JPS63119449A - 2−シアノ−1−アルカノ−ルのエステル誘導体 - Google Patents
2−シアノ−1−アルカノ−ルのエステル誘導体Info
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- JPS63119449A JPS63119449A JP61263605A JP26360586A JPS63119449A JP S63119449 A JPS63119449 A JP S63119449A JP 61263605 A JP61263605 A JP 61263605A JP 26360586 A JP26360586 A JP 26360586A JP S63119449 A JPS63119449 A JP S63119449A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は新規な有機化合物及びそれを含む液晶組成物に
関し、更に詳しくは、強誘電性液晶組成物の成分として
有用な有機化合物及びそれを含有する強誘電性液晶組成
物に関する。
関し、更に詳しくは、強誘電性液晶組成物の成分として
有用な有機化合物及びそれを含有する強誘電性液晶組成
物に関する。
現在、液晶表示素子としてT N (TwistedN
ema t i c 、ねじれネマチック)壓表示方式
が最も広汎に使用されている。このTN液晶表示は、駆
動電圧が低い、消費電力が少ないなど、多くの利点をも
っている。しかしながら、応答速度の点においては、隘
極管、エレクトロルミネッセンス、プラズマディスプレ
イ等の発光屋表示素子に劣っている。ねじれ角を180
’から270’にした新しいTNJ表示素子も開発され
ているが、応答速度はやはり劣っている。このように種
々の改善の努力は実施されているが、実現にはいたつて
いない。しかしながら最近、盛んに研究されているとこ
ろの強誘電性液晶を用いる新しい表示方式に於いては、
著るしい応答速度の改善の可能性がある(C1arkら
; Appl fedPhys、 1ett、、 35
.899 (1980) )。この方式は強誘電性を示
すカイラルスメクチックC相(以下SC*と略称する)
等のカイラルスメクチック相を利用する方法である。強
誘電性を示す相はSC*相のみではなく、カイラルスメ
クチックF、GXH,r等の相が強誘電性を示すことが
知られている。
ema t i c 、ねじれネマチック)壓表示方式
が最も広汎に使用されている。このTN液晶表示は、駆
動電圧が低い、消費電力が少ないなど、多くの利点をも
っている。しかしながら、応答速度の点においては、隘
極管、エレクトロルミネッセンス、プラズマディスプレ
イ等の発光屋表示素子に劣っている。ねじれ角を180
’から270’にした新しいTNJ表示素子も開発され
ているが、応答速度はやはり劣っている。このように種
々の改善の努力は実施されているが、実現にはいたつて
いない。しかしながら最近、盛んに研究されているとこ
ろの強誘電性液晶を用いる新しい表示方式に於いては、
著るしい応答速度の改善の可能性がある(C1arkら
; Appl fedPhys、 1ett、、 35
.899 (1980) )。この方式は強誘電性を示
すカイラルスメクチックC相(以下SC*と略称する)
等のカイラルスメクチック相を利用する方法である。強
誘電性を示す相はSC*相のみではなく、カイラルスメ
クチックF、GXH,r等の相が強誘電性を示すことが
知られている。
実際に利用される強誘電性液晶表示素子に使用される強
誘電性液晶材料には多くの特性が要求されるが、それを
満たすには現在のところ、一つの化合物では応じられず
、いくつかの液晶化合物又は非液晶化合物を混合して得
られる強誘電性液晶組成物を使用する必要がある。
誘電性液晶材料には多くの特性が要求されるが、それを
満たすには現在のところ、一つの化合物では応じられず
、いくつかの液晶化合物又は非液晶化合物を混合して得
られる強誘電性液晶組成物を使用する必要がある。
本発明者らはとの表示方式の材料として優れた特性を有
する化合物を見い出すことを目的として種々のlfr規
化金化合物き検討し、本発明に到達した。
する化合物を見い出すことを目的として種々のlfr規
化金化合物き検討し、本発明に到達した。
本発明は一般式
(但し、上式に於いて R1は炭素数1〜20の直鎖又
は分岐のアルキル基又はアルコキシ基を、R2は炭素数
1〜1日の直鎖又は分岐のアルキル基を示し、mはO又
