JPH0362195B2 - - Google Patents
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- JPH0362195B2 JPH0362195B2 JP58023890A JP2389083A JPH0362195B2 JP H0362195 B2 JPH0362195 B2 JP H0362195B2 JP 58023890 A JP58023890 A JP 58023890A JP 2389083 A JP2389083 A JP 2389083A JP H0362195 B2 JPH0362195 B2 JP H0362195B2
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Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
Description
本発明は、透過または反射する光を変調させる
為または数字、記号および図形を再現する為の電
気光学的構造要素用のネマチツク液晶組成物およ
びその製造方法に関する。 液晶、特にネマチツク・タイプのものは、光学
的、逆磁性的および電気的性質に特徴的等方性を
示す。この性質の為にネマチツク液晶は、光の変
調の為の並びに数字、記号および図形の再現の為
の電気光学的構造要素の製造に効果的に利用され
る。この種の構造要素は電子時計、計算器および
その他のマイクロ・エレクトロニツク製品の為の
デスプレーとして卓越して適している。 近代的装置で用いる為には、デスプレーで用い
る液晶物質には常に新しく且つ高まつた要求があ
り、その際にこれら物質の特別な性質がデスプレ
ーの性質および使用可能性に非常に関与してい
る。これら全ての要求を大体でも満足する純粋な
化合物は存在しないので、多数の化合物の混合物
が実際には例外なく使用されている。この混合物
の性質は混合成分の特性によつて充分に調整でき
且つ変更できる。この混合物が問題の全ての用途
に適し得る為には、全く特別な性質を有した種々
の化合物種類の出来るだけ多くの個々の成分が必
要とされる。低い融点および充分に高い静澄温度
の他に、例えばシヤーデツト・ヘルフリツヒ効果
（Schadt−Helfrich−Effekts）（ねじれセル）を
基礎とする新しいバリエーシヨンの為には、非常
に僅かの復屈折を有する物質が必要とされる
〔G.バウア（Baur）の“液晶装置の物理および化
学（The Physics and Chemistry of Liquid
Crystal Devices）″、（1980）、ニユーヨークのプ
レニウム出版社（Plenum Publ.Corp.）、G.J.ス
プロケル（Sprokel）により出版される〕。 従来公知のジオキサン誘導体の１部は、不所望
の低い静澄点または、スメクチツク相を形成する
不所望の傾向を有している〔例えば、５−ｎ−ア
ルキル−２−シアンフエニル−１，３−ジオキサ
ン、東ドイツ経済特許第139852号および同第
139867号；更に、置換シクロヘキシル−ジオキサ
ン、東ドイツ経済特許CO9K／232636／０〕。 本発明の目的は、有利な物理的性質、特に融点
および静澄点、熱的負荷、光および電場に対する
安定性並びに低い復屈折に関しての有利な性質を
有する新規のネマチツク液晶組成物およびその製
造方法ににある。 本発明は、要求される上記の有利な性質を有す
る置換−１，３−ジオキサンを基礎とする新規の
ネマチツク液晶化合物を含有する液晶組成物およ
び該化合物の製造方法を開発することを課題とし
ている： この課題は、透過または反射する光を変調させ
る為の並びに数字、記号および図形を再現する為
の電気光学的構造要素用のネマチエツク液晶組成
物であつて、一般式 〔式中、ＡはＯまたはＳであり、 Ｘは
為または数字、記号および図形を再現する為の電
気光学的構造要素用のネマチツク液晶組成物およ
びその製造方法に関する。 液晶、特にネマチツク・タイプのものは、光学
的、逆磁性的および電気的性質に特徴的等方性を
示す。この性質の為にネマチツク液晶は、光の変
調の為の並びに数字、記号および図形の再現の為
の電気光学的構造要素の製造に効果的に利用され
る。この種の構造要素は電子時計、計算器および
その他のマイクロ・エレクトロニツク製品の為の
デスプレーとして卓越して適している。 近代的装置で用いる為には、デスプレーで用い
る液晶物質には常に新しく且つ高まつた要求があ
り、その際にこれら物質の特別な性質がデスプレ
ーの性質および使用可能性に非常に関与してい
る。これら全ての要求を大体でも満足する純粋な
化合物は存在しないので、多数の化合物の混合物
が実際には例外なく使用されている。この混合物
の性質は混合成分の特性によつて充分に調整でき
且つ変更できる。この混合物が問題の全ての用途
に適し得る為には、全く特別な性質を有した種々
の化合物種類の出来るだけ多くの個々の成分が必
要とされる。低い融点および充分に高い静澄温度
の他に、例えばシヤーデツト・ヘルフリツヒ効果
（Schadt−Helfrich−Effekts）（ねじれセル）を
基礎とする新しいバリエーシヨンの為には、非常
に僅かの復屈折を有する物質が必要とされる
〔G.バウア（Baur）の“液晶装置の物理および化
学（The Physics and Chemistry of Liquid
Crystal Devices）″、（1980）、ニユーヨークのプ
レニウム出版社（Plenum Publ.Corp.）、G.J.ス
プロケル（Sprokel）により出版される〕。 従来公知のジオキサン誘導体の１部は、不所望
の低い静澄点または、スメクチツク相を形成する
不所望の傾向を有している〔例えば、５−ｎ−ア
ルキル−２−シアンフエニル−１，３−ジオキサ
ン、東ドイツ経済特許第139852号および同第
139867号；更に、置換シクロヘキシル−ジオキサ
ン、東ドイツ経済特許CO9K／232636／０〕。 本発明の目的は、有利な物理的性質、特に融点
および静澄点、熱的負荷、光および電場に対する
安定性並びに低い復屈折に関しての有利な性質を
有する新規のネマチツク液晶組成物およびその製
造方法ににある。 本発明は、要求される上記の有利な性質を有す
る置換−１，３−ジオキサンを基礎とする新規の
ネマチツク液晶化合物を含有する液晶組成物およ
び該化合物の製造方法を開発することを課題とし
ている： この課題は、透過または反射する光を変調させ
る為の並びに数字、記号および図形を再現する為
の電気光学的構造要素用のネマチエツク液晶組成
物であつて、一般式 〔式中、ＡはＯまたはＳであり、 Ｘは
【式】そしてＹはR2であるかま
たはＸはR3そしてＹはR2であるかまたはＸはR3
そしてＹはR4を意味し、但しR1はCoH2o−CN、
CoH2o-1−CN、CoH2o+1０、CN、NO2、ハロゲ
ンであり、 R2はCoH2o+1、
そしてＹはR4を意味し、但しR1はCoH2o−CN、
CoH2o-1−CN、CoH2o+1０、CN、NO2、ハロゲ
ンであり、 R2はCoH2o+1、
【式】
【式】であり、R3はCoH2o+1であり、
R4は
【式】
【式】
【式】であり、但しＺは
−COO−、−OOC−でりそして
ｎが１〜10を意味する。］
で表される少なくとも一種類の２−置換−１，３
−ジオキサン−５−カルボン酸エステルを含むこ
とを特徴とする、上記液晶組成物によつて解決さ
れる。２−置換−１，３−ジオキサン−５−カル
ボン酸エステルは、液晶組成物中に単独で、相互
の混合状態でおよび／または他の液晶物質または
非液晶物質との混合状態で用いることができる。 本発明の化合物の例を次の第１〜４表に示す。 表中、 Ｋ＝結晶質固体 Ｓ＝スメクチツク相 Ｎ＝ネマチツク相 is＝等方性液 表中の数字は℃を単位とする温度 −はＫ、ＳまたはＮの各欄の相が存在しないこ
とを意味する。 （ ）はこれらの相が加熱した際にモノトロー
プ（単変）であり、冷却した際にはこれが生じな
いことを意味する。 。は傾向することを意味するが、省略するこも
できる。
−ジオキサン−５−カルボン酸エステルを含むこ
とを特徴とする、上記液晶組成物によつて解決さ
れる。２−置換−１，３−ジオキサン−５−カル
ボン酸エステルは、液晶組成物中に単独で、相互
の混合状態でおよび／または他の液晶物質または
