JPS61229378A - アモルフアス半導体装置 - Google Patents
アモルフアス半導体装置Info
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- JPS61229378A JPS61229378A JP60071618A JP7161885A JPS61229378A JP S61229378 A JPS61229378 A JP S61229378A JP 60071618 A JP60071618 A JP 60071618A JP 7161885 A JP7161885 A JP 7161885A JP S61229378 A JPS61229378 A JP S61229378A
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- Japan
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- amorphous semiconductor
- semiconductor device
- electrode
- amorphous
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- Pending
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- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
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- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｒ産業上の利用分野〕
本発明はアモルファス半導体装置の構造忙関する。
本発明は絶縁基板に対して垂直にアモルファス半導体を
形成し几構造となすこと１ｆｒ％微とし几半導体装置。
形成し几構造となすこと１ｆｒ％微とし几半導体装置。
従来、アそル７アス半導体装置は、第１図に示すごとく
、絶縁基板に対しアモルファスシリコン等のアモルファ
ス半導体を水平に形成することを通例としていた。
、絶縁基板に対しアモルファスシリコン等のアモルファ
ス半導体を水平に形成することを通例としていた。
すなわち、第２図ではシリコン基板１上忙シリコン酸化
ｌＩ２が形成され、該シリコン酸化膜２上にアモルファ
ス半導体３が形成され、！！面補護膜４を介して電極５
，６ｂ’−形成され成ってぃ几。
ｌＩ２が形成され、該シリコン酸化膜２上にアモルファ
ス半導体３が形成され、！！面補護膜４を介して電極５
，６ｂ’−形成され成ってぃ几。
これらアモルファス半導体装置は、電極間にパルス電圧
を印加してアモルファス状態と結晶状態とをスイッチさ
せて、電気的導通をオン、オフさせて用いる等している
。
を印加してアモルファス状態と結晶状態とをスイッチさ
せて、電気的導通をオン、オフさせて用いる等している
。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、上
記従来技術では、絶縁基板に対してアモルファス半導体
膜つｔいわゆる横型忙形成されるため、集積回路に用い
る場合に高集積化できないという欠点があっ友。
記従来技術では、絶縁基板に対してアモルファス半導体
膜つｔいわゆる横型忙形成されるため、集積回路に用い
る場合に高集積化できないという欠点があっ友。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくシ、いわゆる縦型
アモルファス半導体装置を実現し、集積回路の高集積化
を計ることを目的とする。
アモルファス半導体装置を実現し、集積回路の高集積化
を計ることを目的とする。
本発明のアモルファス半導体装置において、絶縁体上に
は第１の電極が形成され、該第１の電極上には絶縁ｓｈ
−形成され、該絶縁膜には前記第１の電極に達する小孔
が穿かれ、少くとも該小孔塩めてアモルファス半導体が
形成され、該アモルファス半導体の表面は第２の電極と
連って成ることを特徴とする。
は第１の電極が形成され、該第１の電極上には絶縁ｓｈ
−形成され、該絶縁膜には前記第１の電極に達する小孔
が穿かれ、少くとも該小孔塩めてアモルファス半導体が
形成され、該アモルファス半導体の表面は第２の電極と
連って成ることを特徴とする。
本発明の上記構成によれば、いわゆる縦型アモルファス
半導体装置が構成でき、集積回路に用い几場合に高集積
化が可能となる。
半導体装置が構成でき、集積回路に用い几場合に高集積
化が可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示すアモルファス半導体装
置のｌ［ｖＡである。
置のｌ［ｖＡである。
すなわち、シリコン基板１１上にシリコン酸１２が形成
され、蚊シリコン酸化ＪＩ１１２上には第１の電極１３
が形成され、該第１の電極１３上にけ絶縁膜１４が形成
され、該絶縁膜１４には前記第１の電極１３に達する小
孔が穿かれ、少くとも該小孔を埋めてアモルファスシリ
コン等のアモルファス半導体１５が形成され、該アモル
ファス半導体１５０表面は第２の電極１６と連って成る
ものである。
され、蚊シリコン酸化ＪＩ１１２上には第１の電極１３
が形成され、該第１の電極１３上にけ絶縁膜１４が形成
され、該絶縁膜１４には前記第１の電極１３に達する小
孔が穿かれ、少くとも該小孔を埋めてアモルファスシリ
コン等のアモルファス半導体１５が形成され、該アモル
ファス半導体１５０表面は第２の電極１６と連って成る
ものである。
以上述べ比ように発明によれば、いわゆる横型アモルフ
ァス半導体装置を縦型アモルファス半導体装置となすこ
とにより、アモルファス半導体装置を集積回路装置く応
用する場合Ｋ、集積回路装置を高集積化できる効果があ
る。
ァス半導体装置を縦型アモルファス半導体装置となすこ
とにより、アモルファス半導体装置を集積回路装置く応
用する場合Ｋ、集積回路装置を高集積化できる効果があ
る。
第２図は従来技術によるアモルファス半導体装置の断面
図。第１図は本発明によるアモルファス半導体装置の断
面図である。 １．１１・・・・・・シリコン基板 ２．１２・・・・・・シリコン酸化膜 ３．１５・・・・・・アモルファス半導体４．１４・・
・・・・絶縁膜 ５、６．１３．１６・・・・・・電極 以 上 出厘人 株式会社 諏訪精工台
図。第１図は本発明によるアモルファス半導体装置の断
面図である。 １．１１・・・・・・シリコン基板 ２．１２・・・・・・シリコン酸化膜 ３．１５・・・・・・アモルファス半導体４．１４・・
・・・・絶縁膜 ５、６．１３．１６・・・・・・電極 以 上 出厘人 株式会社 諏訪精工台
Claims (1)
- 絶縁体上には第１の電極が形成され、該第１の電極上に
は絶縁膜が形成され、該絶縁膜には前記第１の電極に達
する小孔が穿かれ、少くとも概小孔を埋めてアモルファ
ス半導体が形成され、概アモルフアス半導体の表面は第
２の電極と連って成ることを特徴とするアモルファス半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60071618A JPS61229378A (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | アモルフアス半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60071618A JPS61229378A (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | アモルフアス半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61229378A true JPS61229378A (ja) | 1986-10-13 |
Family
ID=13465814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60071618A Pending JPS61229378A (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | アモルフアス半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61229378A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003050872A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Nonvolatile memory |
| JP2004153047A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 相変化型メモリ素子およびその製造方法 |
| JP2005217408A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-11 | Macronix Internatl Co Ltd | 薄膜相変化メモリ |
| JP2007513494A (ja) * | 2003-10-23 | 2007-05-24 | ライニッシュ−ヴェストフェリッシェ・テクニッシェ・ホッホシューレ・アーヘン | 相変化メモリ、相変化メモリアセンブリ、相変化メモリセル、２ｄ相変化メモリセルアレイ、３ｄ相変化メモリセルアレイおよび電子部品 |
-
1985
- 1985-04-04 JP JP60071618A patent/JPS61229378A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003050872A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Nonvolatile memory |
| US6844564B2 (en) | 2001-12-12 | 2005-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-volatile memory |
| US7291857B2 (en) | 2001-12-12 | 2007-11-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-volatile memory |
| JP2004153047A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 相変化型メモリ素子およびその製造方法 |
| JP2007513494A (ja) * | 2003-10-23 | 2007-05-24 | ライニッシュ−ヴェストフェリッシェ・テクニッシェ・ホッホシューレ・アーヘン | 相変化メモリ、相変化メモリアセンブリ、相変化メモリセル、２ｄ相変化メモリセルアレイ、３ｄ相変化メモリセルアレイおよび電子部品 |
| JP2005217408A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-11 | Macronix Internatl Co Ltd | 薄膜相変化メモリ |
| JP4590276B2 (ja) * | 2004-01-26 | 2010-12-01 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | メモリセル、メモリアレイ、および、メモリセルの製造方法 |
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