JPS61191506A - 高α型窒化珪素粉末の製造法 - Google Patents
高α型窒化珪素粉末の製造法Info
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- JPS61191506A JPS61191506A JP60028467A JP2846785A JPS61191506A JP S61191506 A JPS61191506 A JP S61191506A JP 60028467 A JP60028467 A JP 60028467A JP 2846785 A JP2846785 A JP 2846785A JP S61191506 A JPS61191506 A JP S61191506A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高温構造材料として有用な窒化珪素焼結体の製
造に適した高α型窒化珪素粉末の製造法に関するもので
ある。
造に適した高α型窒化珪素粉末の製造法に関するもので
ある。
シリコンイミドの熱分解法による方法は高純度のα型窒
化珪素が容易に得られるが、その粒子形状に関しては、
従来針状又は柱状晶が大部分であり、そのためこれを焼
結用原料として用いた場合、非常に低い成形体密度しか
得られず、高密度焼結体が得られないという欠点があっ
た。
化珪素が容易に得られるが、その粒子形状に関しては、
従来針状又は柱状晶が大部分であり、そのためこれを焼
結用原料として用いた場合、非常に低い成形体密度しか
得られず、高密度焼結体が得られないという欠点があっ
た。
本発明者らは先に窒化珪素粉末の製造方法として、加熱
分解を行なうに際し1550℃〜1550”Cの温度範
囲における昇温速度を毎分15°C以上に制御する事に
よる製造法(特開昭58−55315号公報)を、また
珪素としてa1p/ad以上の粉体嵩比重を有する含窒
素シラン化合物を加熱する製造法(特開昭58−553
16号公報)を提供した。しかしながらこれらの方法で
得た粉末は、高純度・微粒であるため、優れた焼結性、
高温特性を発揮するものの、破壊靭性値が小さいため常
温での強度は、従来の窒化珪素粉末と比較して大きな差
異はなかった。
分解を行なうに際し1550℃〜1550”Cの温度範
囲における昇温速度を毎分15°C以上に制御する事に
よる製造法(特開昭58−55315号公報)を、また
珪素としてa1p/ad以上の粉体嵩比重を有する含窒
素シラン化合物を加熱する製造法(特開昭58−553
16号公報)を提供した。しかしながらこれらの方法で
得た粉末は、高純度・微粒であるため、優れた焼結性、
高温特性を発揮するものの、破壊靭性値が小さいため常
温での強度は、従来の窒化珪素粉末と比較して大きな差
異はなかった。
本発明は上記欠点を更に改良すべく鋭意研究の結果、破
壊靭性値の向上を促すα相含有率を、更に増大させた高
純度、微粒の粒状晶からなる窒化珪素粉末の製造法を提
供するものである。
壊靭性値の向上を促すα相含有率を、更に増大させた高
純度、微粒の粒状晶からなる窒化珪素粉末の製造法を提
供するものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の製法は、酸素含有量1.0重t%以上の酸素を
含む窒化珪素粉末と含窒素シラン化合物との混合物を加
熱焼成して窒化珪素粉末を得ることを特徴とするもので
ある。
含む窒化珪素粉末と含窒素シラン化合物との混合物を加
熱焼成して窒化珪素粉末を得ることを特徴とするもので
ある。
ここで本発明に用いられる含窒素シラン化合物としては
、ハロゲン化珪素とアンモニアとの反応生成物であるシ
リコンジイミド51(NH)2. [化アンモニウムの
混合物を液体NH,で洗浄して得た5i(NT()2、
あるいはシリコンジイミド、塩化アンモニウムを窒素あ
るいはアンモニア中で加熱して得た分解生成物Si、N
3H,非晶質窒化珪素粉末等を挙げることができるが、
いずれも粉末中に含まれるハロゲンが1重t%以下の含
窒素シラン化合物を用いるのが好ましい。
、ハロゲン化珪素とアンモニアとの反応生成物であるシ
リコンジイミド51(NH)2. [化アンモニウムの
混合物を液体NH,で洗浄して得た5i(NT()2、
あるいはシリコンジイミド、塩化アンモニウムを窒素あ
るいはアンモニア中で加熱して得た分解生成物Si、N
3H,非晶質窒化珪素粉末等を挙げることができるが、
いずれも粉末中に含まれるハロゲンが1重t%以下の含
窒素シラン化合物を用いるのが好ましい。
本発明においては、酸素含有量1.0重11%以上の酸
素を含む窒化珪素粉末を使用する事が特徴である。1.
0filly%以下の酸素を含む窒化珪素粉末では、本
発明の目的は達成できない。
素を含む窒化珪素粉末を使用する事が特徴である。1.
0filly%以下の酸素を含む窒化珪素粉末では、本
発明の目的は達成できない。
本発明においては、酸素含有量1,0重量%以上の酸素
を含む窒化珪素粉末と含窒素シラン化合物を加圧成形、
造粒等により珪素として111g/7以上の粉体嵩密度
を有する粉体、成形体として使用する事が望ましい。1
1g/7未満の粉体嵩密度を有する粉体、成形体では針
状晶、柱状晶が生成し、本発明の目的は達成できない。
を含む窒化珪素粉末と含窒素シラン化合物を加圧成形、
造粒等により珪素として111g/7以上の粉体嵩密度
を有する粉体、成形体として使用する事が望ましい。1
1g/7未満の粉体嵩密度を有する粉体、成形体では針
状晶、柱状晶が生成し、本発明の目的は達成できない。
本発明の窒化珪素粉末と含窒素シラン化合物の配合割合
は、窒化珪素粉末が11〜15重tsとなる様にするの
が好ましくこの範囲以外では、本発明の目的を達成しえ
ない。
は、窒化珪素粉末が11〜15重tsとなる様にするの
が好ましくこの範囲以外では、本発明の目的を達成しえ
ない。
本発明では、窒化珪素製造の原料である上記窒化珪素及
び含窒素シラン化合物を窒素を主成分とする雰囲気中く
て1400〜1700″C1好ましくは1500〜16
00°Cの温度に加熱し熱分解する。加熱温度が140
0°C未満では含窒素シラン化合物の熱分解が不完全で
非晶質の窒化珪素が生成する一方加熱温度が1700”
Cを越えると窒化珪素の粒成長、含有β相の増大が起こ
り好ましくない。
び含窒素シラン化合物を窒素を主成分とする雰囲気中く
て1400〜1700″C1好ましくは1500〜16
00°Cの温度に加熱し熱分解する。加熱温度が140
0°C未満では含窒素シラン化合物の熱分解が不完全で
非晶質の窒化珪素が生成する一方加熱温度が1700”
Cを越えると窒化珪素の粒成長、含有β相の増大が起こ
り好ましくない。
本発明の更に好ましい製造法は、窒化珪素と含窒素シラ
ン化合物の混合物を加熱分解結晶化する際に、1350
°C〜1550°Cの温度における昇温速度が15”C
7分以上となる様昇温速度を制御する方法である。昇温
速度が15″C/分未満では1350”C近傍で生成し
はじめる結晶核が昇温途中で粒成長を起こすと同時に、
より安定な相であるβ型窒化珪素の生成割合が増大し、
所望の微細な高純度α型窒化珪素を得ることはできない
。
ン化合物の混合物を加熱分解結晶化する際に、1350
°C〜1550°Cの温度における昇温速度が15”C
7分以上となる様昇温速度を制御する方法である。昇温
速度が15″C/分未満では1350”C近傍で生成し
はじめる結晶核が昇温途中で粒成長を起こすと同時に、
より安定な相であるβ型窒化珪素の生成割合が増大し、
所望の微細な高純度α型窒化珪素を得ることはできない
。
本発明の製造法において加熱分解を行なうに際し、殊に
1350°C〜1700’Cの温度範囲において最も好
ましい雰囲気は窒素雰囲気である。それ以外の雰囲気も
採用することができるが、例えば不活性ガス、真空中等
では一部窒化珪素のシリコンへの分解が起こり、また水
素、ハロゲンガス中では針状晶窒化珪素の生成が促進さ
れろためこれらの点で好ましくない。
1350°C〜1700’Cの温度範囲において最も好
ましい雰囲気は窒素雰囲気である。それ以外の雰囲気も
採用することができるが、例えば不活性ガス、真空中等
では一部窒化珪素のシリコンへの分解が起こり、また水
素、ハロゲンガス中では針状晶窒化珪素の生成が促進さ
れろためこれらの点で好ましくない。
酸素含有量1.0重量%以上の酸素を含む窒化珪素粉末
を含む含窒素シラン化合物を熱分解すると後述の様なα
相含有率が高い窒化珪素粉末が生成することの理由は明
らかでないが、・添加した窒・化珪素粉末から加熱時に
一酸化珪素が発生し、α相窒化珪素生成に有効な一酸化
珪素分圧を保つとも考えられる。
を含む含窒素シラン化合物を熱分解すると後述の様なα
相含有率が高い窒化珪素粉末が生成することの理由は明
らかでないが、・添加した窒・化珪素粉末から加熱時に
一酸化珪素が発生し、α相窒化珪素生成に有効な一酸化
珪素分圧を保つとも考えられる。
このように酸素含有量1.0重8%以上の酸素を含む窒
化珪素粉末を含む含窒素シラン化合物を熱分解すること
により、α相含有量の高い微粉末をはじめて得る事がで
きる。従ってこれを原料として窒化珪素焼結体を得た場
合、その焼結体は化学的、物理的に安定で特に従来の方
法で得た焼結体に比較して高強度、信頼性を要求される
高温ガスタービル用の窒化珪素焼結体の原料として有用
である。
化珪素粉末を含む含窒素シラン化合物を熱分解すること
により、α相含有量の高い微粉末をはじめて得る事がで
きる。従ってこれを原料として窒化珪素焼結体を得た場
合、その焼結体は化学的、物理的に安定で特に従来の方
法で得た焼結体に比較して高強度、信頼性を要求される
高温ガスタービル用の窒化珪素焼結体の原料として有用
である。
後述の比較例で得たα相含有率の低い窒化珪素は、焼結
体の破壊靭性値、室温強度とも小さく、高強度焼結体が
得られない。
体の破壊靭性値、室温強度とも小さく、高強度焼結体が
得られない。
次に実施例で本発明を更に詳述するが、本発明はこれら
に限定されるものではない。
に限定されるものではない。
実施例および比較例において、窒化珪素粉末のα相含有
率はセラミック・ブラティン・56゜777〜780(
1977)に記載のX線回折法によって算出し、平均粒
径は走査型電子顕微鏡により行なった。
率はセラミック・ブラティン・56゜777〜780(
1977)に記載のX線回折法によって算出し、平均粒
径は走査型電子顕微鏡により行なった。
実施例1〜3.比較例1
シリコンジイミドをアンモニア雰囲気下で1000”C
,2hr焼成して白色の非晶質粉末を得た。粉末のSi
、 N、 Hの分析値から生成粉末の組成は812N3
Hに啄めて近く、塩素含有量はCL5重t%。
,2hr焼成して白色の非晶質粉末を得た。粉末のSi
、 N、 Hの分析値から生成粉末の組成は812N3
Hに啄めて近く、塩素含有量はCL5重t%。
酸素含有量は1.5重量%であった。
次に上記粉末と窒化珪素粉末(酸素含有量1.5重量%
、α相含有率86チ、平均粒径O,Sμm)を第1表に
記載の添加量に従い、ナイロン製振動ボールミルにて3
0分間混合した混合粉末を25χφ金型プレスにより2
00 lc9/cI/lの成形圧で加圧成形し、含有S
1の嵩密度1189/iとしたものを、1550°Cに
保持した管状炉に挿入後、(15時間保持することによ
り窒化珪素粉末を得た。
、α相含有率86チ、平均粒径O,Sμm)を第1表に
記載の添加量に従い、ナイロン製振動ボールミルにて3
0分間混合した混合粉末を25χφ金型プレスにより2
00 lc9/cI/lの成形圧で加圧成形し、含有S
1の嵩密度1189/iとしたものを、1550°Cに
保持した管状炉に挿入後、(15時間保持することによ
り窒化珪素粉末を得た。
これらの生成粉末の窒素含有率、α相含有率、平均粒径
な調べた。その結果を第1表にあわせて示した。
な調べた。その結果を第1表にあわせて示した。
更に、各粉末を5重量%のY2O3+ ”重t%のA4
0.と窒化珪素製ボールミルにより混合、ラノ(−プレ
スにて1.5t/mの成形圧で成形した。成形体は17
50°C,2時間の焼結条件で常圧焼結した。焼結体は
400すのダイヤモンド砥石により研削後、焼結体密度
9曲げ強度、破壊靭性値の測定を行なった。結果を第1
表に示す。
0.と窒化珪素製ボールミルにより混合、ラノ(−プレ
スにて1.5t/mの成形圧で成形した。成形体は17
50°C,2時間の焼結条件で常圧焼結した。焼結体は
400すのダイヤモンド砥石により研削後、焼結体密度
9曲げ強度、破壊靭性値の測定を行なった。結果を第1
表に示す。
なお曲げ強度は支点間30鴎の3点曲げ試験による値の
それぞれ10個の試料の平均である。破壊靭性値の測定
はマイクロインデンテーション法により行なった。
それぞれ10個の試料の平均である。破壊靭性値の測定
はマイクロインデンテーション法により行なった。
実施例4〜6.比較例2〜4
非晶質粉末と第2表に記載の窒化珪素粉末2重t%とを
アトリッジコンミルにて50分間混合した。混合粉末を
タブレットマシーンにより成形後、高周波誘導炉にて2
0″C/分の昇温速度で昇温、1500’Cでα5時間
保持して窒化珪素粉末を得た。これらの生成粉末の窒素
含有量、α相含有率。
アトリッジコンミルにて50分間混合した。混合粉末を
タブレットマシーンにより成形後、高周波誘導炉にて2
0″C/分の昇温速度で昇温、1500’Cでα5時間
保持して窒化珪素粉末を得た。これらの生成粉末の窒素
含有量、α相含有率。
平均粒径及び焼結体の密度、破壊靭性値、室温強度を第
2表に示した。
2表に示した。
Claims (1)
- (1)含窒素シラン化合物の熱分解により窒化珪素を製
造する方法において、酸素含有量1.0重量%以上の酸
素を含む窒化珪素粉末と含窒素シラン化合物との混合物
を使用し、これを加熱することを特徴とする高α型窒化
珪素粉末の製造法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60028467A JPS61191506A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 高α型窒化珪素粉末の製造法 |
GB08603597A GB2172882B (en) | 1985-02-18 | 1986-02-13 | Process for preparation of high a-type silicon nitride powder |
US06/829,171 US4716028A (en) | 1985-02-18 | 1986-02-14 | Process for preparation of high-type silicon nitride powder |
DE19863605126 DE3605126A1 (de) | 1985-02-18 | 1986-02-18 | Verfahren zur herstellung eines siliciumnitridpulvers mit hohem (alpha)-typ-gehalt |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60028467A JPS61191506A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 高α型窒化珪素粉末の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61191506A true JPS61191506A (ja) | 1986-08-26 |
JPH0476924B2 JPH0476924B2 (ja) | 1992-12-07 |
Family
ID=12249455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60028467A Granted JPS61191506A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 高α型窒化珪素粉末の製造法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4716028A (ja) |
JP (1) | JPS61191506A (ja) |
DE (1) | DE3605126A1 (ja) |
GB (1) | GB2172882B (ja) |
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EP0305759A1 (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | Gte Laboratories Incorporated | Si3N4 Process using polysilane or polysilazane as a binder |
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-
1985
- 1985-02-18 JP JP60028467A patent/JPS61191506A/ja active Granted
-
1986
- 1986-02-13 GB GB08603597A patent/GB2172882B/en not_active Expired
- 1986-02-14 US US06/829,171 patent/US4716028A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-02-18 DE DE19863605126 patent/DE3605126A1/de not_active Ceased
Patent Citations (4)
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Publication number | Publication date |
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