JPS61248420A

JPS61248420A - 堆積膜形成法

Info

Publication number: JPS61248420A
Application number: JP60088485A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Ishihara; 俊一石原; Masahiro Kanai; 正博金井; Yukihiko Onuki; 大貫　幸彦; Toshimichi Oda; 小田　俊理; Isamu Shimizu; 勇清水
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-04-26
Filing date: 1985-04-26
Publication date: 1986-11-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は酸素を含有する堆積膜、とりわけ機能性膜、殊
に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス、画像入
力用のラインセンサー、撮像デバイス、光起電力素子な
どに用いる非晶質乃至は結晶質の酸素を含有する堆積膜
を形成する方法に関する。

〔従来技術の説明〕

従来、半導体デバイス、電子写真用感光デ・２イス、画
像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電力素子
等に使用する素子部材として、酸素及び炭素を含有する
幾種類かのアモルファスシリコン（以後単にｒａ−８ｉ
ＯＯＪと表記する。）膜が提案され、その中のい（つか
は実用に付されている。そして、そうしたａ−８ｉＯＣ
！膜とともにそれ等ａ−８ｉＯＣ膜の形成法についても
い（つか提案されていて、真空蒸着法、イオンブレーテ
ィング法、いわゆるＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法等があり、中でもプラズマＣＶＤ法は至適なもの
として実用に付され、一般に広（用いられている。

ところで従来のａ−８ｉＯＣ膜は、例えばプラズマＣＶ
Ｄ法により得られろものは特性発現性に富み一応満足の
ゆくものとされてはいるものの、それであっても、確固
たる当該製品の成立に要求される、電気的、光学的、光
導電的特性、繰返し使用についての耐疲労特性、使用環
境特性の点、経時的安定性および耐久性の点、そして史
に均質性の点の全ての点を総じて満足せしめる、という
課題を解決するには未だ間のある状態のものである。

その原因は、目的とするＩＬ　−５ｉＯＯ膜が、使用す
る材料もさることながら、単純な層堆積操作で得られる
という類のものでなく、就中の工程操作に熟練的工夫が
必要とされるところが大きい。

因みに、例えば、いわゆるＣＶＤ法の場合、Ｓｉ系、Ｃ
系および○系気体材料を希釈した後いわゆる不純物を混
入し、ついで５００〜６５０℃といった高温で熱分解す
ることから、所望のａ−８ｉＯＣ膜を形成するについて
は緻密な工程操作と制御が要求され、ために装置も複雑
となって可成りコスト高のものとなるが、そうしたとこ
ろで均質にして前述したような所望の特性を具有するａ
−３ｉＯＣ膜製品を定常的に得ることは極めてむすかし
く、シたがって工業的規模には採用し難いものである。

また、前述したところの、至適な方法とじて一般に広く
用いられているプラズマ発生方式であっても、工程操作
上のいくつかの問題、そしてまた設備投資上の問題が存
在する。工程操作については、その条件は前述のＣＶＤ
法よりも更に複雑であり、−膜化するには至難のもので
ある。

即ち、例えば、基体温度、導入ガスの流量並びに流量比
、層形成時の圧力、高周波電力、電極構造、反応容器の
構造、排気速度、プラズマ発生方式の相互関係のパラメ
ーターをとってみても既に多くの・ぐラメ−ターが存在
し、この他にもパラメーターが存在するわけであって、
所望の製品を得るについては厳密なパラメーターの選択
が必要とされ、そして厳密に選択されたノミラメ−ター
であるが故に、その中の１つの構成因子、とりわけそれ
がプラズマであって、不安定な状態になりでもすると形
成される膜は著しい悪影響を受けて製品として成立し得
ないものとなる。そして装置については、上述したよう
に厳密なパラメーターの選択が必要とされることから、
構造はおのずと複雑なものとなり、装置規模、種類が変
れば個々に厳選されたパラメーターに対応し得るように
設計しなければならない。こうしたことから、プラズマ
発生方式については、それが今のところ至適な方法とさ
れてはいるものの、上述したことから、所望のａ　−５
ｉｏｃ膜を量産するとなれば装置に多大の設備投資が必
要となり、そうしたところで尚量産のための工程管理項
目は多（且つ複雑であり、工程管理許容幅は狭く、そし
てまた装置調整が微妙であることから、結局は製品をか
なりコスト高のものにしてしまう等の問題がある。

また一方には、前述の各種デ・ぐイスが多様化して来て
おり、そのための素子部材即ち、前述した各種特性等の
要件を総じて満足すると共に適用対象、用途に相応し、
そして場合によってはそれが大面積化されたものである
、安定なａ−８ｉＯＣ膜製品を低コストで定常的に供給
されろことが社会的要求としてちり、この要求を満たす
方法１装置の開発が切望されている状況がある。

これらのことは、他の例えば窒化シリコン膜、炭化シリ
コン膜、酸化シリコン膜等の素子部材についてもまた然
りである。

〔発明の目的〕

本発明は、半導体デバイス、電子写真用感光デバイス、
画像入力ライセンサ−、撮像デバイス、光起電力素子等
に使用する従来の素子部材及びその製法について、上述
の諸問題を解決し、上述の要求を満たすようにすること
を目的とするものである。

すなわち、本発明つ主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が殆んどの使用環境に依存することな（実質
的に常時安定しており、優れた耐光疲労性を有し、繰返
し使用にあっても劣化現象を起さず、優れた耐久性、耐
湿性を有し、残留電位の問題を生じない均一にして均質
な改善されたａ−ｓｉｏｃ膜素子部材を提供することに
ある。

本発明の他の目的は、形成される膜の緒特性、成膜速度
、再現性の向上及び膜品質の均一化、均質化を図りなが
ら、膜の大面積化に適し、膜の生産性の向上及び量産化
を容易に達成することのできる前述の改善されたａ−８
ｉＯＯ膜素子部材の新規な製造法を提供することにある
。

〔発明の構成〕

本発明の上述の目的は、基体上に堆積膜を形成する為の
成膜空間内に、炭素とハロゲンを含む化合物と、該化合
物と化学的相互作用をする、成膜用の酸素含有化合物よ
り生成される活性種とを夫々導入し、これらに光エネル
ギーを照射して、化学反応させる事によって、前記基体
上に堆積膜を形成することにより達成される。

