JPS61208887A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS61208887A JPS61208887A JP5128885A JP5128885A JPS61208887A JP S61208887 A JPS61208887 A JP S61208887A JP 5128885 A JP5128885 A JP 5128885A JP 5128885 A JP5128885 A JP 5128885A JP S61208887 A JPS61208887 A JP S61208887A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- diode chip
- sub
- electrode
- submount
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は半導体レーザ装置に係り、特にレーザダイオ
ードチップをパッケージする前にその諸特性およびエー
ジングの測定を行うことのできる半導体レーザ装置に関
する。
ードチップをパッケージする前にその諸特性およびエー
ジングの測定を行うことのできる半導体レーザ装置に関
する。
（ロ）従来技術
一般に、半導体レーザ装置に組み込まれるレーザダイオ
ードチップの良否を判定するために、該レーザダイオー
ドチップの諸特性およびエージング等の測定を行う必要
がある。しかして、従来において上記の如（測定は、レ
ーザダイオードチップをパンケージングして完成した状
態にて行われる。そのため、不良品となって捨てられる
ものにはパフケージ等の付加価値が高くつき、半導体レ
ーザ装置のトータルコストを低減する上で問題となって
いる。
ードチップの良否を判定するために、該レーザダイオー
ドチップの諸特性およびエージング等の測定を行う必要
がある。しかして、従来において上記の如（測定は、レ
ーザダイオードチップをパンケージングして完成した状
態にて行われる。そのため、不良品となって捨てられる
ものにはパフケージ等の付加価値が高くつき、半導体レ
ーザ装置のトータルコストを低減する上で問題となって
いる。
（ハ）目的
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、不良品へ
の付加価値を低減せしめ、製品のトータルコストの低下
を図ることのできる半導体レーザ装置を提供することを
目的としている。
の付加価値を低減せしめ、製品のトータルコストの低下
を図ることのできる半導体レーザ装置を提供することを
目的としている。
（ニ）構成
この発明に係る半導体レーザ装置の特徴とする処は、レ
ーザダイオードチップがサブマウントを介してヒートシ
ンクに固着される半導体レーザ装置であって、前記レー
ザダイオードチップが、前記サブマウントの前記レーザ
ダイオ−トチ、７プが固着される面に絶縁層を介して形
成された副電極を経由して外部リードと電気的に接続さ
れることにある。
ーザダイオードチップがサブマウントを介してヒートシ
ンクに固着される半導体レーザ装置であって、前記レー
ザダイオードチップが、前記サブマウントの前記レーザ
ダイオ−トチ、７プが固着される面に絶縁層を介して形
成された副電極を経由して外部リードと電気的に接続さ
れることにある。
（ホ）実施例
第１図はこの発明に係る半導体レーザ装置の一実施例を
示す一部切欠斜視図である。同図において、半導体レー
ザ装置１は、所定位置に２個の開口部を有する略円形状
のＦｅからなる基台２と、この基台２の上面所定位置に
配設される略矩形状のＣｕからなるヒートシンク３と、
前記ヒートシンク３の所定位置に貼着される略矩形板状
のＳｉからなるサブマウント４と、このサブマウント４
の所定位置にダイボンディングされるレーザダイオード
チップ５と、外部リード６ａ、 ６ｂ、 ６ｃと、前記
基台２の上面所定位置に配設されるモニター用ダイオー
ド７と、下端が開口された略円筒形のコバール等からな
るキャップ８と、前記基台２と相まってキャップ８内を
気密にせしめるステム９とで構成されている。なお、前
記キャップ８の上面所定位置には無反射コートした円形
状のガラス８１が配設されている。
示す一部切欠斜視図である。同図において、半導体レー
ザ装置１は、所定位置に２個の開口部を有する略円形状
のＦｅからなる基台２と、この基台２の上面所定位置に
配設される略矩形状のＣｕからなるヒートシンク３と、
前記ヒートシンク３の所定位置に貼着される略矩形板状
のＳｉからなるサブマウント４と、このサブマウント４
の所定位置にダイボンディングされるレーザダイオード
チップ５と、外部リード６ａ、 ６ｂ、 ６ｃと、前記
