JPS61210655A - ロジックlsi - Google Patents
ロジックlsiInfo
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- JPS61210655A JPS61210655A JP60050502A JP5050285A JPS61210655A JP S61210655 A JPS61210655 A JP S61210655A JP 60050502 A JP60050502 A JP 60050502A JP 5050285 A JP5050285 A JP 5050285A JP S61210655 A JPS61210655 A JP S61210655A
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- JP
- Japan
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- wiring
- logic
- lines
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- layer metal
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はロジックL S Iのレイアラ1〜に係り、特
にマイクロ制御方式のロジックL S Iに好適なレイ
アウト方式に関する。
にマイクロ制御方式のロジックL S Iに好適なレイ
アウト方式に関する。
マイクロプログラム制御で動作する従来のロジックLS
Iは、マイクロプログラムをデコードし演算部の制御信
号を生成するコントロール部詮マニュアルレイアウトし
、ランダムな形で構成していた。そのため、この部分の
レイアラ1〜には非常に多くのマンパワーを要していた
。しかし、計算機利用技術およびプロセス技術の発展に
伴ない、このような部分にも自動レイアウトを適用でき
る情況にある。しかし、従来のレイアウト法はこの自動
レイアウトを配慮していないため、新たにこれに適した
コントロール部のレイアラ1−法を提案する必要が生じ
た。
Iは、マイクロプログラムをデコードし演算部の制御信
号を生成するコントロール部詮マニュアルレイアウトし
、ランダムな形で構成していた。そのため、この部分の
レイアラ1〜には非常に多くのマンパワーを要していた
。しかし、計算機利用技術およびプロセス技術の発展に
伴ない、このような部分にも自動レイアウトを適用でき
る情況にある。しかし、従来のレイアウト法はこの自動
レイアウトを配慮していないため、新たにこれに適した
コントロール部のレイアラ1−法を提案する必要が生じ
た。
自動レイアウト法は、金属多層配線を用い、論理ゲート
単位で論理構成していくレイアラ1〜法である。このレ
イアクl−法では電源配線および接地配線を下層金属配
線で単位論理ゲート内にレイアウトしである。その配線
幅は面積−」−の制約より極端には太くない。そのため
電源電圧変動を考慮すると、論理ゲート列をあまり長く
することはできない。さらにレイアウト面積を小さくす
ることを考えた場合、下層金属配線と−L層金属配線の
本数がほぼ同数の時に最小化される傾向にある。
単位で論理構成していくレイアラ1〜法である。このレ
イアクl−法では電源配線および接地配線を下層金属配
線で単位論理ゲート内にレイアウトしである。その配線
幅は面積−」−の制約より極端には太くない。そのため
電源電圧変動を考慮すると、論理ゲート列をあまり長く
することはできない。さらにレイアウト面積を小さくす
ることを考えた場合、下層金属配線と−L層金属配線の
本数がほぼ同数の時に最小化される傾向にある。
マイクロプログラム制御で動作するロジックL S I
は、マイクロプログラムを格納する記憶部、データの処
理を実行する演算部、演算部の制御信号をマイクロプロ
グラムのビットパターンをデコードして生成するコント
ロール部より構成されている。このうち記憶部と演算部
はくり返し論理となっているため、レギュラーな構造の
レイアウトをすることができる。しかし、コントロール
部の論理はくり返し性が少ないため、レイアウトをする
。」二で障害となり易かった。
は、マイクロプログラムを格納する記憶部、データの処
理を実行する演算部、演算部の制御信号をマイクロプロ
グラムのビットパターンをデコードして生成するコント
ロール部より構成されている。このうち記憶部と演算部
はくり返し論理となっているため、レギュラーな構造の
レイアウトをすることができる。しかし、コントロール
部の論理はくり返し性が少ないため、レイアウトをする
。」二で障害となり易かった。
このコントロール部のレイアウトをレギュラーなものと
する手法としてPLA(プログラマブルロジックアレイ
)の利用がある。アイl−リプルイー・ジャーナル・オ
ブ・ソリッドステート・サーキッッ、第16巻、第5号
、 1981年10月発行、第537−541ページ(
I E3Journa1. ofSolid−5tat
e circujts、 VOL、 S C−16、N
u 5 。
する手法としてPLA(プログラマブルロジックアレイ
)の利用がある。アイl−リプルイー・ジャーナル・オ
ブ・ソリッドステート・サーキッッ、第16巻、第5号
、 1981年10月発行、第537−541ページ(
I E3Journa1. ofSolid−5tat
e circujts、 VOL、 S C−16、N
u 5 。
0ctober 1981 pp 537−541 )
のCPUチップはこの手法を導入している。しかし
、P L Aを利用した場合には動作速度の点に関し、
ランダムゲートに劣ってしまう。
のCPUチップはこの手法を導入している。しかし
、P L Aを利用した場合には動作速度の点に関し、
ランダムゲートに劣ってしまう。
コントロール部の動作速度を重視してランダムゲートを
用いてレイアウトしたものにアイトリプルイー・マイク
ロ、 1983年6月号、第24〜39ページ(I E
3Mj、cro June 1983 pp24−39
)に示す16ビツトマイコンMC68010等がある
。
用いてレイアウトしたものにアイトリプルイー・マイク
ロ、 1983年6月号、第24〜39ページ(I E
3Mj、cro June 1983 pp24−39
)に示す16ビツトマイコンMC68010等がある
。
しかし、ランダムゲート部はマニュアルレイアウトをし
ているためレイアラ1−工数の点については配慮されて
いなかった。
ているためレイアラ1−工数の点については配慮されて
いなかった。
本発明の目的は、ロジックLSI内に形成されるランダ
ム論理ゲート部を、回路特性を劣化させることなく、規
則的に配置できるようなレイアラト方式を提供すること
にある。
ム論理ゲート部を、回路特性を劣化させることなく、規
則的に配置できるようなレイアラト方式を提供すること
にある。
ランダム論理ゲート部は、NAND、 NOR等の論理
ゲートを組合わせて構成される。各論理ゲート内には電
源配線および接地配線があらかじめレイアウトされてい
る。この配線は面積上の制約より余裕のある線幅ではな
いので、電源電圧変動の影響を小さくするため、この配
線長があまり長くならないように制約する必要がある。
ゲートを組合わせて構成される。各論理ゲート内には電
源配線および接地配線があらかじめレイアウトされてい
る。この配線は面積上の制約より余裕のある線幅ではな
いので、電源電圧変動の影響を小さくするため、この配
線長があまり長くならないように制約する必要がある。
さらに、レイアラ1−面積の最小化を図るためには、縦
方向、横方向で配線可能な本数をほぼ同数にすることが
有効である。この2つの条件を同時に満たすレイアウト
方式を提供する。
方向、横方向で配線可能な本数をほぼ同数にすることが
有効である。この2つの条件を同時に満たすレイアウト
方式を提供する。
第1図にマイクロプログラム制御で動作するロジックL
SIの構成例を示す。ROM (Read OnlyM
emory) 1はマイクロプログラムを格納しておく
記憶素子部である。演算回路2はデータの演算処理を実
行する部分である。コントロール部3はマイクロプログ
ラム4をデコードし、演算回路の制御信号5を生成する
部分で、論理ゲー1へ6の組合せ回路で構成される。以
下の実施例ではこの構成に本発明のレイアウト法を適用
した場合を説明する。
SIの構成例を示す。ROM (Read OnlyM
emory) 1はマイクロプログラムを格納しておく
記憶素子部である。演算回路2はデータの演算処理を実
行する部分である。コントロール部3はマイクロプログ
ラム4をデコードし、演算回路の制御信号5を生成する
部分で、論理ゲー1へ6の組合せ回路で構成される。以
下の実施例ではこの構成に本発明のレイアウト法を適用
した場合を説明する。
多層金属配線を有するC−MOSプロセスで構成される
デバイスの縦構造例を第2図に示す。pチャネルトラン
ジスタ6、nチャネルトランジスタ7の組合せにより論
理ゲートを構成する。第2図では2層金属配線を有する
デバイスを示しているが、配線は下層金属配線8および
上層金属配線9を用いてレイアウトする。
デバイスの縦構造例を第2図に示す。pチャネルトラン
ジスタ6、nチャネルトランジスタ7の組合せにより論
理ゲートを構成する。第2図では2層金属配線を有する
デバイスを示しているが、配線は下層金属配線8および
上層金属配線9を用いてレイアウトする。
第2図で示したデバイス構造によって2人力NANDゲ
ートを構成した場合のレイアウト例を第3図に示す。2
つの入力はゲート10および11に入力される。出力は
下層金属配線12に出力される。電源配線13および接
地配線1−4は下層金属配線でレイアウトされる。又、
X印部がコンタクト部である。このように単位となる論
理ゲート内では」二層金属配線を利用していないため、
ゲート上に上層金属配線を通過させることができる。
ートを構成した場合のレイアウト例を第3図に示す。2
つの入力はゲート10および11に入力される。出力は
下層金属配線12に出力される。電源配線13および接
地配線1−4は下層金属配線でレイアウトされる。又、
X印部がコンタクト部である。このように単位となる論
理ゲート内では」二層金属配線を利用していないため、
ゲート上に上層金属配線を通過させることができる。
前述の単位となる論理ゲートを組合わせて論理構成した
例を第4図に示す。論理ゲー1−15 。
例を第4図に示す。論理ゲー1−15 。
16.17.18を並べるだけで電源配線19、接地配
置20は接続される。論理の人出力は、))ηへられた
論理ゲー1− Il、:に、電源配線、接地配線と1f
L行して下層金属配線21を、直交して−L層金金属配
線22髪レイアウトることで配線する。このように論理
ゲー1へ列をつくり、金属配線をレイアラ1へすること
でランダムロジックは構成できる。
置20は接続される。論理の人出力は、))ηへられた
論理ゲー1− Il、:に、電源配線、接地配線と1f
L行して下層金属配線21を、直交して−L層金金属配
線22髪レイアウトることで配線する。このように論理
ゲー1へ列をつくり、金属配線をレイアラ1へすること
でランダムロジックは構成できる。
第5図に本発明のレイアウト方法を適用したコントロー
ル部のレイアウ1〜例を示す。マイクロプログラムを格
納したROM23と演算回路24の間に、コン1−ロー
ル部のランダムロジックをレイアラ1へする。コントロ
ール部への電源供給は、ROM23と演算回路24とに
並行する方向に、主電源線25,27、主接地m26,
28を拡散層配線又は51一層配線でレイアラ1〜する
。この配線は電源電圧変動の影響が問題にならない程度
に充分に線幅のあるものとする。この主電源線、主接地
線に直交する方向に論理グー1−列20.30を構成し
、ゲート列の電源線31,33、接地線32.34を下
層配線で構成し、それぞれ、主電源線、主接地線に接続
させる。この構成により、ゲート列の電源線、接地線の
長さは、主電源線、主接地線同志の間隔で規定可能とな
る。コントロール部は、ROM23、演算回路24に並
行する横方向に長くなる。そのため、ゲート列間にレイ
アウトされる」二層金属配線35等と、ゲート列上にレ
イアウトされる上層金属配線36等の配線可能な本数は
ほぼ等しくなる。
ル部のレイアウ1〜例を示す。マイクロプログラムを格
納したROM23と演算回路24の間に、コン1−ロー
ル部のランダムロジックをレイアラ1へする。コントロ
ール部への電源供給は、ROM23と演算回路24とに
並行する方向に、主電源線25,27、主接地m26,
28を拡散層配線又は51一層配線でレイアラ1〜する
。この配線は電源電圧変動の影響が問題にならない程度
に充分に線幅のあるものとする。この主電源線、主接地
線に直交する方向に論理グー1−列20.30を構成し
、ゲート列の電源線31,33、接地線32.34を下
層配線で構成し、それぞれ、主電源線、主接地線に接続
させる。この構成により、ゲート列の電源線、接地線の
長さは、主電源線、主接地線同志の間隔で規定可能とな
る。コントロール部は、ROM23、演算回路24に並
行する横方向に長くなる。そのため、ゲート列間にレイ
アウトされる」二層金属配線35等と、ゲート列上にレ
イアウトされる上層金属配線36等の配線可能な本数は
ほぼ等しくなる。
本発明によれば、ランダム論理を論理グーl−列の形で
レイアウト可能で、かつ論理ゲート列内の電源線および
接地線の長さを規定することができる。さらにゲート列
上にレイアウトされる多層金属配線の縦方向および横方
向の配線本数をほぼ等しくすることができる。そのため
論理ゲート列の形でコントロール部をレイアウトする場
合には、本発明のレイアウト方法は電源電圧変動の影響
を受けにくく、かつレイアウト面積を小さくすることが
できるという効果がある。
レイアウト可能で、かつ論理ゲート列内の電源線および
接地線の長さを規定することができる。さらにゲート列
上にレイアウトされる多層金属配線の縦方向および横方
向の配線本数をほぼ等しくすることができる。そのため
論理ゲート列の形でコントロール部をレイアウトする場
合には、本発明のレイアウト方法は電源電圧変動の影響
を受けにくく、かつレイアウト面積を小さくすることが
できるという効果がある。
第1図はマイクロプログラム制御のロジックLSIの構
成図、第2図は適用デバイスの縦構造図、第3図は基本
となる論理ゲートのレイアウト例として2人力NAND
ゲートのレイアウトを示す図、第4図は論理グー1−列
によってランダム論理をレイアラ1〜した例を示す図、
第5図は、本発明をコントロール部に適用したレイアウ
ト例を示す図である。 1・・・マイクロプログラム格納用ROM、2・・デー
タ処理を行なう演算回路、3・・・コントロール部、8
・・・下層金属配線、9・・上層金属配線、29およ冨
1 反 番 2 図 ■3図 冨 4 図 1 ! 第 5 図
成図、第2図は適用デバイスの縦構造図、第3図は基本
となる論理ゲートのレイアウト例として2人力NAND
ゲートのレイアウトを示す図、第4図は論理グー1−列
によってランダム論理をレイアラ1〜した例を示す図、
第5図は、本発明をコントロール部に適用したレイアウ
ト例を示す図である。 1・・・マイクロプログラム格納用ROM、2・・デー
タ処理を行なう演算回路、3・・・コントロール部、8
・・・下層金属配線、9・・上層金属配線、29およ冨
1 反 番 2 図 ■3図 冨 4 図 1 ! 第 5 図
Claims (1)
- 1、マイクロプログラム制御で動作し、そのマイクロプ
ログラムを格納する記憶素子部と、演算を実行する演算
部およびその演算部の制御信号をマイクロプログラムを
デコードすることによつて生成するコントロール部とよ
り構成されるロジックLSIに於て、記憶素子部と演算
