JPS61274910A - 半導体樹脂封止用金型 - Google Patents
半導体樹脂封止用金型Info
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- JPS61274910A JPS61274910A JP60119084A JP11908485A JPS61274910A JP S61274910 A JPS61274910 A JP S61274910A JP 60119084 A JP60119084 A JP 60119084A JP 11908485 A JP11908485 A JP 11908485A JP S61274910 A JPS61274910 A JP S61274910A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 46
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- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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-
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- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体非気密封止の中心技術である熱硬化性
樹脂によるトランスファーモールド方式において使用さ
れる半導体樹脂封止用金型の構造に関するものである。
樹脂によるトランスファーモールド方式において使用さ
れる半導体樹脂封止用金型の構造に関するものである。
従来、トランスファーモールド方式において使用される
半導体樹脂封止用金型は、中央にトランスファーポット
から射出シリンダーにより封止用樹脂が導出される起点
となるカル部と、該カル部より製品となる部位であるキ
ャビティ部に至る経路に相当するランナー部及びゲート
部と、製品となるキャビティ部とにより基本的に構成さ
れている。
半導体樹脂封止用金型は、中央にトランスファーポット
から射出シリンダーにより封止用樹脂が導出される起点
となるカル部と、該カル部より製品となる部位であるキ
ャビティ部に至る経路に相当するランナー部及びゲート
部と、製品となるキャビティ部とにより基本的に構成さ
れている。
第5図は下型にカル部、ランナー部、ゲート部が存在す
る半導体樹脂封止用金型を示し、図において、1はカル
部、2はランナー部、3はゲート部、4はキャビティ部
である。
る半導体樹脂封止用金型を示し、図において、1はカル
部、2はランナー部、3はゲート部、4はキャビティ部
である。
第6図は第5図のA−A線にそった断面図、第7図は同
じ<B−B線にそった断面図、第8図は同じ< C−C
線にそった断面図を示す。
じ<B−B線にそった断面図、第8図は同じ< C−C
線にそった断面図を示す。
次に熱硬化性樹脂がカル部1よりキャビティ部4に導入
される動作について説明する。
される動作について説明する。
トランスファーポットに投入された樹脂は、150〜1
90℃の温度に加熱された金型に50〜100 kg/
−の射出圧力、5〜1 mm/secの射出速度で注入
される。注入された樹脂は金型よりの熱を受容しながら
、溶融・反応硬化を行なう、従来の半導体樹脂封止用金
型では樹脂が金型温度に相当する温度に達して均一に溶
融するためのポイントはゲート部2を経過した後にある
。
90℃の温度に加熱された金型に50〜100 kg/
−の射出圧力、5〜1 mm/secの射出速度で注入
される。注入された樹脂は金型よりの熱を受容しながら
、溶融・反応硬化を行なう、従来の半導体樹脂封止用金
型では樹脂が金型温度に相当する温度に達して均一に溶
融するためのポイントはゲート部2を経過した後にある
。
第9図に温度χ℃における樹脂の粘度一時間特性の代表
例を示す。図において、領域1は温度χ℃における完全
熔融状態となる迄の樹脂熔融領域、領域2は樹脂の硬化
反応が始まり硬化が進行する樹脂硬化領域を示す。
例を示す。図において、領域1は温度χ℃における完全
熔融状態となる迄の樹脂熔融領域、領域2は樹脂の硬化
反応が始まり硬化が進行する樹脂硬化領域を示す。
従来の半導体樹脂封止用金型は以上のように構成されて
いるので、樹脂が流動過程において金型温度に達して、
該温度における完全溶融状態となるのが1つのポイント
、即ちゲート部のみであり、樹脂の均一溶融状態におい
て達成される製品の成形の状態の安定化、特に成形物内
部に存在するボイド(内部ボイド)の低減に限界があり
、成形条件や樹脂流動特性の検討によっても内部ボイド
をなくする、あるいは一定のレベルを再現することにお
いて多くの問題点をはらんでいた。
いるので、樹脂が流動過程において金型温度に達して、
該温度における完全溶融状態となるのが1つのポイント
、即ちゲート部のみであり、樹脂の均一溶融状態におい
て達成される製品の成形の状態の安定化、特に成形物内
部に存在するボイド(内部ボイド)の低減に限界があり
、成形条件や樹脂流動特性の検討によっても内部ボイド
をなくする、あるいは一定のレベルを再現することにお
いて多くの問題点をはらんでいた。
本発明は上記の様な問題点を解消するためになされたも
のであり、製品の成形状態を安定化すること、特に成形
物中の内部ボイドを低減することが可能となる半導体樹
脂封止用金型を提供することを目的とする。
のであり、製品の成形状態を安定化すること、特に成形
物中の内部ボイドを低減することが可能となる半導体樹
脂封止用金型を提供することを目的とする。
本発明に係る半導体樹脂封止用金型は、ランナー部途中
に樹脂流動面積が50%以上小さくなる絞りブロック部
を、該ランナー部が存在する金型と相対する金型に、例
えば下型にランナー部がある場合は上型に設けたもので
ある。
に樹脂流動面積が50%以上小さくなる絞りブロック部
を、該ランナー部が存在する金型と相対する金型に、例
えば下型にランナー部がある場合は上型に設けたもので
ある。
本発明においては、ランナー部が存在する金型と相対す
る金型に設けた絞りブロック部は、樹脂流動面積を50
%以上低減することから、ランナー部とゲート部との2
つのポイントにて樹脂が金型温度に達して、樹脂の完全
溶融状態が達成され、製品の成形状態は安定化し特に成
形物の内部ボイドが低減される。
る金型に設けた絞りブロック部は、樹脂流動面積を50
%以上低減することから、ランナー部とゲート部との2
つのポイントにて樹脂が金型温度に達して、樹脂の完全
溶融状態が達成され、製品の成形状態は安定化し特に成
形物の内部ボイドが低減される。
以下本発明の一実施例について詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例による半導体樹脂封止用金型
の平面図を示し、図中、第5図と同一符号は同一部分を
示す0図において5はランナー部2の樹脂流動断面積が
50%以上小さくなるようにした突出部位であり、これ
は上型に追加した下型゛ランナー形状に沿った突出部(
絞りブロック部)により形成される。
の平面図を示し、図中、第5図と同一符号は同一部分を
示す0図において5はランナー部2の樹脂流動断面積が
50%以上小さくなるようにした突出部位であり、これ
は上型に追加した下型゛ランナー形状に沿った突出部(
絞りブロック部)により形成される。
第2図に上記絞りブロック部5の拡大平面図、第3図に
第1図のA−A線断面図、第4図に第1図のC−C線断
面図を示す。
第1図のA−A線断面図、第4図に第1図のC−C線断
面図を示す。
次に作用効果にいて説明する。
本金型においては、樹脂がトランスファーポットから金
型内に注入されると、この樹脂は金型からの熱を受容し
ながら、カル部1.ランナー部2及びゲート部3を流れ
、その際、ランナー部2の絞りブロック部5で流動断面
積が減少していることから、そこで完全溶融状態となり
、又ゲート部3で再度完全溶融状態となり、こうして樹
脂は2回にわたって完全溶融化を受けてキャビティ部4
に至り、そこで反応硬化して製品となり、その結果製品
の成形状態が安定化し、特に製品の内部ボイドが大幅に
低減される。
型内に注入されると、この樹脂は金型からの熱を受容し
ながら、カル部1.ランナー部2及びゲート部3を流れ
、その際、ランナー部2の絞りブロック部5で流動断面
積が減少していることから、そこで完全溶融状態となり
、又ゲート部3で再度完全溶融状態となり、こうして樹
脂は2回にわたって完全溶融化を受けてキャビティ部4
に至り、そこで反応硬化して製品となり、その結果製品
の成形状態が安定化し、特に製品の内部ボイドが大幅に
低減される。
次に表1に第2図〜第4図における寸法a−jの各値を
変動させた場合における20ケの製品に発生した50μ
m以上の内部ボイド数を示す。表1において、樹脂流動
減少面積は各寸法値と第4図の絞りブロック部5の断面
積とから計算したものであり、絞りブロック部5のない
場合を0、完全にランナー部2をせきとめた場合を10
0として示す。
変動させた場合における20ケの製品に発生した50μ
m以上の内部ボイド数を示す。表1において、樹脂流動
減少面積は各寸法値と第4図の絞りブロック部5の断面
積とから計算したものであり、絞りブロック部5のない
場合を0、完全にランナー部2をせきとめた場合を10
0として示す。
表1.絞りブロック仕様と内部ボイド発生数表1の結果
より、本発明の一実施例による半導体樹脂封止用金型で
は、製品の成形状態を安定化でき、内部ボイドの低減を
図れることがわかる。
より、本発明の一実施例による半導体樹脂封止用金型で
は、製品の成形状態を安定化でき、内部ボイドの低減を
図れることがわかる。
又表1より明らかな様に、ランナー中間部に設けられた
絞りブロック部5による樹脂流動減少面積が大である程
その効果は大きく、該流動減少面積を50%以上小さく
する事により、内部ボイド発生数が顕著に改善される。
絞りブロック部5による樹脂流動減少面積が大である程
その効果は大きく、該流動減少面積を50%以上小さく
する事により、内部ボイド発生数が顕著に改善される。
なお上記実施例においては、ランナー部各側面よりの寸
法が一定な場合の上型絞リブロックの例を示したが、本
発明による絞りブロック部について重要であるのは第4
図斜線部に示す樹脂流動面積の減少効果であり、異なっ
た絞りブロック部形状による樹脂流動面積の減少を図っ
ても本実施例と同様の効果を奏する。
法が一定な場合の上型絞リブロックの例を示したが、本
発明による絞りブロック部について重要であるのは第4
図斜線部に示す樹脂流動面積の減少効果であり、異なっ
た絞りブロック部形状による樹脂流動面積の減少を図っ
ても本実施例と同様の効果を奏する。
又ランナー部の配置が上型となった場合には、下型に同
一の絞りブロックを設ければ良、い。
一の絞りブロックを設ければ良、い。
以上のように、本発明によれば、ランナー部に絞りブロ
ック部を設け、ランナー部途中で樹脂流動面積を50%
以上減少するようにしたので、成形物の成形状態を安定
化すると同時に、特に成形物中の内部ボイドを顕著に低
減できる効果が得られる。
ック部を設け、ランナー部途中で樹脂流動面積を50%
以上減少するようにしたので、成形物の成形状態を安定
化すると同時に、特に成形物中の内部ボイドを顕著に低
減できる効果が得られる。
第1図は本発明の一実施例による半導体樹脂封止用金型
の平面図、第2図は上記金型における絞りブロック部の
拡大平面図、第3図は第1図のA−A線にそった絞りブ
ロック部の断面拡大図、第4図は第1図のC−C線にそ
った絞りブロック部の断面拡大図、第5図は従来の半導
体樹脂封止用金型の平面図、第6図は第5図のA−A線
に沿った断面図、第7図は第5図のB−B線に沿った断
面図、第8図は第5図のC−C線に沿った断面図である
。 l・・・カル部、2・・・ランナー部、3・・・ゲート
部、4・・・キャビティ部、5・・・絞りブロック部。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
の平面図、第2図は上記金型における絞りブロック部の
拡大平面図、第3図は第1図のA−A線にそった絞りブ
ロック部の断面拡大図、第4図は第1図のC−C線にそ
った絞りブロック部の断面拡大図、第5図は従来の半導
体樹脂封止用金型の平面図、第6図は第5図のA−A線
に沿った断面図、第7図は第5図のB−B線に沿った断
面図、第8図は第5図のC−C線に沿った断面図である
。 l・・・カル部、2・・・ランナー部、3・・・ゲート
部、4・・・キャビティ部、5・・・絞りブロック部。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)熱硬化性樹脂を使用したトランスファーモールド
方式における半導体樹脂封止用金型において、ポット部
よりゲート部に至るランナー部途中に、樹脂流動断面積
を50%以上減少させる絞りブロック部を上記ランナー
部が存在する金型と相対する金型に設けたことを特徴と
する半導体樹脂封止用金型。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60119084A JPS61274910A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体樹脂封止用金型 |
KR1019860003276A KR900001926B1 (ko) | 1985-05-31 | 1986-04-28 | 반도체장치 플라스틱성형용 금형 |
DE19863617764 DE3617764A1 (de) | 1985-05-31 | 1986-05-27 | Metallform zur plastischen formung von halbleiter-einrichtungen |
NL8601370A NL8601370A (nl) | 1985-05-31 | 1986-05-28 | Metalen gietvorm voor het in kunststof gieten van een halfgeleider. |
US06/868,590 US4818204A (en) | 1985-05-31 | 1986-05-30 | Mold for molding semiconductor devices |
US07/296,647 US4908178A (en) | 1985-05-31 | 1989-01-11 | Method of molding a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60119084A JPS61274910A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体樹脂封止用金型 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61274910A true JPS61274910A (ja) | 1986-12-05 |
JPH032048B2 JPH032048B2 (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=14752488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60119084A Granted JPS61274910A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体樹脂封止用金型 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4818204A (ja) |
JP (1) | JPS61274910A (ja) |
KR (1) | KR900001926B1 (ja) |
DE (1) | DE3617764A1 (ja) |
NL (1) | NL8601370A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63170942U (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-07 |
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-
1985
- 1985-05-31 JP JP60119084A patent/JPS61274910A/ja active Granted
-
1986
- 1986-04-28 KR KR1019860003276A patent/KR900001926B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-05-27 DE DE19863617764 patent/DE3617764A1/de not_active Ceased
- 1986-05-28 NL NL8601370A patent/NL8601370A/nl not_active Application Discontinuation
- 1986-05-30 US US06/868,590 patent/US4818204A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-01-11 US US07/296,647 patent/US4908178A/en not_active Expired - Lifetime
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