JPS61274910A - 半導体樹脂封止用金型 - Google Patents

半導体樹脂封止用金型

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JPS61274910A
JPS61274910A JP60119084A JP11908485A JPS61274910A JP S61274910 A JPS61274910 A JP S61274910A JP 60119084 A JP60119084 A JP 60119084A JP 11908485 A JP11908485 A JP 11908485A JP S61274910 A JPS61274910 A JP S61274910A
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mold
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治 中川
Koji Yanagiya
柳谷 孝二
Ikuo Sasaki
佐々木 育夫
Toshinobu Banjo
番條 敏信
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    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/26Moulds
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  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体非気密封止の中心技術である熱硬化性
樹脂によるトランスファーモールド方式において使用さ
れる半導体樹脂封止用金型の構造に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、トランスファーモールド方式において使用される
半導体樹脂封止用金型は、中央にトランスファーポット
から射出シリンダーにより封止用樹脂が導出される起点
となるカル部と、該カル部より製品となる部位であるキ
ャビティ部に至る経路に相当するランナー部及びゲート
部と、製品となるキャビティ部とにより基本的に構成さ
れている。
第5図は下型にカル部、ランナー部、ゲート部が存在す
る半導体樹脂封止用金型を示し、図において、1はカル
部、2はランナー部、3はゲート部、4はキャビティ部
である。
第6図は第5図のA−A線にそった断面図、第7図は同
じ<B−B線にそった断面図、第8図は同じ< C−C
線にそった断面図を示す。
次に熱硬化性樹脂がカル部1よりキャビティ部4に導入
される動作について説明する。
トランスファーポットに投入された樹脂は、150〜1
90℃の温度に加熱された金型に50〜100 kg/
−の射出圧力、5〜1 mm/secの射出速度で注入
される。注入された樹脂は金型よりの熱を受容しながら
、溶融・反応硬化を行なう、従来の半導体樹脂封止用金
型では樹脂が金型温度に相当する温度に達して均一に溶
融するためのポイントはゲート部2を経過した後にある
第9図に温度χ℃における樹脂の粘度一時間特性の代表
例を示す。図において、領域1は温度χ℃における完全
熔融状態となる迄の樹脂熔融領域、領域2は樹脂の硬化
反応が始まり硬化が進行する樹脂硬化領域を示す。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体樹脂封止用金型は以上のように構成されて
いるので、樹脂が流動過程において金型温度に達して、
該温度における完全溶融状態となるのが1つのポイント
、即ちゲート部のみであり、樹脂の均一溶融状態におい
て達成される製品の成形の状態の安定化、特に成形物内
部に存在するボイド(内部ボイド)の低減に限界があり
、成形条件や樹脂流動特性の検討によっても内部ボイド
をなくする、あるいは一定のレベルを再現することにお
いて多くの問題点をはらんでいた。
本発明は上記の様な問題点を解消するためになされたも
のであり、製品の成形状態を安定化すること、特に成形
物中の内部ボイドを低減することが可能となる半導体樹
脂封止用金型を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に係る半導体樹脂封止用金型は、ランナー部途中
に樹脂流動面積が50%以上小さくなる絞りブロック部
を、該ランナー部が存在する金型と相対する金型に、例
えば下型にランナー部がある場合は上型に設けたもので
ある。
〔作用〕
本発明においては、ランナー部が存在する金型と相対す
る金型に設けた絞りブロック部は、樹脂流動面積を50
%以上低減することから、ランナー部とゲート部との2
つのポイントにて樹脂が金型温度に達して、樹脂の完全
溶融状態が達成され、製品の成形状態は安定化し特に成
形物の内部ボイドが低減される。
〔実施例〕
以下本発明の一実施例について詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例による半導体樹脂封止用金型
の平面図を示し、図中、第5図と同一符号は同一部分を
示す0図において5はランナー部2の樹脂流動断面積が
50%以上小さくなるようにした突出部位であり、これ
は上型に追加した下型゛ランナー形状に沿った突出部(
絞りブロック部)により形成される。
第2図に上記絞りブロック部5の拡大平面図、第3図に
第1図のA−A線断面図、第4図に第1図のC−C線断
面図を示す。
次に作用効果にいて説明する。
本金型においては、樹脂がトランスファーポットから金
型内に注入されると、この樹脂は金型からの熱を受容し
ながら、カル部1.ランナー部2及びゲート部3を流れ
、その際、ランナー部2の絞りブロック部5で流動断面
積が減少していることから、そこで完全溶融状態となり
、又ゲート部3で再度完全溶融状態となり、こうして樹
脂は2回にわたって完全溶融化を受けてキャビティ部4
に至り、そこで反応硬化して製品となり、その結果製品
の成形状態が安定化し、特に製品の内部ボイドが大幅に
低減される。
次に表1に第2図〜第4図における寸法a−jの各値を
変動させた場合における20ケの製品に発生した50μ
m以上の内部ボイド数を示す。表1において、樹脂流動
減少面積は各寸法値と第4図の絞りブロック部5の断面
積とから計算したものであり、絞りブロック部5のない
場合を0、完全にランナー部2をせきとめた場合を10
0として示す。
表1.絞りブロック仕様と内部ボイド発生数表1の結果
より、本発明の一実施例による半導体樹脂封止用金型で
は、製品の成形状態を安定化でき、内部ボイドの低減を
図れることがわかる。
又表1より明らかな様に、ランナー中間部に設けられた
絞りブロック部5による樹脂流動減少面積が大である程
その効果は大きく、該流動減少面積を50%以上小さく
する事により、内部ボイド発生数が顕著に改善される。
なお上記実施例においては、ランナー部各側面よりの寸
法が一定な場合の上型絞リブロックの例を示したが、本
発明による絞りブロック部について重要であるのは第4
図斜線部に示す樹脂流動面積の減少効果であり、異なっ
た絞りブロック部形状による樹脂流動面積の減少を図っ
ても本実施例と同様の効果を奏する。
又ランナー部の配置が上型となった場合には、下型に同
一の絞りブロックを設ければ良、い。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明によれば、ランナー部に絞りブロ
ック部を設け、ランナー部途中で樹脂流動面積を50%
以上減少するようにしたので、成形物の成形状態を安定
化すると同時に、特に成形物中の内部ボイドを顕著に低
減できる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による半導体樹脂封止用金型
の平面図、第2図は上記金型における絞りブロック部の
拡大平面図、第3図は第1図のA−A線にそった絞りブ
ロック部の断面拡大図、第4図は第1図のC−C線にそ
った絞りブロック部の断面拡大図、第5図は従来の半導
体樹脂封止用金型の平面図、第6図は第5図のA−A線
に沿った断面図、第7図は第5図のB−B線に沿った断
面図、第8図は第5図のC−C線に沿った断面図である
。 l・・・カル部、2・・・ランナー部、3・・・ゲート
部、4・・・キャビティ部、5・・・絞りブロック部。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)熱硬化性樹脂を使用したトランスファーモールド
    方式における半導体樹脂封止用金型において、ポット部
    よりゲート部に至るランナー部途中に、樹脂流動断面積
    を50%以上減少させる絞りブロック部を上記ランナー
    部が存在する金型と相対する金型に設けたことを特徴と
    する半導体樹脂封止用金型。
JP60119084A 1985-05-31 1985-05-31 半導体樹脂封止用金型 Granted JPS61274910A (ja)

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US07/296,647 US4908178A (en) 1985-05-31 1989-01-11 Method of molding a semiconductor device

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JPH032048B2 JPH032048B2 (ja) 1991-01-14

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