JPH0262179B2 - - Google Patents
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- JPH0262179B2 JPH0262179B2 JP59150642A JP15064284A JPH0262179B2 JP H0262179 B2 JPH0262179 B2 JP H0262179B2 JP 59150642 A JP59150642 A JP 59150642A JP 15064284 A JP15064284 A JP 15064284A JP H0262179 B2 JPH0262179 B2 JP H0262179B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/14—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
- G01N15/1429—Signal processing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
- G01N33/50—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing
- G01N33/53—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor
- G01N33/5302—Apparatus specially adapted for immunological test procedures
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は粒子解析装置及び粒子解析方法、特に
高速で流れる細胞浮遊溶液を流体力学的焦点合わ
せ法で集束させ該箇所にレーザ光を照射し、前方
散乱光及び、側方散乱光若しくは側方での螢光散
乱光を逐時検出して細胞粒子の性質、構造を解析
するようにした、いわゆるフローサイトメータに
関する。
高速で流れる細胞浮遊溶液を流体力学的焦点合わ
せ法で集束させ該箇所にレーザ光を照射し、前方
散乱光及び、側方散乱光若しくは側方での螢光散
乱光を逐時検出して細胞粒子の性質、構造を解析
するようにした、いわゆるフローサイトメータに
関する。
従来第１図、第２図に示すようにフローサイト
メータにおいては細胞浮遊溶液を、そのまわりの
シース液とともにフローセル１内のフロー部２に
流し、流体力学的に所定箇所３で集束させ、ここ
に入射するレーザ光４も該箇所で光学的に集束さ
せるようにしている。
メータにおいては細胞浮遊溶液を、そのまわりの
シース液とともにフローセル１内のフロー部２に
流し、流体力学的に所定箇所３で集束させ、ここ
に入射するレーザ光４も該箇所で光学的に集束さ
せるようにしている。
そして前方散乱光及び、側方散乱光若しくは螢
光散乱光の受光系５乃至８は前記集束箇所が時間
的に変動しないものとして固定して設けられてい
る。なお５，６はレンズ、７，８は光検知器であ
る。しかし流体力学的な集束箇所は時間的に変動
する可能性が高く、一方、レーザ光強度は厳密に
は第３図に示す如く、レーザ入射方向と直交する
方向でガウス状分布を有するため流体力学的な集
束箇所がレーザ入射方向と直交する方向にａ〜ｃ
の如く変位した場合、側方散乱光若しくは螢光散
乱光の受光出力更には前方散乱光の受光出力が変
化することとなる。
光散乱光の受光系５乃至８は前記集束箇所が時間
的に変動しないものとして固定して設けられてい
る。なお５，６はレンズ、７，８は光検知器であ
る。しかし流体力学的な集束箇所は時間的に変動
する可能性が高く、一方、レーザ光強度は厳密に
は第３図に示す如く、レーザ入射方向と直交する
方向でガウス状分布を有するため流体力学的な集
束箇所がレーザ入射方向と直交する方向にａ〜ｃ
の如く変位した場合、側方散乱光若しくは螢光散
乱光の受光出力更には前方散乱光の受光出力が変
化することとなる。
これを解消すべくなるべく被検粒子に照射する
照射光の強度分布を平坦化しようとすると集光エ
ネルギー密度の低下が生じ光源パワーの増加が必
要となる。
照射光の強度分布を平坦化しようとすると集光エ
ネルギー密度の低下が生じ光源パワーの増加が必
要となる。
なお流体力学的な集束箇所がレーザ入射方向に
変位する場合は、前方散乱光及び、側方散乱光若
しくは螢光散乱光の受光出力は殆んど変化しない
と考えて良い。これはレーザ入射方向で強度が変
化しないことに因る。
変位する場合は、前方散乱光及び、側方散乱光若