はlであシ、*印は不整炭素原子を示す) であられされる化合物及びそれらを含有する強誘電性液
晶組成物である。
は分岐のアルキル基又はアルコキシ基を、R2は炭素数
1〜1日の直鎖又は分岐のアルキル基を示し、mはO又
はlであシ、*印は不整炭素原子を示す) であられされる化合物及びそれらを含有する強誘電性液
晶組成物である。
本発明の(1)弐に於いてm = 1の化合物で且り*
印の付された不整炭素原子に基く光学活性体は、広範な
温度領域に於いてSC*相を呈し、又そのラセミ体もS
C*相ではないがスメクチックC相(以下SC相と略称
する)を光学活性体とほぼ同じ温度領域で呈する。従っ
て(1)式の化合物は光学活性体は勿論、ラセミ体も広
範な温度領域で強誘電性を呈示する強誘電性液晶組成物
の成分として重要である。又、液晶相を呈しない(1)
式の化合物であっても、これらは側鎖にシアノ基が置換
されている為に誘電異方性は負でちる。従ってこれらの
化合物を誘電異方性が正である強誘電性液晶組成物に適
当量添加することKよって、誘電異方性が負の特性を有
する強誘電性液晶組成物を構成することができる。
印の付された不整炭素原子に基く光学活性体は、広範な
温度領域に於いてSC*相を呈し、又そのラセミ体もS
C*相ではないがスメクチックC相(以下SC相と略称
する)を光学活性体とほぼ同じ温度領域で呈する。従っ
て(1)式の化合物は光学活性体は勿論、ラセミ体も広
範な温度領域で強誘電性を呈示する強誘電性液晶組成物
の成分として重要である。又、液晶相を呈しない(1)
式の化合物であっても、これらは側鎖にシアノ基が置換
されている為に誘電異方性は負でちる。従ってこれらの
化合物を誘電異方性が正である強誘電性液晶組成物に適
当量添加することKよって、誘電異方性が負の特性を有
する強誘電性液晶組成物を構成することができる。
又、(I)式の光学活性体はそれ自体が単独で強誘電性
を示す場合は大きな自発分極値(以下Psと略称する)
を示す。又それ自体では強誘電性を示さない場合であっ
ても、他のスメクチック液晶化合物及び又は組成物に添
加して発現されるP8は大きい。即ち、本発明の(1)
式の化合物の光学活性体を、非カイラルスメクチック液
晶化合物又はカイラルスメクチック液晶化合物或はそれ
らを含む液晶組成物に対して適斂添加することによって
構成される強誘電性液晶組成物のPsは添加前のそれに
比較して著しく大きくなる。従って、本発明の(1)式
の化合物は強誘電性液晶組成物のP8を担う成分として
好適であると言える。
を示す場合は大きな自発分極値(以下Psと略称する)
を示す。又それ自体では強誘電性を示さない場合であっ
ても、他のスメクチック液晶化合物及び又は組成物に添
加して発現されるP8は大きい。即ち、本発明の(1)
式の化合物の光学活性体を、非カイラルスメクチック液
晶化合物又はカイラルスメクチック液晶化合物或はそれ
らを含む液晶組成物に対して適斂添加することによって
構成される強誘電性液晶組成物のPsは添加前のそれに
比較して著しく大きくなる。従って、本発明の(1)式
の化合物は強誘電性液晶組成物のP8を担う成分として
好適であると言える。
又、本発明の(1)式の化合物の光学活性体は、これを
ネマチック液晶に添加することによってねじれた構造を
誘起する能力を有する。ねじれた構造を有するネマチッ
ク液晶、即ち、カイラルネマチック液晶はTN壓表示素
子のいわゆるリバース・ドメイン(縞模様)を生成する
事がないので(1)式の化合物の光学活性体は、リバー
ス・ドメイン生成の防止剤として使用できる。
ネマチック液晶に添加することによってねじれた構造を
誘起する能力を有する。ねじれた構造を有するネマチッ
ク液晶、即ち、カイラルネマチック液晶はTN壓表示素
子のいわゆるリバース・ドメイン(縞模様)を生成する
事がないので(1)式の化合物の光学活性体は、リバー
ス・ドメイン生成の防止剤として使用できる。
更に1本発明の(I)式の化合物のラセミ体は、強誘電
性液晶化合物及び組成物に対して適量を添加するととK
よってその誘電異方性はもちろんのこと、カイラルスメ
クチック相のPg、ピッチ等の調節に用うろことが可能
である。
性液晶化合物及び組成物に対して適量を添加するととK
よってその誘電異方性はもちろんのこと、カイラルスメ
クチック相のPg、ピッチ等の調節に用うろことが可能
である。
次に本発明の化合物の製造方法について述べる。
(13弐の化合物は例えば以下の様にして製造できる。
その際原料として光学活性体を使用すれば光学活性体が
得られ、ラセミ体の原料を使用すればラセミ体が得られ
る。又、ラセミ体を光学分割して光学活性体を得ること
も可能である。
得られ、ラセミ体の原料を使用すればラセミ体が得られ
る。又、ラセミ体を光学分割して光学活性体を得ること
も可能である。
(1)m=oの場合
R1→ζ)−()ヒC0OH+化合物(5ン←(1)(
m=o ) (ii) m = 1の場合 (1) (m=1 ) まず天然に存在している、或いは光学分割によって得ら
れる光学活性α−アミノ酸(1)をVanSlyke法
によって光学活性α−ヒドロキン酸(2)とする。光学
活性α−ヒドロキシ酸は乳酸の如く天然に存在する化合
物もアシ、又光学分割によっても製造できる。(2)を
エステル化してα−ヒドロキシエステル(3)としその
水酸基をテトラヒドロピラニル基にて保護し、化合物(
4)とし、これを還元するととKよシ化合物(5)とす
る。これをm = Oの場合は化合物(6)でエステル
化して化合物(7)としこれを脱保獲して化合物(8)
とし、その水酸基をトシル化して化合物(9)とする。
m=o ) (ii) m = 1の場合 (1) (m=1 ) まず天然に存在している、或いは光学分割によって得ら
れる光学活性α−アミノ酸(1)をVanSlyke法
によって光学活性α−ヒドロキン酸(2)とする。光学
活性α−ヒドロキシ酸は乳酸の如く天然に存在する化合
物もアシ、又光学分割によっても製造できる。(2)を
エステル化してα−ヒドロキシエステル(3)としその
水酸基をテトラヒドロピラニル基にて保護し、化合物(
4)とし、これを還元するととKよシ化合物(5)とす
る。これをm = Oの場合は化合物(6)でエステル
化して化合物(7)としこれを脱保獲して化合物(8)
とし、その水酸基をトシル化して化合物(9)とする。
これをシアノ置換することにより (1)式でm=0の
化合物を得る。又、m=1の場合は化合物(5)を化合
物勾でエステル化して化合物(ロ)とし、脱保獲し化合
物(2)とし、その水酸基トシル化して化合物(至)、
更にシアノ置換して化合物α◆とし、これを水素化分解
して化合物に)とし、これを化合物(6)でエステル化
して(1)式でm=1の化合物を得る。
化合物を得る。又、m=1の場合は化合物(5)を化合
物勾でエステル化して化合物(ロ)とし、脱保獲し化合
物(2)とし、その水酸基トシル化して化合物(至)、
更にシアノ置換して化合物α◆とし、これを水素化分解
して化合物に)とし、これを化合物(6)でエステル化
して(1)式でm=1の化合物を得る。
(1)式でラセミ体のものに限っては以下の様な経路に
よっても製造できる。
よっても製造できる。
(至) (2)
(i)rn=oの場合
(i) m = 1の場合
〔実施例〕
以下実施例によシ、本発明の化合物及び組成物について
更に詳しく説明する。
更に詳しく説明する。
実施例1
〔(ト)4− (2’−シアノ−へキシルオキシカルボ
ニル)−フェニル 4′−オクチルオキシ−4−ビフェ
ニルカルボキシレート((1)式に於いてR1がオクチ
ルオキシ基、R2がブチル基、mが1でラセミ体のもの
)の製造〕 1)2−シアノーヘキテノールの製造 フラスコに5 % Pd/C(パラジウム−炭素)触媒
4fを入れ窒素置換した。ここに酢酸3001fjを加
え、更に1−ブタナール173?、シアノ酢酸エチル2
26tを加えた。
ニル)−フェニル 4′−オクチルオキシ−4−ビフェ
ニルカルボキシレート((1)式に於いてR1がオクチ
ルオキシ基、R2がブチル基、mが1でラセミ体のもの
)の製造〕 1)2−シアノーヘキテノールの製造 フラスコに5 % Pd/C(パラジウム−炭素)触媒
4fを入れ窒素置換した。ここに酢酸3001fjを加
え、更に1−ブタナール173?、シアノ酢酸エチル2
26tを加えた。
更にピペリジン8dの酢酸80517溶液を冷却して加
えた。この溶液を水素添加反応した。反応終了後口過し
て触媒を除去し、トルエン5QQdで2回抽出し飽和重
曹水で洗浄、水洗ののち、溶媒を除き減圧蒸留してbp
112−116℃/1411+1Hpの2−シアノ−
ヘキサン酸エチル2612を得た。
えた。この溶液を水素添加反応した。反応終了後口過し
て触媒を除去し、トルエン5QQdで2回抽出し飽和重
曹水で洗浄、水洗ののち、溶媒を除き減圧蒸留してbp
112−116℃/1411+1Hpの2−シアノ−
ヘキサン酸エチル2612を得た。
水素化ホウ素ナトリウム44fのエタノール500d溶
液に上記のエステル全量のエタノール5QQil溶液を
滴下した。
液に上記のエステル全量のエタノール5QQil溶液を
滴下した。
これを40〜45℃で1時間撹拌した。放冷ののち、飽