非液晶物質との混合状態で用いることができる。 本発明の化合物の例を次の第１〜４表に示す。 表中、 Ｋ＝結晶質固体 Ｓ＝スメクチツク相 Ｎ＝ネマチツク相 is＝等方性液 表中の数字は℃を単位とする温度 −はＫ、ＳまたはＮの各欄の相が存在しないこ
とを意味する。 （ ）はこれらの相が加熱した際にモノトロー
プ（単変）であり、冷却した際にはこれが生じな
いことを意味する。 。は傾向することを意味するが、省略するこも
できる。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
本発明の化合物は、一部が低い融点−特に混合
状態で−に並びに一部が高い静澄温度に特徴があ
り、全部が化学的および熱的影響並びに電場に対
しての高い安定性を示しそして一般に光学的復屈
折の値が小さい。 本発明に従つて新規の液晶トランス−２−置換
−１，３−ジオキサン−５−カルボン酸エステル
を製造する為には、２−置換−１，３−ジオキサ
ン−カルボン酸をチオニルクロライド、スルフリ
ルクロライドまたはハロゲン化リンの如きハロゲ
ン供与体と、殊に有機系塩基の不存在下に反応さ
せて相応する酸クロライドとし、次にそれを自体
公知の方法でアルコールまたは置換フエノールに
てエステル化する。 反応式： この反応の場合には驚ろくべきことに、置換−
１，３−ジオキサンカルボン酸が環状アセテート
としてハロゲン供与体によつて、通常は１，３−
ジオキサン類の場合に該当する如く、加水分解さ
れない。 ２−置換−１，３−ジオキサン−５−カルボン
酸は、２−イソプロピル−１，３−ジオキサン−
５−カルボン酸についての文献に開示された合成
法に従つて、相応するアルデヒドとビスヒドロキ
シメチル−マロン酸ジエチルエステルとを水解離
剤の存在下に反応させて２−イソプロピル−１，
３−ジオキサン−５，５−ジカルボン酸ジエチル
エステルとしそして次の加水分解および脱カルボ
キシル基によつて容易に入手し得る〔E.L.エリー
ル（Eliel），H.D.バンクス（Banks）；ジヤーナ
ル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソシエテー
（J.Amen.Chem.Soc.）94，第171頁（1972）〕。こ
の処方を修正することによつて、文献において公
知になつていない２−ｎ−アルキル−および２−
（置換−アリール）−１，３−ジオキサン−５−カ
ルボン酸の製造に成功する。得られる酸クロライ
ドをアルコールまたは置換フエノールでエステル
化することで、従来には公知でない２−置換−
１，３−ジオキサン−５−カルボン酸エステルが
もたらされる。分離したこのエステルのシス／ト
ランス−異性体混合物は、トランス−異性体だけ
が液晶相を形成する能力がある為に、分別結晶に
よつて分けることができる。 本発明の方法によれば、以下の第５表に挙げた
原料あるいは中間生成物でも本発明の液晶物質を
製造できる：
状態で−に並びに一部が高い静澄温度に特徴があ
り、全部が化学的および熱的影響並びに電場に対
しての高い安定性を示しそして一般に光学的復屈
折の値が小さい。 本発明に従つて新規の液晶トランス−２−置換
−１，３−ジオキサン−５−カルボン酸エステル
を製造する為には、２−置換−１，３−ジオキサ
ン−カルボン酸をチオニルクロライド、スルフリ
ルクロライドまたはハロゲン化リンの如きハロゲ
ン供与体と、殊に有機系塩基の不存在下に反応さ
せて相応する酸クロライドとし、次にそれを自体
公知の方法でアルコールまたは置換フエノールに
てエステル化する。 反応式： この反応の場合には驚ろくべきことに、置換−
１，３−ジオキサンカルボン酸が環状アセテート
としてハロゲン供与体によつて、通常は１，３−
ジオキサン類の場合に該当する如く、加水分解さ
れない。 ２−置換−１，３−ジオキサン−５−カルボン
酸は、２−イソプロピル−１，３−ジオキサン−
５−カルボン酸についての文献に開示された合成
法に従つて、相応するアルデヒドとビスヒドロキ
シメチル−マロン酸ジエチルエステルとを水解離
剤の存在下に反応させて２−イソプロピル−１，
３−ジオキサン−５，５−ジカルボン酸ジエチル
