JPS61194784A - 光学的物体検知回路 - Google Patents
光学的物体検知回路Info
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- JPS61194784A JPS61194784A JP60034861A JP3486185A JPS61194784A JP S61194784 A JPS61194784 A JP S61194784A JP 60034861 A JP60034861 A JP 60034861A JP 3486185 A JP3486185 A JP 3486185A JP S61194784 A JPS61194784 A JP S61194784A
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- Japan
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- currents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 35
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
- G01V8/00—Prospecting or detecting by optical means
- G01V8/10—Detecting, e.g. by using light barriers
- G01V8/12—Detecting, e.g. by using light barriers using one transmitter and one receiver
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、光学的物体検知回路に関し、特に小形化、高
機能化、および低消費電力化が可能な光学的能動素子に
よる物体検知回路に関するものである。
機能化、および低消費電力化が可能な光学的能動素子に
よる物体検知回路に関するものである。
端末装置、ロボット、キーボード等の機構部においては
、カードや紙幣等の物体の位置を検知するために、従来
より信頼性向上の面から、フォトセンサを用いている。
、カードや紙幣等の物体の位置を検知するために、従来
より信頼性向上の面から、フォトセンサを用いている。
例えば、フォトセンサを用いてモータの回転数を検知す
る機構では、第５図に示すような構造のものが用いられ
る。すなわち。
る機構では、第５図に示すような構造のものが用いられ
る。すなわち。
モータ１１にその位相を検知するための１個所の穴のあ
いた円板１２を取付け、その円板１２の縁には、円板１
２の穴の位置を光学的に検知するための光学的物体検知
回路１３が円板１２を挟むようにａＦ！！され、かつ光
学的物体検知回路１３からは２本の信号線Ｌ１＋Ｌ２が
取出されている。第６図は、第５図の一部拡大図であっ
て、光学的物体検知回路１４．１５は円板１２を挟んで
設置されており、供給される電流量に応じて発光量の変
化する発光素子１４からの光は、モータ１１が回転して
円板２の穴の部分が到来した時のみ、受光素子１５に入
射され、受光素子１５からは受光量に応じた電流が出力
される。また、光学的物体検知回路１３には、トランジ
スタ１６．およびバイアス素子１７が実装されている。
いた円板１２を取付け、その円板１２の縁には、円板１
２の穴の位置を光学的に検知するための光学的物体検知
回路１３が円板１２を挟むようにａＦ！！され、かつ光
学的物体検知回路１３からは２本の信号線Ｌ１＋Ｌ２が
取出されている。第６図は、第５図の一部拡大図であっ
て、光学的物体検知回路１４．１５は円板１２を挟んで
設置されており、供給される電流量に応じて発光量の変
化する発光素子１４からの光は、モータ１１が回転して
円板２の穴の部分が到来した時のみ、受光素子１５に入
射され、受光素子１５からは受光量に応じた電流が出力
される。また、光学的物体検知回路１３には、トランジ
スタ１６．およびバイアス素子１７が実装されている。
ところで、従来用いられているフォトセンサは、発光側
と受光側を別個の回路で動作させるものであって、構造
、消費電力が比較的大きいため、このフォトセンサが１
個のときには問題とならなくても、装置が高機能化され
るに伴って、位置検知個所が増加し、駆動・検出回路や
インタフェース信号線の数も増加してくると１機構部の
小形化。
と受光側を別個の回路で動作させるものであって、構造
、消費電力が比較的大きいため、このフォトセンサが１
個のときには問題とならなくても、装置が高機能化され
るに伴って、位置検知個所が増加し、駆動・検出回路や
インタフェース信号線の数も増加してくると１機構部の
小形化。
低消費電力化等の障害となり、この問題が無視できなく
なる。
なる。
従来、一般に用いられているフォトセンサ等の光学的物
体検知回路（例えば、Ａ ｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｍ
ａｎｕａｌ （ホトインタラプタ）ＳＨＡＲＰ （昭
和５７年１月）のｐ、２６．図４−７（ｄ）参照）では
、第４図に示すように、一方を電源＋ＶＣＣから抵抗２
１を介して発光ダイオード１４に電流を流し、他方をｆ
ｌ！ｇ＋Ｖｃｃから別の抵抗２２を介してホトレジスタ
】５に電圧を印加しておくことにより、発光ダイオード
１４から発光された光がホトレジスタ１５に達すると、
ホトレジスタ１５がオンして電源＋Ｖｃｃから電流がこ
のホトレジスタ１５を流れる。ホトレジスタ１５では電
流の増幅率が小さいため、次段のトランジスタ１８によ
り増幅して大振幅の波形を取出すが、その波形には歪が
あるため、さらにシュミットトリガ素子１９を介して波
形整形する。また、この回路構成では、発光素子と受光
素子の回路が、電源に対して別々の回路となっているた
め、ホトレジスタ１５から出力を取出す時のインタフェ
ース信号線は、電源線。
体検知回路（例えば、Ａ ｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｍ
ａｎｕａｌ （ホトインタラプタ）ＳＨＡＲＰ （昭
和５７年１月）のｐ、２６．図４−７（ｄ）参照）では
、第４図に示すように、一方を電源＋ＶＣＣから抵抗２
１を介して発光ダイオード１４に電流を流し、他方をｆ
ｌ！ｇ＋Ｖｃｃから別の抵抗２２を介してホトレジスタ
】５に電圧を印加しておくことにより、発光ダイオード
１４から発光された光がホトレジスタ１５に達すると、
ホトレジスタ１５がオンして電源＋Ｖｃｃから電流がこ
のホトレジスタ１５を流れる。ホトレジスタ１５では電
流の増幅率が小さいため、次段のトランジスタ１８によ
り増幅して大振幅の波形を取出すが、その波形には歪が
あるため、さらにシュミットトリガ素子１９を介して波
形整形する。また、この回路構成では、発光素子と受光
素子の回路が、電源に対して別々の回路となっているた
め、ホトレジスタ１５から出力を取出す時のインタフェ
ース信号線は、電源線。
ホトレジスタ１５のコレクタ線、およびアース線の３本
が必要である。
が必要である。
本発明の目的は、このような従来の問題を解決し、駆動
・検出回路とのインタフェース信号線を少なくし、機構
部の小形化、低消費電力化および高機能化を図ることが
できる光学的物体検知回路を提供することにある。
・検出回路とのインタフェース信号線を少なくし、機構
部の小形化、低消費電力化および高機能化を図ることが
できる光学的物体検知回路を提供することにある。
上記目的を達成するため１本発明の光学的物体検知回路
は、エミッタとコレクタ間にバイアス素子を接続したト
ランジスタと、該トランジスタのエミッタ、コレクタに
直列に接続された発光素子と、該発光素子から発光され
た光を受光して、受光量に応じた電流に変換し、かつコ
レクタ側を上記トランジスタのベースに接続した受光素
子とを具備し、該受光素子と発光素子の間の物体の有無
に応じて発光素子の発光量を変化させることに特徴があ
る。
は、エミッタとコレクタ間にバイアス素子を接続したト
ランジスタと、該トランジスタのエミッタ、コレクタに
直列に接続された発光素子と、該発光素子から発光され
た光を受光して、受光量に応じた電流に変換し、かつコ
レクタ側を上記トランジスタのベースに接続した受光素
子とを具備し、該受光素子と発光素子の間の物体の有無
に応じて発光素子の発光量を変化させることに特徴があ
る。
以下、本発明の実施例を、図面により詳細に説明する。
第１図は２本発明の一実施例を示す光学的物体′検知回
路の構成図であり、第２図は第１図の動作タイミングチ
ャートである。
路の構成図であり、第２図は第１図の動作タイミングチ
ャートである。
第１図では、光学的物体検知部３と駆動・検出部１０と
が各々破線内に示されている。駆動・検出部１０は、電
源ＶＣＣを供給するための信号線Ｌ１と出力線である信
号線Ｌ２の２本により、光学的物体検知部３と結合され
ている。信号線Ｌ１は、光学的物体検知部３内のトラン
ジスタ６のエミッタとバイアス素子７のａ端子に接続さ
れており、またトランジスタ６のコレクタとバイアス素
子７のｂ端子は、ともに結合されて発光素子４のアノー
ドに接続されている。トランジスタ６のベースは、受光
素子５のコレクタに接続されている。
が各々破線内に示されている。駆動・検出部１０は、電
源ＶＣＣを供給するための信号線Ｌ１と出力線である信
号線Ｌ２の２本により、光学的物体検知部３と結合され
ている。信号線Ｌ１は、光学的物体検知部３内のトラン
ジスタ６のエミッタとバイアス素子７のａ端子に接続さ
れており、またトランジスタ６のコレクタとバイアス素
子７のｂ端子は、ともに結合されて発光素子４のアノー
ドに接続されている。トランジスタ６のベースは、受光
素子５のコレクタに接続されている。
さらに２発光素子４のカソードと受光素子５のエミッタ
は、ともに結合されており、駆動・検出部１０に、信号
線Ｌ２を介して接続されている。また、信号線Ｌ２は、
駆動・検出部１０の負荷抵抗８のａ端子とシュミットト
リガ素子９の入力に接続されている。さらに、負荷抵抗