和食塩水2.51に反応液を注ぎ、トルエン11で抽出
し、6N−HCA!2N−NaOH水洗し乾燥し溶媒を
留去した。
和食塩水2.51に反応液を注ぎ、トルエン11で抽出
し、6N−HCA!2N−NaOH水洗し乾燥し溶媒を
留去した。
これを減圧蒸留して、bp84〜86℃/ 4 mll
Hfの2−シアノ−ヘキサノール116?を得た。
Hfの2−シアノ−ヘキサノール116?を得た。
11)標題化合物の製造
p−ベンジルオキシ安息香酸20Fと塩化チオニルよシ
製造した酸塩化物及び1)で製造した2−シアノ−ヘキ
サノール202、ピリジン300dを60℃で4時間加
熱撹拌した。反応物をトルエン500jlj抽出し酸洗
、アルカリ洗、水洗ののち溶媒を留去し、アルミナカラ
ムクロマトグラフィーにて精製してp−ベンジルオキシ
安息香酸2−シアノ−へキシル181を得た。これをエ
タノール中で水素化分解(パラジウム−炭素触媒)して
p −(2’−シアノ−へキシルオキシカルボニル)−
フェノール142を得た。
製造した酸塩化物及び1)で製造した2−シアノ−ヘキ
サノール202、ピリジン300dを60℃で4時間加
熱撹拌した。反応物をトルエン500jlj抽出し酸洗
、アルカリ洗、水洗ののち溶媒を留去し、アルミナカラ
ムクロマトグラフィーにて精製してp−ベンジルオキシ
安息香酸2−シアノ−へキシル181を得た。これをエ
タノール中で水素化分解(パラジウム−炭素触媒)して
p −(2’−シアノ−へキシルオキシカルボニル)−
フェノール142を得た。
とのもの8.6F、4’−オクチルオキシ−4−ビフェ
ニル−カルボン酸塩化物82、ピリジン505117の
混合物を60℃で6時間加熱撹拌した。反応終了後、ト
ルエン100dを加え酸洗、アルカリ洗、水洗し、乾燥
し溶媒を留去して、アルミナカラムクロマトグラフィー
にて精製し、エタノールと酢酸エチルの混合溶媒より再
結晶して目的物である4 −(2’−シアノ−へキシル
オキシカルボニル)−フェニル 4′−オクチルオキシ
−4−ビフェニルカルボキシレート6fを得た。
ニル−カルボン酸塩化物82、ピリジン505117の
混合物を60℃で6時間加熱撹拌した。反応終了後、ト
ルエン100dを加え酸洗、アルカリ洗、水洗し、乾燥
し溶媒を留去して、アルミナカラムクロマトグラフィー
にて精製し、エタノールと酢酸エチルの混合溶媒より再
結晶して目的物である4 −(2’−シアノ−へキシル
オキシカルボニル)−フェニル 4′−オクチルオキシ
−4−ビフェニルカルボキシレート6fを得た。
このものは融点74.5℃、SO−8A点 116℃、
5A−N点164.5℃、N−1点166.3℃の相転
移を示す液晶であった。
5A−N点164.5℃、N−1点166.3℃の相転
移を示す液晶であった。
実施例2
〔(±)2−シアノ−ヘキシル4′−オクチルオキシ−
4−ビフェニルカルホキシレー)[)式に於いてR1が
オクチルオキ7基 12がブチル基、mが0でラセミ体
のもの)の製造〕4′−オクチルオキシー4−ビフェニ
ル−カルボン酸と塩化チオニルとよシ製造した酸塩化物
3.5f、実施例1の()で製造した2−シアノ−ヘキ
サノール1.5 t 、ピリジン30dの混合物を60
℃で6時間加熱撹拌した。反応終了後トルエンl0c)
17で抽出し、酸洗、アルカリ洗、水洗ののち、乾燥し
溶媒を留去した。これをアルミナカラムクロマトグラフ
ィーにて精製し、エタノールよシ2度再結晶して目的物
である2−ジアツーヘキシル4′−オクチルオキシ−4
−ビフェニルカルホキシレー) 2.9 f ヲ得り。
4−ビフェニルカルホキシレー)[)式に於いてR1が
オクチルオキ7基 12がブチル基、mが0でラセミ体
のもの)の製造〕4′−オクチルオキシー4−ビフェニ
ル−カルボン酸と塩化チオニルとよシ製造した酸塩化物
3.5f、実施例1の()で製造した2−シアノ−ヘキ
サノール1.5 t 、ピリジン30dの混合物を60
℃で6時間加熱撹拌した。反応終了後トルエンl0c)
17で抽出し、酸洗、アルカリ洗、水洗ののち、乾燥し
溶媒を留去した。これをアルミナカラムクロマトグラフ
ィーにて精製し、エタノールよシ2度再結晶して目的物
である2−ジアツーヘキシル4′−オクチルオキシ−4
−ビフェニルカルホキシレー) 2.9 f ヲ得り。
このものの融点は91.3〜93.3℃であった。
以上
Claims (5)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (但し、上式に於いてR^1は炭素数1〜20の直鎖又
