KR900004297B1 - 광학적회로 - Google Patents

광학적회로 Download PDF

Info

Publication number
KR900004297B1
KR900004297B1 KR1019850009178A KR850009178A KR900004297B1 KR 900004297 B1 KR900004297 B1 KR 900004297B1 KR 1019850009178 A KR1019850009178 A KR 1019850009178A KR 850009178 A KR850009178 A KR 850009178A KR 900004297 B1 KR900004297 B1 KR 900004297B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
current
light emitting
emitting element
light
transistor
Prior art date
Application number
KR1019850009178A
Other languages
English (en)
Other versions
KR860006845A (ko
Inventor
도시노부 안도오
고오이찌 이사지
Original Assignee
가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
미다 가쓰시게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼, 미다 가쓰시게 filed Critical 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
Publication of KR860006845A publication Critical patent/KR860006845A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR900004297B1 publication Critical patent/KR900004297B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
    • G01V8/00—Prospecting or detecting by optical means
    • G01V8/10—Detecting, e.g. by using light barriers
    • G01V8/12—Detecting, e.g. by using light barriers using one transmitter and one receiver

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geophysics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

광학적회로
제 1 도는 포토센서의 한 적용예인 모터의 회전검지기구를 나타낸 사시도.
제 2 도는 본원 발명의 일실시예에 의한 광학적 검지회로를 나타낸 회로도.
제 3 도는 제 2 도의 동작 설명을 위한 타임차트.
제 4 도는 본원 발명의 다른 실시예에 의한 광학적 검지회로를 나타낸 회로노.
본원 발명은 광학적회로에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 발광소자와 수광 소자를 포함하고, 물체를 광학적으로 검출하는 이른바 포토센서에 관한 것이다.
카드나 지엽(紙葉)등을 광학적으로 검출하기 위해, 또는 모터의 회전축에 고정된 슬릿판으로부터 펄스를 얻기 위해 종래부터 이른바 포토센서가 사용되고 있다.
종래, 일반적으로 사용되고 있던 포토센서로서는 예를들면 응용메뉴얼(Application Manual) 포토인터럽터(SHARP)(1982년 1월)의 제 26면, 도면 4-7(d)에 계시되어 있는 것이 있다.
이 회로는 전원 +Vcc으로부터 저항(R)을 통해 발광다이오드에 전류를 인가하며, 다른쪽을 전원 +Vcc으로부터 다른 저항을 통해 포토트랜지스터에 전압을 인가하는 것이다. 발광다이오드에 전류가 주어지면 발광하며, 그 빛이 포토트랜지스터에 도달하면 포토트랜지스터가 온으로 되어 전원 +Vcc으로부터 전류가 이 포토트랜지스터에 흐른다. 포토트랜지스터에서는 전류의 증폭율이 작기 때문에, 그 출력은 다음 단(段)의트랜지스터에 의해 증폭되어 대진폭의 파형이 출력된다. 그러나, 그 파형에는 변형이 있기 때문에 다시 슈미트 트리거소자를 통해 파형정형된다. 또, 이 회로구성에서는 발광소자와 수광소자의 회로가 전원에 대해 별개의 회로로 되어 있기 때문에, 포토트랜지스터에서 출력할 때의 인터페이스 신호선인 전기적 라인은 전원선, 포토트랜지스터의 콜렉터선 및 어드선의 3개가 필요하다.
최근의 전자기기는 고기능화되는 경향에 있으며, 장치내의 여러 곳에 많은 포토센서가 실장(實裝)되는 경향에 있다. 따라서, 이렇게 되면 인터페이스의 전기적 라인의 개수도 그것에 비례해서 증가하기 때문에 전기적 라인을 장치내에 실장하는 작업량도 많아진다.
본원 발명의 목적은 인터페이스 신호선인 전기적 라인의 수를 감소시킬 수 있는 광학적회로를 제공하는데 있다.
본원 발명의 다른 목적은 수광소자의 출력에 의해 발광소자에 인가되는 전류를 증폭시킬 수 있는 증폭수단을 가진 광학적 회로를 제공하는데 있다.
본원 발명의 또다른 목적은 수광소자에 흐르는 전류를 발광소자축에 피드백시킴으로써 발광소자에 흐르는 전류량을 증가시키는 동시에, 발광량을 증가시킬 수 있는 광학적 회로를 제공하는데 있다.
본원 발명은 발광소자와 이 발광소자로부터의 빛을 수광하는 수광소자를 구비하는 광학적 회로에 있어서 실현된다. 통상 발광소자는 포토다이오드이며, 수광소자는 포토트랜지스터이다. 이 발광소자에 직렬로 전류제어회로가 접속되며, 수광소자에 흐르는 전류에 따라 발광소자에 흐르는 전류를 제어한다. 이 전류제어 회로는 바람직하게는 바이어스소자와 이것에 병렬로 접속된 전류 증폭수단으로서의 트랜지스터에 의해 구성된다. 이와같은 구성에 의하면 발광소자에 전원을 공급하는 라인과 수광소자로부터의 신호를 얻는 라인의 2개의 전기적 라인에 의해 광학적 회로를 달성할 수 있다.
또, 발광소자에 흐르는 전류로와, 수광소자에 흐르는 전류로는 상기 전류제어회로에 의해 피드백루프가 구성된다. 수광소자의 출력전류는 발광소자측에 귀환된다. 이렇게 하면 발광소자에 인가되는 전류가 트랜지스터에 의해 증폭되므로, 발광량이 증가하여 수광소자의 출력단에 나타나는 전류치가 크게 증폭된다. 따라서, 굳이 출력단에 증폭수단을 부가하는 것도 불필요해진다.
제 1 도는 포토센서의 한 적응예로서 모터의 회전수를 검지하기 위한 기구를 나타낸 도면이다.
모터(11)의 회전축(111)에는 그 위상을 검지하기 위해 1개소에 구멍(121)이 뚫린 원판(12)이 부착된다. 그 원판(12)의 예지에는 원판(12)의 구멍(121)의 위치를 광학적으로 검지하기 위한 광학적 물체검지유니트(13)가 원판(12)을 협지하도록 설치된다. 이 광학적 물체검지유니트(13)로부터는 제 1 및 제 2의 전기적 라인(L1),(L2)이 인출되어 있다.
이 유니트(13)내에는 원판(12)을 협지하고, 발광소자와 수광소자가 대향해서 배치되어 있다. 모터(l1)이 회전에 따라 구멍(l21)이 도래하면 발광소자로부터의 빛이 수광소자에서 검지되며, 수광소자에는 수광량에 따른 전류가 흐른다. 이와 같이해서 물체 즉 원판(12)의 구멍의 유무가 검지된다.
제 2 도에 구체적인 광학적 검지회로가 도시되어 있다.
제 2 도에서는 광학적 물체검지부(3)와, 검출회로부(10)가 각각 파선으로 표시되어 있다. 검출회로부(10)는 전원(Vcc)을 공급하기 위한 제 1회 전기적 라인(L1)과 출력선인 제 2의 전기적 라인(L2)의 2개에 의해 광학적 물체검지부(3)와 결합되어 있다. 제 1의 전기적 라인(L1)은 광학적 물체검지부(3)내의 증폭수단인 트랜지스터(6)의 에미터와 바이어스소자(7)의 a단자에 접속되어 있으며, 또 트랜지스터(6)의 콜렉터와 바이어스소자(7)의 b단자는 모두 결합되어 발광소자인 포토다이오드(4)의 애노드에 접속되어 있으며, 트랜지스터(6)와 바이어스소자(7)는 전류제어회로를 구성한다. 트랜지스터(6)의 베이스는 수광소자인 포토트랜지스터(5)의 콜렉터에 접속되어 있다. 또한 발광소자(4)의 캐소드와 수광소자(5)의 에미터는 모두 결합되어 있으며, 검출회로부(10)에 제 2의 전기적 라인(L2)을 통해 접속되어 있다.
제 2의 전기적 라인(L2)은 검출회로부(10)에 있어서 부하저항(8)의 a단자와 슈미트 트리거소자(9)의 입력에 접속되어 있다. 또한, 부하저항(8)의 b단자는 접지되어 있다. 이와같이, 광학적 물체검지부(3)에서는 발광소자(4)에 흐르는 전류회로와 수광소자(5)에 흐르는 전류회로가 피드백회로를 형성하고 있으며, 발광소자(4)로부터의 발광량이 증가하면 수광량도 증가해서 수광소자(5)에 흐르는 전류치는 증대한다. 그 때문에 그것이 트랜지스터(6)를 통해 발광소자(4)에 흐르는 전류회로에 피드백되며, 다시 발광소자(4)의 발광량을 증가 시키게 된다. 이와같이 피드백에 의한 전류의 증가가 크기 때문에, 종래와 같이 수광부측 출력단에 증폭수단으로 설치하는 것은 불필요해 진다. 또, 인터페이스의 제 2의 전기적 라인(L2)을 수광소자(5)의 캐소드에서 인출하고 있기 때문에 전기적 라인수는 2개로 되어 종래보다 적어도 된다. 이것에 의해 장치의 소형화, 저소비전력호가 실현된다.
다음에, 동작에 대해 설명한다.
여기서, 바이어스소자(7)의 저항치와 부하저항(8)의 저항치는 발광소자(4)로 적외선 발광다이오드를 사용했을 경우, 발광소자(4)는 약 1.2V의 전압강하가 있기 때문에 슈미트 트리거소자(9)의 LOW 레벨 입력전압 한계치(ViL)와 HIGH 레벨 입력전압 한계치(ViH)와의 사이에 다음의 관계가 있는 것으로 한다.
Figure kpo00001
그리고, 트랜지스터(6)의 전압강하를 무시한 경우를 생각한다.
다음에, 상기 제 2 도에 나타낸 회로를 제 1 도에 나타낸 모터(11)의 회전수검지기구에 적용한 경우의 회로동작에 대해 설명한다.
원판(12)의 구멍이 뚫려 있지 않은 부분이 광학적 물체검지부(3)의 위치에 있을 때에는 발광소자(4)의 빛은 수광소자(5)에 도달하지 않기 때문에 출력전류(Ip)는 흐르지 않는다. 이 때문에 트랜지스터(6)의 베이스 전류는 "0"이며, 트랜지스터(6)는 커트오프되어 있다 .한편, 발광소자(4)에 흐르는 전류(ID)는 바이어스소자(7)에 의해 흐르는 전류(IR)뿐이며 발광량은 소량이다. 따라서, 슈미트 트리거소자(9)의 입력전압(Vi)은 식(1)에서 LOW 레벨이며, 슈미트 트리거소자(9)의 출력전압(V0)은 HIGH 레벨로 된다.
다음에, 원판(12)의 구멍(121)의 부분이 광학적 물체검지부(3)의 위치에 도래하면 발광소자(4)의 빛이 수광소자(5)에 도달하여 전류(Ip)가 흐르기 시작한다. 수광소자(5)는 트랜지스터(6)의 베이스에 결합되어 있기 때문에, 트랜지스터(6)의 콜렉터전류(Ic)가 흐르기 시작한다. 이것에 의해 발광소자(4)를 흐르는 전류(ID)는 ID=IR+IC로 되며, 발광량은 증가해서 Ip는 더욱 증가한다. 이 피드백은 트랜지스터(6)가 포화할 때가지 계속된다. 트랜지스터(6)가 포화한 시점에서는 슈미트 트리거소자(9)의 입력전압(Vi)은 Vi=(VCC-1.2) V로 되며, 식(2)에 의해 슈미트 트리거소자(9)의 출력전압(V0)은 LOW 레벨로 된다.
이 관계를 타임차트로 나타내면 제 3 도와 같이 된다. 제 3 도에 있어서 가로측의 a, a', a"로 도시한 시간은 원판(12)의 구멍(12l)이 뚫린 부분이 광학적 물체검지부(3)의 위치에 도래한 기간이며, 그밖의 시간은 구멍(121)이 뚫려 있지 않은 부분이 광학적 물체검지부(3)의 위치에 도래한 기간이다. 발광소자(4)에 흐르는 전류(ID)는 바이어스소자(7) 및 트랜지스터(6)에 의해 변형이 있는 파형이지만, 슈미트 트리거소자(9)에 입력된 다음의 출력(V0)에는 변형이 없는 정형된 펄스가 나타난다. 또, 최초는 바이어스소자(7)를 통해 흐르는 전류(ID)만이 발광소자(4)에 흐르지만 수광소자(5)로 빛을 수광한 다음은 수광소자(5)의 전류(Ip)가 트랜지스터(6)의 베이스를 통해 피드백되기 때문에, ID, Ip의 전류량은 증가되어 더욱 증대한다. 이것이 검출회로부(10)의 슈미트 트리거소자(9)의 입력전압(Vi)으로 되어 슈미트 트리거소자(9)에서 출력될때에는 정형된 펄스전압(V0)으로 된다. 제 2 도에서 명백한 바와같이 발광소자(4)와 수광소자(5)사이에 물체가 있을 경우에는 소비전력이 극단적으로 적어지므로 장치의 저소비전력화에 유효하다. 그리고, 제 3 도에 있어서 슈미트 트리거소자(9)의 출력전압(V0)의 주기(T)(a에서 a'까지의 시간)을 측정하면, 회전수(f)는 1/T이므로 측정된 T의 값의 역수로부터 모터(11)의 회전수를 검지할 수 있다.
제 4 도는 본원 발명의 다른 실시예를 나타낸 광학적 물체검지회로의 구성도이다.
제 4 도에서는 발광소자(4)이 위치를 전원(Vcc)측에 배치하고 있다. 즉, 제 1의 전기적 라인(L1)이 발광소자(4)의 애노드에 접속되며, 발광소자(4)의 캐소드가 트랜지스터(6)의 에미터와 바이어스소자(7)의 a단자에 접속된다. 또, 트랜지스터(6)의 콜렉터와 바이어스소자(7)의 b단자 및 수광소자(5)의 에미터는 공통의 제 2의 전기적 라인(L2)에 접속된다. 그리고, 트랜지스터(6)의 베이스에 수광소자(5)의 콜렉터가 접속되는 점은 제 2 도와 같다.
이와같이, 상기 실시예에 의하면 인터페이스의 전기적 라인의 개수를 2개로 한 포토센서를 달성할 수 있으며, 또 종래와 같이 출력단에 증폭수단이 불필요하기 때문에 회로적으로도 간단해진다.
상기 실시예에 한정되지 않고 본원 발명은 이 밖에도 여러가지 변형하여 실시할 수 있다. 가장 일반적인 변형에는 트랜지스터가 사용되는 회로에 있어서 통상 자주 행해지는 접속방향을 바꾸는 변형이다. 즉, 콜렉터측을 접속한 것을 에미터측으로 바꾸거나 에미터접지식의 것을 콜렉터접지식으로 바꾸는 것과 같은 것이다.
다른 변형예로서 제 2 도 및 제 4 도에 도시한 예에 있어서, 바이어스소자(7)는 없어도 된다. 통상, 트랜지스터(6)에는 누설전류가 있으므로, 이것이 발광소자에 흐르기 때문이다.
또 다른 변형예로서 제 2 도에 도시한 회로에 있어서, 전압레벨의 관계를 고려하여 슈미트 트리거소자(9)를 콘버터회로로 바꾸어 놓아도 된다. 또한, 바이어스소자(7)에 의해 기동전류를 흐르게 하지 않고, 외부광 또는 트랜지스터(6), 수광소자(5)의 누설전류를 이용하여 기동전류를 생성하도록 해도 된다.
또한 제 4 도의 변형예로서, 제 2의 전기적 라인(L2)을 장치의 프레임어드에 접속하도록 하며, 또한 검출회로부(10)의 슈미트 트리거소자(9)를 콘버터회로로 치환하여 제 1의 전기적 라인(L1)으로부터의 전압과 접지전압을 비교하도록 해도 된다. 이렇게 하면 광학적 물체검지부(3)와 검출회로부(10)간의 전기적 라인은(L1)의 하나로 된다.

Claims (3)

  1. 전원전류를 공급하는 제 1의 전기적 라인(L1)과, 이 제 1의 전기적라인(L1)에 접속된 전류제어회로와, 일단이 이 전류제어회로에 접속되어, 인가되는 전류에 따라 발광하는 발광소자(4)와, 이 발광소자(4)로부터의 빛을 수광하여 수광량에 따른 전류를 흐르게 하는 수광소자(5)와, 이 발광소자(4)와 이 수광소자(5)의 타단이 공통으로 접속되는 제 2의 전기적 라인(L2)을 가지며, 상기 전류제어회로는 이 수광소자(5)의 일단이 접속되며, 이 수광소자(5)에 흐르는 전류를 증폭하고, 이 증폭된 전류를 이 발광소자(4)에 귀환하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 광학적회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 전류제어회로는 상기 수광소자(5)에 흐르는 전류를 증폭하는 증폭수단인 트랜지스터(6)와, 이 트랜지스터(6)에 병렬로 접속되어, 상기 제 1의 전기적 라인(L1)으로부터 전달된 전류를 상기 발광소자(4)에 인가하는 바이어스소자(7)를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학적회로.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1의 전기적라인(L1)과 상기 제 2의 전기적 라인(L2)과 부하저항(8)을 직렬로 접속하고, 이 부하저항(8)과 상기 제 2의 전기적 라인(L2)의 접속부로부터 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 광학적회로.
KR1019850009178A 1985-02-23 1985-12-06 광학적회로 KR900004297B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60034861A JPS61194784A (ja) 1985-02-23 1985-02-23 光学的物体検知回路
JP85-34861 1985-02-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR860006845A KR860006845A (ko) 1986-09-15
KR900004297B1 true KR900004297B1 (ko) 1990-06-20

Family

ID=12425947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019850009178A KR900004297B1 (ko) 1985-02-23 1985-12-06 광학적회로

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4757190A (ko)
JP (1) JPS61194784A (ko)
KR (1) KR900004297B1 (ko)
CN (1) CN1004102B (ko)
DE (1) DE3604603A1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5117118A (en) * 1988-10-19 1992-05-26 Astex Co., Ltd. Photoelectric switch using an integrated circuit with reduced interconnections
US5254846A (en) * 1990-06-01 1993-10-19 Banner Engineering Corporation Analog photosensor operating on the power from a standard 4-20 ma instrumentation current loop
DE4109121A1 (de) * 1991-03-20 1992-09-24 Bosch Gmbh Robert Sensor, vorzugsweise optischer sensor
US5286967A (en) * 1992-12-04 1994-02-15 Stanley Home Automation Method and apparatus for self-biasing a light beam obstacle detector with a bias light
US5285058A (en) * 1993-01-14 1994-02-08 Schlumberger Industries, Inc. Optical sensor control including the suspension of light radiation
DE10163946A1 (de) * 2001-12-22 2003-07-03 Aweco Appliance Sys Gmbh & Co Elektronische Schaltung
JP2013247296A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Sharp Corp 光センサおよび電子機器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1623778B2 (de) * 1967-10-19 1976-02-12 Hartmann & Braun Ag, 6000 Frankfurt Lichtschranke
US3631250A (en) * 1970-02-13 1971-12-28 Us Navy Optical positive feedback sensor circuit
DE2410314C2 (de) * 1974-03-05 1983-04-07 Leuze Electronic Kg, 7311 Owen Lichtelektrische Anordnung zur Auslösung von Schaltvorgängen
US4041502A (en) * 1975-12-22 1977-08-09 Williams Tool, Inc. Sedimentation recorder
JPS5354433A (en) * 1976-10-28 1978-05-17 Fujitsu Ltd Register setting system
JPS5491073U (ko) * 1977-12-12 1979-06-27
AU533232B2 (en) * 1979-06-27 1983-11-10 Hochiki Kabushiki Kaisha Photoelectric detector
US4281325A (en) * 1979-08-17 1981-07-28 American Science And Engineering, Inc. Positive feedback meter pulse initiator
US4352013A (en) * 1980-06-02 1982-09-28 Burroughs Corporation Track sensor controller
JPS5732811U (ko) * 1980-08-01 1982-02-20
DE3224531A1 (de) * 1982-07-01 1984-01-05 Danfoss A/S, 6430 Nordborg Bistabile fotoelektrische abtastvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US4757190A (en) 1988-07-12
KR860006845A (ko) 1986-09-15
CN86100687A (zh) 1986-08-20
JPS61194784A (ja) 1986-08-29
CN1004102B (zh) 1989-05-03
DE3604603C2 (ko) 1991-09-26
JPH0317384B2 (ko) 1991-03-07
DE3604603A1 (de) 1986-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4356393A (en) Alignment indicator for photoelectric scanners
US5140153A (en) Circuitry for compensating for the effect of light on the operation of infrared-sensitive phototransistors in a contact display panel
KR900004297B1 (ko) 광학적회로
KR900008769A (ko) 이득 제어 증폭 회로
EP0308058A2 (en) Power supply
US5377213A (en) Laser driving circuit
EP0070590A1 (en) Light-sensitive detection circuit
US5621204A (en) Low power bar code reader
CA2271113A1 (en) Arrangement for protecting the output transistors in a power amplifier
KR920001468Y1 (ko) 팩시밀리의 포토 센서 드라이버
KR920010366A (ko) 물체검출장치
JPS61193092A (ja) 光学的検知回路
GB2027192A (en) Photoelectric tachometer
JPH0360503A (ja) 光センサ装置
SE520433C2 (sv) Förstärkarkrets, ett optiskt kommunikationssystem och en metod för att styra förstärkning
JP2841743B2 (ja) 光センサ用発受光回路
KR0121310Y1 (ko) 연산 증폭기를 이용한 레이저 다이오드의 구동제어회로
US5604515A (en) Pulse-type driving device
KR20010080948A (ko) 이동전화기에 사용하기 위한 증폭기
JP3312275B2 (ja) 電流変化型反射センサ
KR960012910B1 (ko) 정전압 궤환 제어회로
JPH08321760A (ja) バイアス電流制御回路
KR940007536Y1 (ko) 릴 센서를 이용한 이슬 감지회로
KR960000150A (ko) 광센서를 이용한 진공청소기의 먼지 검출장치
KR0117097Y1 (ko) 광원 간섭을 제거한 센서회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020219

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee