129738A - 粒子解析装置及び粒子解析方法 - Google Patents

粒子解析装置及び粒子解析方法

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JPS6129738A
JPS6129738A JP15064284A JP15064284A JPS6129738A JP S6129738 A JPS6129738 A JP S6129738A JP 15064284 A JP15064284 A JP 15064284A JP 15064284 A JP15064284 A JP 15064284A JP S6129738 A JPS6129738 A JP S6129738A
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勇二 伊藤
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/10Investigating individual particles
    • G01N15/14Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
    • G01N15/1429Signal processing
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/48Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
    • G01N33/50Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing
    • G01N33/53Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor
    • G01N33/5302Apparatus specially adapted for immunological test procedures

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明社粒子解析装置、特に高速〜で流れる細胞浮遊溶
液を流体力学的焦点合わせ法で集束−させ該箇所にレー
ザ光を照射・、シ、前方散乱光及゛び、側方散乱光若し
くは側方での螢光散乱光を運時検出して細胞粒子の性質
、構造を解析するようにした九いわゆるフローサイトメ
ータに関する。
〔従来技術〕
従来第1図、第2図に示すようにフローサイトメータに
おいては細胞浮遊溶液を)そのまわりのシース液ととも
にン、ローセル1内のフロ一部2に流し、流体力学的に
所定箇所3で集束させ、ここに入射するレーザ光4も該
箇所で光学的に集束させるよ5KL、ている。
そして前方散乱光及び、側方散乱光若しくは螢光散乱光
の受光系5乃至El前記集束箇Pj′rが時間的に変動
しないものとして固定して設けられている。
なお5,6はレンズ、7,8は光検知器である。
しかし流体力学的な集束箇所は時間的に変動する可能性
が高く、一方、レーザ光強度は厳密には第3図に示す如
(、レーザ入射方向と直交する方向でガラス状分布を有
するため流体力学的な集束箇所カfレーザ入射方向と直
交する方向にa % cの如く変位した場合、側方散乱
光若しくは螢光散乱光の受光出力更には前方散乱光の受
光出力が変化することとなる。
これを解消すべくなるべく被検粒子に照射する照射光の
強度分布を平坦化しようとすると集光エネルギー密度の
低下が生じ光源パワーの増加が必要となる〇 なお流体力学的な集束箇所がレーザ入射方向に変位する
場合は、前方散乱光及び、側方散乱光若しくは螢光散乱
光の受光出力は殆んど変化しないと考えて良い。これは
レーザ入射方向で強度が変化しないことに因る。
〔目 的〕
本発明は従来例の欠点に鑑み一流体力学的な集束箇所が
レーザ入射方向と直交する方向に変位しても散乱光若し
くは螢光散乱光の受光出力に該変位が影響を与えないよ
うな又、照射光の強度分布に受光出力が影響されないよ
うな粒子解析装置を提供することを目的とする。
〔実施例〕
第4図乃至第5図蝶本発明の実施例を示す。ここで既述
した符号と同一のものは同一部材を示す。
ここで第4図で祉側方における螢光測定の例を示してい
る。
すなわち、流体力学的な集束箇所6の粒子#i特定の螢
光標識を備えており、これに照射光4が照射されるとレ
ンズ6、バリヤーフィルタ9を経て光検知器8(一般K
Fi7オトマル検知器)にて光電変換される0 なおバリヤーフィルタ9は螢光波長近傍の光を通す波長
選択フィルタである〇 一方、前方散乱光は光路中に設けられる不図示の遮光板
によりいわゆる0次光が逗幣された状態でこの遮光板を
外れてレンズ5に入射する成分が光位置検出器10上で
積分されて検出される0なお光位置検出器10の直前に
フローセルに対応した大きさの視野絞りを設けると良い
さて第6図に示した如く照射ビームは一般にガウス分布
状の光強度分布をもつが、この分布状フロ一部へ粒子を
流す前に、具体的には測定の直前にレンズ5を介して光
位置検出器10で検出されランダムアクセス型記憶素子