エステルとしそして次の加水分解および脱カルボ
キシル基によつて容易に入手し得る〔E.L.エリー
ル（Eliel），H.D.バンクス（Banks）；ジヤーナ
ル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソシエテー
（J.Amen.Chem.Soc.）94，第171頁（1972）〕。こ
の処方を修正することによつて、文献において公
知になつていない２−ｎ−アルキル−および２−
（置換−アリール）−１，３−ジオキサン−５−カ
ルボン酸の製造に成功する。得られる酸クロライ
ドをアルコールまたは置換フエノールでエステル
化することで、従来には公知でない２−置換−
１，３−ジオキサン−５−カルボン酸エステルが
もたらされる。分離したこのエステルのシス／ト
ランス−異性体混合物は、トランス−異性体だけ
が液晶相を形成する能力がある為に、分別結晶に
よつて分けることができる。 本発明の方法によれば、以下の第５表に挙げた
原料あるいは中間生成物でも本発明の液晶物質を
製造できる：
【表】
本発明を以下の実施例によつて更に詳細に説明
する。 実施例１〜３に、本発明の化合物を含有する混
合物を挙げそして試験する。 本発明の製造方法を実施例４〜８によつて例示
的に説明する。 実施例 １ 普通の原理〔メイアー（Meier）、G.：ザツク
マン（Sackmann）、H.：グラブマイアー
（Grabmaier）、J.G.；液晶の用途（Applications
of Liquid Crystals）、ベルリン／ハイデルベル
グ／ニユーヨーク（1975）〕に従つて構成されて
おりそしてシヤーデツト・ヘルフリツヒ効果を基
礎とする電気光学セル中で、以下の組成の混合物
を試験する（組成：mol％、全部で100）： 31.05
する。 実施例１〜３に、本発明の化合物を含有する混
合物を挙げそして試験する。 本発明の製造方法を実施例４〜８によつて例示
的に説明する。 実施例 １ 普通の原理〔メイアー（Meier）、G.：ザツク
マン（Sackmann）、H.：グラブマイアー
（Grabmaier）、J.G.；液晶の用途（Applications
of Liquid Crystals）、ベルリン／ハイデルベル
グ／ニユーヨーク（1975）〕に従つて構成されて
おりそしてシヤーデツト・ヘルフリツヒ効果を基
礎とする電気光学セル中で、以下の組成の混合物
を試験する（組成：mol％、全部で100）： 31.05
【式】
27.9
【式】
31.05
【式】
10
【式】
この混合物は、次の性質を示した。
Ｋ 1.5〜6.5，Ｎ 67.5Is
閾電圧：Ｕ＝1.4V
開始時間：tE50%＝500ms
消滅時間：tE50%＝180ms
層厚さ：ｄ＝12.1μｍ
温度：Ｔ＝20℃
実施例 ２
実施例１のセル中で次の混合物を試験する（全
部で102mol％）。 27.6mol％
部で102mol％）。 27.6mol％
【式】
24.8 〃
【式】
27.6 〃
【式】
20 〃
この混合物は次の性質を示す：
Ｋ ３〜９ N101〜105Is
閾電圧：Ｕ＝1.4V
開始時間：tE50%＝620ms
消滅時間：tE50%＝170ms
層厚さ：ｄ＝12.0μｍ
温度：Ｔ＝20℃
実施例 ３
実施例１に従うセル中で以下の混合物を試験す
る（全部で103mol％）： 27.6mol％
る（全部で103mol％）： 27.6mol％
【式】
24.8 〃
【式】
27.6 〃
【式】
20 〃
この混合物は次の性質を示す：
Ｋ ９〜11 Ｎ 95〜98Is
閾電圧：Ｕ＝1.5V
開始時間：tE50%＝1010ms
消滅時間：tE50%＝230ms
層厚さ：ｄ＝13.5μｍ
温度：Ｔ＝20℃
実施例 ４
２−（４−ｎ−ヘキシルオキシ−フエニル）−
１，３−ジオキサン−５−カルボン酸（5n）
の製造： 20.6ｇ（0.1mol）の４−ｎ−ヘキシルオキシベ
ンズアルデヒドおよび24.2ｇ（0.11mol）のビス
−ヒドロキシメチル−マロン酸−ジエチルエステ
ルを、150mlのベンゼン中において0.2ｇのｐ−ト
ルエンスルホン酸の存在下に撹拌下に８時間加熱
する。冷却した後にNaHCO3 ２％溶液にてそし
て次に水にて徹底的に洗浄し、減圧下にベンゼン
を留去し（回転式蒸発器）そして残渣〔２−（４
−ｎ−ヘキシルオキシ−フエニル）−１，３−ジ
オキサン−５，５−ジカルボン酸−ジエチルエス
テルＩ〕をアルコールにて再結晶させる。Ｉの収
量は31ｇ（理論値の76％）である。Ｉは30℃のも
とで溶融する（ｎ−ヘキサンから）。更に後処理
する為に、31ｇ（0.074mol）のＩおよび18ｇ
（0.32mol）のKOHを150mlの95％エタノール中で
還流下に１時間加熱する。その後に反応混合物か
らエタノールを留去し、反応混合物に水を添加し
そして水性相を30〜50mlに濃縮する。100mlのエ
タノールを添加した後に０℃に冷却しそして撹拌
下に濃塩酸をPH１まで滴加する。次に直ちにエー
テル留分を分離除去し、水で洗浄し、Na2SO4で
乾燥させそして溶剤を回転式蒸発器で除く。２−
（４−ｎ−ヘキシルオキシ−フエニル）−１，３−
ジオキサン−５，５−ジカルボン酸（135℃以上
で分解する）なる残渣（16.5ｇ、理論値の62％）
を、120℃〜170℃のもとで水流ポンプ減圧下に脱
カルボキシル基反応させる。活発なCO2発生の終
了後に残渣をベンゼンまたはシクロヘキサンにて
再結晶処理する。5nの収率は、理論値の63％で
ある。5nの融点は176〜178℃である。 他の例を第５表に示してある。 実施例 ５ ２−ｎ−ヘキシル−１，３−ジオキサン−５−
カルボン酸（5d）の製造 114ｇ（1mol）のヘプタノールと242ｇ
（1.1mol）のビス−ヒドロキシメチル−マロン酸
ジエチルエステルとから実施例４と同様にして２
−ｎ−ヘキシル−１，３−ジオキサン−５，５−
ジカルボン酸を製造する。26ｇ（0.01mol）の
を、15molの無水ピリジンまたはキノリンの存
在下に、撹拌下で且つ湿気排除下に還流しながら
（２時間）脱カルボキシル基反応させる。冷却後
に20％HClにて（滴加により）酸性としそしてそ
の溶液をエーテルにて数回抽出処理する。一緒に
したエーテル抽出液を、各50mlの10％HCl、水お
よび飽和NaCl溶液にて洗浄し、Na2SO4で乾燥
しそして残渣を溶剤の除去後に回転式蒸発器中で
シクロヘキサンにて再結晶させる。 5dの収率：18ｇ（理論値の85％）、融点：119
〜120℃。 実施例 ６ ２−ｎ−ヘキシル−１，３−ジオキサン−５−
カルボン酸−（４−シアン−フエニルエステル）
（1d）の製造 1.08ｇ（0.01mol）の5dを10mlの無水エーテル
に溶解し、0.4mlの無水ピリジンを添加しそして
氷／食塩−混合物を用いて０〜10℃に冷却する。
次に0.6ｇのチオニルクロライドを滴加しそして
１時間後に生じた沈殿物（ピリジン−ヒドロクロ
ライド）を吸引去する。生じる酸クロイド（母
液）を５mlの無水ピリジンおよび1.3ｇ
（0.01mol）の４−ヒドロキシ−ベンゾニトリル
の添加後に室温にて２〜３時間撹拌する。その後
に反応混合物を50mlのエーテルと混合し、水、
NaHCO3溶液にて洗浄し、Na2SO4で乾燥しそし
て溶剤を回転式蒸発器で留去する。残渣をメタノ
ールで再結晶させる。 1dの収量：0.5ｇ（理論値の37％）、K64
（N47.5）is。 実施例 ７ ２−ｎ−オクチル−１，３−ジオキサン−５−
カルボル酸−（４−シアンフエニルエステル）
（1f）の製造 2.44ｇ（0.01mol）の２−ｎ−オクチル−１，
３−ジオキサン−５−カルボン酸5fを、湿気の排
除下に２mlのチオニルクロライドと、気体発生が
終了するまで還流下に加熱する（約20分）。その
後に水流ポンプ減圧下に過剰のチオニルクロライ
ドを留去し、残渣を無水ピリジン（５ml）中に溶
解しそして1.3ｇ（0.01ml）の４−ヒドロキシベ
ンゾニトリルと室温のもとで２〜３時間撹拌す
る。この反応混合物を氷上に注ぎ、生じる沈殿物
をメタノールにて数回再結晶処理するかあるいは
エーテルに溶解し、1N−KOH溶液、10％HClお
よびH2Oにて洗浄し、Na2SO4で乾燥させ、溶剤
を留去しそして残渣をメタノールで再結晶処理す
る。 1fの収量：理論値の45％、K69.5 S70.5is 実施例 ８ ２−（４−ｎ−ヘキシル−フエニル）−１，３−