本発明の方法は、成膜空間においてプラズマを生起させ
ろことなくして、炭素とハロゲンを含む化合物と、成膜
用の酸素含有化合物より生成される活性種との共存下に
於いて、これ等に光エネルギーを作用させることにより
、これ等による化学的相互作用を生起させ、或いは更に
促進、増幅させることにより所望の堆積膜を形成せしめ
るというものであって、本発明の方法により形成されろ
堆積膜は、エツチング作用、或いはその他の例えば異常
放電作用などによる悪影響を受けることはない。

又、本発明の方法は、成膜空間の雰囲気温度、基体温度
を所望に従って任意に制御することにより、より安定し
たＣＶＤ法たり得るものである。

更に、本発明の方法は、励起エネルギーは基体近傍に到
達した原料に一様にあるいは選択的制御的に付与される
が、光エネルギーを使用するが故に、適宜の光学系を用
いて基体の全体に照射して堆積膜を形成することができ
るし、あるいは所望部分のみに選択的制御的に照射して
部分的に堆積膜を形成することができ、またレジスト等
を使用して所定の図形部分のみに照射し堆積膜を形成で
きるなどの匣利さを有しているため、有利に用いられる
。

本発明の方法が従来のＣＶＤ法と区別されろ点の１つは
、あらかじめ成膜空間とは異なる空間（以下、活性化空
間という）に於（・て活性化された活性種を使うところ
であり、このことにより、従来のＣＶＤ法より成膜速度
を飛躍的に伸ばすことができ、加えて堆積膜形成の際の
基体温度も一層の低温化を図ることが可能になり、膜品
質の安定した堆積膜を工業的に大量に、しかも低コスト
で提供できろ。

本発明の方法においては、堆積膜形成原料となる酸素含
有化合物を活性化空間にお（・て活性化し、活性種を生
成する。そして、生成した活性種を活性化空間から成膜
空間へ導入し、成膜空間において堆積膜を形成するもの
である。従って、該活性種の構成要素が、成膜空間で形
成される堆積膜を構成する成分を構成するものとなる。

本発明の方法においては、所望に従って活性種を適宜選
択して使用するものであるが、生産性及び取扱い易さな
どの点から、通常はその寿命が０．１秒以上のものを用
いるが、より好ましくは１秒以上、最適には１０秒以上
のものを用いるのが望ましく・。

又、本発明の方法において用いる炭素とハロケ゛ンを含
む化合物は、成膜空間に導入され、光エネルギーの作用
により励起されて、活性化空間から成膜空間へ同時に導
入されろ前述の活性種と化学的相互作用を起して、例え
ばエネルギーを付与したり、化学反応を起こしたりして
、堆積膜の形成を促す作用を系中で呈する。従って、炭
素とハロケ゛ンを含む化合物の構成要素は形成される堆
積膜の構成要素と同一であってもよく、また異なってい
てもよい。

本発明において、成膜空間に導入されろ炭素とハロケ゛
ンを含む化合物としては、例えば鎖状又は環状炭化水素
の水素原子の一部乃至全部をハロケ゛ン原子で置換した
化合物を用いることができ、具体的には、例えば、Ｃｕ
Ｙ！■＋ｚ’（ｕは１以上の整数、Ｙは２％　Ｃλ、　
　Ｂｒ及び工より選択される少なくとも一種の元素であ
る。）で示される鎖状ハロゲン化炭素、　　ＣｖＹ・２
ｔ（１″！３以上へ整数、Ｙは前述の意味を有する。）
で示される環状・・ロゲン化炭素、　　５ｉｕＨｚＹｙ
　（ｕ及びＹは前述の意味を有する。ｘ＋ｙ＝２ｕ又は
２ｕ＋２である。）で示される鎖状又は環状化合物など
が挙げられる。

具体的には例えばＣＦ４、（Ｃ！Ｆ２）ｓ、（ＣＦ２）
６、（ＣＦ２）４．０２Ｆ’６．０３Ｆ８、ＣＨＦ３．
０Ｈ２Ｆ２、ｃｃｔｔ４、（ｃｃｎ２）５、ＣＢｒ４、
（Ｃ！Ｂｒ２）ｓ、ｃ２ｃｊ２６、ｃ２ｃｘＢ’３など
のガス状態の又は容易にガス化し得ろものが挙げられろ
。

又、本発明においては、前記炭素とノ・ロケ゛ンを含む
化合物に加えて、ケイ素とノ・ロゲンを含む化合物を併
用することができる。このケイ素とハロゲンを含む化合
物としては、例えば鎖状又は環状シラン化合物の水素原
子の一部乃至全部をハロゲン原子で置換した化合物が用
いられ、具体的には、例えば５１ｕｚ２ｕ＋２（ｕは１
以上の整数１ｚはＦ、　Ｏλ、Ｂｒ及び工よ、り選択さ
れる少がくとも一種の元素である。〕で示される鎖状ノ
・ロゲン化ケイ素、　　５ｉｖｚ、、ｖ（Ｖは３以上の
整数、２は前述の意味を有する。）で示される環状ノ・
ロゲン化ゲイ素、　Ｓｌ、ｕＨｘＺｙ（ｕ及び２は前述
の意味を有する。ｘ＋ｙ　＝　２ｕ又は２ｕ＋２である
。）で示される鎖状又は環状化合物などが挙げられる。

具体的には例えばＳｉＦ４、（ｓｉＦ′２　）　Ｓ、（
ＳｉＦ２）　６、（８１Ｆ２）４．８１２Ｆ６．５ｉ５
Ｆ’Ｑ、ＳｉＨＦ３、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＣｊ２４、（
ｓｉｃｉ２）５、ＳｉＢｒ４、（ＳｉＢｒ２）５、ＢＬ
２ＣＱ６．５ｉ２Ｂｒ６、Ｓ　ｉＨｏλ３．５ｉＨＢｒ
３、ＳｉＨ工３．５ｉ２Ｃ！ｊ！５Ｆ５などのガス状態
の又は容易にガス化し得ろものが挙げられる。

前記炭素とハロケ゛ンを含む化合物（及びケイ素とハロ
ゲンを含む化合物）に加えて、必要に応じてケイ素巣体
等他のケイ素含有化合物、水素、ハロケ゛ン化合物（例
えばＦ２ガス、Ｃ２２ガス、ガス化したＢｒ２、工２等
）などを併用することもできる。

本発明の方法において、活性化空間で活性種を生成させ
るについては、各々の条件、装置を考慮してマイクロ波
、　ＲＦ、低周波、Ｄｃ等の電気エネルギー、ヒータ加
熱、赤外線加熱等による熱エネルギー、光エネルギー等
の活性化エネルギーが使用できる。

本発明Ｏ方法で使用する活性種を生成する酸素含有化合
物は、活性化空間に導入される以前に既に気体状態とな
っているか、或いは気体状態とされている事が好ましい
。例えば及び固状液状の化合物を用いる場合、化合物供
給源に適宜の気化装置を接続して化合物を気化してから
活性化空間に導入する事ができる。

酸素含有化合物としては、酸素と酸素以外の原子の１種
又は２種以北とを構成原子とする化合物が挙げられろ。

前記酸素以外の原子としては、水素（（支）、ハロゲン
（Ｘ＝Ｆ、　Ｃｎ、Ｂｒ又は工）、イオウ（Ｓ）、炭素
（Ｃ）、ケイ素（Ｓｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、リン
（Ｐ）、ホウ素ｆＢ）、アルカリ金属、アルカリ土類金
属、遷移金属等があり、この池周期律表各族に属する元
素の原子のうち酸素と化合し得る原子であるならば使用
する事が可能である。

因みに、例えばＯとＨを含む化合物としては、Ｈ２Ｏ等
、０とＳを含む化合物としては、ＳＯ２，８０３等の酸
化物類、０とＣを含む化合物としては、Ｃｏ、　００２
等の酸化物等、０と８１を含む化合物としては、ジシロ
キサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ５）、トリシロキサン（Ｈ５
ＳｉＯ８ｉＨ２０ＳｉＨ３）等のシロキサン類、ジアセ
トキシジメチルシラ７　（ＣＨ３）２５１（ＯＣＯＣＨ
ｓ）２、トリアセトキシメチルシランＣＨ３Ｂ１（ＯＣ
：０ＣＨ３）　３等のオルガノアセトキシシラン類、メ
トキシトリメチルシランＣＣＨ３）　５ｓ１ｏｃＨ５、
ジメトキシジメチルシラン（ＯＨ３）　２Ｓｉ　（ＯＯ
Ｈｓ）２、トリメトキシメチルシランＣＨ３Ｓ１（ＯＣ
Ｈ３）５等のアルキルアルコキシシラン類、トリメチル
シラノール（Ｃ！Ｈ３）　５Ｆ３ｉ−ＯＨ１ジメチルフ
エニルシラノール（ＣＨ３）２（Ｃ６Ｈ５）ＳｉＯＨ。

ジエチルシランジオール（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ（ＯＨ）２
等のオルガノシラノール類等、０とＧｅを含む化合物と
しては、　Ｇｅの酸化物類、水酸化物類、ゲルマニウム
酸類、Ｈ３ＧｅＯＧｅＨ３、Ｈ３ＧｅＯＧｅＨ２０Ｇｅ
Ｈ３等の有機ケ゛ルマニウム化合物等が挙げられるが、
本発明で使用する酸素含有化合物はこれらに限定されな
い。

こねらの酸素含有化合物は１種を使用しても、あるいは
２種以とを併用してもよい。

本発明の方法において、酸素含有化合物ｖｆＩｌｌ＋に
、成膜のための原料として水素ガス、ハロヶ゛ン化合物
（例えばＦ２ガス、　　Ｃｆ１２ガス、ガス化シたＢｒ
２．工２等）、アルゴン、ネオン等の不活性ガス、また
堆積膜形成用の原料としてケイ素含有化合物、炭素含有
化合物、ゲ゛ルマニウム含有化合物などを活性化空間に
導入して用いることもできる。

これらの成膜用の化学物質を用いる場合には、予め混合
して活性化空間内にガス状態で導入することもできるし
、あるいはこれらの成膜用の化学物質を夫々独立した供
給源から各個別に供給し、活性化空間に導入することも
できるし、又夫々独立の活性化空間に導入して、夫々個
別に活性化することもできる。

堆積膜形成用Ｏケイ素含有化合物としては、ケイ素に水
素、ハロゲン、あるいは炭化水素基などが結合したケイ
素化合物を用いることができる。とりわけ鎖状及び環状
のシラ／化合物、この鎖状及び環状のシラン化合物の水
素原子の一部又は全部をハロゲン原子で置換した化合物
などが好適である。

具体的には、例えば、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ５Ｈ
８，５ｉａＨ１ｏ、　５ｉｓＨ１２，５ｉ６Ｈ１４等の
８１ｐＨ２ｐ＋２（ｐは１以上好ましくは１〜１５、よ
り好ましくは１〜１０の整数である。）で示される直鎖
状シラン化合物、５ｉＨｓ　５ｉＨ（ＳｉＨ３）ＳｉＨ
５，５ｉＨ３ｓｉＨ（ＳｉＨ３）Ｓｉ、ｓＨ７，５ｉ２
Ｈ５ＳｉＨ（ＳｉＨ５）ｓｉ、２Ｈ５等の８１ｐＨ２ｐ
＋２（ｐは前述の意味を有する。）で示される分岐を有
する鎖状シラン化合物、これら直鎖状又は分岐を有する
鎖状のシラン化合物の水素原子の一部又は全部をハロケ
゛ン原子で置換した化合物、５ｉ３Ｈ６，５ｉ４Ｈ３，
５ｉ５Ｈ１ｏ１Ｓｉ６Ｈ１２等の５ｉｑＨ２ｑ（ｑは３
以上、好ましくは３〜６の整数である。）で示される環
状シラン化合物、該環状シラン化合物の水素原子の一部
又は全部を他の環状シラニル基及び／又は鎖状シラニル
基で置換した°化合物、上記例示したシラン化合物の水
素原子の一部又は全部をハロケ゛ン原子で置換した化合
物の例として、５ｉＨｓＦ％８１Ｈ３Ｃｊ！、５ｉＨ５
Ｂｒ、　ＳｉＨ５工等の５ｉｒＨθＸ１．　（Ｘはハロ
ゲン原子、ｒは１以上、好ましくは１〜１０、より好ま
しくは３〜７の整数、Ｓ＋ｔ＝　２ｒ＋２又は２ｒであ
る。）で示されるハロゲ゛ン置換鎖状又は環状シラン化
合物などである。これらの化合物は、１種を使用しても
２種以上を併用してもよい。

また、堆積膜形成用の原料となる炭素含有化合物として
は、鎖状又は環状の飽和又は不飽和炭化水素化合物、炭
素と水素を主構成原子とし、この他ケイ素、ハロゲ゛ン
、イオウ等の１種又は２棟以上を構成原子とする有機化
合物、炭化水素基を構成原子とする有機化合物、炭化水
素基を構成成分とする有機ケイ素化合物などのうち、気
体状態のものか、容易に気化し得るものを用いるのが好
ましい。

この内、炭化水素化合物としては、例えば、炭素数１〜
５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素
、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等を用いろこと
ができ、具体的にハ飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ
３）％エタン（０２１（６）、プロパン（Ｃ５Ｈ８）、
ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ１０）１、ｓ　７　タフ　（Ｃ
５Ｈ１２）、エチレン系炭化水素とじてはエチレン（Ｃ
２Ｈ４）、プロピレフ　（Ｃ！５Ｈ６，１、ブテン−１
（Ｃ４Ｈａ）、ブテン−２（Ｃ！４Ｈ８）、インブチレ
ン（０４Ｈ８）、ｋブチン（０５Ｈ１ｏ）、アセチレン
系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）　、メチ
ルアセチレンＣＣ３Ｈ４）　、ブチン（Ｃ４Ｈ６）　　
等が挙げられる。

また、有機ケイ素化合物としては（ｃＨ３）４ｓｉ、Ｃ
Ｈ３Ｓ１１：Ｆ！５、（ＯＨ３）２ＳｉＣＦ！２、（Ｃ
Ｈ３）５ｓｉｃｎ、Ｃ２Ｈ５Ｓｉｃｊ！５、等のオルガ
ノクロルシラン、ＣＨ３５ｉＦ２Ｃ’ｊ２．３０戟２、
（ＣＨ３）２５ｉＦＣＩ！、、ｃ２Ｈ５ｓｉＦ２ｃｘ、
ｃ２Ｈ５ＳｉＦＣＲ２，０３Ｈ７ＳｉＦ２０Ｉｌ。

Ｃ３Ｈ７５ｉＦＧλ２、等のオルガノクロルフルオルン
ラン、Ｃ（ＣＨ３ン５Ｓ１〕２、［（０３Ｈ７１３Ｓｉ
）２、等のオ／Ｌ／ガノジシラ伊ンなどが好適に用いら
れる。

これらの炭素含有化合物は、１種であっても或いは２種
以上を併用してもよい。

又、堆積膜形成用の原料となるケ゛ルマニウム含有化合
物としては、ケ゛ルマニウムに水素、ハロケ゛ンあるい
は炭化水素基などが結合した無機乃至は有機のゲルマニ
ウム化合物を用いろことができ、例えばＧｅａＨｂ（ａ
は１以上の整数、ｂ＝寞の重合体、前記水素化ゲル〜−
竜の水素原子の一部乃至全部をパロケ゛ン原子で置換し
た化、、、□。イＢ　””　）Ｉ／　＝Ａ　ｏ　＊□工
。一部乃至は全部を例えばアルキル基、アリール基等の
有機基及び所望により・・ロケ゛ン原子で置換した化合
物等、の有機ケ゛ルマニウム化合物、その他ゲルマニウ
ム化合物を挙げることができる。

具体的には、例えばＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｃ）Ｃ３Ｈ
８、ｎ−Ｇｅ４Ｈ１（１、ｔｅｒｔ−Ｇｅ４Ｈ１０、Ｇ
ｅ３Ｈ６、Ｇｅ　５　Ｈｌ　０　、ＧｅＨ３Ｆ　。

Ｃ）ｅＨ３（４、Ｃ８Ｈ２Ｆ２、Ｇｅ６Ｆ６、Ｇｅ　（
（１！Ｈ３）　４、Ｇｅ（Ｃ２Ｈ５）４、ｅｅ（ｃ６Ｈ
ｓ）４、Ｇｅ（ｃａ３）２Ｆ２、Ｇｅ　Ｆ２、ＧｅＦ４
、Ｇａｓ等が挙げられる。これらのゲルマニウム化合物
は１種を使用してもあるいは２種以上を併用してもよい
。これらの他に、場合によっては、ｏ２．ｏ３等のガス
も使用することができる。

本発明において、成膜空間に導入される前記活性種と、
前記炭素とノ・ロゲンを含む化合物との量の割合は、成
膜条件、活性種の種類などで適宜所望に従って決められ
るが、好ましくは１０：１〜１：１０（導入流量比〕が
適当であり、より好ましくは８：２〜４：６とされるの
が望ましい。

また本発明の方法により形成される堆積膜は、成膜中又
は成膜後に不純物元素でドーピングすることが可能であ
る。使用する不純物元素としては、ｐ型不純物として、
周期律表第■族Ａの元素、例えばＢ、ｈｆｌ、（）ａ、
工ｎ、　Ｔｌ１等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不
純物としては、周期律表第■族Ａの元素、例えば、Ｐ、
　Ａｓ、　Ｓｂ、　Ｂｉ等が好適なものとして挙げられ
るが、特にＢ、Ｇａ、Ｐ％ｓｂ等が最適である。ドーピ
ングする不純物の量は、所望される電気的・光学的特性
に応じて適宜決定できるものである。

かかる不純物元素を成分として含む物質（不純物導入用
物質）としては、常温常圧でガス状態であるか、あるい
は少なくとも堆積膜形成条件下で気体であり、適宜の気
化装置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好まし
い。この様な化合物としては、ＰＪ、Ｐ２Ｈ４、ＰＦ５
、ＰＦ５、ｐａｐｔ５、ＡｓＨ３、ｋＢＦ３、Ａ８Ｆ５
、ＡｓＣｊ＋３、ＳｂＨ３、ＳｂＦ５、ＳｉＨ３、ＢＦ
３、ＢＣ１！、３、ＢＢｒ３、Ｂ２Ｈ，Ｓ、Ｂ４Ｈ１０
，Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１、Ｂ６ＨＩＱ、Ｂ６Ｈ１２、Ａ
ｆｌｃｆ１３等を挙げることができる。不純物元素を含
む化合物は、１種を用いてもあるいは２種以上を併用し
てもよい。

これ等の不純物導入用物質は、ガス状態で直接にか、或
いは前記の炭素とハロケ゛ンを含む化合物と混合して成
膜空間内に導入してもよいし、或いはまた、活性化空間
で活性化し、その後成膜空間内に導入することもできる
。不純物導入用物質を活性化するについては、活性種を
生成する前述の活性化エネルギーを適宜選択して採用す
ることができる。不純物導入用物質を活性化して生成さ
れる活性種（ＰＮ　）は、前記活性種と予め混合してか
、又は、単独で成膜空間に導入する。

次に、本発明の方法の内容を、具体例として電子写真用
像形成部材及び半導体デバイスの典型的な場合をもって
説明する。

第１図は本発明の方法によって得られる典型的な光導電
部材の構成例を説明するための模式第１図に示す光導電
部材１ｏは、電子写真用像形成部材として適用し得るも
のであって、光導電部材用としての支持体１１の上に、
必要に応じて設けられる中間層１２、及び感光層１３で
構成される層構成を有している。

光導電部材１０の製造にあたっては、中間層１２又は／
及び感光層１３を本発明の方法によって作成することが
できる。更に、光導電部材１０が感光層１３の表面を化
学的、物質的に保護する為に設けられる保護層、或いは
電気的耐圧力を向上させる目的で設けられる下部障壁層
又は／及び上部障壁層を有する場合には、これ等を本発
明の方法で作成することもできる。

支持体１１としては、導電性のものであっても、また電
気絶縁性のものであってもよい。導電性支持体としては
、例えばＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｌｌ、Ｏｒ％Ｍｏ、
Ａｕ、工ｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、Ｔ１、ｐｔ％ｐａ
等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、例えばポリエステル、ポリ
エチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、
ポリプロピレン、ポリｔｌＫ化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙弊任意のものが
使用できる。これらの電気絶縁性支持体は、好適には少
なくともその一方の表面を導電処理し、該導電処理され
た表面側に他の層を設けるのが望ましい。

例えばガラスであれは、その表面にＮｉＣｒ％Ｊ。

１：！ｒ、ＭＯ１Ａｕ、■ｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ１Ｖ、　
Ｔｉ、Ｐｔ、　Ｐｄ。

■ｎ２０５．５ｎ０２、工Ｔｏ（工ｒ１２０３＋５ｎ０
２　）等の薄膜を設け゛るととによって導電処理し、あ
るいはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであ
れば、Ｎｉ０ｒ、　Ａｊ！、Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、　
Ｎｉ、Ａｕ、　ｃｒ、　Ｍｏ、工ｒ５Ｎｂ、　Ｔａ、　
Ｖ、　Ｔｉ、ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着
、ス・ξツタリング等で処理し、又は前記金属でラミネ
ート処理して、その表面を導電処理する。支持体の形状
は、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とすること
ができる。

用途、所望によって、その形状は適宜法めることのでき
るものであるが、例えば、第１図の光導電部材１０を電
子写真用像形成部材として使用するのであれば、連続高
速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい。

中間層１２は、例えば支持体１１の側から感光層１６中
へのキャリアの流入を効果的に阻止し、且つ電磁波の照
射によって感光層１６中に生じ、支持体１１の側に向っ
て移動するフォトキャリアの感光層１６の側から支持体
１１の側への通過を容易に許す機能を有する。

この中間層１２は、本発明の方法で作成できるものであ
って、シリコン原子、酸素原子及び炭素原子と、必要に
応じて水素＠）及び／又はノ・ロケ゛ン収）を構成原子
とする非晶質材料（以下、ａ−１３１００（Ｈ，Ｘ）と
記す。）で構成されると共に、必要に応じて電気伝導性
を支配する物質として、例えばホウ素（Ｂ）等のｎ型不
純物あるいはリン（Ｐ）等のｎ型不純物を含有している
。

本発明に於て、中間層１２中に含有せしめるＢ、Ｐ等の
伝導性を支配する物質の量は、好適には、Ｉ　Ｘ　１０
−３〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、より
好適には０．５〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ　、最適には１〜５ｘ　１Ｑ３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
とするのが望ましい。

中間層１２の構成成分と感光層１６の構成成分とが類似
、或いは同じである場合には、中間層１２の形成に続け
て感光層１３の形成まで連続的に行なうことができる。

その場合には、中間層形成用の原料として、炭素とハロ
ゲ゛ンを含む化合物およびケイ素とハロゲンを含む化合
物と、活性化室に導入された成膜用の化合物である酸素
含有化合物より生成される活性種と、必要に応じて、不
活性ガス及び不純物元素を成分として含む化合物のカス
より生成される話性種とを、夫々別々に或いは適宜必要
に応じて混合して支持体１１の設置しである成膜空間に
導入し、各導入された活性種の共存雰囲気に光エネルギ
ーを作用させることで、前記支持体１１上に中間層１２
を形成すればよい。

中間層１２の層厚は、好ましくは、３Ｘ１０”−’〜１
０μ、より好適には４　Ｘ　１０”−３〜８μ、最適に
は５×１０〜５μとするのが望ましい。

感光層１３は、例えばシリコン原子を母体とし、水素原
子又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする非晶
質材料（以後ｒａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊと云う）で構成さ
れ、レーザー光の照射によってフォトキャリアを発生す
る電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両
機能を有する。

感光層１６の層厚は、好ましくは、１〜１００μ、より
好適には１〜８０μ、最適には２〜５０μとするのがま
ましい。

感光層１３はノンドープのａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れるが、所望により中間層１２に含有される伝導特性を
支配する物質の極性とは別の憧性（例えばΩ型）の伝導
特性を支配する物質を含有せしめてもよいし、あるいは
、中間層１２に含有される伝導性を支配する物質の実際
の量が多い場合には、絞量よりも一段と少ない量にして
同極性の伝導性を支配する物質を含有せしめてもよい。