部の間にコントロール部をレイアウトし、そのコントロ
ール部に於いて使用する論理ゲートを金属2層配線とゲ
ート材料とで構成し、上層金属配線は論理ゲート上を配
線可能でかつ電源配線および接地配線を下層金属配線を
用いる場合に、電源配線および接地配線および下層金属
配線を記憶素子部と演算部とを結ぶ方向に、上層金属配
線を記憶素子部および演算部と並行する方向に配線する
ことを特徴とするロジックLSIのレイアウト方式。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60050502A JPH07107917B2 (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | ロジックlsi |
US07/527,866 US5165086A (en) | 1985-02-20 | 1990-05-24 | Microprocessor chip using two-level metal lines technology |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60050502A JPH07107917B2 (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | ロジックlsi |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6272020A Division JP2664345B2 (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | ロジックlsi |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61210655A true JPS61210655A (ja) | 1986-09-18 |
JPH07107917B2 JPH07107917B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=12860725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60050502A Expired - Lifetime JPH07107917B2 (ja) | 1985-02-20 | 1985-03-15 | ロジックlsi |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07107917B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63170939A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-14 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59165436A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-18 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
JPS59207641A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | Hitachi Ltd | 集積回路 |
JPS60101951A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | ゲ−トアレイ |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP60050502A patent/JPH07107917B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59165436A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-18 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
JPS59207641A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | Hitachi Ltd | 集積回路 |
JPS60101951A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | ゲ−トアレイ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63170939A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-14 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07107917B2 (ja) | 1995-11-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
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