ジオキサン−５−カルボン酸−４−シアンフエ
ニルエステル（1i）の製造 2.16ｇ（0.007mol）の5i、0.8ｇ（0.007mol）の
４−ヒドロキシベンゾニトリル、1.45ｇ
（0.007mol）のジシクロヘキシルカルボジイミ
ド、0.55ｇ（0.007mol）のピリジンを、50mlの無
水エーテル中において室温にて３時間撹拌する。
次に、生じた沈殿物を去し、液を水、
NaHCO3 ２％溶液で洗浄しそして水で洗浄す
る。エーテル抽出物をNa2SO4で乾燥し、溶剤を
回転式蒸発器で留去しそして残渣をメタノールで
数回再結晶処理する。 1iの収量：1.7ｇ（理論値の60％）；K131
N167is。
１，３−ジオキサン−５−カルボン酸（5n）
の製造： 20.6ｇ（0.1mol）の４−ｎ−ヘキシルオキシベ
ンズアルデヒドおよび24.2ｇ（0.11mol）のビス
−ヒドロキシメチル−マロン酸−ジエチルエステ
ルを、150mlのベンゼン中において0.2ｇのｐ−ト
ルエンスルホン酸の存在下に撹拌下に８時間加熱
する。冷却した後にNaHCO3 ２％溶液にてそし
て次に水にて徹底的に洗浄し、減圧下にベンゼン
を留去し（回転式蒸発器）そして残渣〔２−（４
−ｎ−ヘキシルオキシ−フエニル）−１，３−ジ
オキサン−５，５−ジカルボン酸−ジエチルエス
テルＩ〕をアルコールにて再結晶させる。Ｉの収
量は31ｇ（理論値の76％）である。Ｉは30℃のも
とで溶融する（ｎ−ヘキサンから）。更に後処理
する為に、31ｇ（0.074mol）のＩおよび18ｇ
（0.32mol）のKOHを150mlの95％エタノール中で
還流下に１時間加熱する。その後に反応混合物か
らエタノールを留去し、反応混合物に水を添加し
そして水性相を30〜50mlに濃縮する。100mlのエ
タノールを添加した後に０℃に冷却しそして撹拌
下に濃塩酸をPH１まで滴加する。次に直ちにエー
テル留分を分離除去し、水で洗浄し、Na2SO4で
乾燥させそして溶剤を回転式蒸発器で除く。２−
（４−ｎ−ヘキシルオキシ−フエニル）−１，３−
ジオキサン−５，５−ジカルボン酸（135℃以上
で分解する）なる残渣（16.5ｇ、理論値の62％）
を、120℃〜170℃のもとで水流ポンプ減圧下に脱
カルボキシル基反応させる。活発なCO2発生の終
了後に残渣をベンゼンまたはシクロヘキサンにて
再結晶処理する。5nの収率は、理論値の63％で
ある。5nの融点は176〜178℃である。 他の例を第５表に示してある。 実施例 ５ ２−ｎ−ヘキシル−１，３−ジオキサン−５−
カルボン酸（5d）の製造 114ｇ（1mol）のヘプタノールと242ｇ
（1.1mol）のビス−ヒドロキシメチル−マロン酸
ジエチルエステルとから実施例４と同様にして２
−ｎ−ヘキシル−１，３−ジオキサン−５，５−
ジカルボン酸を製造する。26ｇ（0.01mol）の
を、15molの無水ピリジンまたはキノリンの存
在下に、撹拌下で且つ湿気排除下に還流しながら
（２時間）脱カルボキシル基反応させる。冷却後
に20％HClにて（滴加により）酸性としそしてそ
の溶液をエーテルにて数回抽出処理する。一緒に
したエーテル抽出液を、各50mlの10％HCl、水お
よび飽和NaCl溶液にて洗浄し、Na2SO4で乾燥
しそして残渣を溶剤の除去後に回転式蒸発器中で
シクロヘキサンにて再結晶させる。 5dの収率：18ｇ（理論値の85％）、融点：119
〜120℃。 実施例 ６ ２−ｎ−ヘキシル−１，３−ジオキサン−５−
カルボン酸−（４−シアン−フエニルエステル）
（1d）の製造 1.08ｇ（0.01mol）の5dを10mlの無水エーテル
に溶解し、0.4mlの無水ピリジンを添加しそして
氷／食塩−混合物を用いて０〜10℃に冷却する。
次に0.6ｇのチオニルクロライドを滴加しそして
１時間後に生じた沈殿物（ピリジン−ヒドロクロ
ライド）を吸引去する。生じる酸クロイド（母
液）を５mlの無水ピリジンおよび1.3ｇ
（0.01mol）の４−ヒドロキシ−ベンゾニトリル
の添加後に室温にて２〜３時間撹拌する。その後
に反応混合物を50mlのエーテルと混合し、水、
NaHCO3溶液にて洗浄し、Na2SO4で乾燥しそし