８のｂ端子は接地されている。このように、第１図の光
学的物体検知部３では、発光素子４を流れる電流回路と
受光素子５を流れる電流回路とがフィードバック回路を
形成しており１発光素子４からの発光量が増加すると、
受光量も増加して受光素子５を流れる電流値は増大する
ため、それがトランジスタ６を介して発光素子４を流れ
る電流回路にフィードバックされ、さらに発光素子４の
発光量を増加させることになる。このように、フィード
バックによる電流の増加が大きいため、従来必要であっ
たアンプ回路は不要となる。また、インタフェース信号
線Ｌ２を受光素子５のカソードから取出しているため、
信号線数は２本となり、従来より少なくてすむ。これに
より、装置の小形化、低消費電力化が実現される。以下
、さらに詳細な動作を述べる。
は、ともに結合されており、駆動・検出部１０に、信号
線Ｌ２を介して接続されている。また、信号線Ｌ２は、
駆動・検出部１０の負荷抵抗８のａ端子とシュミットト
リガ素子９の入力に接続されている。さらに、負荷抵抗
８のｂ端子は接地されている。このように、第１図の光
学的物体検知部３では、発光素子４を流れる電流回路と
受光素子５を流れる電流回路とがフィードバック回路を
形成しており１発光素子４からの発光量が増加すると、
受光量も増加して受光素子５を流れる電流値は増大する
ため、それがトランジスタ６を介して発光素子４を流れ
る電流回路にフィードバックされ、さらに発光素子４の
発光量を増加させることになる。このように、フィード
バックによる電流の増加が大きいため、従来必要であっ
たアンプ回路は不要となる。また、インタフェース信号
線Ｌ２を受光素子５のカソードから取出しているため、
信号線数は２本となり、従来より少なくてすむ。これに
より、装置の小形化、低消費電力化が実現される。以下
、さらに詳細な動作を述べる。
ここで、バイアス素子７の抵抗値と、負荷抵抗８の抵抗
値は１発光素子４に赤外線発光ダイオードを使用した場
合、発光素子４は約１．２ｖの電圧降下があるため、シ
ュミットトリガ素子９のＬｏＷレベル入力電圧限界値Ｖ
□Ｌと、ＨＩＧＨレベル入力電圧限界値ＶｉＨとの間に
、以下の関係があるものとする。
値は１発光素子４に赤外線発光ダイオードを使用した場
合、発光素子４は約１．２ｖの電圧降下があるため、シ
ュミットトリガ素子９のＬｏＷレベル入力電圧限界値Ｖ
□Ｌと、ＨＩＧＨレベル入力電圧限界値ＶｉＨとの間に
、以下の関係があるものとする。
・・・・・・（１）
■目、＜Ｖｃｃ−１，２・・・・・・（２）（トランジ
スタ６の電圧降下は、無視した場合を考える） 次に、第４図に示すモータ１１の回転数検知の動作を説
明する。
スタ６の電圧降下は、無視した場合を考える） 次に、第４図に示すモータ１１の回転数検知の動作を説
明する。
円板１２の穴のおいていない部分が、光学的物体検知部
３の位置にある時には１発光素子４の光は受光素子５に
到達しないため、出力電流ＩＰは流れない。このため、
トランジスタ６のベース電流はＯであり、トランジスタ
６はカットオフしている。一方、発光素子４に流れる電
流ＩＤは、バイアス素子７により流れる電流■Ｒだけで
１発光量は少量である。従って、シュミットトリガ素子
９の入力電圧Ｖｉは、両式（１）よりＬＯＷレベルであ
り、シュミットトリガ素子９の出力電圧Ｖ。
３の位置にある時には１発光素子４の光は受光素子５に
到達しないため、出力電流ＩＰは流れない。このため、
トランジスタ６のベース電流はＯであり、トランジスタ
６はカットオフしている。一方、発光素子４に流れる電
流ＩＤは、バイアス素子７により流れる電流■Ｒだけで
１発光量は少量である。従って、シュミットトリガ素子
９の入力電圧Ｖｉは、両式（１）よりＬＯＷレベルであ
り、シュミットトリガ素子９の出力電圧Ｖ。
はＨＩ Ｇ Ｈレベルとなる。
次に、円板２の穴のおいている部分が光学的物体検知部
３の位置に到来すると、発光素子４の光が受光素子５に
到達し、電流ＩＰが流れ始める。
３の位置に到来すると、発光素子４の光が受光素子５に
到達し、電流ＩＰが流れ始める。
受光素子５はトランジスタ６のベースに結合されている
ため、トランジスタ６のコレクタ電流Ｉｃが流れ始める
。これによって、発光素子４を流れる電流ＩＤは、ｒＤ
＝ＩＲ＋Ｉｃとなり、９！光量は増加してＩＰはさらに
増加する。このフィードバックは、トランジスタ６が飽
和するまで続く。
ため、トランジスタ６のコレクタ電流Ｉｃが流れ始める
。これによって、発光素子４を流れる電流ＩＤは、ｒＤ
＝ＩＲ＋Ｉｃとなり、９！光量は増加してＩＰはさらに
増加する。このフィードバックは、トランジスタ６が飽
和するまで続く。
トランジスタ６が飽和した時点では、シュミットトリガ
素子９の入力電圧Ｖ工は、Ｖ、＝ （Ｖｃｃ−１，２）
（Ｖ）となり、両式（２）よりシュミットトリガ素子９
の出力電圧ｖｏは、ＬＯＷレベルとなる。
素子９の入力電圧Ｖ工は、Ｖ、＝ （Ｖｃｃ−１，２）
（Ｖ）となり、両式（２）よりシュミットトリガ素子９
の出力電圧ｖｏは、ＬＯＷレベルとなる。
この関係をタイムチャートで示すと、第２図のようにな
る。第２図において、横軸のａ、ａ’ 。
る。第２図において、横軸のａ、ａ’ 。
ａ＃で示す時間は１円ＦＬ１２の穴のあいた部分が光学
的物体検知部３の位置に到来した期間であり。
的物体検知部３の位置に到来した期間であり。
その他の時間は、穴のおいていない部分が光学的物体検
知部３の位置に到来した期間である。発光素子４を流れ
る電流ＩＤは、バイアス素子７およびトランジスタ６に
より歪のある波形であるが。
知部３の位置に到来した期間である。発光素子４を流れ
る電流ＩＤは、バイアス素子７およびトランジスタ６に
より歪のある波形であるが。
シュミットトリガ素子９に入力された後の出力■０には
、歪のない整形されたパルスが現われる。
、歪のない整形されたパルスが現われる。
また、＠初はバイアス素子７を通して流れる電流ｒＤの
みが発光素子４を流れるが、受光素子５で光を受光した
後は、受光素子５の電流ＩＰがトランジスタ６のベース
を介してフィードバックされるため−ＩＤ＋ＩＰの電流
量は増加されてさらに増大する。これが駆動・検出部１
０のシュミットトリガ素子９の入力電圧Ｖ工になって、
シュミットトリガ素子９から出力される時には、整形さ
れたパルス電圧Ｖｏとなる。第２図から明らかなように
、発光素子４と受光素子５との間に、物体がある場合に
は、消費電力が極端に少なくなるので。
みが発光素子４を流れるが、受光素子５で光を受光した
後は、受光素子５の電流ＩＰがトランジスタ６のベース
を介してフィードバックされるため−ＩＤ＋ＩＰの電流
量は増加されてさらに増大する。これが駆動・検出部１
０のシュミットトリガ素子９の入力電圧Ｖ工になって、
シュミットトリガ素子９から出力される時には、整形さ
れたパルス電圧Ｖｏとなる。第２図から明らかなように
、発光素子４と受光素子５との間に、物体がある場合に
は、消費電力が極端に少なくなるので。
装置の低消費電力化に有効である。なお第２図において
、シュミットトリガ素子９の出力電圧■０の周期Ｔ （
ａからａ′までの時間）を測定すれば、回転数ｆは、１
／Ｔであるから、？１ｌｌＩ定されたＴの値の逆数より
、モータ１１の回転数が検知できる。
、シュミットトリガ素子９の出力電圧■０の周期Ｔ （
ａからａ′までの時間）を測定すれば、回転数ｆは、１
／Ｔであるから、？１ｌｌＩ定されたＴの値の逆数より
、モータ１１の回転数が検知できる。
第３図は、本発明の他の実施例を示す光学的物体検知回
路の構成図である９ 第３図では、発光素子４の位置を電源（Ｖｃｃ）側に配
置している。すなわち、信号線Ｌ１が発光素子４のアノ
ードに接続され１発光素子４のカソードがトランジスタ
６のエミッタとバイアス素子７のａ端子に接続される。
路の構成図である９ 第３図では、発光素子４の位置を電源（Ｖｃｃ）側に配
置している。すなわち、信号線Ｌ１が発光素子４のアノ
ードに接続され１発光素子４のカソードがトランジスタ
６のエミッタとバイアス素子７のａ端子に接続される。
また、トランジスタ６のコレクタとバイアス素子７のｂ
端子および受光素子５のエミッタが、信号線Ｌ２の接続
される。
端子および受光素子５のエミッタが、信号線Ｌ２の接続
される。
なお、トランジスタ６のベースに受光素子５のコレクタ
が接続される点は、第１図と同じである。
が接続される点は、第１図と同じである。
以上、説明したように１本発明によれば、インタフェー
ス信号線が最低２本でよいため、装置の小形化、高機能
化が図れるとともに、低消費電力化も可能となる。
ス信号線が最低２本でよいため、装置の小形化、高機能
化が図れるとともに、低消費電力化も可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示す光学的物体検知回路の
構成図、第２図は第１図の動作タイムチャート、第３図
は本発明の他の実施例を示す光学的物体検知回路の構成
図、第４図は従来の光学的物体検知回路の構成図、第５
図、第６図は光学的物体検知回路を用いた応用装置の説
明図である。 ３：光学的物体検知部、４．１４：発光素子、５．１１
受光素子、６：トランジスタ、７：バイアス素子、８：
抵抗２９：シュミットトリガ素子、１０：駆動・検出部
、Ｖｃｃ：電源、Ｌｌ。 Ｌ２：信号線。 第１−図 第 ２ 図 第３図 第４図 第５図
構成図、第２図は第１図の動作タイムチャート、第３図
は本発明の他の実施例を示す光学的物体検知回路の構成
図、第４図は従来の光学的物体検知回路の構成図、第５
図、第６図は光学的物体検知回路を用いた応用装置の説
明図である。 ３：光学的物体検知部、４．１４：発光素子、５．１１
受光素子、６：トランジスタ、７：バイアス素子、８：
抵抗２９：シュミットトリガ素子、１０：駆動・検出部
、Ｖｃｃ：電源、Ｌｌ。 Ｌ２：信号線。 第１−図 第 ２ 図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- （１）エミッタとコレクタ間にバイアス素子を接続した
トランジスタと、該トランジスタのエミッタ、コレクタ
に直列に接続された発光素子と、該発光素子から発光さ
れた光を受光して、受光量に応じた電流に変換し、かつ
コレクタ側を上記トランジスタのベースに接続した受光
素子とを具備し、該受光素子と発光素子の間の物体の有
無に応じて発光素子の発光量を変化させることを特徴と
する光学的物体検知回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60034861A JPS61194784A (ja) | 1985-02-23 | 1985-02-23 | 光学的物体検知回路 |
| KR1019850009178A KR900004297B1 (ko) | 1985-02-23 | 1985-12-06 | 광학적회로 |
| US06/819,040 US4757190A (en) | 1985-02-23 | 1986-01-15 | Optical circuit |
| CN86100687.9A CN1004102B (zh) | 1985-02-23 | 1986-01-23 | 光电回路 |
| DE19863604603 DE3604603A1 (de) | 1985-02-23 | 1986-02-14 | Optischer schaltkreis |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60034861A JPS61194784A (ja) | 1985-02-23 | 1985-02-23 | 光学的物体検知回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194784A true JPS61194784A (ja) | 1986-08-29 |
| JPH0317384B2 JPH0317384B2 (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=12425947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60034861A Granted JPS61194784A (ja) | 1985-02-23 | 1985-02-23 | 光学的物体検知回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4757190A (ja) |
| JP (1) | JPS61194784A (ja) |
| KR (1) | KR900004297B1 (ja) |
| CN (1) | CN1004102B (ja) |
| DE (1) | DE3604603A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013247296A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Sharp Corp | 光センサおよび電子機器 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5117118A (en) * | 1988-10-19 | 1992-05-26 | Astex Co., Ltd. | Photoelectric switch using an integrated circuit with reduced interconnections |
| US5254846A (en) * | 1990-06-01 | 1993-10-19 | Banner Engineering Corporation | Analog photosensor operating on the power from a standard 4-20 ma instrumentation current loop |
| DE4109121A1 (de) * | 1991-03-20 | 1992-09-24 | Bosch Gmbh Robert | Sensor, vorzugsweise optischer sensor |
| US5286967A (en) * | 1992-12-04 | 1994-02-15 | Stanley Home Automation | Method and apparatus for self-biasing a light beam obstacle detector with a bias light |
| US5285058A (en) * | 1993-01-14 | 1994-02-08 | Schlumberger Industries, Inc. | Optical sensor control including the suspension of light radiation |
| DE10163946A1 (de) * | 2001-12-22 | 2003-07-03 | Aweco Appliance Sys Gmbh & Co | Elektronische Schaltung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5491073U (ja) * | 1977-12-12 | 1979-06-27 | ||
| JPS5732811U (ja) * | 1980-08-01 | 1982-02-20 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1623778B2 (de) * | 1967-10-19 | 1976-02-12 | Hartmann & Braun Ag, 6000 Frankfurt | Lichtschranke |
| US3631250A (en) * | 1970-02-13 | 1971-12-28 | Us Navy | Optical positive feedback sensor circuit |
| DE2410314C2 (de) * | 1974-03-05 | 1983-04-07 | Leuze Electronic Kg, 7311 Owen | Lichtelektrische Anordnung zur Auslösung von Schaltvorgängen |
| US4041502A (en) * | 1975-12-22 | 1977-08-09 | Williams Tool, Inc. | Sedimentation recorder |
| JPS5354433A (en) * | 1976-10-28 | 1978-05-17 | Fujitsu Ltd | Register setting system |
| AU533232B2 (en) * | 1979-06-27 | 1983-11-10 | Hochiki Kabushiki Kaisha | Photoelectric detector |
| US4281325A (en) * | 1979-08-17 | 1981-07-28 | American Science And Engineering, Inc. | Positive feedback meter pulse initiator |
| US4352013A (en) * | 1980-06-02 | 1982-09-28 | Burroughs Corporation | Track sensor controller |
| DE3224531A1 (de) * | 1982-07-01 | 1984-01-05 | Danfoss A/S, 6430 Nordborg | Bistabile fotoelektrische abtastvorrichtung |
-
1985
- 1985-02-23 JP JP60034861A patent/JPS61194784A/ja active Granted
- 1985-12-06 KR KR1019850009178A patent/KR900004297B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1986
- 1986-01-15 US US06/819,040 patent/US4757190A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-01-23 CN CN86100687.9A patent/CN1004102B/zh not_active Expired
- 1986-02-14 DE DE19863604603 patent/DE3604603A1/de active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5491073U (ja) * | 1977-12-12 | 1979-06-27 | ||
| JPS5732811U (ja) * | 1980-08-01 | 1982-02-20 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013247296A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Sharp Corp | 光センサおよび電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900004297B1 (ko) | 1990-06-20 |
| CN1004102B (zh) | 1989-05-03 |
| DE3604603C2 (ja) | 1991-09-26 |
| CN86100687A (zh) | 1986-08-20 |
| DE3604603A1 (de) | 1986-09-04 |
| JPH0317384B2 (ja) | 1991-03-07 |
| KR860006845A (ko) | 1986-09-15 |
| US4757190A (en) | 1988-07-12 |
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