JPH0895230A - 微細パターンを含むパターンを形成する為のマスク及びそのマスクを用いたパターン形成方法 - Google Patents
微細パターンを含むパターンを形成する為のマスク及びそのマスクを用いたパターン形成方法Info
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- JPH0895230A JPH0895230A JP23104894A JP23104894A JPH0895230A JP H0895230 A JPH0895230 A JP H0895230A JP 23104894 A JP23104894 A JP 23104894A JP 23104894 A JP23104894 A JP 23104894A JP H0895230 A JPH0895230 A JP H0895230A
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- Japan
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- pattern
- phase shift
- mask
- exposure
- patterns
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細パターンを含むパターンを形成する為の
マスク及びそのマスクを用いたパターン形成方法に関
し、位相シフト・パターンを単純化することに依って、
位相シフト・パターンの設計及びコンピュータへの入力
に要する時間を短縮しようとする。 【構成】 必要とする全体のパターンから取り出された
位相シフトを必要とする微細パターンである露光パター
ン１１Ａ及びその露光パターン１１Ａに対応する位相シ
フト・パターン１１Ｂをもつマスク１１、及び、必要と
する全体のパターンから取り出された位相シフトを必要
としないパターンである露光パターン１２Ａをもつマス
ク１２で一組になっていて、その両方を用いて露光を行
うことで、全体のパターンを形成する。
マスク及びそのマスクを用いたパターン形成方法に関
し、位相シフト・パターンを単純化することに依って、
位相シフト・パターンの設計及びコンピュータへの入力
に要する時間を短縮しようとする。 【構成】 必要とする全体のパターンから取り出された
位相シフトを必要とする微細パターンである露光パター
ン１１Ａ及びその露光パターン１１Ａに対応する位相シ
フト・パターン１１Ｂをもつマスク１１、及び、必要と
する全体のパターンから取り出された位相シフトを必要
としないパターンである露光パターン１２Ａをもつマス
ク１２で一組になっていて、その両方を用いて露光を行
うことで、全体のパターンを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、位相シフト・マスクを
用いなければならないような微細化されたパターンが含
まれるパターンを形成する際に適用して好適なマスク及
びそのマスクを用いてパターンを形成する方法に関す
る。
用いなければならないような微細化されたパターンが含
まれるパターンを形成する際に適用して好適なマスク及
びそのマスクを用いてパターンを形成する方法に関す
る。
【０００２】現在、半導体装置を高性能化及び高集積化
するには、微細パターンを実現しなければならないこと
は云うまでもない。そこで、微細パターンを形成するの
に必要なマスクとして、位相シフト・マスクが用いられ
るようになった。
するには、微細パターンを実現しなければならないこと
は云うまでもない。そこで、微細パターンを形成するの
に必要なマスクとして、位相シフト・マスクが用いられ
るようになった。
【０００３】位相シフト・マスクを作製する為には、位
相シフト・パターンの設計データ及び位相シフト・パタ
ーンのデータをコンピュータに入力することが必要とな
るのであるが、その入力に多くの時間を要するので、こ
の点を改善しなければならない。
相シフト・パターンの設計データ及び位相シフト・パタ
ーンのデータをコンピュータに入力することが必要とな
るのであるが、その入力に多くの時間を要するので、こ
の点を改善しなければならない。
【０００４】
【従来の技術】通常、位相シフト・マスクを作製する場
合、先ず、露光パターンを形成し、次に、位相シフト・
パターンの設計を行い、設計された位相シフト・パター
ンを露光パターンに加えるようにしている。
合、先ず、露光パターンを形成し、次に、位相シフト・