感光層１６を、本発明の方法によって形成する場合、中
間層１２の場合と同様にして行われる。即ち、炭素とハ
ロケ゛ンを含む化合物、およびケイ素とハロゲンを含む
化合物と、成膜用の前述の化学物より生成された活性種
と、必要に応じて不活性ガス、不純物元素を成分として
含む化合物のガス等を、支持体１１の設置しである成膜
空間に導入し、光エネルギーを作用させ、支持体上に形
成された中間層１２の上に感光層１３を形成せしめる。

第２図は、本発明の方法により作製される不純物元素で
ドーピングされた堆積膜を利用したＰＩＮ型ダイオード
・デバイスの典型例を示した模式図である。

図中、２１は基体、２２及び２７は薄膜電極、２３は半
導体膜であり、ｎ型の半導体層２４、ノンドープ型の半
導体層２５、ｐ型の半導体層２６によって構成される。

これらの半導体層２４゜２５．２６のいずれか一つを本
発明の方法により作成することもできる。殊に半導体層
２６を本発明の方法で作成する場合、その変換効率を高
めることができる。本発明の方法で半導体層２６を作成
するについては、半導体層２６は、例えばシリコン原子
と炭素原子と酸素原子、水素原子又は／及びハロゲン原
子とを構成原子とする非晶質材料（以後「ａ−８ｉＣＯ
（Ｈ，Ｘ月と記す）で構成することができる。２８は外
部電気回路装置と結合される導線である。

基体２１としては導電性のもの、半導電性のもの、ある
いは電気絶縁性のものが使用できる。

基体２１が導電性である場合には、薄膜電極２２は、省
略しても差支えない。半導電性基板としては、例えば、
Ｓｌ、Ｇｅ、　ＧａＡ３、ＺｎＯ１Ｚｎ８等の半導体が
挙げられる。薄膜電極２２．２７は、例えば、Ｎｉｏｒ
％ＡＩｔ％Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、工ｒ、　Ｎｂ、　Ｔ
ａ、　ＶｌＴｉ、Ｐｔ、　Ｐｄ１工ｎ１０３、ＳｎＯ２
、■Ｔｏ　（工ｎ２０３＋５ｎｏ２）等の薄膜を、真空
蒸着、電子ビーム蒸着、ス・ξツタリング等の処理で基
体２１上に設けることによって得られろ。電極２２，２
７の層厚は、好ましくは３０〜５Ｘ１０４ス、より好ま
しくは１００〜５×１詳＾とするのが望ましい。

半導体層を構成する膜体を必要に応じてｎ型又はｐ型と
するについては、層形成の際に、不純物元素のうちｎ型
不純物又はｐ型不純物、あるいは両不純物を形成される
層中にその蓋を制御し乍らドーピングすることによって
形成する。

ｎ型、１型及びｐ型の半導体層を形成する場合、該半導
体層の何れか１つ乃至は全部を本発明の方法により形成
することができる。その際の操作は、例えばつぎのよう
にして行われろ。

即ち、炭素とハロケ゛ンを含む化合物あるいは更にケイ
素と・・ロケ゛ンを含む化合物を基体２１の設置しであ
る成膜空間に導入し、また、これとは別に、活性化空間
に導入された成膜用の化学物質と、必要に応じて不活性
ガス及び不純物元素を成分として含む化合物のガス等を
、夫々活性化エネルギーによって励起し、分解して、夫
４−６）ン←ｖト刊旨　んＨ→　ｇけ　１　　　　本　
ｈ　ん　９＋１　　ｂｌｚｒ　　ホ　ナー　６寸　晩飯
乍ｒに混合して前記成膜空間に導入し、そこに光エネル
ギーを作用させることにより形成させろ。

ｎ型及びｐ型の半導体層の層厚は、好ましくは１０２〜
１０４Ｘ、より好ましくは３Ｘ１０２〜２Ｘ１０３えの
範囲にするのが望ましい。

また、１型のａ−８層層の層厚は、好ましくは５Ｘ１０
２〜１０４Ｘ、より好ましくは１０３〜１０４Ｘの範囲
にするのが望ましい。

尚、第２図に示すＰＩＮ型ダイオードデバイスは、ｐｌ
　１及びｎの全ての層を作製する必要は必ずしもなく、
ｐ、ｉ及びｎのうちの少なくとも１層を本発明の方法で
作製・することにより、目的物を得ることができろ。

〔実施例〕

以下に、本発明を実施例に従ってより詳細に説明するが
、本発明はこれ等によって限定されるものではない。

実施例　１第３図に示した装置を用い、以下の如き操作によってア
モルファス堆積膜を形成した。

第６図において、１ｏ１は成膜室であり、内部の基体支
持台１０２上に所望の基体１０３を載置する。

１０４は基体加熱用のヒーターであり、該ヒーター１０
４は、成膜処理前に基体１０４を加熱処理したり、成膜
後に、形成された膜の特性を一層向上させる為にアニー
ル処理したりする際に使用するものであり、導線１０５
を介して給電し、発熱せしめる。成膜中は、該ヒーター
１０４は駆動させない。

１０６乃至１０９は、ガス供給源であり、酸素化合物、
及び必要に応じて用いられるケイ素含有化合物、炭素含
有化合物、ゲルマニウム含有化合物、水素、ハロゲン化
合物、不活性ガス、不純物元素を成分とする化合物等の
ガスの種類に応じて設けられる。これ等の原料化合物の
うち、標準状態にお（・て液状のものを使用する場合に
は、適宜の気化装置を具備せしめる。

図中ガス供給源１０６乃至１０９の符号にａを付したの
は分岐管、ｂを付したのは流量計、Ｃを付したのは各流
量計の高圧側の圧力を計測する圧力計、ｄ又はｅを付し
たのは各気体流量を調整するためのバルブである。１２
３は活性種を生成する為の活性化室であり、活性化室１
２３の周りには、活性種を生成させる為の活性化エネル
ギーを発生するマイクロ波プラズマ発生装置１２２を設
ける。ガス導入管１１０より供給される活性種生成用の
原料ガスは、活性化室１２３内に於いて活性化され、生
じた活性種を導入管１２４を通じて成膜室１０１内に導
入する。１１１はガス圧力計である。

図中１１２は炭素とハロゲンを含む化合物の供給源であ
り、１１２の符号に付されたａ乃至ｅは前述の１０６乃
至１０９の場合と同様のものを示している。

炭素とハロゲンを含む化合物は導入管１１３を介して成
膜室１０１内に導入する。

１１７は光エネルギー発生装置であって、例えば水銀ラ
ンプ、キセノンランプ、炭酸ガスレーサー、アルゴンイ
オンレーザ−、エキシマレーザ−等を用いる。

光エネルギー発生装置１１７から適宜の光学系を用いて
基体１０３全体或（・は基体１０３の所望部分に向けら
れた光１１８は、矢印１１６，１１９の向きに流れてい
る炭素とハロダンを含む化合物及び活性種を照射し、照
射された炭素とハロヶ゛／を含む化合物及び活性種が相
互に化学反応する事によって基体１０３の全体或いは所
望部分にａ−８ｉＯＣ（ＨＩＸ）膜を形成せしめる。図
中、１２０は排気バルブ、１２１は排気管である。

先−ｒ、；ｐリエチレンテレフタレートフィルム製の基
体１０６を支持台１０２上に載置し、排気装置を用いて
成膜室１０１内を排気し、約１０−６Ｔｏｒｒに減圧し
た。ガス供給源１０６からガス状態としたジシロキサン
を導入管１１０を介して活性化室１２３に導入した。活
性化室１２６内に導入したジシロキサンをマイクロ波プ
ラズマ発生装置１２２により活性化せしめて活性化ジシ
ロキサンとし、導入管１２４を通じて、活性化ジシロキ
サンを成膜室１０１に導入した。

また、他方、供給源１１２よりｃＦ４ガス導入管１１３
を経て、成膜室１０１へ導入した。

成膜室１０１内の圧力をＱ、３Ｔｏｒｒに保ちつつ、１
　ｘｗのｘｅクランプら基体１０３に垂直に照射してａ
−８ｉＯＣ（Ｈ，Ｘ）堆積膜（膜厚７００″ｉ　＞を形
成した。

成膜速度は１８１／ｅｅｃであった。

次いで、得られたａ−８ｉＯＣ（Ｈ，Ｘ）膜を形成した
各試料を蒸着槽に入れ、真空度１０”？　’ｒｏｒｒで
クシ型のＡ２ギャップ電極（ギャップ長２５０μ、巾５
頷）を形成した後、印加電圧１０Ｖで暗電流を測定し、
暗導電率σｄを求めて、膜特性を評価した。結果を第１
表に示した。

実施例　２ガス供給ボンベ１０６等からのジシロキサンガスの代り
にＨ５ＳｉＯ８ｉＨｓ／ｌＩ２．／Ｆ２混合ガス（混合
比Ｈｓｓ１ｏｓ１ｔｘ；／）（２／Ｆ２＝　１ｏ　：　
１０　：　１３を用いた以外は、実施例１と同様の方法
と手順に従ってａ−１１Ｊｉｌ’）Ｃ（Ｈ，Ｘ）膜を形
成した。各試料の暗導電率を測定し、その結果を第１表
に示した。

第１表第１表から、本発明の方法により層形成をおこなうと電
気特性に優れたアモルファス堆積膜が得られることが判
った。

実施例　３第４図に示す装置を使い、以下の如き操作によって第１
図に示した如き層構成のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した。

第４図において、２０１は成膜室、２０２は炭素とハロ
ゲンを含む化合物供給源、２０６はガス導入管、２０７
はモーター、２０８は第３図の１０４と同様に用いらね
る加熱ヒーター、２０９，２１０は吹き出し管、２１１
はＡ２シリンダー状基体、２１２は排気バルブを示して
いる。又、２１３乃至２１６は第１図中１０６乃至１０
９と同様の原料ガス供給源であり、２１７−１はガス導
入管である。

成膜室２０１にＡ１．シリンダー状基体２１１をつり下
げ、その内側に加熱ヒーター２０８を備え、モーター２
０７により回転できる様にした。

２１８は光エネルギー発生装置であって、Ａ２シリンダ
ー状基体２１１の所望部分に向けて光２１９を照射でき
るようにした。

まず、ガス供給源２０２からＣＦ４ガスを導入管２０６
を経て、成膜室２０１へ導入した。

一方、導入管２１７−１よりＣＨ４とジシロキサンのガ
ス化したものを活性化室２２０内に導入した。

導入されたジシロキサンガスに、活性化室２２０に於い
てマイクロ波プラズマ発生装置２２１によりプラズマ化
等の活性化処理を施こし、活性化ジシロキサンとした。

活性化ジシロキサンを導入管２１７−２を通じて成膜室
２０１内に導入した。

この際、必要に応じてＰＨＩ、Ｂ２Ｈ６等の不純物ガス
も活性化室２２０内に導入して活性化した。

成膜室２０１内の内圧を１．　Ｑ　Ｔｏｒｒに保ちつつ
、ＩＫＷのＸｓランプ２１８からａ４ｙリング−２１１
の周面に対し垂直に光照射した。

Ａ２シリンダー基体２１１を回転させ、排ガスを排気バ
ルブ２１２の開口を適宜に調整して、排気した。このよ
うにして形成せしめた中間層１３の、膜厚は２Ｘ１０３
にであった。

次に、感光層１６を本発明の方法により形成する場合は
、前述の中間層１２の形成時に使用したガスのうち、Ｏ
Ｆ４ガスは使用せず、又、ジシロキサンの代りにＨ２ガ
スを使用した。即ち、導入管２１７−１よりＨ２／Ｂ２
Ｈ６（容量チでＢ２Ｈ６ガスが０．２％）の混合ガスを
導入し、それ以外は前述の感光層１６の形成の場合と同
様にして膜厚が２１μの感光層を成膜した。

〔比較例〕

ｃｔ＋’４、ＳｉＨ４、ジシロキサン、Ｈ２及びＢ２Ｈ
６の各ガスを使用して成膜室２０１と同様の構成の成膜
室を用意して１３．５６ＭＨｚの高周波装置を備え、第
１図に示す層構成の電子写真用像形成部材を形成した。

実施例３及び比較例１で得られたドラム状の電子写真用
像形成部材の製造条件と性能を第２表に示した。

第２表実施例　４第３図の装置を用いて、第２図に示したＰＩＮ型ダイオ
ードを作製した。

まず、１０００λの工ＴＯ膜２２を蒸着したポリエチレ
ンテレフタレートフィルム２１を支持台に載置し、１０
　　Ｔｏｒｒに減圧した後、供給源１１２よりＣＷ４ガ
スを、更に別の供給源（図示し、ない）よりＳｉＦ４ガ
スを、各々別の導入管を介して成膜室１０１に導入した
。一方、Ｈ２ガス、ＰＨ５ガス（１０００ｐｐｍ水素ガ
ス希釈）の夫々を活性化室１２６に導入して活性化した
。次いで、この活性化されたガスを導入管１２４を介し
て成膜室１０１内に導入した。成膜室１０１内の圧力を
０．１Ｔｏｒｒに保ちながらｉＫＷのＸθランプで光照
射してＰでドーピングされたｎ型ａ−８ｉＣ（）！、Ｘ
）膜２４（膜厚７００Ａ　）を形成した。

次いで、ＰＨ３ガスの導入を停止した以外はｎ型ａ−８
ｉＣ（Ｈ，Ｘ）膜の場合と同様の方法でノンドープａ−
８ｉＣ！（Ｈ，Ｘ）膜２５（膜厚５０００　Ｋ　）を形
成した。

次いでＨ２／’ＰＨ３ガスの代りにＨｓＳｉＯ８ｉＨ３
，４（２ガス（混合比１：１０）と共にＢ２Ｈ６ガス（
１０００ｐｐｍ水素ガス希釈）を使用し、それ以外はｎ
型と同じ条件でＢでドーピングされたｐ型ａ−８ｉＣＯ
（Ｈ，Ｘ）膜２６（膜厚７００Ｋ）を形成した。更に、
このｐｆｉ膜上に真空蒸着により膜厚ｔｇｏｏＸのＡ２
電極２７を形成し、ＰＩＮ型ダイオードを得た。

かくして得られたダイオード素子（面積１の２）のＩ−
Ｖ特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評価した
。結果を第６表に示した。

又、光照射特性においても基体側から光を導入し、光照
射強度ＡＭ工（約１００　ｍＷ、Ａｎ２）で、変換効率
７．７１以上、開放端電圧０．９２Ｖ、短絡電流１０．
２　ｍＡ　、７ｃｍ２が得られた。

実施例　５導入管１１０からＨ３Ｓ　：Ｏ８：Ｒ３，，４ｉ２ガス
の代りに、ＨａＳ：Ｏ８二Ｈ３，／Ｈ２／］ヲ゛２　ガ
　ス　（Ｈａｓ　二Ｏ８’、Ｈ５／Ｈ２／Ｆ２　　＝　
　１　　：１５：２）を用いた以外は、実施例４と同様
にして実施例４で作成したのと同様のＰＩＮ型ダイオー
ドを作成した。

この試料に就いて整流特性及び光起電力効果を評価し、
結果を第３表に示した。

第３表＊１　電圧１ｖでの順方向電流と逆方向電流の比＊２　
ｐ−ｎ接合の電流式Ｊ＝Ｊｓ　（ｅｘｐ（ｎＲ１）−１
１に於けるｎ値（Ｑ、ｕａｌｉｔｙ　Ｆａｃｔｏｒ）第
３表から、本発明の方法を用いろと、従来法による場合
と比べて良好な光学的・電気的特性を有する非晶質半導
体ＰＩＮ型ダイオードが得られることが判った。

〔発明の効果の概略〕

本発明の堆積膜形成法によれば、形成されろ膜に所望さ
れる電気的、光学的、光導電的及び機械的特性が向上し
、しかも基体を高温に保持することな（高速成膜が可能
となる。また、成膜における再現性が向上し、膜品質の
向上と膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化
に有利であり、膜の生産性の向上並びに量産化を容易に
達成することができる。更に、励起エネルギーとして光
エネルギーを用いるので、例えば耐熱性に乏しい基体、
プラズマエツチング作用の影響を受は易い基体上にも成
膜できる、低温処理によって工程の短縮化を図れるとい
った効果が発揮される。

子写真用像形成部材の構成例を説明するための模式図で
ある。

第３図及び第４図はそれぞれ実施例で用いた本発明の方
法を実施するための装置の構成を説明するための模式図
である。

１０・・・・・・・・・電子写真用像形成部材、１１・
・−・・・・・支持体、１２・・・・・・・・・中間層、１３・・・・・・−・感光層、２１・・・・・・・・・・・・・・・基体、２２．２７
・・・・・・・・・・・・薄膜電極、２４・・・・・・
・・・・・・・・・ｎ型半導体層、２５・・・・・・・
・・・・・・・・１型半導体層、２６・・・・・・・・
・・・・・・・ｐ型半導体層、２８・・・・・・・・・
・・・・・・導線１０１．２０１・・・・・・成膜室、１１２．２０２・・・・・・　炭素とハロゲンを含む化
合物供給源、１２３．２２０・・・・・・活性化室、１
０６．１０７，１０８，１０９，２１３，２１４，２１
５，２１６−・・・・・ガス供給源、１０３．２１１・
・・・・・基体、１１７．２１８・・・・・・光エネルギー発生装置、１
０２・・・・・・・・・・・・・・・基体支持台、１０
４．２０８・・・・・・基体加熱用ヒーター、１０５・
・・・・・・・・・・・・・・導線、１１０、１１３　
、１２４　、２０６．２１７−１．２１７−２・・・・
・・・・・導入管、１１１・・・・・・・・・・・・・
・・圧力計、１２０．２１２・・・・・・排気バルブ、
１２１・・・・・・・・−・・・・・排気管、１２２、
２２１・・・・・・活性化エネルギー発生装置、２０９
．２１０・・・・・・吹き出し管、２０７・曲・・叩・
パ°　モーター。

Claims

【特許請求の範囲】

　基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内に炭素とハ
ロゲンを含む化合物と、該化合物と化学的相互作用をす
る、成膜用の酸素含有化合物より生成される活性種とを
夫々導入し、これらに光エネルギーを照射して化学反応
させる事によつて、前記基体上に堆積膜を形成する事を
特徴とする堆積膜形成法。