JPS61187252A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS61187252A
JPS61187252A JP2706485A JP2706485A JPS61187252A JP S61187252 A JPS61187252 A JP S61187252A JP 2706485 A JP2706485 A JP 2706485A JP 2706485 A JP2706485 A JP 2706485A JP S61187252 A JPS61187252 A JP S61187252A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor integrated
mask
integrated circuits
wiring
masks
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2706485A
Other languages
English (en)
Inventor
Mutsuo Saito
齋藤 睦男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2706485A priority Critical patent/JPS61187252A/ja
Publication of JPS61187252A publication Critical patent/JPS61187252A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法、特に配線用導体膜の形
成方法に関する。
〔従来の技術〕
半導体集積回路の製作において、回路の品種が多種多様
でしかも一品種の需要が比較的少ないことがある。この
場合、マスター・スライス方式即ち回路内に必要な素子
を設けておき、配線パターンだけを変えて異なった回路
をつくる方式がとられる 従来、マスター・スライス方式での配線パターンを形成
する時に使用するマスクは一種類の品種のみを有するよ
うに形成されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従って、半導体集積回路装置の品種を多く製造する場合
には、使用するマスク数が多くなりマスクの保管数およ
び保管場所が増大するという問題がある。
本発明の目的は、多種の半導体集積回路装置を製作する
場合に使用するマスクを少なくし、ひいてはその保管数
および保管場所の増大化を防止する半導体の製造方法を
提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、配線パターンを形成する場合において二種以
上の品種の半導体集積回路の配線パターンを有するマス
クを使用することにより、使用するマスク数を従来より
少なくし、使用するマスクの保管数および保管場所の増
大を防+1ニすることを可能とする。
〔実施例〕
図面を参照して本発明の詳細な説明する。
まず、第1図に示すように異なる2つの半導体集積回路
Aの配線マスク11および半導体集積回路Bの配線マス
ク12を配列したマスク1を作成する。
次いで第2図に示すようにマスク1をウェハー2上に矢
印21.22.23の如く移動させながら逐次目金せ露
光機を用いて一回の露光で同時に半導体集積回路AとB
の配線パターンを形成せしめる。
以上の操作により第3図に示すようにウェハ−2全体に
異なる半導体集積回路AとBがマトリックス状に存在す
ることになる。
本実施例では異なる二種類の半導体集積回路AとBの配
線マスクを配列したマスクを使用したが、一種類の半導
体集積回路の配線マスクの大きさ、一枚のマスクの大き
さならびにウェハーの大きさによって一枚のマスクに配
列する配線マスクの数ならびにウェハー上を移動させる
方法などを任意に設計することができる。例えば三種類
以上の半導体集積回路A、B、C,・・・・・・の配線
マスクを配列した一枚のマスクを使用し、ウェハー上を
一往復させることでウニハートに三種以」二の半導体集
積回路A、B、C,・・・・・・を存在せしめることも
可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば二種以上の品種の
半導体集積回路の配線パターンを有するマスクを使用す
るので、半導体集積回路装置の品種を多く製造する場合
に使用するマスク数を少なくし、マスクの保管数および
保管場所の増大化を防止することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明による半導体装置の製造方法の一実施例を
示した図で、第1図は使用するマスク番示し、第2図は
第1図のマスクを使用して露光する場合の露光順序を説
明する図、第3図は一枚のウェハー全体に露光が終了し
た状態を説明する図である。 1・・・・・・マスク、 11・・・・・・半導体集積回路Aの配線マスク、12
・・・・・・半導体集積回路Bの配線マスク、2・・・
・・・ウェハー、 21.22.23・旧・・マスクの移動方向、31・・
・・・・配線パターンが形成された半導体集積回路A 32・・・・・・配線パターンが形成された半導体集積
回路B 特許出願人  日木電気株式会社 第  2  図 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  配線パターンの形成工程において、二種以上の品種の
    半導体集積回路の配線パターンを有するマスクを使用す
    ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2706485A 1985-02-14 1985-02-14 半導体装置の製造方法 Pending JPS61187252A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2706485A JPS61187252A (ja) 1985-02-14 1985-02-14 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2706485A JPS61187252A (ja) 1985-02-14 1985-02-14 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61187252A true JPS61187252A (ja) 1986-08-20

Family

ID=12210639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2706485A Pending JPS61187252A (ja) 1985-02-14 1985-02-14 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61187252A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4869998A (en) * 1986-05-01 1989-09-26 Smiths Industries Public Limited Company Intergrated circuit substrates

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4869998A (en) * 1986-05-01 1989-09-26 Smiths Industries Public Limited Company Intergrated circuit substrates

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3633268A (en) Method of producing one or more large integrated semiconductor circuits
JPS61187252A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2001156072A5 (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR20210035914A (ko) 반도체 웨이퍼의 정렬 마킹 방법 및 정렬 마킹 부분을 갖는 반도체 패키지
JPH01293616A (ja) 半導体集積回路の製造方法
US20030039928A1 (en) Multiple purpose reticle layout for selective printing of test circuits
JP2808594B2 (ja) 信号遅延回路
JP2745561B2 (ja) ゲートアレイlsiの製造方法
JPH11307890A (ja) プリント配線板
JP3057767B2 (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JPH03197949A (ja) 半導体集積回路装置製造用フォトレチクル
JPS6042828A (ja) マスク目合せ方法
JPS5994418A (ja) 半導体装置
JP3459794B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3270359B2 (ja) 半導体装置製造用フォトレチクル
JPS63258042A (ja) 半導体装置
KR100567061B1 (ko) X/y 방향간 단차 최소화용 멀티 버어니어의 제조방법
JP2704946B2 (ja) レチクル及び半導体装置の製造方法
JPS62188228A (ja) 集積回路の製造方法
JPH05114538A (ja) パターン露光方法
JPH01162349A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2690617B2 (ja) マスタースライス方式半導体集積回路装置
JPS61240280A (ja) パタ−ン形成法
JPH0895230A (ja) 微細パターンを含むパターンを形成する為のマスク及びそのマスクを用いたパターン形成方法
JPS6373520A (ja) ウエハ−の露光方法