て溶剤を回転式蒸発器で留去する。残渣をメタノ
ールで再結晶させる。 1dの収量：0.5ｇ（理論値の37％）、K64
（N47.5）is。 実施例 ７ ２−ｎ−オクチル−１，３−ジオキサン−５−
カルボル酸−（４−シアンフエニルエステル）
（1f）の製造 2.44ｇ（0.01mol）の２−ｎ−オクチル−１，
３−ジオキサン−５−カルボン酸5fを、湿気の排
除下に２mlのチオニルクロライドと、気体発生が
終了するまで還流下に加熱する（約20分）。その
後に水流ポンプ減圧下に過剰のチオニルクロライ
ドを留去し、残渣を無水ピリジン（５ml）中に溶
解しそして1.3ｇ（0.01ml）の４−ヒドロキシベ
ンゾニトリルと室温のもとで２〜３時間撹拌す
る。この反応混合物を氷上に注ぎ、生じる沈殿物
をメタノールにて数回再結晶処理するかあるいは
エーテルに溶解し、1N−KOH溶液、10％HClお
よびH2Oにて洗浄し、Na2SO4で乾燥させ、溶剤
を留去しそして残渣をメタノールで再結晶処理す
る。 1fの収量：理論値の45％、K69.5 S70.5is 実施例 ８ ２−（４−ｎ−ヘキシル−フエニル）−１，３−
ジオキサン−５−カルボン酸−４−シアンフエ
ニルエステル（1i）の製造 2.16ｇ（0.007mol）の5i、0.8ｇ（0.007mol）の
４−ヒドロキシベンゾニトリル、1.45ｇ
（0.007mol）のジシクロヘキシルカルボジイミ
ド、0.55ｇ（0.007mol）のピリジンを、50mlの無
水エーテル中において室温にて３時間撹拌する。
次に、生じた沈殿物を去し、液を水、
NaHCO3 ２％溶液で洗浄しそして水で洗浄す
る。エーテル抽出物をNa2SO4で乾燥し、溶剤を
回転式蒸発器で留去しそして残渣をメタノールで
数回再結晶処理する。 1iの収量：1.7ｇ（理論値の60％）；K131
N167is。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透過または反射する光を変調させる為の並び
に数字、記号および図形を再現する為の電気光学
的構造要素用のネマチツク液晶組成物において、 一般式 〔式中、ＡはＯまたはＳであり、 Ｘは【式】そしてＹはR2であるかま たはＸはR3そしてＹはR2であるかまたはＸはR3
そしてＹはR4を意味し、但し R1はCoH2o−CN、CoH2o-1−CN、CoH2o+1０、
CN、NO2、ハロゲンであり、 R2はCoH2o+1、【式】 【式】であり、R3はCoH2o+1であり、 R4は【式】 【式】 【式】であり、但しＺは −COO−、−OOC−でありそして ｎが１〜10を意味する。］ で表わされる少なくとも一種類の２−置換−１，
３−ジオキサン−５−カルボン酸エステルを含む
ことを特徴とする、上記液晶組成物。 ２ 単独で、相互の混合状態および／または他の
液晶物質または非液晶物質との混合状態で使用す
る、特許請求の範囲第１項記載の液晶組成物。 ３ 透過または反射する光を変調させる為の並び
に数字、記号および図形を再現する為の電気光学
的構造要素用のネマチツク液晶組成物を製造する
に当たつて、２−置換−１，３−ジオキサン−５
−カルボン酸をチオニルクロライド、スルフリル
クロライドまたはハロゲン化リンの如きハロゲン
供与体によつて殊に有機溶剤の不存在下に相応す
る酸クロライドに転化し、次に自体公知の方法で
アルコールまたは置換−フエノールと反応させる
ことによつて製造される一般式 〔式中、ＡはＯまたはＳであり、 Ｘは【式】そしてＹはR2であるかま たはＸはR3そしてＹはR2であるかまたはＸはR3
そしてＹはR4を意味し、但しR1はCoH2o−CN、
CoH2o-1−CN、CoH2o+1Ｏ、CN、NO2、ハロゲ
ンであり、 R2はCoH2o+1、【式】 【式】であり、R3はCoH2o+1であり、 R4は【式】 【式】 【式】であり、但しＺは −COO−、−OOC−でりそして ｎが１〜10を意味する。］ で表される２−置換−１，３−ジオキサン−５−
カルボン酸エステルを他の液晶物質または非液晶
物質と混合することを特徴とする、上記ネマチツ
