JPS61216349A - ガラス端子のメツキ方法 - Google Patents

ガラス端子のメツキ方法

Info

Publication number
JPS61216349A
JPS61216349A JP5736885A JP5736885A JPS61216349A JP S61216349 A JPS61216349 A JP S61216349A JP 5736885 A JP5736885 A JP 5736885A JP 5736885 A JP5736885 A JP 5736885A JP S61216349 A JPS61216349 A JP S61216349A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
leads
terminals
glass
glass terminals
parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5736885A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0149022B2 (ja
Inventor
Masato Mochizuki
望月 正登
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP5736885A priority Critical patent/JPS61216349A/ja
Publication of JPS61216349A publication Critical patent/JPS61216349A/ja
Publication of JPH0149022B2 publication Critical patent/JPH0149022B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4885Wire-like parts or pins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、複数のリードが半導体チップ等の搭載用の金
属ベースにガラスなどで絶縁され、またはスポット溶接
などにより固着されて植立されてなるガラス端子のめっ
き方法に関するものである。本発明は、特に、メッキ処
理において、半導体チップ等の搭載部分に損傷やリード
に曲りがなく、金属ベースなどの半導体チップ等の搭載
面の平坦度が確保されると共に、常にリードなどのへの
通電が十分になされ良好なメッキ層を形成できるメッキ
方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、ガラス端子のメッキ処理方法としては、複数のガ
ラス端子のリードにそれぞれ導通線を巻き付け、引掛治
具等に引掛けて複数のガラス端子を同時にメッキ液に浸
し、メッキ層を形成する方法と、メッキ用のバレルの中
に複数のガラス端子を入れ、そのバレルをメッキ液中で
回転させ、ガラス端子とバレルの電気的接続をとってメ
ッキ層を形成する方法がある。
前者は、リードへの導通線の巻き付は作業及び引掛治具
への引掛は作業を要するので、作業性が悪く、また、巻
き付は不良や巻き付は状態のばらつきが生じ、十分な通
電が行われないため良好なメッキ層が形成されず、形成
されたメッキ層が不均一になる欠点がある。
後者は、前者と比べて、短時間で多数のガラス端子をメ
ッキ処理できるので作業の効率が良いが、ガラス端子が
互いにぶつかったり、バレルにぶつかったりするので、
リードの曲りや半導体チップなどの搭載面が損傷すると
ともにメッキ層の厚さが不均一になり易い欠点がある。
したがって、チップ搭載部等において高品質を要求され
るガラス端子のメッキ処理の場合には、リード曲りやチ
ップ搭載面の損傷が起こる後者の方法を用いず、前者の
方法を用いる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述のように従来のガラス端子のメッキ処理方法は、リ
ードの曲りや金属ベースなどの半導体チップ搭載面が損
傷し、その平坦度が劣ること、リードへの通電の不良、
ばらつきによりメッキが不均一となる等の欠点があった
本発明は、上述の欠点を除去しようとするものであり、
メッキ処理において、半導体チップ等の搭載部分の損傷
やリードの曲りがなく、金属ベースなどの半導体チップ
搭載面の平坦度が確保され、且つ常にリードへの通電が
十分になされ良好なメッキ層を効率良く形成できるメッ
キ方法を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、上述の欠点は、複数のリードを有する
ガラス端子の外部リード先端部分を溶接により共通接続
導電線に接続した後、該共通接続導電線に通電してメッ
キ必要部分にメッキを施し、その後、前記外部リード先
端部分を切断して前記ガラス端子と前記共通接続導電線
とを分離することを特徴とするガラス端子のメッキ方法
により解決される。
〔作 用〕
本発明では、ガラス端子のリードの所定箇所が共通接続
導電線に確実に接続され、ガラス端子が互いにぶつかる
ことがなく、半導体チップ等の搭載部の損傷やリードの
曲りが生じない。
また、リードへの通電も十分に行え、均一な良質のメッ
キ層が形成される。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例を説明するための図である。
第1図(a)及び(b)はガラス端子が共通接続導電線
に接続された側面図及び上方から見た平面図であり、図
で、1はリード、2は金属ベース、3は半導体チップ等
の搭載部、4は共通接線導電線である。以下、同図を用
いて、本実施例のメッキ方法を説明する。
ガラス端子は、鉄(F6)  ・ニッケル(Ni)合金
、コバール等からなる金属ベース2に同様の金属材料か
らなるリード1が設けられ、また、必要に応じて金属ベ
ース2上面に銅等の熱放散性の良い材料からなる半導体
チップ搭載部3が設けられる。(金属ベース表面を半導
体チップ搭載面としてもよい。)ここで、リードlを金
属ベース2と電気的に絶縁するには、一般にガラスが用
いられる。
このガラス端子の、例えば半導体チップ等の搭載側の内
部リードはワイヤボンディング接続するためリードlの
頭部にメッキ処理するが、先ず、複数のガラス端子のり
−ド1を平行に一列に並べ、金属ベース2から所定の距
離を有する外部リード部分に鉄等からなる直線状の共通
接続導電線4を接続する。この接続は、スボッ。
ト溶接法により連続的に行ない、第1図の如く、複数の
ガラス端子が一つに連なった状態となる。
次に、第1図の如く、金属ベース2の半導体チップ等の
搭載側を下にして、メッキ液(図示せず)中に浸漬し、
共通接続導電線4に通電して内部リード頭部のボンディ
ング接続する部分にメッキ層を形成する。
メッキ層を形成後、各ガラス端子の金属ベース2と共通
接続導電線4間のリード1の所定部分を切断してそれぞ
れのガラス端子に分離する。
本方法によれば、半導体チップ等の搭載部の損傷やリー
ドの曲りがなく、搭載部の平坦度が確保され、リード曲
りの修正作業が不要となる。
と共に、通電が均一、且つ良好になされ、均一で安定し
たメッキ層が得られる。また、リード頭部のみに部分メ
ッキを精度良く施すことができる。メッキ層の形成部位
は、めっき液に浸漬される位置で、半導体チップ搭載面
、金属べ一ス全体、ガラス端子全体というように容易に
選択できる。さらに本方法によればメッキ層形成後の検
査を連続的に行うことができ、作業性の向上が図れる。
必要に応じて以後の製造工程もそのままで連続的に加工
し、適宜な工程でそれぞれのガラス端子に分離してもよ
い。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ガラス端子のメッキ処理において複数
のガラス端子のリードを共通接続導電線にスポット溶接
し、その共通接続導電線に通電してメッキ層を形成する
ので、金属ベースなどの半導体チップ等の藩載部の損傷
やリードの曲りがなく、搭載面の平坦度が確保され、リ
ード曲りの修正作業も不要となる。また、リードへの通
電が均一、且つ十分になされ均一で良好なメッキ層が安
定して効率よく形成でき、品質及び作業性が向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明一実施例を説明するための図である0図
で、1はリード、2は金属ベース、3は半導体チップ搭
載部、4は共通接続導電線である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数のリードを有するガラス端子の外部リード先端部分
    を溶接により共通接続導電線に接続した後、該共通接続
    導電線に通電してメッキ必要部分にメッキを施し、その
    後、前記外部リード先端部分を切断して前記ガラス端子
    と前記共通接続導電線とを分離することを特徴とするガ
    ラス端子のメッキ方法。
JP5736885A 1985-03-20 1985-03-20 ガラス端子のメツキ方法 Granted JPS61216349A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5736885A JPS61216349A (ja) 1985-03-20 1985-03-20 ガラス端子のメツキ方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5736885A JPS61216349A (ja) 1985-03-20 1985-03-20 ガラス端子のメツキ方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61216349A true JPS61216349A (ja) 1986-09-26
JPH0149022B2 JPH0149022B2 (ja) 1989-10-23

Family

ID=13053643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5736885A Granted JPS61216349A (ja) 1985-03-20 1985-03-20 ガラス端子のメツキ方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61216349A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009295590A (ja) * 2009-08-31 2009-12-17 Nec Schott Components Corp 電子部品の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009295590A (ja) * 2009-08-31 2009-12-17 Nec Schott Components Corp 電子部品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0149022B2 (ja) 1989-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3760238A (en) Fabrication of beam leads
JPH04109643A (ja) Tab回路の製造方法
US2989578A (en) Electrical terminals for semiconductor devices
JPH02275660A (ja) 電気ピンおよびその製造方法
KR100275381B1 (ko) 반도체 패키지용 리드프레임 및 리드프레임도금방법
JPS61216349A (ja) ガラス端子のメツキ方法
CN116798887A (zh) Igbt模块端子焊接方法
US5529682A (en) Method for making semiconductor devices having electroplated leads
JPH02140906A (ja) リード線の接続構造
JPS614264A (ja) 自動ギヤングボンデイング用接続テ−プと半導体素子の組合せ
JPS61177704A (ja) チツプ型インダクタの製造方法
JP2868943B2 (ja) 半導体素子電極とリードとの接続構造および実装方法
JPH04266036A (ja) プラスチックパッケージされてなる半導体装置
JPH054213A (ja) セラミツクスパツケージのめつき方法
JPH01274459A (ja) 半導体装置用ステムの製造方法
JPH0766321A (ja) 半導体装置用パッケージの電解めっき方法とそれに用いるめっき治具
JPS614263A (ja) 自動ギヤングボンデイング用接続テ−プ
JPH07207497A (ja) 電子部品のメッキ方法及びメッキ用治具
JPH019158Y2 (ja)
JPH09289139A (ja) チップ形固体電解コンデンサの製造方法
JPH0883662A (ja) スーパーマイクロコネクタの製造方法
JP2022079208A (ja) 端子と電線の接合構造及び接合方法
JPS63133514A (ja) 小型インダクタの製造方法
JPH03503341A (ja) 半導体装置の製造方法および製造装置
JPS589586B2 (ja) ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term