は分岐のアルキル基又はアルコキシ基を、R^2は炭素
数1〜18の直鎖又は分岐のアルキル基を示し、mは0
又は1であり、*印は不整炭素原子を示す)であらわさ
れる化合物。 - (2)( I )式に於ける*印の付された不整炭素原子
に基づく光学活性体である特許請求の範囲第1項記載の
化合物。 - (3)ラセミ体である特許請求の範囲第1項記載の化合
物。 - (4)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (但し、上式に於いてR^1は炭素数1〜20の直鎖又
は分岐のアルキル基又はアルコキシ基を、R^2は炭素
数1〜18の直鎖又は分岐のアルキル基を示し、mは0
又は1であり、*印は不整炭素原子を示す) であらわされる化合物を少なくとも一種含有する強誘電
性液晶組成物。 - (5)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (但し、上式に於いてR^1は炭素数1〜20の直鎖又
は分岐のアルキル基又はアルコキシ基を、R^2は炭素
数1〜18の直鎖又は分岐のアルキル基を示し、mは0
又は1であり、*印は不整炭素原子を示す) であらわされる化合物を少なくとも一種含有する強誘電
性液晶組成物を使用して構成された光スイッチインク素
子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61263605A JPS63119449A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 2−シアノ−1−アルカノ−ルのエステル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61263605A JPS63119449A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 2−シアノ−1−アルカノ−ルのエステル誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63119449A true JPS63119449A (ja) | 1988-05-24 |
Family
ID=17391861
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61263605A Pending JPS63119449A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 2−シアノ−1−アルカノ−ルのエステル誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63119449A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01298320A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
US5064564A (en) * | 1989-12-22 | 1991-11-12 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Optically active compound, intermediate therefor, process for producing the intermediate, and liquid-crystal composition |
-
1986
- 1986-11-05 JP JP61263605A patent/JPS63119449A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01298320A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
US5064564A (en) * | 1989-12-22 | 1991-11-12 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Optically active compound, intermediate therefor, process for producing the intermediate, and liquid-crystal composition |
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