ク液晶組成物の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD23746882A DD204102A1 (de) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | Anwendung nematischer fluessiger kristalle |
| DD07D/237467-3 | 1982-02-17 | ||
| DD09K/237468-1 | 1982-02-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58152880A JPS58152880A (ja) | 1983-09-10 |
| JPH0362195B2 true JPH0362195B2 (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=5536748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2389083A Granted JPS58152880A (ja) | 1982-02-17 | 1983-02-17 | ネマチック液晶組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58152880A (ja) |
| DD (1) | DD204102A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6610016B2 (ja) * | 2015-06-15 | 2019-11-27 | Ｄｉｃ株式会社 | 脱炭酸反応を用いるカルボニル化合物の製造方法 |
| JP6657611B2 (ja) * | 2015-06-15 | 2020-03-04 | Dic株式会社 | カルボニル化合物の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5585583A (en) * | 1978-12-13 | 1980-06-27 | Ueruku Fuyuuru Fueruzeee Rekut | Substituted liquid crystal 1*33dioxane*its manufacture and liquid crystal composition containing it for photoelectric element |
| JPS56156274A (en) * | 1980-04-03 | 1981-12-02 | Timex Corp | 5-substituted-2-(4-cyanophenyl)-1,3-dioxane |
-
1982
- 1982-02-17 DD DD23746882A patent/DD204102A1/de unknown
-
1983
- 1983-02-17 JP JP2389083A patent/JPS58152880A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5585583A (en) * | 1978-12-13 | 1980-06-27 | Ueruku Fuyuuru Fueruzeee Rekut | Substituted liquid crystal 1*33dioxane*its manufacture and liquid crystal composition containing it for photoelectric element |
| JPS56156274A (en) * | 1980-04-03 | 1981-12-02 | Timex Corp | 5-substituted-2-(4-cyanophenyl)-1,3-dioxane |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58152880A (ja) | 1983-09-10 |
| DD204102A1 (de) | 1983-11-16 |
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