しくは螢光散乱光の受光出力は殆んど変化しない
と考えて良い。これはレーザ入射方向で強度が変
化しないことに因る。
本発明は従来例の欠点に鑑み例えばフローサイ
トメータにおいて、流体力学的な集束箇所がレー
ザ入射方向と直交する方向に変位しても散乱光若
しくは螢光散乱光の受光出力に該変位が影響を与
えないような又、照射光の強度分布に受光出力が
影響されないような粒子解析装置及び粒子解析方
法を提供することを目的とする。
トメータにおいて、流体力学的な集束箇所がレー
ザ入射方向と直交する方向に変位しても散乱光若
しくは螢光散乱光の受光出力に該変位が影響を与
えないような又、照射光の強度分布に受光出力が
影響されないような粒子解析装置及び粒子解析方
法を提供することを目的とする。
第４図乃至第５図は本発明の実施例を示す。こ
こで既述した符号と同一のものは同一部材を示
す。ここで第４図では側方における螢光測定の例
を示している。
こで既述した符号と同一のものは同一部材を示
す。ここで第４図では側方における螢光測定の例
を示している。
すなわち、流体力学的な集束箇所３の粒子は特
定の螢光標識を備えており、これに照射光４が照
射されるとレンズ６、バリヤーフイルタ９を経て
光検知器８（一般にはフオトマル検知器）にて光
電変換される。
定の螢光標識を備えており、これに照射光４が照
射されるとレンズ６、バリヤーフイルタ９を経て
光検知器８（一般にはフオトマル検知器）にて光
電変換される。
なおバリヤーフイルタ９は螢光波長近傍の光を
通す波長選択フイルタである。
通す波長選択フイルタである。
一方、前方散乱光は光路中に設けられる不図示
の遮光板によりいわゆる０次光が遮幣された状態
でこの遮光板を外れてレンズ５に入射する成分が
光位置検出器１０上で積分されて検出される。な
お光位置検出器１０の直前にフローセルに対応し
た大きさの視野絞りを設けると良い。
の遮光板によりいわゆる０次光が遮幣された状態
でこの遮光板を外れてレンズ５に入射する成分が
光位置検出器１０上で積分されて検出される。な
お光位置検出器１０の直前にフローセルに対応し
た大きさの視野絞りを設けると良い。
さて第３図に示した如く照射ビームは一般にガ
ウス分布状の光強度分布をもつが、この分布はフ
ロー部へ粒子を流す前に、具体的には測定の直前
にレンズ５を介して光位置検出器１０で検出され
ランダムアクセス型記憶素子（以下RAMとい
う）に記憶させておく。
ウス分布状の光強度分布をもつが、この分布はフ
ロー部へ粒子を流す前に、具体的には測定の直前
にレンズ５を介して光位置検出器１０で検出され
ランダムアクセス型記憶素子（以下RAMとい
う）に記憶させておく。
次にフロー部へ粒子を流して測定を開始すると
光位置検出器１０上で粒子位置に対応した位置の
出力が第３図に示す如く最小となり、これより粒
子位置が検出される。
光位置検出器１０上で粒子位置に対応した位置の
出力が第３図に示す如く最小となり、これより粒
子位置が検出される。
すなわち本実施例において光位置検出器１０は
照射光の強度分布の検出と、粒子位置の検出及び
前方散乱光の検出という時間的に異なる機能を具
える。
照射光の強度分布の検出と、粒子位置の検出及び
前方散乱光の検出という時間的に異なる機能を具
える。
なお光位置検出器１０としては、例えばCCD
等のアレイ状光電素子が用いられる。測定に際し
て粒子の位置検出がなされると、RAMに記憶し
た照射光の光強度分布を基に螢光及び前方散乱光
の受光出力すなわち光検知器８及び光位置検知器
１０の出力が補正される。
等のアレイ状光電素子が用いられる。測定に際し
て粒子の位置検出がなされると、RAMに記憶し
た照射光の光強度分布を基に螢光及び前方散乱光
の受光出力すなわち光検知器８及び光位置検知器
１０の出力が補正される。
ここで第５図に本発明の測光部のブロツク図を
示す。
示す。
先ず測定前に光位置検出器１０上の照射光の強
度分布をRAM１２にメモリーしておく。続いて
被検粒子を流して測光が行われるのであるが、光
位置検出器１０上の粒子位置がピーク検出部１１
で検出される。ピーク検出部１１は粒子位置で受
光出力が最小となることに基づいて粒子位置を検
出する。
度分布をRAM１２にメモリーしておく。続いて
被検粒子を流して測光が行われるのであるが、光
位置検出器１０上の粒子位置がピーク検出部１１
で検出される。ピーク検出部１１は粒子位置で受
光出力が最小となることに基づいて粒子位置を検
出する。
粒子位置が検出されるとこれに応じてRAM１
２のアドレスが指定される。この指定された
RAMの内容Ｂが光検知器８の出力Ａに補正係数
として入り、補正部１３でＡ÷Ｂの演算が行なわ
