JPS61283110A - 堆積膜形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は窒素を含有する堆積膜、と）わけ機能性膜、殊
に半導体ディバイス、電子写真用の感光ディバイス、画
像入力用のラインセンサー。

撮像ディバイス、光起電力素子などに用いる非晶質乃至
は結晶質の窒素を含有する堆積膜を形成する方法に関す
る。

〔従来技術の説明〕

従来、半導体ディバイス、電子写真用感光ディバイス、
画像入力用ラインセンサー、撮像ディバイス、光起電力
素子等に使用する素子部材として、幾種類かの炭素及び
窒素を含有するアモルファスシリコン（以後単にｒ　ａ
　−５ｉＣＮＪと表記する。）膜が提案され、その中の
いくつかは実用に付されている。そして、そうしたａ　
−Ｓ　ｉＣＮ膜とともにそれ等ａ　−５ｉＣＮ膜の形成
法についてもいくつか提案されていて、真空蒸着法、イ
オンブレーティング法、いわゆるＣＶＤ法、プラズマＣ
ＶＤ法、光ＣＶＤ法等があシ、中でもプラズマＣＶＤ法
は至適なものとして実用に付され、一般に広く用いられ
ている。

ところで従来のａ−８ｉＣＮ膜は、例えばプラズマＣＶ
Ｄ法によ）得られるものは特性発現性に富み一応満足の
ゆくものとされてはいるものの。

それであっても、確固たる当該製品の成立に要求される
。電気的、光学的、光導電的特性、繰返し使用について
の耐疲労特性、使用環境特性の点、経時的安定性および
耐久性の点、そして更に均質性の点の全ての点を総じて
満足せしめる。という課題を解決するには未だ間のある
状態のものである。

その要因は、目的とするａ−８ｉＣＮ膜が、使用する材
料もさることながら、単純な層堆積操作で得られるとい
う類のものでなく、就中の工程操作に熟練的工夫が必要
とされるところが大きい。

因みに２例えば、いわゆるＣＶＤ法の場合、Ｓ１系、Ｎ
系及びＣ系の気体材料を希釈した後いわゆる不純物を混
入し、ついで５００〜６５０℃といった高温で熱分解す
ることから、所望のａ　−８１ＣＮ膜を形成するについ
ては緻密な工程操作と制御が要求され、ために装置も複
雑となって可成りコスト高のものとなるが、そうしたと
ころで均質にして前述したような所望の特性を具有する
ａ−８ｉＣＮ膜製品を定常的に得ることは極めてむずか
しり、シたがって工業的規模には採用し難いものである
。

また、前述したところの、至適な方法とじて一般に広く
用いられているプラズマＣＶＤ法であっても、工程操作
上のいくつかの問題、Ｊｃシてまた設備投資上の問題が
存在する。工程操作については、その条件は前述のＣＶ
Ｄ法よりも更に複雑であシ、一般化するには至難のもの
である。

即ち１例えば、基体温度、導入ガスの流量並びに流量比
１層形成時の圧カ、高周波電力、電極構造１反応容器の
構造、排気速度、プラズマ発生方式の相互関係のパラメ
ーターをとってみても既に多くのパラメーターが存在し
、この他にもパラメーターが存在するわけであって、所
望の製品を得るＫついては厳密なパラメーターの選択が
必要とされ、そして厳密に選択されたパラメーターであ
るが故に、その中の１つの構成因子、とりわけそれがプ
ラズマであって、不安定な状態になりでもすると形成さ
れる膜は著しい悪影響を受けて製品として成立し得ない
ものとなる。そして装置については、上述したように厳
密なパラメーターの選択が必要とされることから、構造
はおのずと複雑なものとなシ、装置規模１種類が変れば
個々に厳選された／ぞラメ−ターに対応し得るように設
計しなければならない。こうしたことから、プラズマＣ
ＶＤ法については、それが今のところ至適な方法とされ
てはいるものの、上述したことから、所望のａ−８ｉＣ
Ｎ膜を量産するとなれば装置に多大の設備投資が必要と
なり、そうしたところで尚量産のための工程管理項目は
多く且つ複雑であり、工程管理許容幅は狭く、そしてま
た装置調整が微妙であることから、結局は製品をかなシ
コスト高のものにしてしまう等の問題がある。

また一方には、前述の各種ディバイスが多様化して来て
おり、そのための素子部材即ち、前述した各種特性等の
要件を総じて満足すると共に適用対象、用途に相応し、
そして場合によってはそれが大面積化されたものである
。安定なａ　−５ｉＣＮ膜製品を低コストで定常的に供
給されることが社会的要求としてあり、この要求を満た
す方法、装置の開発が切望されている状況がある。

〔発明の目的〕

本発明は、半導体ディバイス、を子写真用感光ディバイ
ス、画像入力用ラインセンサー、撮像ディバイス、光起
電力素子等に使用する従来の素子部材及びその製法につ
いて、上述の諸問題を解決し、上述の要求を満たすよう
にすることを目的とするものである。

すなわち１本発明の主たる目的は、電気的。

光学的、光導電的特性が殆んどの使用環境に依存するこ
となく実質的に常時安定しており、優れた耐光疲労性を
有し、繰返し使用にあっても劣化現像を起さず、優れた
耐久性１耐湿性を有し、残留電位の問題を生じない均一
にして均質な改善されたａ−８ｉＣＮ膜素子部材を提供
することにある。

本発明の他の目的は、形成される膜の緒特性。

成膜速度、再現性の向上及び膜品質の均一化、均質化を
図りながら、膜の大面積化に適し、Ｈの生産性の向上及
び量産化を容易に達成することのできる前述の改善され
たａ−８ｉＣＮ膜素子部材の新規な製造法を提供するこ
とにある。

〔発明の構成〕

本発明の上述の目的は、基体上に堆積膜を形成する為の
成膜空間内に、炭素とノ・ロゲンを含む化合物と、該化
合物と化学的相互作用をする。

成膜用の窒素含有化合物より生成される活性種とを夫々
導入し、これらに熱エネルギーを作用させて化学反応さ
せることによって、前記基体上に堆積膜を形成すること
により達成される。

本発明の方法は、プラズマを生起させることなく、炭素
とハロゲンを含む化合物と、成膜用の窒素含有化合物よ
り生成される活性種との共存下に於いてこれらに熱エネ
ルギーを作用させることにより、これ等による化学的相
互作用を生起させ、或いは更に促進、増幅させることに
より所望の堆積膜を形成せしめるというものであって１
本発明の方法により形成される堆積膜は、成膜中にエツ
チング作用、或いはその他の例えば異常放電作用などに
よる悪影響を受けることはない。