パターンの設計を行い、設計された位相シフト・パター
ンを露光パターンに加えるようにしている。
【０００５】図５は従来の技術を解説する為の位相シフ
ト・マスクを表す要部平面説明図である。図に於いて、
１はマスク、１Ａは露光パターン、１Ｂは位相シフト・
パターンをそれぞれ示している。
ト・マスクを表す要部平面説明図である。図に於いて、
１はマスク、１Ａは露光パターン、１Ｂは位相シフト・
パターンをそれぞれ示している。
【０００６】図示のような位相シフト・マスクを作製す
るには、先ず、回路設計者が、回路図を基にＣＡＤ（ｃ
ｏｍｐｕｔｅｒ−ａｉｄｅｄ ｄｅｓｉｇｎ）などを利
用して露光パターンを設計する。
るには、先ず、回路設計者が、回路図を基にＣＡＤ（ｃ
ｏｍｐｕｔｅｒ−ａｉｄｅｄ ｄｅｓｉｇｎ）などを利
用して露光パターンを設計する。
【０００７】その後、位相シフト・パターンの設計者
が、パターン微細化の為に位相シフト技術の適用が必要
とされる部分を拾い出し、それに必要な形状の位相シフ
ト・パターンの設計を行う。
が、パターン微細化の為に位相シフト技術の適用が必要
とされる部分を拾い出し、それに必要な形状の位相シフ
ト・パターンの設計を行う。
【０００８】回路設計者は、位相シフト・パターンの設
計者が設計した位相シフト・パターンの寸法や配置場所
を確認しながら、元の露光パターンに位相シフト・パタ
ーンを加える作業を行って完成する。
計者が設計した位相シフト・パターンの寸法や配置場所
を確認しながら、元の露光パターンに位相シフト・パタ
ーンを加える作業を行って完成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記説明した従来の技
術に依って位相シフト・マスクを作製する場合、元の露
光パターンが複雑であったり、複数の異種形状のパター
ンがあったりすると、位相シフト・パターンの設計者
は、位相シフト・パターンの設計に多くの時間を費やさ
なければならず、また、回路設計者は、位相シフト・パ
ターンの寸法と配置場所が複数に亙るので、位相シフト
・パターンを元の露光パターンに加えるのに多くの時間
を必要としていた。
術に依って位相シフト・マスクを作製する場合、元の露
光パターンが複雑であったり、複数の異種形状のパター
ンがあったりすると、位相シフト・パターンの設計者
は、位相シフト・パターンの設計に多くの時間を費やさ
なければならず、また、回路設計者は、位相シフト・パ
ターンの寸法と配置場所が複数に亙るので、位相シフト
・パターンを元の露光パターンに加えるのに多くの時間
を必要としていた。
【００１０】本発明は、位相シフト・パターンを単純化
することに依って、位相シフト・パターンの設計及びコ
ンピュータへの入力に要する時間を短縮しようとする。
することに依って、位相シフト・パターンの設計及びコ
ンピュータへの入力に要する時間を短縮しようとする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理を解
説する為のマスクを表す要部平面説明図である。図に於
いて、１１は位相シフトが必要な露光パターンをもつマ
スク、１１Ａは位相シフトを必要とする露光パターン、
１１Ｂは位相シフト・パターン、１２は位相シフトを必
要としない露光パターンをもつマスク、１２Ａは位相シ
フトを必要としない露光パターンをそれぞれ示し、ま
た、Ｌは露光パターン１１Ａの幅、ｘは位相シフト・パ
ターン１１Ｂの幅、ｙは露光パターン１１Ａと位相シフ
ト・パターン１１Ｂとの間隙の幅、ｚは露光パターン１
１Ａと位相シフト・パターン１１Ｂとの長さ方向の差を
それぞれ示している。
説する為のマスクを表す要部平面説明図である。図に於
いて、１１は位相シフトが必要な露光パターンをもつマ
スク、１１Ａは位相シフトを必要とする露光パターン、
１１Ｂは位相シフト・パターン、１２は位相シフトを必
要としない露光パターンをもつマスク、１２Ａは位相シ
フトを必要としない露光パターンをそれぞれ示し、ま
た、Ｌは露光パターン１１Ａの幅、ｘは位相シフト・パ
ターン１１Ｂの幅、ｙは露光パターン１１Ａと位相シフ
ト・パターン１１Ｂとの間隙の幅、ｚは露光パターン１
１Ａと位相シフト・パターン１１Ｂとの長さ方向の差を
それぞれ示している。
【００１２】図から判るように、本発明では、位相シフ
トを必要とする露光パターン１１Ａをもつマスク１１及
び位相シフトを必要としない露光パターン１２Ａをもつ
マスク１２とに分け、位相シフト・パターン１１Ｂを単
純化する。
トを必要とする露光パターン１１Ａをもつマスク１１及
び位相シフトを必要としない露光パターン１２Ａをもつ
マスク１２とに分け、位相シフト・パターン１１Ｂを単
純化する。
【００１３】前記したところから、本発明に依る微細パ
ターンを含むパターンを形成する為のマスク及びそのマ
スクを用いてパターンを形成する方法に於いては、 （１）必要とする全体のパターン（例えば図２に見られ
るパターン全体）から取り出された位相シフトを必要と
する微細パターン（例えばゲート・フィンガ部分パター
ン２１Ａ：図３）及びその微細パターンに対応する位相
シフト・パターン（例えば位相シフト・パターン２１
Ｂ：図３）をもつマスク（例えばマスク３０：図３）
と、必要とする全体のパターンから取り出された位相シ
フトを必要としないパターン（例えばゲート配線部分パ
ターン２２Ａ、ゲート・パッド部分パターン２３Ａ：図
４））をもつマスク（例えばマスク４０：図４）とから
なることを特徴とするか、或いは、
ターンを含むパターンを形成する為のマスク及びそのマ
スクを用いてパターンを形成する方法に於いては、 （１）必要とする全体のパターン（例えば図２に見られ
るパターン全体）から取り出された位相シフトを必要と
する微細パターン（例えばゲート・フィンガ部分パター
ン２１Ａ：図３）及びその微細パターンに対応する位相
シフト・パターン（例えば位相シフト・パターン２１
Ｂ：図３）をもつマスク（例えばマスク３０：図３）
と、必要とする全体のパターンから取り出された位相シ
フトを必要としないパターン（例えばゲート配線部分パ
ターン２２Ａ、ゲート・パッド部分パターン２３Ａ：図
４））をもつマスク（例えばマスク４０：図４）とから
なることを特徴とするか、或いは、
【００１４】（２）必要とする全体のパターンから取り
出された位相シフトを必要とする微細パターン及びその
微細パターンに対応する位相シフト・パターンをもつマ
スクを用いた露光と、必要とする全体のパターンから取
り出された位相シフトを必要としないパターンをもつマ
スクを用いた露光とを実施して微細パターンを含む全体
のパターンの露光を行う工程が含まれてなることを特徴
とする。
出された位相シフトを必要とする微細パターン及びその
微細パターンに対応する位相シフト・パターンをもつマ
スクを用いた露光と、必要とする全体のパターンから取
り出された位相シフトを必要としないパターンをもつマ
スクを用いた露光とを実施して微細パターンを含む全体
のパターンの露光を行う工程が含まれてなることを特徴
とする。
【００１５】
【作用】本発明の微細パターンを含むパターンを形成す
る為のマスク及び微細パターンを含むパターンを形成す
る為の方法に依れば、位相シフトを必要とする露光パタ
ーン１１Ａの形状は長方形のみであり、位相シフト・パ
ターン１１Ｂを設計する際、幅Ｌの長方形である露光パ
ターン１１Ａについてのみ行えば良く、その形状が単純
であることから、位相シフト・パターン１１Ｂの設計時
間は短縮される。
る為のマスク及び微細パターンを含むパターンを形成す
る為の方法に依れば、位相シフトを必要とする露光パタ
ーン１１Ａの形状は長方形のみであり、位相シフト・パ
ターン１１Ｂを設計する際、幅Ｌの長方形である露光パ
ターン１１Ａについてのみ行えば良く、その形状が単純
であることから、位相シフト・パターン１１Ｂの設計時
間は短縮される。
【００１６】また、露光パターン１１Ａの形状が長方形
のみである為、位相シフト・パターン１１Ｂの形状も単
純化されて、その位相シフト・パターン・データをコン
ピュータに入力するのに必要な数値は、どのような幅Ｌ
をもつ露光パターン１１Ａに対しても、ｘ，ｙ，ｚの三
つで済んでしまう。また、露光パターン１１Ａの幅Ｌが
同一であれば、常に同じｘ，ｙ，ｚの値を用いることが
できる。従って、位相シフト・パターンの自動発生は容
易である。
のみである為、位相シフト・パターン１１Ｂの形状も単
純化されて、その位相シフト・パターン・データをコン
ピュータに入力するのに必要な数値は、どのような幅Ｌ
をもつ露光パターン１１Ａに対しても、ｘ，ｙ，ｚの三
つで済んでしまう。また、露光パターン１１Ａの幅Ｌが
同一であれば、常に同じｘ，ｙ，ｚの値を用いることが
できる。従って、位相シフト・パターンの自動発生は容
易である。
【００１７】
【実施例】図２は本発明一実施例のマスクを用いて露光
を行い、その後、パターニングを行って得られたパター
ンを表す要部平面説明図である。
を行い、その後、パターニングを行って得られたパター
ンを表す要部平面説明図である。
【００１８】図に於いて、２１はゲート・フィンガ部
分、２２はゲート配線部分、２３はゲート・パッド部分
をそれぞれ示している。
分、２２はゲート配線部分、２３はゲート・パッド部分
をそれぞれ示している。
【００１９】図３は図２のパターンの中で位相シフトを
必要とするパターンのみをもつマスクの要部平面説明図
であり、図２に於いて用いた記号と同記号は同部分を表
すか或いは同じ意味を持つものとする。
必要とするパターンのみをもつマスクの要部平面説明図
であり、図２に於いて用いた記号と同記号は同部分を表
すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００２０】図に於いて、３０は位相シフトを必要とす
るパターンのみをもつマスク、２１Ａはゲート・フィン
ガ部分パターン、２１Ｂは位相シフト・パターンをそれ
ぞれ示している。
るパターンのみをもつマスク、２１Ａはゲート・フィン
ガ部分パターン、２１Ｂは位相シフト・パターンをそれ
ぞれ示している。
【００２１】図４は図２のパターンの中で位相シフトを
必要としないパターンのみをもつマスクの要部平面説明
図であり、図２に於いて用いた記号と同記号は同部分を
表すか或いは同じ意味を持つものとする。
必要としないパターンのみをもつマスクの要部平面説明
図であり、図２に於いて用いた記号と同記号は同部分を
表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００２２】図に於いて、４０は位相シフトを必要とし
ないパターンのみを有するマスク、２２Ａはゲート配線
部分パターン、２３Ａはゲート・パッド部分パターンを
それぞれ示している。
ないパターンのみを有するマスク、２２Ａはゲート配線
部分パターン、２３Ａはゲート・パッド部分パターンを
それぞれ示している。
【００２３】さて、図２に見られるパターンを得ようと
する場合、先ず、位相シフトを必要とするパターンと位
相シフトを必要としないパターンとに分け、それぞれ独
自に対応するマスク３０及び４０を作製する。
する場合、先ず、位相シフトを必要とするパターンと位
相シフトを必要としないパターンとに分け、それぞれ独
自に対応するマスク３０及び４０を作製する。
【００２４】位相シフトを必要とするパターン、即ち、
ゲート・フィンガ部分パターン２１Ａをもつマスク３０
を得るには、位相シフト・パターン２１Ｂを形成しなけ
ればならないが、前記したように、位相シフトを必要と
するパターンであるゲート・フィンガ部分パターン２１
Ａは単純な長方形であるから、位相シフト・パターン２
１Ｂも単純な長方形であり、その作り込みは容易であ
る。尚、本実施例に於いては、位相シフト・パターン２
１Ｂとして、所謂、ダブル・シフト・パターンを適用し
ている。
ゲート・フィンガ部分パターン２１Ａをもつマスク３０
を得るには、位相シフト・パターン２１Ｂを形成しなけ
ればならないが、前記したように、位相シフトを必要と
するパターンであるゲート・フィンガ部分パターン２１
Ａは単純な長方形であるから、位相シフト・パターン２
１Ｂも単純な長方形であり、その作り込みは容易であ
る。尚、本実施例に於いては、位相シフト・パターン２
１Ｂとして、所謂、ダブル・シフト・パターンを適用し
ている。
【００２５】位相シフトを必要としないパターン、即
ち、ゲート配線部分パターン２２Ａなどをもつマスク４
０を得るには、従来の技術を適用して簡単に作製するこ
とができる。
ち、ゲート配線部分パターン２２Ａなどをもつマスク４
０を得るには、従来の技術を適用して簡単に作製するこ
とができる。
【００２６】前記のようにして作製したマスク３０及び
４０を用いて露光及びパターニングを行えば、図２に見
られるようなパターンが得られ、位相シフト・パターン
は単純であっても、全体として複雑で且つ微細なパター
ンを含むパターンを容易に得ることができる。
４０を用いて露光及びパターニングを行えば、図２に見
られるようなパターンが得られ、位相シフト・パターン
は単純であっても、全体として複雑で且つ微細なパター
ンを含むパターンを容易に得ることができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明に依る微細パターンを含むパター
ンを形成する為のマスク及びそのマスクを用いてパター
ンを形成する方法では、必要とする全体のパターンから
取り出された位相シフトを必要とする微細パターン及び
その微細パターンに対応する位相シフト・パターンをも
つマスクと、必要とする全体のパターンから取り出され
た位相シフトを必要としないパターンをもつマスクとを
対にして、それぞれのマスクを用いて露光することで全
体の露光を行ってパターンを形成する。
ンを形成する為のマスク及びそのマスクを用いてパター
ンを形成する方法では、必要とする全体のパターンから
取り出された位相シフトを必要とする微細パターン及び
その微細パターンに対応する位相シフト・パターンをも
つマスクと、必要とする全体のパターンから取り出され
た位相シフトを必要としないパターンをもつマスクとを
対にして、それぞれのマスクを用いて露光することで全
体の露光を行ってパターンを形成する。
【００２８】前記構成を採った場合、位相シフトを必要
とする露光パターンの形状は長方形のみであり、位相シ
フト・パターンを設計するには、例えば幅をＬとする長
方形である露光パターンについてのみ行えば良く、その
形状が単純であることから、位相シフト・パターンの設
計時間は短縮される。
とする露光パターンの形状は長方形のみであり、位相シ
フト・パターンを設計するには、例えば幅をＬとする長
方形である露光パターンについてのみ行えば良く、その
形状が単純であることから、位相シフト・パターンの設
計時間は短縮される。
【００２９】また、露光パターンの形状が長方形のみで
ある為、位相シフト・パターンの形状も単純化されて、
その位相シフト・パターン・データをコンピュータに入
力するのに必要な数値は、どのような幅Ｌをもつ露光パ
ターンに対しても、位相シフト・パターンの幅ｘ，露光
パターンと位相シフト・パターンとの間隙の幅ｙ，露光
パターンと位相シフト・パターンとの長さ方向の差ｚの
三つで済んでしまい、そして、露光パターンの幅Ｌが同
一であれば、常に同じｘ，ｙ，ｚの値を用いることがで
き、位相シフト・パターンの自動発生は容易になる。
ある為、位相シフト・パターンの形状も単純化されて、
その位相シフト・パターン・データをコンピュータに入
力するのに必要な数値は、どのような幅Ｌをもつ露光パ
ターンに対しても、位相シフト・パターンの幅ｘ，露光
パターンと位相シフト・パターンとの間隙の幅ｙ，露光
パターンと位相シフト・パターンとの長さ方向の差ｚの
三つで済んでしまい、そして、露光パターンの幅Ｌが同
一であれば、常に同じｘ，ｙ，ｚの値を用いることがで
き、位相シフト・パターンの自動発生は容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理を解説する為のマスクを表す要部
平面説明図である。
平面説明図である。
【図２】本発明一実施例のマスクを用いて露光を行い、
その後、パターニングを行って得られたパターンを表す
要部平面説明図である。
その後、パターニングを行って得られたパターンを表す
要部平面説明図である。
【図３】図２のパターンの中で位相シフトを必要とする
パターンのみをもつマスクの要部平面説明図である。
パターンのみをもつマスクの要部平面説明図である。
【図４】図２のパターンの中で位相シフトを必要としな
いパターンのみをもつマスクの要部平面説明図である。
いパターンのみをもつマスクの要部平面説明図である。
【図５】従来の技術を解説する為の位相シフト・マスク
を表す要部平面説明図である。
を表す要部平面説明図である。
１１ 位相シフトが必要な露光パターンをもつマスク １１Ａ 位相シフトを必要とする露光パターン １１Ｂ 位相シフト・パターン １２ 位相シフトを必要としない露光パターンをもつマ
スク １２Ａ 位相シフトを必要としない露光パターン ２１ ゲート・フィンガ部分 ２１Ａ ゲート・フィンガ部分パターン ２１Ｂ 位相シフト・パターン ２２ ゲート配線部分 ２２Ａ ゲート配線部分パターン ２３ ゲート・パッド部分 ２３Ａ ゲート・パッド部分パターン ３０ 位相シフトを必要とするパターンのみをもつマス
ク ４０ 位相シフトを必要としないパターンのみを有する
マスク Ｌ 露光パターン１１Ａの幅 ｘ 位相シフト・パターン１１Ｂの幅 ｙ 露光パターン１１Ａと位相シフト・パターン１１Ｂ
との間隙の幅 ｚ 露光パターン１１Ａと位相シフト・パターン１１Ｂ
との長さ方向の差
スク １２Ａ 位相シフトを必要としない露光パターン ２１ ゲート・フィンガ部分 ２１Ａ ゲート・フィンガ部分パターン ２１Ｂ 位相シフト・パターン ２２ ゲート配線部分 ２２Ａ ゲート配線部分パターン ２３ ゲート・パッド部分 ２３Ａ ゲート・パッド部分パターン ３０ 位相シフトを必要とするパターンのみをもつマス
ク ４０ 位相シフトを必要としないパターンのみを有する
マスク Ｌ 露光パターン１１Ａの幅 ｘ 位相シフト・パターン１１Ｂの幅 ｙ 露光パターン１１Ａと位相シフト・パターン１１Ｂ
との間隙の幅 ｚ 露光パターン１１Ａと位相シフト・パターン１１Ｂ
との長さ方向の差
Claims (2)
- 【請求項１】必要とする全体のパターンから取り出され
た位相シフトを必要とする微細パターン及びその微細パ
ターンに対応する位相シフト・パターンをもつマスク
と、 必要とする全体のパターンから取り出された位相シフト
を必要としないパターンをもつマスクとからなることを
特徴とする微細パターンを含むパターンを形成する為の
マスク。 - 【請求項２】必要とする全体のパターンから取り出され
た位相シフトを必要とする微細パターン及びその微細パ
ターンに対応する位相シフト・パターンをもつマスクを
用いた露光と、 必要とする全体のパターンから取り出された位相シフト
を必要としないパターンをもつマスクを用いた露光とを
実施して微細パターンを含む全体のパターンの露光を行
う工程が含まれてなることを特徴とするマスクを用いた
パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23104894A JPH0895230A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 微細パターンを含むパターンを形成する為のマスク及びそのマスクを用いたパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23104894A JPH0895230A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 微細パターンを含むパターンを形成する為のマスク及びそのマスクを用いたパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0895230A true JPH0895230A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16917472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23104894A Withdrawn JPH0895230A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 微細パターンを含むパターンを形成する為のマスク及びそのマスクを用いたパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0895230A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001063653A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Hitachi, Ltd. | Dispositif de circuit integre a semi-conducteurs et procede de production, et procede de production de masques |
-
1994
- 1994-09-27 JP JP23104894A patent/JPH0895230A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001063653A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Hitachi, Ltd. | Dispositif de circuit integre a semi-conducteurs et procede de production, et procede de production de masques |
| US6811954B1 (en) | 2000-02-25 | 2004-11-02 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and method of manufacturing masks |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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