JPS61271279A - 液晶化合物 - Google Patents

液晶化合物

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JPS61271279A
JPS61271279A JP60113766A JP11376685A JPS61271279A JP S61271279 A JPS61271279 A JP S61271279A JP 60113766 A JP60113766 A JP 60113766A JP 11376685 A JP11376685 A JP 11376685A JP S61271279 A JPS61271279 A JP S61271279A
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Hitoshi Suenaga
仁士 末永
Masaaki Taguchi
田口 雅明
Takamasa Harada
隆正 原田
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Teikoku Chemical Industry Co Ltd
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Teikoku Chemical Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、強誘電性スメクチック液晶の電界への応答を
利用した電気光学素子に有用な新規の液晶化合物に関す
る。
〔従来の技術〕
液晶は、既に種々の電気光学素子として応用され、時計
や電卓などの表示に実用化されてきている。これらに使
用されている液晶化合物は、ネマティック液晶や、コレ
ステリック液晶である。しかし、これら液晶ではコント
ラスト、視角特性の点で大型表示装置の実現は不可能に
近い。
こうした中で、クラークらはスメクチックO”相を持つ
液晶化合物を使った惰畠素子を考案した。
このスメクチックC”相を持つ液晶化合物は種々合成さ
れているところ、最初に合成されたものはP−decy
lox)r benzLlLdene−F’ −amL
no−2−methyl butylcynnamat
eである。この化合物と同じ系列の化合物が種々合成さ
れ、実用化の検討を加えられているけn、ども、この系
列の液晶は。
室温以上の比較的高温側でカイラルスメクチック相を呈
するため室温では使用できないことや、シック系化合物
であるため水分により分解を受は易く化学的安定性に欠
けるなどの欠点がある。
B、工、0strovslcLL らに工って01″i
′ CnH2n+1−〇−o−COO−o−O−OH121
101Hs(n==9+10) の構造式で表わされる液晶化合物が紹介されている。父
、 G、W、Grayら(Mob 、0ryst 、L
Lq 。
0ryst、、37(1976ン189.(197B)
37)ニヨリカイラルスメクチック液晶相を呈するビフ
ェニルエステル系材料が報告されている0〔発明が解決
しょうとする問題点〕 本発明は、化学的安定性に優れ、室温を含む広い温度範
囲でカイラルスメクチック液晶性を示す液晶組成物を得
ていくに当っての有力な新規液晶化合物を提供するもの
である。
〔問題点を解決する九めの手段〕
本発明によれば1次式 %式%) で示され肴印不蒼炭素原子における立体配置が3体であ
るところの新規液晶化合物が提供される。
この目的化合物は次のようにして合成される。
即ち (イ) 8体アミルアルコールの合成 0*8ChLLtgl伊W+M&!”QkWar(1+
Ber、 321092(1899)及び同29 5!
1(1896)に記載の光学分割の方法に従い…)−2
−メチル#*を得。
これをリチウムアルミニウムハイドライドその他金属水
素化物で還元し、(R)−2−メチルブタン−オール−
1を得る。
かくして得られ九(R)−2−メチルブタン−オール−
1は、これをハロゲン化し、グリニヤール試薬とし炭酸
ガスを反応させ得られるカルボン酸を金属水素化物で還
元すると炭素原子1個多くなった碩)−3−メチルペン
タン−オール−1が得られる。また、前記ハロゲン化物
をマロン酸エステルと反応させ、加水分解、脱炭酸して
、金属水素化物で還元すると炭素原子2個多くなった(
R)−4−メチルヘキサン−オール−1が得られる。こ
れを適宜繰り返し実行すれば炭素数を任意の数に調整し
たR体アルコールを得ることができる。
(ロ) 2−(4−ヒドロキシフェニル)−5−フルキ
ルピリミジンの合成 4−ヒドロキシ(保護されたヒドロキシ基であっても工
い)ベンズアミジン若しくはその塩体に。
アルキルアセトアルデヒドジアルキルアセタールとグイ
ルスマイヤー試薬とを反応させて得られるβ−ジメチル
アミノ−α−アルキルアクロレインとをアルコラードの
存在下で反応させる。かくて、式 %式% (Yは水素原子又はヒドロキシ基の保護基を示す。) で示される化合物を得る。ここにおいてピリミジン環上
に置換したアルキル基は05〜018の直鎖アルキルi
a−示す。又保護基Yとしてはベンジル?ピラニルなど
があげられる。反応は、メタノール。
エタノールなどのアルコール浴媒中、ナトリウムメチラ
ートツナトリウムエチラートを使って好適に進めること
ができる。保護基Yは水素添加を酸触媒などによって取
シ除かれる。
(ハ)前記(イ)+(ロ)に記述したところに従い得ら
れた化合物を反応させて本発明の目的化合物を得る。
ここにおいて反応は、前記(イ)記載の方法に従って得
た化合物を塩化チオニル、三臭化燐などでハロゲン化し
、あるいはメタンスルホニルクロリド。
P−)ルエンスルホニルクロリドなどでスルホン酸エス
テル化合物とし次のち、(ロ)記載の方法に従って11
2−(4−ヒドロキシフェニル)−5−アルキルピリミ
ジンと反応させることに工って行われる。用いられる溶
媒は、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド−
ジメチルアセタミドナトである。2−(4−ヒドロキシ
フェニル)−5−アルキルピリミジンは、これら温媒中
で水素化ナトリウム、金属アルカリを使って、ヒドロキ
シ基の水素原子を置換しておくと工い。
以下実施例を記述して本発明を更に詳述する。
実施例1 (R) −5−n−ウンデシル−2C4−(2’−メチ
ルブチルオキシ)フェニル〕ビIJミジンの合成50チ
水素化ナトリウム0.571i乾燥したジメチルホルム
アミド6mlに懸濁し、2−(4−ハイドロキシフェニ
ル) −5−n−ウンデシルピリミジンA2P’i乾燥
ジメチルホルムアミド6mAに溶かして8口え、室温で
60分間撹拌後、(R)−2−メfルー1−(P−)ル
エンスルホニル)オキシブタン2.9fl乾燥ジメチル
ホルムアミド5 mRに溶かして加え、混合物を75〜
80Cに加温し、8時間攪拌反応を行い、反応液を氷水
に注ぎ、酢酸エチルで抽出し、食塩水で洗い、硫酸マグ
ネシウム乾燥して、溶媒を留去後、4.279の残金を
得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー
、ついで再結晶にL#)精製して、2.02の(R) 
−5−n−ウンデシル−2−i:4−(2’−メチルブ
チルオキシ)フェニル〕ビリミジンヲ得タロ鵞6−7.
05    (0=2.0+C)10Qs)XRνmi
x crs−” :  1 61 0  +  1 5
90  t1435.1255゜ 1 t70t85G+ ’HBIMB  (60MH2+0DOfil)δ(p
pm)’:  (L6〜2.23   (m、  30
H)2、ss       (t*    21)五7
2       (d +   2 H)6.88  
     (dl   2)1)A24       
(at   2u)A45      (6,2H) この液晶化合物は以下の工うな転移温度であったO (憂印は過冷却であることを示す0) この液晶化合@を、T’VAラビングの一軸配向処理を
施した基板間に挾持し、液晶層厚を2.5μmとし、±
20Vの電圧印加で、直交ニコル下で特性を測定した0
測定温度は35Cであった。
応答速度    210IJθ 実施例2 (R) −5−n−オクチル−2−1:4−(4−メチ
ルへキシルオキシ)フェニル〕ピリミジンの合成50チ
水素化ナトリウムC1,605fを乾燥ジメチルホルム
アミド5a12に懸濁し、2−(4−ハイドロキシフェ
ニル)−5−n−オクチルピリミジンS0?を乾燥ジメ
チルホルムアミド7 mAに洛かして加え、室温で60
分間撹拌後、(R)−4−メチル−1−(P−)ルエン
スルホニル)オキシヘキサン2.84 f’i乾燥ジメ
チルホルムアミド5m2に静かして加え、混合物75.
〜80Cに加温し、8時間攪拌反応を行った後、氷水に
注ぎ、酢酸エチルで抽出し、食塩水で洗い、硫酸マグネ
シウムで乾燥後、溶媒を留去して、4.151の残金を
得た。この残置をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
、再結晶により精製して、2.52の(B)−5− n
−オクチル−2−(:4−(4’−メチルへキシルオキ
シ)フェニル〕ピリミジンを得た0(ロ)”’−5,2
5°  (0=:2 + OROAs )工Rν++a
xan−” ;  1610 + 1590 +143
5.1255゜ 1170.850* ’HNMR(60MEZ+0DOA3 )δ(PPm)
:α6〜2.20   (m、  2スH)2.55 
    (t、   2H)五97     (t、 
  2H) A91     (d、   2)1)A25    
 (d、  2H) A48     (s+   2H) この液晶化合物の転移温度は以下の工うであった0 ■0.442 0r7  #  ’8c  → 8ム → 工110忰 (養印は過冷却であることを示す0) この液晶化合物を、FVAラビングの−軸配向処理を施
した基板間に挾持し、液晶層厚を2.5μmとし、±2
0Vの電圧印加で、直交ニコル下で特性を測定した。測
定温度は27Cであった。
応答速度    245μB 以上、実権例で示した工うに、本発明の化合物は、室温
近辺で、8c” 相を有し、かつ応答速度の速い材料と
して極めて有用である。又、本発明の化合物は、不斉炭
素原子まわりの立体配置がR体であるため、8体とは、
逆まわりの施元能を有する。工って、8体と混合するこ
とに工って、8C” 相のカイラルピッチを自由に変化
させることが出来、所望のカイラルピッチを有する強誘
電性液晶組成物を得る上で、有用な液晶化合物である0 以上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示され、不斉炭素原子のまわりの立体配置がR体であ
    る化合物。 (式中mは1〜8、nは5〜18の整数を示す。)
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