基台２の上面所定位置に配設されるモニター用ダイオー
ド７と、下端が開口された略円筒形のコバール等からな
るキャップ８と、前記基台２と相まってキャップ８内を
気密にせしめるステム９とで構成されている。なお、前
記キャップ８の上面所定位置には無反射コートした円形
状のガラス８１が配設されている。
第２図はレーザダイオードチップ５をサブマウント４に
貼着した状態を示す斜視説明図である。
貼着した状態を示す斜視説明図である。
同図において、サブマウント４の上面−角部近傍にはレ
ーザダイオードチップ５がいわゆるロウ材４２を介して
固定されており、前記ロウ材４２を除くサブマウント４
の上面にはＳｉＯ２からなる絶縁層４１が被着され、こ
の上部に該絶縁層４１の外形よりも小さな略し字状の副
電極４３が積層されている。そして、前記サブマウント
４の下面にはＴｉ４４、Ａｕ４５からなる下部電極が被
着されている。
ーザダイオードチップ５がいわゆるロウ材４２を介して
固定されており、前記ロウ材４２を除くサブマウント４
の上面にはＳｉＯ２からなる絶縁層４１が被着され、こ
の上部に該絶縁層４１の外形よりも小さな略し字状の副
電極４３が積層されている。そして、前記サブマウント
４の下面にはＴｉ４４、Ａｕ４５からなる下部電極が被
着されている。
なお、前記副電極４３はＴｉ又はＣｒ４３１とＡｕ４３
２との２層から構成されており、その幅狭部４３３とレ
ーザダイオードチップ５とが金線等でワイヤーボンディ
ングされている。前記ロウ材４２は、Ｔｉ４２１とＡｕ
４４２と５ｎ４２３との３層から構成されている。上述
のようにレーザダイオードチップ５は、前記サブマウン
ト４の絶縁層４１を介して形成された副電極４３を経由
して外部リード６ａと電気的に接続させるようになって
いる。
２との２層から構成されており、その幅狭部４３３とレ
ーザダイオードチップ５とが金線等でワイヤーボンディ
ングされている。前記ロウ材４２は、Ｔｉ４２１とＡｕ
４４２と５ｎ４２３との３層から構成されている。上述
のようにレーザダイオードチップ５は、前記サブマウン
ト４の絶縁層４１を介して形成された副電極４３を経由
して外部リード６ａと電気的に接続させるようになって
いる。
しかして、第２図の状態のサブマウント４の下部電極と
副電極４３とに各測定機器（図示せず）を接続し、レー
ザダイオードチップ５の緒特性およびエージングの測定
を行いその良否を判定する。
副電極４３とに各測定機器（図示せず）を接続し、レー
ザダイオードチップ５の緒特性およびエージングの測定
を行いその良否を判定する。
但し、このとき得られた測定値と、パッケージ後に得ら
れる測定値とは若干具なるが、パッケージ後の方が放熱
性が良好となるから上記状態で測定した値より悪くなる
ことはない。
れる測定値とは若干具なるが、パッケージ後の方が放熱
性が良好となるから上記状態で測定した値より悪くなる
ことはない。
次に、上記測定後の良品となったレーザダイオードチッ
プ５を備えたサブマウント４のパッケージングを簡単に
説明する。
プ５を備えたサブマウント４のパッケージングを簡単に
説明する。
まず、レーザダイオードチップ５がダイポンディングさ
れたサブマウント４の下部電極を表面全面がＡｕメッキ
されたヒートシンク３の側面上端部に固着する。このヒ
ートシンク３の底面を基台２に固着する。外部リード６
ａ、６Ｃを基台２の開口部にそれぞれ貫通した状態で固
定すると共に、外部リード６ｂを基台２の底面所定位置
に固着する。
れたサブマウント４の下部電極を表面全面がＡｕメッキ
されたヒートシンク３の側面上端部に固着する。このヒ
ートシンク３の底面を基台２に固着する。外部リード６
ａ、６Ｃを基台２の開口部にそれぞれ貫通した状態で固
定すると共に、外部リード６ｂを基台２の底面所定位置
に固着する。
次いで、基台２から突出した外部リード６Ｃの近傍の基
台２にモニター用ダイオード７をダイポンディングする
。このモニター用ダイオード７と外部リード６ｃとを、
サブマウント４の副電極４３と外部リード６ａとをそれ
ぞれワイヤーボンディングする。
台２にモニター用ダイオード７をダイポンディングする
。このモニター用ダイオード７と外部リード６ｃとを、
サブマウント４の副電極４３と外部リード６ａとをそれ
ぞれワイヤーボンディングする。
しかる後、基台２の周縁にステム９を取り付け、キャッ
プ８の開口部周縁のフランジ８２をステム９の上面に固
定させることにより、キャップ８内を気密にする。即ち
、上記半導体レーザ装置１は、レーザダイオードチップ
５から射出するレーザビームがキャンプ８のガラス８１
から射出するように構成されている。
プ８の開口部周縁のフランジ８２をステム９の上面に固
定させることにより、キャップ８内を気密にする。即ち
、上記半導体レーザ装置１は、レーザダイオードチップ
５から射出するレーザビームがキャンプ８のガラス８１
から射出するように構成されている。
なお、サブマウント４に形成される副電極４３の形状は
上記実施例に限定されないことは言うまでもない。
上記実施例に限定されないことは言うまでもない。
（へ）効果
この発明は上記詳説したように、サブマウントにレーザ
ダイオードチップをダイポンディングした状態でもって
該レーザダイオードチップの緒特性およびエージングの
測定を行うことができるから、この状態でレーザダイオ
ードチップの良否を判定することができる。つまり、捨
てられる不良品への付加価値が大幅に低減されているか
ら、製品のトータルコストを低下することができる。
ダイオードチップをダイポンディングした状態でもって
該レーザダイオードチップの緒特性およびエージングの
測定を行うことができるから、この状態でレーザダイオ
ードチップの良否を判定することができる。つまり、捨
てられる不良品への付加価値が大幅に低減されているか
ら、製品のトータルコストを低下することができる。
第１図はこの発明に係る半導体レーザ装置１の一実施例
を示す一部切欠斜視図、第２図はレーザダイオードチッ
プ５をサブマウント４に貼着した状態を示す斜視説明図
である。 １・・・半導体レーザ装置、３・・・ヒートシンク、４
・・・サブマウント、４１・・・絶縁層、４２・・・副
電極、５・・・レーザダイオードチップ、６ａ、６ｂ、
６ｃｍ外部リード。
を示す一部切欠斜視図、第２図はレーザダイオードチッ
プ５をサブマウント４に貼着した状態を示す斜視説明図
である。 １・・・半導体レーザ装置、３・・・ヒートシンク、４
・・・サブマウント、４１・・・絶縁層、４２・・・副
電極、５・・・レーザダイオードチップ、６ａ、６ｂ、
６ｃｍ外部リード。
Claims (1)
- （１）レーザダイオードチップがサブマウントを介して
ヒートシンクに固着される半導体レーザ装置において、 前記レーザダイオードチップが、前記サブマウントの前
記レーザダイオードチップの固着される面に絶縁層を介
して形成された副電極を経由して外部リードと電気的に
接続されることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5128885A JPS61208887A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5128885A JPS61208887A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208887A true JPS61208887A (ja) | 1986-09-17 |
Family
ID=12882742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5128885A Pending JPS61208887A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61208887A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006135245A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5887892A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Hitachi Ltd | レ−ザ−ダイオ−ドチツプ取付用サブマウント |
| JPS59159583A (ja) * | 1983-03-02 | 1984-09-10 | Hitachi Ltd | 半導体発光装置 |
-
1985
- 1985-03-13 JP JP5128885A patent/JPS61208887A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5887892A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Hitachi Ltd | レ−ザ−ダイオ−ドチツプ取付用サブマウント |
| JPS59159583A (ja) * | 1983-03-02 | 1984-09-10 | Hitachi Ltd | 半導体発光装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006135245A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 |
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