れてメモリ１４に格納される。この格納された情
報は後に表示装置例えばCRT上に横軸に螢光量、
縦軸に頻度をとつて表示することにより粒子のヒ
ストグラムが得られ有用な粒子解析を行なうこと
ができる。
２のアドレスが指定される。この指定された
RAMの内容Ｂが光検知器８の出力Ａに補正係数
として入り、補正部１３でＡ÷Ｂの演算が行なわ
れてメモリ１４に格納される。この格納された情
報は後に表示装置例えばCRT上に横軸に螢光量、
縦軸に頻度をとつて表示することにより粒子のヒ
ストグラムが得られ有用な粒子解析を行なうこと
ができる。
なお上述した実施例では、側方散乱光に対して
補正を加えているが、粒子の形状（大きさ等）の
情報を解析するのに重要な前方散乱光に対して補
正を加えることができることは勿論である。
補正を加えているが、粒子の形状（大きさ等）の
情報を解析するのに重要な前方散乱光に対して補
正を加えることができることは勿論である。
なお前記したRAMの内容は各測定毎に書き換
えて更新するのが望ましい。次に第６図は照射光
の照度分布を光位置検出器７で検出する際、更に
アライメント状態を検出してアライメント不良の
場合、警告表示をするようにした変形例を示す。
えて更新するのが望ましい。次に第６図は照射光
の照度分布を光位置検出器７で検出する際、更に
アライメント状態を検出してアライメント不良の
場合、警告表示をするようにした変形例を示す。
すなわちフローセルの両側壁面位置ｍ，ｎが第
６図に示される如き光強度分布によつて検出され
ると、光位置検出器上ｍ，ｎの中間位置が所定基
準位置０より所定範囲外となつた場合、アライメ
ント不良と判断して警告表示させる。
６図に示される如き光強度分布によつて検出され
ると、光位置検出器上ｍ，ｎの中間位置が所定基
準位置０より所定範囲外となつた場合、アライメ
ント不良と判断して警告表示させる。
これはフローセルを交換した場合等にアライメ
ント状態を検査する際、有効である。なお、光位
置検出器１０の直前に前述したフローセルの大き
さに対応した視野絞りを設けると両側壁面位置
ｍ，ｎが明瞭となる。
ント状態を検査する際、有効である。なお、光位
置検出器１０の直前に前述したフローセルの大き
さに対応した視野絞りを設けると両側壁面位置
ｍ，ｎが明瞭となる。
ところで既述した実施例は測定前の照射光の強
度分布を記憶させるものであるが光路中、照射光
源とフローセルの間にビームスプリツターを配
し、照射光を一部分岐させて分岐された光路に光
位置検出器を設け測定中の照射光の強度分布を検
出するようにしても良い。
度分布を記憶させるものであるが光路中、照射光
源とフローセルの間にビームスプリツターを配
し、照射光を一部分岐させて分岐された光路に光
位置検出器を設け測定中の照射光の強度分布を検
出するようにしても良い。
以上、本発明によれば、照射光の光強度分布及
び測定粒子の位置の測定を行なうことによりその
情報から測光量の補正を行なうことによつて精度
の高い粒子解析を行なうことができる。
び測定粒子の位置の測定を行なうことによりその
情報から測光量の補正を行なうことによつて精度
の高い粒子解析を行なうことができる。
第１図はフローセル図、第２図は従来例の説明
図、第３図はフロー部内の被検粒子とレーザ光強
度分布の関係を示した図、第４図、第５図は各々
本発明の実施例の図、測光部のブロツク図、第６
図はアライメント状態を更に検出する変形例の
図、 図中、１はフローセル、２はフロー部、７，８
は光検知器、９はバリヤフイルタ、１０は光位置
検出器、１２はメモリ、１３は補正部である。
図、第３図はフロー部内の被検粒子とレーザ光強
度分布の関係を示した図、第４図、第５図は各々
本発明の実施例の図、測光部のブロツク図、第６
図はアライメント状態を更に検出する変形例の
図、 図中、１はフローセル、２はフロー部、７，８
は光検知器、９はバリヤフイルタ、１０は光位置
検出器、１２はメモリ、１３は補正部である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被検位置近傍の粒子に所定強度分布をもつた
光を照射し、その散乱光又は蛍光を受光して粒子
解析を行なう粒子解析装置において、照射光の強
度分布を検出する強度検出部と、照射光に対する
粒子の相対位置を検出する位置検出部と、 該位置検出部で検出される粒子の相対位置に応
じて前記強度検出部で検出される照射光の強度分
布を基に前記受光される散乱光又は蛍光の出力を
補正する補正部を備えることを特徴とする粒子解
析装置。 ２ 被検位置近傍の粒子に所定強度分布をもつた
光を照射し、その散乱光又は蛍光を受光して粒子
解析を行なう粒子解析装置において、照射光の強
度分布を検出する強度分布検出部と、 該強度分布検出部の検出結果を記憶する記憶部
と、 照射光に対する粒子の相対位置を検出する位置
検出部と、 該位置検出部で検出される粒子の相対位置に応
じて前記記憶部に記憶される照射光の強度分布を
基に前記受光される散乱光又は蛍光の出力を補正
する補正部を備えることを特徴とする粒子解析装
置。 ３ 前記強度分布検出部はアレイ型光電検出器で
ある特許請求の範囲第２項記載の粒子解析装置。 ４ 前記記憶部はランダムアクセス型記憶素子で
ある特許請求の範囲第２項記載の粒子解析装置。 ５ 照射光の強度分布を検出する毎に前記記憶部
の内容を書き換える特許請求の範囲第２項記載の
粒子解析装置。 ６ 被検位置近傍の粒子に所定強度分布をもつた
光を照射し、その散乱光又は蛍光を受光して粒子
解析を行なう粒子解析方法において、粒子が被検
位置近傍に無いときに照射光の強度分布を光検出
器で検出する段階と、粒子が被検位置近傍を通過
した時に照射光に対する粒子の相対位置を前記光
検出器で検出する段階と、検出した粒子の相対位
置に応じて前記被検粒子が無いときに検出された
照射光の強度分布を基に前記受光される散乱光又
は蛍光の出力を補正する段階を有する粒子解析方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15064284A JPS6129738A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 粒子解析装置及び粒子解析方法 |
| US06/753,871 US4643566A (en) | 1984-07-20 | 1985-07-11 | Particle analyzing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15064284A JPS6129738A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 粒子解析装置及び粒子解析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129738A JPS6129738A (ja) | 1986-02-10 |
| JPH0262179B2 true JPH0262179B2 (ja) | 1990-12-25 |
Family
ID=15501308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15064284A Granted JPS6129738A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 粒子解析装置及び粒子解析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6129738A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07117484B2 (ja) * | 1989-05-26 | 1995-12-18 | 富士電機株式会社 | 微粒子測定における粒径分布の補正方法 |
| JP2009162660A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Sony Corp | 検出方法及び検出装置 |
| JP4489146B2 (ja) * | 2008-02-07 | 2010-06-23 | 三井造船株式会社 | 蛍光検出装置及び蛍光検出方法 |
| JP6206404B2 (ja) * | 2012-06-06 | 2017-10-04 | ソニー株式会社 | 微小粒子測定装置におけるデータ補正方法及び微小粒子測定装置 |
| EP2927666A4 (en) * | 2012-12-03 | 2016-08-03 | Fuji Electric Co Ltd | PARTICLE BEAM FORMING DEVICE |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP15064284A patent/JPS6129738A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6129738A (ja) | 1986-02-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |