JPS614263A - 自動ギヤングボンデイング用接続テ−プ - Google Patents

自動ギヤングボンデイング用接続テ−プ

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Publication number
JPS614263A
JPS614263A JP59124410A JP12441084A JPS614263A JP S614263 A JPS614263 A JP S614263A JP 59124410 A JP59124410 A JP 59124410A JP 12441084 A JP12441084 A JP 12441084A JP S614263 A JPS614263 A JP S614263A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
tape
bonding
semiconductor element
metal tape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59124410A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Oki
大木 和雄
Koichi Nakayama
中山 恒一
Kenichi Uehara
健一 上原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eneos Corp
Original Assignee
Nippon Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Mining Co Ltd filed Critical Nippon Mining Co Ltd
Priority to JP59124410A priority Critical patent/JPS614263A/ja
Publication of JPS614263A publication Critical patent/JPS614263A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/86Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/86Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一般には半導体装置に関するものであり、特
に半導体素子即ちチップにリード線を接続するテープキ
ャリアボンディングのための自動ギヤングボンディング
用接続テープの構造に関するものである。
背景技術 近年半導体装置の需要の伸びは著しく、従って半導体装
置の製造業界においては、高品質の半導体装置を短時間
で且つ葺産し得る製造技術の開発が希求されている。現
在の半導体装置を高品質で且つ量産するに際しての一つ
の問題は、それ自体はリード線を有さない半導体素子(
チップ)にリード線を付設するボンディング作業にあっ
た。
従来、半導体素子のボンディング法は大別すると、 (1)  チップマウント/ワイヤボンディング法(2
)テープキャリアボンディング法 (3)はんだ接合フリップチップボンディング法がある
が、特にテープキャリアボンディング法は、半導体素子
の電極を一度にボッディング(ギヤングボンディング)
することができ、又一連の製造工程がテープ状にて処理
し得るために取扱い及び量産化が容易であるという点か
ら最近注目を浴びている。
テープキャリアボンディング法にも種々の方式があるが
、米国特許第3,902.1418号には、半導体素子
(チップ)を樹脂封止する、所謂プラスチック封止形の
テープキャリアボンディング法ンディングに適した接続
テープの一実施態様が例示される。
従来、テープキャリアボンディング法においては、銅又
は銅合金から成る長尺の金属テープから成る接続テープ
が使用される。金属テープには、長手方向に沿って、所
定間隔にてリードバタンか、打抜き又はフォトエツチン
グ処理にて連続的に形成される。
リードパタンは複数個のリードを有し、各リードは、内
方に突出し半導体素子の電極に接合されるインナーリー
ド部分と、半導体装置の端子と麦るリードフレーム部材
に接続されるアウターリード部分とから成り、該アウタ
ーリード部分が金属テープに連結している。各リードは
、それぞれ互いに分離して形成されている。
リードバタンか連続的に形成された金属テープ即ち接続
テープは、ボンディング工程にてギヤングボンディング
装置へと連続的に供給され、リードのインナーリード部
分が半導体素子の電極部に接合される。リードパタンに
接合され九半導″体素子は、次でリードのインナーリー
ド部分と共にプラスチックで封止される。
ボンディング及びプラスチック封止工程後の半導体装置
の半製品は、次の工程に送られる前に半導体素子の回路
及びリード線部分の断線等の試験及び検査をなすことが
極めて重要である。しかしながら、上述のようなシング
ルレイヤの金属テープから成る接続テープを使用したテ
ープキャリアボンディング法では、各リードのアウター
リード部分は同一の金属テープに連結されているために
、半製品の試験、検査のためKはリードのアウターリー
ド部分を切断する必要がある。
しかしながら、このように各リードをアウターリード部
分位置にて切断すると、各半導体素子は接続テープから
分離され、各半製品は個々に試験及び検査をしなければ
ならず、半導体装置の量産化、自動化の大きな障害と々
つた。
上記米国特許状、アウターリード部分を金属テープから
切り離した際、つまりボンディング加工終了後において
も、プラスチックで刺止された半導体装置の半製品が金
属テープから分離されずテープ状にて、半導体素子の回
路及びリード線部分の断線等の試験及び検査のための工
程へ専送給し得るべく少なくとも1本のサポートリード
を金属テープに形成することを提案している。該サポー
トリードは、リードと同じく金属テープから内方へと突
出し、半導体素子の電極に接触することはないが、半導
体素子と共にプラスチックで封止される。従って、該米
国特許の接続テープにおいては、サポートリード以外の
リードを、即ち、半導体素子と電気的に接続されたリー
ドを切断した後も、半導体装置の半製品は接続テープに
保持され、以後の工程もテープ状にて送給し得るという
特徴を有している。
しかしながら、該米国特許に開示されるサポートリード
は、その先端がわずかに、半導体素子と共にプラスチッ
クで封止されるに過ぎず、以後の加工工程にて外れるこ
とがあった。
本発明は、正に上記米国特許が開示するサポートリード
な改良し、ボンディング及びプラスチック刺止工程後に
おいても、半導体装置の半製品をしっかりと保持し、テ
ープ状にて連続的に取扱うことができ、斯る半製品の電
気的試駆及び検査をなすことのできる自動ギヤングボン
ディング用接続テープを提供することを目的とする。
本発明の目的祉、半導体装置を自動的に且つ量産的規模
にてしかも高品質にて製造することのできる自動ギヤン
グボンディング用接続テープを提供することである。
発明の好ましい実施形態 次に、本発明に係る自動ギヤングボンディング用接続テ
ープの一実施態様を図面に則して詳しく説明する。
第1図を参照すると、本発明に係る接続テープ1は、銅
又は銅合金で作製されたシングルレイヤ(単層)の金属
テープ2で構成される。該金属テープ2の長手方向両側
縁に沿っては、該金属テープ2の位置決め及び送りをな
すだめのスプロケット孔4が形成される。又金属テープ
2の長手方向中央部には、所定間隔にて該金属テープ2
の長手方向に沿ってリードパタン6が形成される。
リードパタン6は、ボンディング工程において該金属テ
ープ2に接合される半導体素子8の各電極(図示せず)
に対応した数及び配筒にて複数のり−ド10を画成する
。各リード10は、半導体素子の各電極に接合されるイ
ンナーリード部分10aと、半導体装置の端子となるリ
ードフレーム部材(図示せず)に接続されるアウターリ
ード部分iobとから成り、該アウターリード部分i0
bが金属テープ2に連結している。各リード−10は、
勿論、互いに分離して形成されることが理解されるであ
ろう。
リードパタン6は、種々の方法及び工程にて作製される
が、通常はフォトレジストを利用したエツチングにて形
成される。
更に、本発明においては、金属テープ2から内方に突出
してサポートリード12が形成される。
該サポートリード12は金属テープ2に連結している脚
部12aと、該脚部12aに連結した頭部12bとから
成る。頭部12bは任意の形状とすることができるが、
その概略中央部に孔12cを有することが重要である。
第1図に示される実施例では、脚部12gは概略直線状
で、頭部12bは概略円形状、又頭部12bの孔12c
a頭部12bと同中心にて穿設された円形開口とされる
が、これら形状に限定されないことを理解されたい。又
、サポートリード12の数は、本実施例では4個設けら
れているが、これに限定されるものではない。
このようにして作製された金属テープ2から成る接続テ
ープ1は、ボンディング工程にてギヤングボンディング
装置へと連続的に供給され、第2図に図示されるように
、半導体素子8の電極8aK各リード10のインナーリ
ード部分1Oaが押圧され、接合される。この時サポー
トリード12の頭部12bは、半導体素子8と接触する
ことなくその手前にて終わっている。
次で、ボンディング工程が終った半導体装置の半製品は
、プラスチック封止工程にてプラスチック封止が行なわ
れる。斯るプラスチック封止は、半導体素子8及びリー
ド1oのインナーリード部分10a並びにサポ−トリー
ド12の頭部12bが一緒に行なわれる(第1図の一点
鎖線14で囲包された部分)。
従って、プラス、チック封止工程において、サポートリ
ード12は、頭部12b及び孔12eにまでもプラスチ
ックが充満され、接着が極めて強固になる。この為に、
以後の工程において、サポートリード12が半導体装置
の半製品から外れることはない。
発明の効果 本発明に従った接続テープによると、サポートリード1
2が、その頭部に設けた孔12cにまでプラスチックが
一体的に充填されるために、半導体装置の半製品から外
れることはなく、従って、ボンディング工程及びプラス
チック封止工程後に、サポートリード以外のリードを切
断線16位置より全て切断したとしても、半製品はサポ
ートリードによってしっかりと保持され、斯る半製品を
テープ状で送給し、電気的回路の試験及び検査等を連続
的に行をうことができる。このことは、半導体装置の製
造の自動化及び量産化に極めて有意義なことである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に従った接続テープの一実施態様の平
面図である。 第2図は、第1図の線■−Hに沿って取った断面図であ
る。 1 : 接続テープ 2 : 金属テープ 6 : リードバタン 8 : 半導体素子 10  :  リード 10a: インナーリード部分 10b: アウターリード部分 12 : ザボートリード 12a:頭部 12b:脚部 12c:孔 代理人弁理士  倉 橋   暎 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)長尺の金属テープに、半導体素子の電極に接続され
    る複数個のリードから成るリードパタンと、前記半導体
    素子と電気的に接続されることはないが、該半導体素子
    及び前記リードのインナーリード部分と一緒にプラスチ
    ックで封止される頭部を有した少なくとも1個のサポー
    トリードとが形成され、更に前記サポートリードの頭部
    にはプラスチック封止時にプラスチックが充填される孔
    が穿設されて成ることを特徴とする自動ギャングボンデ
    ィング用接続テープ。
JP59124410A 1984-06-19 1984-06-19 自動ギヤングボンデイング用接続テ−プ Pending JPS614263A (ja)

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JP59124410A JPS614263A (ja) 1984-06-19 1984-06-19 自動ギヤングボンデイング用接続テ−プ

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JPS614263A true JPS614263A (ja) 1986-01-10

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ID=14884776

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JP59124410A Pending JPS614263A (ja) 1984-06-19 1984-06-19 自動ギヤングボンデイング用接続テ−プ

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5064706A (en) * 1987-12-11 1991-11-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Carrier tape including molten resin flow path element for resin packaged semiconductor devices
EP0488554A2 (en) * 1990-11-28 1992-06-03 International Business Machines Corporation Tab tape, tab tape package and method of bonding same
US11822021B2 (en) 2014-07-17 2023-11-21 Elbit Systems Electro-Optics Elop Ltd. System and method for analyzing quality criteria of a radiation spot

Cited By (4)

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