(以下RAMという)に記憶させてお(Q 次にフロ一部へ粒子を流して測定を開始すると光位置検
出器10上で粒子位置に対応した位置の出力が第3図に
示す如く最小となり、これより粒子位置が検出される。
すなわち本実施例において光位置検出器10#′i照射
光の強度分布の検出と、粒子位置の検出及び前方散乱光
の検出という時間的に異なる機能を具える0 なお光位置検出器10としては、例えばCOD等の7レ
イ状光電素子が用いられる。測定に際して粒子の位置検
出がなされると、RAMに記憶した照射光の光強度分布
を基に螢光及び前方散乱光の受光出力すなわち光検知器
8及び光位置検知器10の出力が補正される。
こむで第5図に本発明の測光部のブロック図を示す0 先ず測定前に光位置検出器10上の照射光の強度分布を
RAM12にメモリーしておく。続いて被検粒子を流し
て測光が行われるのであるが、光位置検出器10上の粒
子位置がピーク検出部11で検出される。ピーク検出部
11は粒子位置で受光出力が最小となることに基づいて
粒子位置を検出する。
粒子位置が検出されるとこれに応じて几AM12のアド
レスが指定される。この指定されたRAMの内容Bが光
検知器8の出力Aに補正係数として入り、補正部16で
A÷Bの演算が行なわれてメモリ14に格納される。こ
の格納された情報は後に表示装置例えばORT上に横軸
に螢光量、縦軸に頻度をとって表示することにより粒子
のヒストグラムが得られ有用な粒子解析を行なうことが
できる。
なお上述した実施例では、側方散乱光に対して補正を加
えているが、粒子の形状(大きさ等)の情報を解析する
のに重要な前方散乱光に対して補正を加えることができ
ることは勿論である。
なお前記したRAMの内容は各測定毎に書き換えて更新
するのが望ましい。次に第6図は照射光の照度分布を光
位置検出器7で検出する際、更にアライメント状態を検
出しアライメント不良の場合、警告表示をするよ5KL
、た変形例を示す。
すなわちフローセルの両側壁面位置m 、 nが第6図
に示される如き光強度分布によって検出されると、光位
置検出器上m、nの中間位置が所定基準位置0より所定
範囲外となった場合、アライメント不良と判断して警告
表示させる。
これはフローセルを交換した場合等にアライメント状態
を検査する際、有効である。なお、光位置検出器10の
直前に前述したフローセルの大きさに対応した視野絞シ
を設けると両側壁面位置m。
nが明瞭となる。
ところで既述した実施例轄測定前の照射光の強度分布を
記憶させるものであるが光路中、照射光源とフローセル
の間にビームスプリッターヲ配シ、照射光を一部分岐さ
せて分岐された光路に光位置検出器を設は測定中の照射
光の強度分布を検出するよ5Kl、ても良い。
〔効 果〕
以上、本発明によれば、照射光の光強度分布及び測定粒
子の位置の測定を行な5ことによりその情報から測光量
の補正を行なうことによって精度の高い粒子解析を行な
うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はフローセル図、 第2図は従来例の説明図、 第6回状フロ一部内の被検粒子とレーザ光強度分布の関
係を示した図、 第4図、第5固状各々本発明の実施例の図、測光部のブ
なツク図、 第6図祉アジイメント状態を更に検出する変形例の図、 図中 IFiフローセル 2はフロ一部 7.8轄光検知器 9はバリヤフィルタ 10a光位−置検出器 12はメモリ 13は補正部 である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、流体中の粒子に光を照射し、その散乱光又は螢光を
    受光して粒子解析を行なう装置において、照射光の強度
    分布を検出する強度検出部と、粒子位置を検出する位置
    検出部と、 該位置検出部で検出される粒子位置に応じて前記強度検
    出部で検出される照射光の強度分布を基に前記受光され
    る散乱光又は螢光の出力を補正する補正部を備えること
    を特徴とする粒子解析装置。 2、流体中の粒子に光を照射し、その散乱光又は螢光を
    受光して粒子解析を行なう装置において、照射光の強度
    分布を検出する強度分布検出部と、該強度分布検出部の
    検出結果を記憶する記憶部と、 粒子位置を検出する位置検出部と、 該位置検出部で検出される粒子位置に応じて前記記憶部
    に記憶される照射光の強度分布を基に前記受光される散
    乱光又は螢光の出力を補正する補正部を備えることを特
    徴とする粒子解析装置。 3、前記強度分布検出部はアレイ型光電検出器である特
    許請求の範囲第2項記載の粒子解析装置。 4、前記記憶部はランダムアクセス型記憶素子である特
    許請求の範囲第2項記載の粒子解析装置。 5、照射光の強度分布を検出する毎にRAMの内容を書
    き換える特許請求の範囲第2項記載の粒子解析装置。 6、照射光の強度分布と粒子位置の検出を同一の検出器
    で時間を変えて行なう特許請求の範囲第2項記載の粒子
    解析装置。
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