JPS61268065A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS61268065A JPS61268065A JP11078185A JP11078185A JPS61268065A JP S61268065 A JPS61268065 A JP S61268065A JP 11078185 A JP11078185 A JP 11078185A JP 11078185 A JP11078185 A JP 11078185A JP S61268065 A JPS61268065 A JP S61268065A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は低ベース抵抗を有する縦型バイポーラトランジ
スタよりなる半導体装置に関する。
スタよりなる半導体装置に関する。
従来の技術
従来、この種の半導体集積回路では第２図に示すように
構造されている。即ち、Ｐ型シリコン塁板１上にｎ′″
型埋込層２及びｎ型エピタキシャル層３を形成し、この
ｎ型エピタキシャル層３内にＰ型活性ベース領域５と、
Ｐ型低抵抗グラフトベース領域５１と、ｎ型コレクタウ
オール領域４とを拡散し、Ｐ型活性ベース５の領域内に
ｎ゛型型処ミッタ領域７拡散し、表面に８１０２躾８を
形成俵、ｎ４型エミツタ領域７、グラフトベース領域５
１、コレクタウオール領域４の各領域に対応する５ｉｆ
ｔ躾８の部分を開口し、各開口部にアルミ電極９を蒸着
した構造である。
構造されている。即ち、Ｐ型シリコン塁板１上にｎ′″
型埋込層２及びｎ型エピタキシャル層３を形成し、この
ｎ型エピタキシャル層３内にＰ型活性ベース領域５と、
Ｐ型低抵抗グラフトベース領域５１と、ｎ型コレクタウ
オール領域４とを拡散し、Ｐ型活性ベース５の領域内に
ｎ゛型型処ミッタ領域７拡散し、表面に８１０２躾８を
形成俵、ｎ４型エミツタ領域７、グラフトベース領域５
１、コレクタウオール領域４の各領域に対応する５ｉｆ
ｔ躾８の部分を開口し、各開口部にアルミ電極９を蒸着
した構造である。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、低抵抗グラフトベースを用
いてベース抵抗を低減しているが、接合容量が増加する
ために高周波特性が下がることや、トランジスタサイズ
が大きくなるという欠点を有している。
いてベース抵抗を低減しているが、接合容量が増加する
ために高周波特性が下がることや、トランジスタサイズ
が大きくなるという欠点を有している。
本発明はこのような問題点を解決するもので、接合容量
の増加、トランジスタサイズの増加なしに、低外部ベー
ス抵抗を有する半導体装置を提供することを目的とする
。
の増加、トランジスタサイズの増加なしに、低外部ベー
ス抵抗を有する半導体装置を提供することを目的とする
。
問題点を解決するための手段
本発明の半導体装置は、縦型バイ°ポーラトランジスタ
のベース領域の表面層全域に、このベース領域と同一導
電型の低抵抗導体を直接に接続したことを特徴とする特 許 この構成により、縦型トランジスタの外部ベース抵抗を
大幅に低下することができるとともに、グラフトベース
を採用しないことにより、接合容―が低下し、高周波特
性に優れ、デバイスサイズの縮小が可能となる。特１．
： Ｉ ’ Ｌ （Ｉ ｎｔａｇｒａｔｅｄｌ ｎＪｅ
ｃｔｉｏｎ Ｌ ｏｇｉｃ）のようなデバイスにおい
ては、インジェクタから遠ざかるにつれて、縦型ＮｐＮ
トランジスタのベース電位の低下が著しく、インジェク
タより遠いコレクタのコレクタ電流が減少するために、
ファンアウト数が大きくとれないという問題があるが、
本発明のような構′造とすることにより、接合容量を増
加させないで、ベース電位の低下を抑えることができ、
１２ Ｌゲートにおいてはファンアウト数を大きくとる
ことができ、集積密度の向上にもつながる。
のベース領域の表面層全域に、このベース領域と同一導
電型の低抵抗導体を直接に接続したことを特徴とする特 許 この構成により、縦型トランジスタの外部ベース抵抗を
大幅に低下することができるとともに、グラフトベース
を採用しないことにより、接合容―が低下し、高周波特
性に優れ、デバイスサイズの縮小が可能となる。特１．
： Ｉ ’ Ｌ （Ｉ ｎｔａｇｒａｔｅｄｌ ｎＪｅ
ｃｔｉｏｎ Ｌ ｏｇｉｃ）のようなデバイスにおい
ては、インジェクタから遠ざかるにつれて、縦型ＮｐＮ
トランジスタのベース電位の低下が著しく、インジェク
タより遠いコレクタのコレクタ電流が減少するために、
ファンアウト数が大きくとれないという問題があるが、
本発明のような構′造とすることにより、接合容量を増
加させないで、ベース電位の低下を抑えることができ、
１２ Ｌゲートにおいてはファンアウト数を大きくとる
ことができ、集積密度の向上にもつながる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。
第１図では、Ｐ型シリコン基板１上に、ｎ９型埋込層２
及びｎｊＪエピタキシャル層３を形成し、このｎ型エピ
タキシャル層３内にＰ復活性ベース領域５とｎ型コレク
タウオール領域４を拡散し、Ｐ復活性ベース領域５の内
に００型エミツタ領域７を拡散し、８ｇ１活性ベース領
域５の表面層に低抵抗ドープドポリシリコン１１６を直
接付着し、表面に３ｉ０２１１１を形成する。次にエミ
ッタ７、ポリシリコン１６、コレクタウオール４の各領
域に対応するＳｉ ０２１８の部分を開口し、各開口部
にアルミ電極９を蒸着する。
及びｎｊＪエピタキシャル層３を形成し、このｎ型エピ
タキシャル層３内にＰ復活性ベース領域５とｎ型コレク
タウオール領域４を拡散し、Ｐ復活性ベース領域５の内
に００型エミツタ領域７を拡散し、８ｇ１活性ベース領
域５の表面層に低抵抗ドープドポリシリコン１１６を直
接付着し、表面に３ｉ０２１１１を形成する。次にエミ
ッタ７、ポリシリコン１６、コレクタウオール４の各領
域に対応するＳｉ ０２１８の部分を開口し、各開口部
にアルミ電極９を蒸着する。
この構造において活性ベースはドープドポリシリコンを
不純物源として拡散することにより、セルファラインで
活性ベースを形成することができ、非常に有効にベース
抵抗の低減をはかることができる。また、第１図におい
て、６のポリシリコンの代りにアルミ配線等で低抵抗化
を図ることができるが、アルミ配線を用いた場合には配
線の交差ができないため設計の自由度が減少するが、本
発明では、アルミ配線は設計の自由度を全く下げること
なく設計することができる。
不純物源として拡散することにより、セルファラインで
活性ベースを形成することができ、非常に有効にベース
抵抗の低減をはかることができる。また、第１図におい
て、６のポリシリコンの代りにアルミ配線等で低抵抗化
を図ることができるが、アルミ配線を用いた場合には配
線の交差ができないため設計の自由度が減少するが、本
発明では、アルミ配線は設計の自由度を全く下げること
なく設計することができる。
発明の効果
以上のように本発明の半導体装置では、縦型バイポーラ
トランジスタのベースＩＩ域の表面層全域に、このベー
ス領域と同一導電型の低抵抗導体を直接に接続したため
、接合容量の増加やデバイスサイズの増加なしに容易に
ベース抵抗を下げることができ、特にＩ” Ｌゲートの
ようにベース抵抗を下げ、なおかつ接合容量の低減が要
求されるようなデバイスにおいてはその両方を同時に満
足することができるものである。
トランジスタのベースＩＩ域の表面層全域に、このベー
ス領域と同一導電型の低抵抗導体を直接に接続したため
、接合容量の増加やデバイスサイズの増加なしに容易に
ベース抵抗を下げることができ、特にＩ” Ｌゲートの
ようにベース抵抗を下げ、なおかつ接合容量の低減が要
求されるようなデバイスにおいてはその両方を同時に満
足することができるものである。
第１図は本発明の半導体装置の一実施例の断面構造図、
第２図は従来の半導体装置の断面構造図である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・ｎ０型埋込層、３
・・・ｎ型エピタキシャル層、４・・・ｎ型コレクタウ
オール領域、５・・・Ｐ復活性ベース領域、６・・・ポ
リシリコン層、７・・・ｎ′型エミッタ、８・・・二酸
化シリコン膜、９・・・アルミ電極 代理人 森 本 義 弘 第１図 ｔ−Ｐｉｌシ９コン基」更 ２−π゛を理１ ３−一九里！ピクキシ檜ル局 ４−ｆＬＶコレクダシオ−９レイ負域 ５−Ｐｉｌ活性ベース デ・−アルミ電柚
第２図は従来の半導体装置の断面構造図である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・ｎ０型埋込層、３
・・・ｎ型エピタキシャル層、４・・・ｎ型コレクタウ
オール領域、５・・・Ｐ復活性ベース領域、６・・・ポ
リシリコン層、７・・・ｎ′型エミッタ、８・・・二酸
化シリコン膜、９・・・アルミ電極 代理人 森 本 義 弘 第１図 ｔ−Ｐｉｌシ９コン基」更 ２−π゛を理１ ３−一九里！ピクキシ檜ル局 ４−ｆＬＶコレクダシオ−９レイ負域 ５−Ｐｉｌ活性ベース デ・−アルミ電柚
Claims (1)
- １、縦型バイポーラトランジスタのベース領域の表面層
全域に、このベース領域と同一導電型の低抵抗導体を直
接に接続した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11078185A JPS61268065A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11078185A JPS61268065A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61268065A true JPS61268065A (ja) | 1986-11-27 |
Family
ID=14544450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11078185A Pending JPS61268065A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61268065A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0476571A2 (en) * | 1990-09-17 | 1992-03-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with vertical bipolar transistors |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5843573A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バイポ−ラトランジスタ |
| JPS5866359A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-05-23 JP JP11078185A patent/JPS61268065A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5843573A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バイポ−ラトランジスタ |
| JPS5866359A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0476571A2 (en) * | 1990-09-17 | 1992-03-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with vertical bipolar transistors |
| US5861659A (en) * | 1990-09-17 | 1999-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
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