又１本発明の方法は、成膜空間の雰囲気温度。

基板温度を所望に従って任意忙制御することにより、よ
プ安定したＣＶＤ法たシ得るものである。

更に１本発明の方法において、堆積膜形成用原料を励起
し反応させるだめの熱エネルギーは。

成膜空間の少なくとも基体近望部分乃至は成膜空間全体
に作用されるものであり、使用する熱源に特に制限はな
く、抵抗加熱等の発熱体による加熱、高周波加熱などの
従来公知の加熱媒体を用いることができるうあるいは、
光エネルギーから転換された熱エネルギーを使用するこ
ともできる。また、所望により、熱エネルギーに加えて
光エネルギーを併用することができる。

光エネルギーは、ｍ宜の光学系を用いて基体の全体に照
射することができるし、あるいは所望部分のみに選択的
制御的に照射することもできるため、基体上における堆
積膜の形成位置及び膜厚等を制御し易くすることができ
る。

本発明の方法が従来のＣＶＤ法と区別される点の１つは
、あらかじめ成膜空間とは異なる空間（以下、活性化空
間という）Ｋ於いて活性化された活性種を使うことであ
り、このことにより。

従来のＣＶＤ法より成膜速度を飛躍的に伸ばすことがで
き、加えて堆積膜形成の際の基体温度も一層の低温化を
図ることが可能になり、膜品質の安定した堆積膜を工業
的に大量に、しかも低コストで提供できる。

本発明の方法においては、堆積膜形成の原料となる窒素
含有化合物を活性化空間において活性化し、活性種を生
成せしめる。そして生成した活性種を活性化空間から成
膜空間へ導入し、成膜空間において堆積膜を形成するも
のである。

従って、該活性種の構成要素が、成膜空間で形成される
堆積膜を構成する成分を構成するものとなる。本発明の
方法においては、所望に従って活性種を適宜選択して使
用するものであシ、生産性及び取扱い易さなどの点から
２通常はその寿命が０．１秒以上のものを用いるが、よ
り好ましくは１秒以上、最適には１０秒以上のものを用
いるのが望ましい。

又１本発明の方法において用いる炭素とハロゲンを含む
化合物は、成膜空間に導入され、熱エネルギーの作用に
よプ励起されて、活性化空間から成膜空間へ同時に導入
される前述の活性種と化学的相互作用を起して、例えば
エネルギーを付与したシ、化学反応を起こしたりして、
堆積膜の形成を促す作用を系中で呈する。

従って、炭素とハロゲンを含む化合物の構成要素は、形
成される堆積膜の構成要素と同一であってもよく、また
異なっていてもよい。

本発明の方法において、成膜空間に導入する炭素とハロ
ゲンを含む化合物としては１例えば鎖状または環状炭化
水素の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原子で置換し
た化合物を用いることができ、具体的には１例えばＣｕ
ｙ２ｕ十、２　（ｕは１以上の整数、ＹはＦ、Ｃｔ、Ｂ
ｒ又は工である。・）で示される鎖状ハロケ゛ン化炭素
、ＣｖＹ２ｖ（ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有
する。）で示される環状ハロゲン化炭素、５１ｕＨｘＹ
ｙ（ｕ及びＹは前述の意味を有する。Ｘ＋Ｙ〜２ｕ又は
２ｕ＋２である。）で示される鎖状又は環状化合物など
が挙げられる。

具体的には１例えばＣＦ４＋　（ＣＦ２）５　＊　（Ｃ
Ｆ２）４　＊（ＣＦ２）４　＊　Ｃ２Ｆ６１　”ｓ’ａ
　ｔ　”ＨＦｓ　１　”Ｈ２Ｆ２１　ＣＣ２４１（ＣＣ
ｌ２）５、ＣＢｒ４．　（ｃｓｒ２）ｓ　、　Ｃ２ＣＬ
６．　Ｃ２ＣＬ５Ｆ、などの゛ガス状態の又は容易にガ
ス化し得るものが挙げられる。

また本発明の方法においては、前記炭素とハロゲンを含
む化合物に加えて、ケイ素とへロケ゛ンを含む化合物を
併用することができる。

このケイ素とハロゲンを含む化合物としては。

例えば鎖状または環状シラン化合物の水素原子の一部乃
至全部をハロゲン原子で置換した化合物を用いることが
でき、具体的には１例えば。

５１ｕｚ２ｕ＋２（ｕは１以上の整数、２はｐ’、ｃｚ
、ｓｒ及び工より選択される少なくとも一種の元素であ
る。）で示される鎖状ハロゲン化ケイ素、５ｉｖｚ２ｖ
（Ｖは３以上の整数、２は前述の意味を有する。）で示
される環状ハロゲン化ケイ素、　５ｉｕＨｘＺア（Ｕ及
び２は前述の意味を有する。ｘ＋ｙ〜２ｕ又は２ｕ＋２
である。）で示される鎖状又は環状化合物などが挙げら
れる。

具体的には２例えば８ｉＦ４　、　（ＳｉＦ２）ｓ　＊
　（ＳｉＦ２）４　。

（ＳｉＦ２）４．８１２Ｆ６．５ｉ５ＦＢｓＳｉＥＦ５
．８ｉＨ２Ｆ２．５ｉＣ１４゜（ｓｔｃｚ２）、、　Ｓ
ｉＢｒ４．　（ｓｉｓｒ２）ｓ、　ｓｉ□ｃｚ６．５ｉ
２Ｂｒ４゜ＢＩＨＣ１５，８１ＨＢｒ５．５ｉＨＩ３．
５ｉ２Ｃｔ５Ｆ５などのガス状態の又は容易にガス化し
得るものが挙げられる。

更に、前記炭素とハロゲンを含む化合物（及びケイ素と
ハロゲンを含む化合物）に加えて。

必要に応じてケイ素単体等他のケイ素含有化合物、水素
、ハロゲン化合物（例えばＦ２ガス＋ｃｔ２ガス、ガス
化したＢｒ２．Ｉ２等）などを併用することができる。

本発明の方法において、活性化空間で活性種を生成させ
るについては、各々の条件、装置を考慮してマイクロ波
、ＲＦ、低周波、ＤＣ等の電気エネルギー、ヒータ加熱
、赤外線加熱等による熱エネルギー、光エネルギーなど
の活性化エネルギーが使用できる。

本発明の方法で使用する活性種を生成する窒素含有化合
物は、活性化空間に導入される以前に既に気体状態とな
っているか、あるいは気体状態とされていることが好ま
しい。例えば液体状及び固体状の化合物を用いる場合、
化合物供給源に適宜の気化装置を接続して化合物を気化
してから成膜空間に導入することができる。

窒素含有化合物としては、窒素と窒素以外の原子の１種
又は２種以上とを構成原子とする化合物が挙げられる。

前記窒素以外の原子としては、水素（Ｈ）　、　ハロゲ
ン（Ｘ　＝　Ｆ　、　ＣＬ、　Ｂｒ又は工）。

イオウ（Ｓ）、炭素（Ｃ’）、酸素（０）、リン（Ｐ）
、ケイ素（Ｓり。

ゲルマニウム（Ｇｅ）、ホウ素（Ｂ）、アルカリ金属。

アルカリ土類金属、遷移金属等があシ、この他周期律表
各族に属する元素の原子のうち窒素と化合し得る原子で
あるならば使用することができる。

ミン、このアミンのハロゲン化物、ヒドロキシルアミン
等、ＮとＸを含む化合物としては、Ｎ５Ｘ。

Ｎ２Ｘ２．　ＮＸ、等、ＮＯＸ、　Ｎ０２Ｘ、　Ｎｏ、
Ｎ４等、ＮとＳを含む化合物としては＊　Ｎ４Ｓ４　＊
　Ｎ２”５等、ＮとＣを含む化合物としては、　ＨＣＮ
及びシアン化物。

ＨＯＣＮ及びこの塩、Ｈ８ＣＮ及びこの塩等、Ｎと０を
含む化合物としては＊　Ｎ２０＊　”　ｔ　Ｎ０２　＊
　Ｎ２Ｏ３＊Ｎ２Ｏ４、Ｎ２Ｏ５，Ｎｏ３等、ＮとＰを
含む化合物としては、Ｐ、Ｎ５．　Ｐ２Ｎ、　、　ＰＮ
等、この他に、トリエチルシラザン（Ｃ２Ｈ，）、５ｉ
ＮＨ２，ヘキサメチルジシラザンＣ（ＣＨｓ　）ｓ　Ｓ
ｌ　）　２ＮＨ１ヘキサエチルジシラザン（（Ｃ２Ｈ５
）３ＳＤ２ＮＨｈ等のオルガノシラザン、トリメチルシ
リコンイソシアナ−）　（ＣＨ３）３８１ＮＣＯ。

ジメチルシリコンジインシアナート（ＣＨ３）２５ｉ（
ＮＣＯ）２等のオルガノシリ；ンインシアナート、トリ
メチルシリコンインチオシアナ−）　（ＣＨ３）３Ｓｉ
ＮＣ３等のオルガノシリコンインチオシアナート等々が
挙げられるが１本発明で使用する窒素含有化合物は１本
発明の目的達成に適合するのであれば、これ等に必ずし
も限定される訳ではない。

これらの窒素含有化合物は、１種を使用しても、あるい
は２種以上を併用してもよい。

本発明の方法において、窒素含有化合物の他に、成膜の
ための原料として水素ガス、ノ・ロゲン化合物（例えば
Ｆ２ガス＊　　Ｃｔ２ガス、ガス化したＢｒ２．１２等
）、アルゴン、１ネオン等の不活性ガス、また堆積膜形
成用の原料としてケイ素含有化合物、炭素含有化合物、
ゲルマニウム含有化合物、酸素含有化合物などを活性化
空間に導入して用いることもできる。これら複数の原料
ガスを用いる場合には、予め混合して活性化空間内に導
入することもできるし、あるいはこれらの原料ガスを夫
々独立した供給源から各個別に供給し、活性化空間に導
入することもできるし、又、夫々独立の活性化空間に導
入して、夫々個別に活性化することもできる。

前記堆積膜形成用の原料となるケイ素含有化合物として
は、ケイ素に水素、ノーロゲンなどが結合したケイ素化
合物を用いることができる。

とりわけ鎖状及び環状のシラ／化合物、この鎖状及び線
状のシラン化合物の水素原子の一部又は全部をハロゲン
Ｌ子で置換した化合物などが好適である。

具体的には１例えばｈ　５ＩＨ４＊　”１２Ｈ４＊　Ｓ
”ＳＨＢ＋５１４Ｈ１０＋　８１５Ｈ１２＊　８１６Ｈ
１４等の８１ｐＨ２ｐ＋２（ｐは１以上好ましくは１〜
１５．より好ましくは１〜１０の整数である。）で示さ
れる直鎖状シラン化合物、　８１Ｈ５Ｓｉ１（（８１Ｈ
，）ＳｉＨい８１Ｈ，５ｉＨ（ＳｉＨ，）Ｓｉ、！（、
。

８１２Ｈ５８１Ｈ（８ｉＨ，）Ｓｉ□Ｈ５等の５ｉｐＨ
２ｐ＋ｐ（ｐは前述の意味を有する。）で示される分岐
を有する鎖状シラン化合物、これら直鎖状又は分岐を有
する鎖状のシラン化合物の水素原子の一部又は全部をハ
ロゲン原子で置換した化合物、　５ｉ３Ｈ，，５ｉ４Ｈ
，，８１５Ｈ，。＊　”１４Ｈ１２等の８１ｑＨ２，（
ｑは３以上、好ましくは６〜６の整数である。）゛で示
される環状シラン化合物、該環状シラン化合物の水素原
子の一部又は全部を他の環状シラニル基及び／又は鎖状
シラニル基で置換した化合物、上記例示したシラン化合
物の水素原子の一部又は全部をノ・ロゲン原子で置換し
た化合物の例として、　５ｉＨ５Ｆ。

８１Ｈ，ＣＬ　、　８１Ｈ３８ｒ　、　ＳｉＨ，１等の
５ｉｒＨ５Ｘｔ（Ｘは）−ロゲン原子、ｒは１以上、好
ましくは１〜１０゜よＶＨ”５１．＜ｄ５〜７０整数、
　ｓ＋ｔ、−２ｒ＋２又は２ｒである。）で示されるノ
・ロゲ／置換鎖状又は環状シラン化合物などである。こ
れらの化合物は、１種を使用してもあるいは２１１ｆ以
上を併用してもよい。

また、前記堆積膜形成用の原料となる炭素含有化合物と
しては、鎖状又は環状の飽和又は不飽和炭化水素化合物
、炭素と水素を主構成原子とし、この他ケイ素、ノ・ロ
ゲン、イオウ等の１種又は２株以上を構成原子とする有
機化合物。

炭化水素基を構成成分とする有機ケイ素化合物などのう
ち、気体状態のものか、容易に気化し得るものを用いる
のが好ましい。

このうち、炭化水素化合物としては１例えば、炭素数１
〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水
素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が用いられ
るが、具体的には。

飽和炭化水素としてはイタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２
Ｈ４）１プロパ７　（ＣｓＨｅ）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ
４ｆ（、ａ）＋ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）＋エチレン系炭
化水素としてはエチレン（Ｃ２Ｈ４）　＊　プロピレン
（０３Ｈ４）　ｔブテン−１（Ｃ４Ｈ８）ｒブテン−２
（ＣｎＨａ　）　＊イソブチレン（Ｃ４Ｈ８）　ｔはシ
ラン（Ｃ５Ｈ，。）、アセチレン系炭化水素としてはア
セチレン（Ｃ２Ｈ２）１メチルアセチレｙ（Ｃ，Ｈ４）
、ブチン（Ｃ４Ｈ４）等が挙げられる。

また、有機ケイ素化合物としてはｔ　（ＣＨ３）４Ｓｉ
。

ＣＨ３５ｉＣ２５、（ＣＨ３）２８１Ｃ１２、（ＣＨ３
）５ＳｉＣ６，Ｃ２Ｈ５５ｉＣｔ５等のオルガノクロル
シラン、　ＣＨ，５ｉＦ２Ｃｔ。

ｃＨ５ｓｔＦｃｚ２．　（ｃＨ，）２ｓｉＦｃｚ、　ｃ
２ａ、５ｔＦ２ｃｔ、　ｃ２Ｈ５ｓ１ｖｃｔ２゜Ｃ，Ｈ
，５ｉＦ２Ｃｔ、　Ｃ３Ｈ，５ｉＦＣｔ２等のオルガノ
クロルフルオルシラン＊　（（ＣＨ５ｒ３Ｓ１：］　２
　、〔（Ｃ５Ｈア）５Ｓｉ）２等のオルガノジシランな
どを用いるのが好ましい。

これらの炭素含有化合物は、１株を用いてもあるいは２
種以上を併用してもよい。

また、前記堆積膜形成用の原料となるゲルマニウム含有
化合物としては、ゲルマニウムに水素、ハロゲンあるい
は炭化水素基などが結合した無機乃至は有機のケ゛ルマ
ニウム化合物を用いることができ１例えばＧ８ａＨｂ（
ａは１以上の整数、　ｂ　−２ａ　＋　２又は２ａであ
る。）で示される鎖状乃至は環状水素化ゲルマニウム、
この水素化ケ゛ルマニウムの重合体、前記水素化ゲルマ
ニウムの水素原子の一部乃至は全部をハロゲン原子で置
換した化合物、前記水素化ゲルマニウムの水素原子の一
部乃至は全部を例えばアルキル基。

アリール基などの有機基及び所望によジハロゲン原子で
置換した化合物等の有機ゲルマニウム化合物、その他ゲ
ルマニウムの硫化物、イミド等を挙げることができる。

具体的には１例えばＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ４、Ｇｅ３Ｈ６
、ｎ−Ｇａ４Ｈ，ｏ、　ｔｅｒｔ−Ｇｅ４Ｈ１ｏ、　Ｃ
ｋｅ５Ｈ６、Ｇａ５Ｈ，。、　ＧｅＨ，Ｆ　。

ＧｅＨ５Ｃｔ、　ＧｅＨ２Ｆ２　、　Ｈ６Ｇ３６Ｆ６．
　Ｇｅ（ＣＨ，）４．　Ｇｅ（Ｃ２Ｈ３）４ｈＧｅ（Ｃ
６Ｈ５）４．　Ｃ８（ＣＨ，）２Ｆ２．　ＧｅＦ２．　
ＧｅＦ４　、　Ｇａ８等が挙けられる。これらのゲルマ
ニウム含有化合物は１種を用いてもあるいは２ａｌ１以
上を併用してもよい。

更に、酸素化合物としては１０２＆０３１並びに酸素と
酸素以外の原子の１種又は２種以上とを構成原子とする
化合物が挙げられる。前記酸素以外の原子としては、水
素（旬、ハロゲン（Ｘ−Ｆ、Ｃｔ、Ｂｒ又は工）、イオ
ウ（Ｓ）、炭素（Ｃ）１　ケイ素（ｓｉ）　、ゲルマニ
ウム（（）ｏ）、　　リン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）。

アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属等があシ、
この他周期律表各族に属する元素の原子のうち酸素と化
合し得る原子であるならば使用することが可能である。

因みに１例えばＯとＨを含む化合物としては。

Ｈ２０等、ＯとＳを含む化合物としては＋５ｏ２ｓＳＯ
３等の酸化物類、ＯとＣを含む化合物としては、Ｃｏ、
Ｃｏ２等の酸化物等、０と８１を含む化合物としては、
ジシロキサン（Ｈ５ＳｉＯ８ｉＨ５）、　　）ジシロキ
サン（Ｈ，５１０８１Ｈ２０ＳｉＨ５）等のシロキサン
類、ジアセトキシジメチルシラン（ＣＨ３）２５ｉ（Ｏ
ＣＯＣＨ３）２　。

トリアセトキシメチルシランｃＨ３ｓｉ（ｏｃｏｃＨ５
）、等のオルガノアセトキシシラン類、メトキシトリメ
チルシラン（ＣＨ，）３ＳｉＯＣＨ３，ジメトキシジメ
チルシラン（ＣＨｓ）２ｓｉ（ＯＣＨｇ）ｚ　＋　トリ
メトキシメチルシランＣＨ，５ｉ（ＯＣＲ，）、等のア
ルキルアルコキシシラン類、トリメチルシラノール（Ｃ
Ｈ，）、８１０Ｈ、ジメチルフェニルシラノール（ＣＨ
３）２（Ｃ６Ｈ，）８１０Ｈ，ジエチルシランジオール
（ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ（ＯＨ）ｚ等のオルガノシラノール
類１等、０とＧｅを含む化合物としては、　Ｇｅの酸化
物類、水酸化物類、ゲルマニウム酸類、　Ｈ５Ｇｅ（Ｘ
）ＣＨ５、Ｈ３ＧｅＯＧｅＨ２０ＧｅＨ３等の有機ゲル
マニウム化合物が挙げられるが１本発明の方法′で使用
する酸素含有化合物は１本発明の目的達成に適合するも
のであれば、これ等に限定されることはない。

これ等の他に、場合によってはＮ２ガスを使用すること
もできる。

本発明の方法において、成膜空間に導入される。炭素と
ハロゲンを含む化合物の量と、前記活性種の量との割合
は、成膜条件１活性種の種類などで適宜所望に従って決
めるが、好オしくは１０：１〜１：１０（導入流量比）
とするのが適当であ＃）、より好ましくは８：２〜４：
６とするのが望ましい。

また本発明の方法により形成される堆積膜は。

成膜中又は成膜後に不純物元素でドーピングすることが
可能である。使用する不純物元素としては、ｐ型不純物
として１周期律表第ｔｎ族Ａの元素５例えばＢ　、　Ａ
ｌ、　（）ａ、　Ｉｎ、　Ｔｔ等が好適なものとして挙
けられ、ｎ型不純物としては１周期律表第Ｖ族Ａの元素
１例エバｐ　、　Ａｓ、　Ｓｂｔ　Ｂｉ等が好適なもの
として挙げられるが１％にＢ、Ｇａ。

ｐ、ｓｂ等が最適である。ドーピングする不純物の童は
、所望の電気的・光学的特性に応じて適宜決定する。

かかる不純物元素を成分として含む物質（不純物導入用
物質）としては、常温常圧でガス状態であるから、ある
いは少なくとも堆積膜形成条件下で気体でメツ、適宜の
気化装置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好ま
しい。この様な化合物としては＋　ＰＨ５＊　Ｆ２”４
　＊　ＰＦ：　ｈ　ＰＦ５　＊ＰＣｌ５　、　ＡｓＨ３
、ＡｓＦ３　、　ＡｓＦ５　、　ＡｓＣｌ２　、　Ｅ３
ｂＨ５，８ｂＦ５゜５１Ｈ５＊　Ｂ’５　＊　ＢＣｌ３
　＊　ＢＢ”５　ｔ　Ｂ２’４　＊　Ｂ４ＨＩＯ＋　Ｂ
５”？　ｒＢ５Ｈ１ｊ　＆　Ｂ４”１゜ｓ　Ｂ４Ｈ１２
、ＡＩＣＬ、等を挙げることができる。不純物元素を含
む化合物は、１ｍを用いてもあるいは２８１以上を併用
してもよい。

これ等の不純物導入用物質は、ガス状態で直接にか、又
は、前述の炭素とノ・ロゲンを含む化合物（あるいは更
にケイ素とハロゲンを含む化合物）と混合して成膜空間
に導入してもよく。

あるいはまた、活性化空間で活性化した後に成膜空間に
導入することもできる。

不純物導入用物質を活性化するについては。

活性種を生成する前述の活性化エネルギーを適宜選択し
て採用することができる。不純物導入用物質を活性化し
て生成される活性種は前述の活性種と予め混合してか、
又は、単独で成膜空間に導入する。

次に、本発明の方法の内容を、具体例として電子写真用
像形成部材及び半導体ディバイスの典型的な場合をもっ
て説明する。

第１図は本発明の方法によって得られる典型的な電子写
真用像形成部材としての光導電部材の構成例を説明する
ための模式図である。

第１図に示す光導電部材１０は、電子写真用像形成部材
として適用し得るものであって、光導電部材用としての
支持体１１の上に、必要に応じて設けられる中間層１２
．及び感光層１３で構成される層構成を有している。

光導電部材１０の製造忙あたっては、中間層１２又は／
及び感光層１３を本発明の方法によって作成することが
できる。更に１元導電部材１ｏが。

感光層１３０表面を化学的、物理的に保護するために設
けられる保護層、或いは電気的耐圧力を向上させる目的
で設けられる下部障壁層又は／及び上部障壁層を有する
場合には、これ等の層を本発明の方法により作成するこ
ともできる。

支持体１１としては、導電性のものであっても、また電
気絶縁性であってもよい、導電性支持体としては１例え
ば、　ＮｉＣｒ、ステンレス、ＪＣｒ、Ｍｅ、Ａｕ、　
Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ　、　Ｔｉ、　Ｐｔ　、　
Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては１例えば、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテート
、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリスチレン。

ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシート。

ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これらの電気
絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を
導電処理し、該導電処理された表面側に他の層を設ける
のが望ましい。

例えばガラスであれば、その表面をＮｉＣｒ、　ｌｄｌ
、。

Ｃｒ、’Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ
　、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄｊｎ２０３゜５ｎ０２．　
　ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ５＋　ＳｎＯ□）等の薄膜を設ける
こと忙よって導電処理し、あるいはポリエステルフィル
ム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａｌ、　
　Ａｇ、Ｐｂ　　、　　Ｚｎ、　　Ｎｉ、　　Ａｕ、　
　Ｃｒ、Ｍｏ、　　Ｉｒ、　　Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、
スパッタリング等の処理し、又は前記金属でラミネート
処理して、その表面を導電処理する。支持体の形状は１
円筒状、（ルト状、板状等、任意の形状とすることがで
きる。用途、所望によって、その形状は適宜に決めるこ
とのできるものであるが１例えば、第１図の光導電部材
１０を電子写真用像形成部材として使用するのであれば
、連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状と
するのが望ましい。

中間層１２は１例えば支持体１１の側から感光層１３中
へのキャリアの流入を効果的に阻止し、且つ、を磁波の
照射によって感光層１３中に生じ、支持体１１の側に向
って移動するフォトキャリアの感光層１３の側から支持
体１１の側への通過を容易に許す機能を有する。

この中間層１２は１例えば１本発明の方法で作成するの
であれば、シリコン原子、窒Ｘ原子、炭素原子、必要に
応じて酸素原子（０）、水素（Ｈ）及び／又はハロケ゛
ン００．並びに窒素（Ｎ）を構成原子として含む非晶質
材料〔以下、　　ｒａ−８ｉＮＣ（０，Ｈ，Ｘ）Ｊと記
す。〕で構成されると共に、場合によっては６電気伝導
性を支配する物質として１例えばホウ素（Ｂ）等のｐ型
不純物あるいは、リン（Ｐ）等のｎＷ不純物を含有して
いる。又、膜の機能性の拡大を図る目的で、ゲルマニウ
ム原子を含有せしめることもできる。

本発明の方法に於て、中間層１２中に含有せしめるＢ、
Ｐ等の伝導性を支配する物質の量は。

好適には、　　Ｉ　Ｘ　１０−５〜５Ｘ１０’　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適には０．５〜Ｉ　Ｘ　１０’
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には１〜５　Ｘ　１０
’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするのが望ましい。

中間層１２の構成成分と感光層１３の構成成分とが類似
、或いは同じである場合には、中間層１２の形成に続け
て、感光層１３の形成まで連続的に行なうことができる
。その場合には。

中間層形成用の原料として、炭素とハロゲンを含む化合
物およびケイ素とハロゲンを含む化合物と、成膜用の窒
素含有化合物より生成される活性種と、必要に応じて水
素、ハロゲン含有化合物、不活性ガス、ケイ素含有化合
物、炭素含有化合物、ゲルマニウム含有化合物、酸素含
有化合物及び不純物元素を成分として含む化合物のガス
等を活性化することにより生成される活性種とを、夫々
別々に或いは適宜必要に応じて混合して支持体１１の設
置しである成膜空間に導入し、導入された前記炭素とハ
ロゲンを含む化合物と前記活性種の共存雰囲気に熱エネ
ルギーを作用せしめることにより、前記支持体１１上に
中間層１２を形成せしめる。

中間層１２の層厚は、好ましくは、３Ｘ１０−５〜１０
μ、より好適には４Ｘ１０−５〜８μ、最適には５Ｘ１
０’−’〜５μとするのが望ましい。

′感光層１６は１例えばシリコン原子を母体とし、水素
原子又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする非
晶質材料〔以下、　ｒａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）」と記す。〕
で構成され、レーザー光の照射によってフォトキャリア
を発生する電荷発生機能と。

該電荷を輸送する電荷輸送機能の両機能を有する。

感光層１５の層厚は、好ましくは、１〜１００μ、より
好適には１〜８０μ、最適には２〜５０μとするのが望
ましい。

感光層１３は、ノンドープのａ　−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成されるが、所望により中間層１２に含有される伝導特
性を支配する物質の極性とは別の極性（例えばｎ型）の
伝導特性を支配する物質を含有せしめてもよいし、ある
いは、中間層１２に含有される伝導特性を支配する物質
の実際の量が多い場合には、該量よりも一段と少ない量
にして同極性の伝導特性を支配する物質を含有せしめて
もよい。

感光層１３を本発明の方法によって形成するについては
、中間層１２の場合と同様にして行なわれる。即ち、炭
素とハロゲンを含む化合物およ゛びケイ素とハロゲンを
含む化合物と、成膜用の前記窒素含有化合物より生成さ
れる活性種と、必要に応じて不活性ガス、不純物元素を
成分として含む化合物のガス等とを、支持体１１の設置
しである成膜空間に導入し、これらに熱エネルギーを作
用させ、支持体１１上に形成された中間層１２の上に感
光層１３を形成する。

第２図は１本発明の方法により得られる不純物元素でド
ーピングされた堆積膜を利用したＰＩＮ型ダイオード・
ディバイスの典型例を示した模式図である。

図中、２１は基体、２２及び２７は薄膜電極。

２３は半導体膜であり１　　ｎｆｉの半導体層２４゜１
型の半導体層２５．ｐ型の半導体層２６によって構成さ
れる。半導体層２４，２５．２６のいずれか一層乃至全
部の層を本発明の方法により形成することができるが、
殊に半導体層２６を本発明の方法で作成することにより
、その変換効率を高めることができる。本発明の方法で
半導体層２６を作成する場合には、半導体層２６゛は１
例えば、シリコン原子と窒素原子と炭素原子と、水素原
子又は／及びハロゲン原子とを構成原子とする非晶質材
料〔以下、　Ｉ−ａ　−５ｉＮＣ（Ｈ。

Ｘ）Ｊと記す。〕で構成することができる。２８は外部
電気回路装置と結合される導線である。

基体２１としては導電性のもの、半導電性のもの、ある
いは電気絶縁性のものを用いることができる。基体２１
が導電性である場合には。

薄膜電極２２は省略しても差支えない。半導電性基板と
しては、例えば、　Ｓｉ、　Ｇｅ、　ＧａＡｓ、　Ｚｎ
Ｏ。

Ｚｎ８等の半導体が挙けられる。薄膜電極２２゜２７は
例えば、　ＮｉＣｒ、　ＡＬＩＣｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、
　Ｉｒ、　Ｎｂ。

Ｔａ、　Ｖ　、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ、　Ｉｎ２Ｏ３
，ＳｎＯ２，ｒ’ｒｏ（工ｎ２ｏ。

＋　８ｎ０２　）等の薄膜を、真空蒸着、電子ビーム蒸
着、スパッタリング等の処理で基体２１上に設けること
によって得られる。電極２２．２７の膜厚は、好ましく
は３０〜５Ｘ１０’＾、よ如好ましくは１０２〜５　Ｘ
　１０５又とするのが望ましい。

半導体層を構成する膜体を必要に応じてｎ型又はｐ型と
するには１層形成の際に、不純物元素のうちｎ型不純物
又はｐ型不純物、あるいは両不純物を形成される層中に
その量を制御し乍らドーピングすることによって形成す
る。

ｎ型、１型及びｐ型の半導体層を形成する場合、何れか
１つの層乃至は全部の層を本発明の方法により形成する
ことができる。即ち、炭素とハロゲンを含む化合物およ
びケイ素とハロゲンを含む化合物を成膜空間に導入する
。また。

これとは別に、活性化空間に導入された成膜用の化学物
質と、必要に応じて不活性ガス及び不純物元素を成分と
しで含む化合物のガス等を。

夫々活性化エネルギーによって励起し分解して、夫々の
活性種を生成し、夫々を別々にまたは適宜に混合して基
体２１の設置しである成膜空間に導入する。これら活性
種及び前記炭素とノ１０ゲンを含む化合物の共存雰囲気
に熱エネルギーを作用させて形成すればよい。ｎ型およ
びｐｍが望ましい。

また、ｉ型の半導体層の層厚は、好ましくはｓ　ｘ　ｔ
　ｏ３〜１０４＾、より好ましくは１０３〜１０４＾の
範囲とするのが望ましい。

〔実施例〕

以下に１本発明を実施例に従ってより詳細に説明するが
２本発明はこれ等によって限定されるものではない。

実施例　１ 第３図に示した装置を用い、以下の如き操作によってア
モルファス堆積膜を形成した。

第３図において、１０１は成膜室であシ、内部の基体支
持台１０２上に所望の基体１０３を載置する。

１０４は基体加熱用のヒーターであ）、導線１０５を介
して給電し発熱せしめる。基体温度は特に制限されない
が１本発明の方法を実施するにあたっては、好ましくは
３０〜４５０℃、より好ましくは５０〜３５０℃である
ことが望ましい。

１０６乃至１０９は、ガス供給源であシ、窒素化合物、
及び必要に応じて用いられる水素２・為ロゲン化合物、
不活性ガス、ケイ素含有化合物。

炭素含有化合物、ゲルマニウム含有化合物、酸素含有化
合物、不純物元素を成分とする化合物等の数に応じて設
けられる。原料化合物のうち標準状態において液状のも
のを使用する場合には、適宜の気化装置を具備せしめる
。図中ガス供給源１０６乃至１０９の符号にａを付した
のは分岐管、ｂを付したのは流量計、Ｃを付したのは各
流量計の高圧側の圧力を計測する圧力計、ｄ又はｅを付
したのは各気体流量を調整するだめのパルプである。１
２３は活性種を生成する為の活性化室であり、活性化室
１２３の周シには活性種を生成させる為の活性エネルギ
ーを発生するマイクロ波プラズマ発生装置１２２を設け
る。ガス導入管１１０より供給される活性種生成用の原
料ガスは活性化室内において活性化され、生じた活性種
を導入管１２４を通じて成膜室１０１内に導入する。１
１１はガス圧力計である。図中１１２は炭素とハロケ゛
ンを含む化合物供給源であり。

１１２の符号に付したａ乃至ｅは、前述の１０６乃至１
０９の符号に付したものと同様のものを示している。

炭素とハロゲンを含む化合物は導入管１１３を介して成
膜室１０１内に導入する。

１１７は熱エネノシギー発生装置であって１例えば通常
の電気炉、高周波加熱装置、各種発熱体等を用いること
ができる。

熱エネルギー発生装置１１７からの熱は、矢印１１６、
１１９の向きに流れている炭素とノーロゲンを含む化合
物及び活性雅に作用し１作用された炭素とハロゲンを含
む化合物及び活性種が相互的に化学反応することによっ
て基体１０３の全体あるいは所望部分に窒素含有アモル
ファス堆積膜を形成せしめる。また１図中、１２０は排
気パルプ、１２１は排気管である。

先−ｒ、ｚリエチレンテレフタレートフイルム製の基体
１０３を支持台１０２上に載置し、排気装置（不図示）
を用いて成膜室１０１内を排気し。

約１０”　Ｔｏｒｒに減圧した。第１表に示した基体温
度で、ガス供給用ボンベ１０６よ）トリエチルシラザン
のガス化されたものをガス導入管１１０を介して活性化
空間１２５に導入した。

活性化室１２３内に導入されたトリエチルシラザン等を
マイクロ波プラズマ発生装置１２２により活性化して活
性化トリエチルシラザンとし。

導入管１２４を通じて、該活性化トリエチルシラザン等
を成膜室１０１に導入した。

また他方、供給源１１２より、　　ＣＦ４ガスを導入管
１１３を経て、成膜室１０１へ導入した。

成膜室１旧内の気圧をｃＬ３　Ｔｏｒｒに保ちつつ熱エ
ネルギー発生装置により成膜室１０１内を２００℃に保
持して、　ａ　−８１ＮＣ（Ｈ，Ｘ）膜（膜厚７００λ
）を形成した。成膜速度は２７λ／５ＩＩｃであった。

次いで、得られたａ　−８１ＮＣ（Ｈ、ｘ）で形成され
た試料を蒸着槽に入れ、真空度ｊ　Ｑ−５Ｔｏｒｒでク
シ型のＭギャップ電極（長さ２５０μ、巾５１Ｌｉ）を
形成した後、印加電圧１０Ｖで暗電流を測定し、暗導電
率σｄを求めて、該試料の膜特性を評価した。結果を第
１表に示した。

実施例　２ ガス供給ボ／（１０６等からのトリエチルシラザンガス
の代りＩｃ　（Ｃ２Ｈ５）、５ｉＮＨ２／Ｈ２／Ｆ２混
合ガス（混合比（Ｃ２Ｈ，）、８ｉＮＨ２／Ｈ２／Ｆ’
２−８　：　８　：　１　）を用いた以外は、実施例１
と同様の方法と手順に従ってａ　−８ｉＮＣ（Ｈ，Ｘ）
膜を形成した。該試料に就いて暗導電率を測定し、その
結果を第１表に示Ｌ″°　　　　　　　　第　　　１　
　　表第１表から１本発明の方法によると低い基板温度
でも電気特性に優れたアモルファス堆積膜が得られるこ
とがわかった。

実施例　３ 第４図に示す装置を使い、以下の如き操作によって第１
図に示した如き膜構成のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した。

第４図において、２０１は成膜室、２０２は炭素とハロ
ケ゛ンを含む化合物供給源、２０６は導入管。

２０７はモーター、２０８は加熱ヒーター、２０９゜２
１０は吹き出し管、２１１はＭシリンダー、２１２は排
気パルプを示している。また、２１６乃至２１６は第３
図中１０６乃至１０９と同様の原料ガス供給源であ！Ｄ
、２１７はガス導入管である。

成膜室２０１にＭシリンダー基体２１１をつ如下げ、そ
の内側に加熱ヒーター２０８を備え、モーター２０７に
より回転できる様にする。２１８は熱エネルギー発生装
置であって１例えば通常の電気炉、高周波加熱装置、各
種発熱体等を用いることができる。

まず、供給源２０２からＣＦ４ガスを導入管２０６を経
て、成膜室２０１へ導入した。

又、供給源２０２とは別の供給源（不図示）より、同様
にして８１Ｆ４ガスを導入管（不図示）を介して成膜Ｎ
２０１に導入した。

一方、導入管２１７−１よりトリエチルジシラザンのガ
ス化したものを活性化室２１９内に導入した。導入され
たトリエチルジシラザンガスに。

活性化室２１９に於いてマイクロ波プラズマ発生装［２
２０によりプラズマ化等の活性化処理を施して活性化ト
リエチルジシラザンとし、該活性化トリエチルジシラザ
ンを導入管２１７−２を通じて成膜室２０１内に導入し
た。この際、必要に応じてＰＨ５，８２Ｈ６等の不純物
ガスも活性化室２１９内に導入して活性化した。

Ｍシリンダー２１１はヒーター２０８により２２０℃に
加熱、保持しつつ１回転させ、排ガスは排気パルプ２１
２の開口を適宜に調整して排気した。

このようにして形成した中間層１２の膜厚は２０００Ａ
であった。

また、感光層１６を本発明の方法によ多形成するについ
ては中間層１２の形成に使用したガスのうち、　　ＣＦ
４ガスは使用せず、又、トリエチルジシラザンの代りに
Ｈ２ガスを使用し、導入管２１７−１よりＨ２／　８２
Ｈ６（容′ｊｔチでＢ　２Ｈ６ガスがＱ、２チ）の混合
ガスを導入した以外は、中間層１２の場合と同様にして
成膜した。

比較例　１ ＣＦ４ガス、　ＳｉＨ４ガス、トリエチルジシラザンガ
ス、Ｈ２ガス及びＢ２Ｈ６ガスの各ガスを使用して成膜
室２０１と同様の構成の成膜室を用意して１五５６ＭＨ
２の高周波装置を備え、第１図に示す層構成の電子写真
用像形成部材を形成した。

実施例３及び比較例１で得られたドラム状の電子写真用
像形成部材の製造条件と性能を第２表に示した。

第　　　２　　　表 第　２　　表（続き） 実施例　４ 第３図の装置を用いて、第２図に示したＰＩＮ型ダイオ
ードを作製した。

まず、１ｏｏｏｉのＩＴＯ膜２２を蒸着したポリエチレ
ンテレフタレートフィルム２１を支持台に載置し、　　
１０　　Ｔｏｒｒに減圧した後、実施例３と同様にして
、供給源１１２よ、９　ＳｉＦ４ガスを成膜室１０１に
導入した。又、Ｈ２ガス、ＰＨ，ガス（１０００ｐｐｍ
水素ガス稀釈）の夫々を活性化室１２３に導入して活性
化した。次いでこの活性化されたガスを導入管１２４を
介して成膜室１０１内に導入し丸。成膜室１０１内の圧
力を０．１　Ｔｏｒｒ　、基体の温度を２２０℃に保ち
なからＰでドーピングされたｎ型ａ　−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ
）膜２４（膜厚７００λ）を形成した。

次いでＰＨ５ガスの導入を停止し、　８１Ｆ、に加えて
ＣＦ４ガスを導入した以外はｎ型ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）膜
の場合と同様の方法でノンドープａ　−５ｉＣ（Ｈ，Ｘ
）膜２５（膜厚５０００＾）を形成した。

次いで、　Ｈ２／　ＰＨ５ガスの代りに（Ｃ２Ｈ５）５
ＳＩＮＨ２／Ｈ２ガス（混合比１：１０）と共に８２Ｈ
６ガス（１０００ｐｐｍ水素ガス稀釈）を使用し、それ
以外はｎｆｉと同じ条件でＢでドーピングされたｐ　１
１　ａ−８ｉＮＣ（Ｈ，Ｘ）膜２６（膜厚７００＾）を
形成した。更に。

このｐ型膜上に真空蒸着により膜厚１０００＾のＭ電極
２７を形成し、　ＰＩＮ型ダイオードを得た。

かくして得られたダイオード素子（面積１Ｊ）のＩ−Ｖ
特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評価した。

結果を第３表に示した。

又、光照射特性においても基体側から光を導入し、光照
射強度ＡＭＩ　（約１００　ｒｎＷ／ａｒｔ２）で、変
換効率ａ２％以上、開放端電圧０Ｌ９５Ｖ、短絡電流９
．７　ｍＡ／ｃＩｒＬ２が得られた。

実施例　５ 導入管１１０から、（Ｃ２Ｈ，）３８１ＮＨ２／　Ｈ２
ガスの代シに、　　（Ｃ２Ｈ５）、８１ＮＨ２／Ｈ２／
Ｆ２ガスＣ（Ｃ２Ｈｓ）３ｓ１Ｎｎ２／Ｈ２／Ｆ２−１
：１５：２〕を用いた以外は、実施例４と同様にして実
施例４で作成したのと同様のｐｒＮ型ダイオードを作製
した。この試料に就いて整流特性及び光起電力効果を評
価し、その結果を第３表に示した。

第　　　６　　　表 ＄１　　電圧１ｖでの順方向電流と逆方向電流の比傘２
ｐ−ｎ接合の電流式Ｊ−Ｊａ　（ｅｘｐ（”’　）−１
）ＲＴ に於けるｎ値（Ｑｕａｌｉｉｙ　Ｆａｃｉｏｒ）〔発明
の効果の概略〕 本発明の堆積膜形成法によれば、形成される膜に所望さ
れる電気的、光学的、光導電的及び機械的特性が向上し
、しかも高速成膜が可能となる。また、成膜における再
現性が向上し、膜品質の向上と膜質の均一化が可能にな
ると共に。

膜の大面積化に有利であシ、膜の生産性の向上並びに量
産化を容易に達成することができる。

更に°、励起エネルギーとして比較的低い熱エネルギー
を用いることができるので１例えば耐熱性に乏しい、プ
ラズマエツチングの影響を受は易い基体上にも成膜でき
る。低温処理によって工程の短縮化を図れるといった効
果が発揮される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法を用いて製造される電子写真用像
形成部材の構成例を説明するための模式図である。 第２図は本発明の方法を用いて製造されるＰＩＮ凰ダイ
オードの構成例を説明するための模式図である。 第３図及び第４図はそれぞれ実施例で用いた本発明の方
法を実施するための装置の構成を説明するための模式図
である。 １０・・・電子写真用像形成部材、１１・・・支持体。 １２・・・中間層、１３・・・感光層、２１・・・基体
、２２゜２７・・・薄膜電極、２４・・・ｎ型半導体層
、２５・・・１塁半導体層、２６・・・ｐ凰半導体層、
１０１．２０１・・・成ｇ室、１１２，２０２・・・炭
素とへロケ゛ンを含む化合物供給源、１２３，２１９・
・・活性化室、１０６゜１０７．１０８，１０９，２１
３．２１＋、２１５，２１６・・・ガス供給源、１０３
．２１１・・・基体、１１７，２１８・・・熱エネルギ
ー発生装置、１０２・・・基体支持台。 １０４　、２０８・・・基体加熱用ヒーター、１０５・
・・導線。 １１０．１１３，１２４，２０６．２１７−１　．２１
７−２−・・導入管、１１１・・・圧力針、１２０，２
１２・・・排気パルプ、１２１・・・排気管、１２２，
２２０・・・活性化エネルギー発生装置、２０９，２１
０・・・吹き出し管。 ２０７・・・モーター。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内に、炭素とハ
   ロゲンを含む化合物と、該化合物と化学的相互作用をす
   る、成膜用の窒素含有化合物より生成される活性種とを
   夫々導入し、これらに熱エネルギーを作用させて化学反
   応させることによつて、前記基体上に堆積膜を形成する
   ことを特徴とする堆積膜形成法。