JPS61240280A - パタ−ン形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は大型基板（例えば３０ｃｍ角））、の高精度パ
ターン形成法に関するもので、特に外周辺はパターンの
繰り返しで構成される大画面ディスプレイ、例えばマト
リックス駆動の液晶やＩＣＬディスプレイのパターン形
成法に関するものである。

従来の技術 大型・高精度パターンを必要とする代表的なものに、液
晶ディスプレイがある。特に最近では解像度の向上とコ
ントラスト改善のためアクティブ・マトリックス型が開
発されている。但し、現状ではせいぜい対角線が３イン
チと小さいものなので。

ＬＳＩプロセスの機器とマスクを用いてパターン形成す
ることが出来る。

第３図人、Ｂにアクティブ・マトリックス型でトランジ
スタをスイッチングに用いた場合のメタル配線パターン
の代表例を示した。第３図人において、３１は信号ライ
ンの電極端子、３２は信号ライン配線、３３は絵素部へ
の配線ライン、３４はゲートラインの電極端子、３６は
ゲートライン配線である。第°３図人の点線の丸で囲ん
だ部分を拡大したものが第３図Ｂで、第３図人と同一箇
所には同一番号を付した。第３図Ｂはトランジスタの電
極配線部を示しており、３６はゲート長。

３７はゲート幅である。図ではゲートライン配線３５ム
と３５Ｂは切れているが１．最終的にはクロスアンダ−
配線で交差して相互に接続されているものである。

前述のごとく、せいぜい３インチ対角線長の液晶ディス
プレイは第３図に示すパターンのマスクをＬＳＩマスク
と同じ手法で製作し、一括露光で充分に作ることが出来
る。

発明が解決しようとする問題点 このような従来法では、基板サイズが大きくなった場合
、対応できなくなる。即ち、ＬＳＩと同じ手法でマスク
を製作するとすれば、せいぜい６インチ角までの基板し
か出来ない。一方、グリント基板等に用いるマスクでは
精度が悪くてトランジスタを形成することが出来ない。

第３図において１例えば絵素が３００μｍ角とすると外
周部の電極端子３１．３２のピッチは絵素ピッチと同じ
く３ｏｏμｍで良いため、あまシ精度を必要とはしない
。それに対し、内部のトランジスタを含む領域では第３
図Ｂに示すゲート長は通常１０μｍ程度、ゲート幅は１
００μｍ〜ＳＯＯμｍで外周部に比べ、２桁以りの高精
度パターン形成が必要となる。

今後、液晶ディスプレイ、ＩＣＬ等がますます大画面化
してゆくことを考えると轟然対応しきれなくなる。

本発明はこのような問題を解決するもので１通常のＬＳ
Ｉプロセスに用いるマスクと同様の技術でマスクを製作
することが出来、かつＬＳＩと同程度の高精度パターン
を大面積の基板上に形成することが出来る方法を提供す
ることを目的とする。

問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために本発明は１周辺部の粗いパ
ターンと内部のファインパターンを別々のマスクで形成
しようするものである。さらに内部は繰シ返しパターン
であるため、その部分を分割してステップ露光するよう
にし、さらにそのパターンの継ぎ目に余裕を持たせるた
め分割パターンの一方は広く、他方は狭くして重なシ精
度の自由度を大きくしたものである。

作用 この構成によシ、外周部の電極配線は比較的精度を必要
としないマスクで一括露光し、内部の高精度パターンは
ブロック・マスクとしてＬＳＩ並の精度を有するマスク
を製作してブロック露光することにより、パターン精度
、トータルピッチ誤差等に全く問題ないパターン形成が
出来ることになる。

実施例 第２図ム、Ｂは本発明の一実施例によるパターン形成法
に用いるマスクの平面図で、アクティブ・マトリックス
型の液晶パネルのメタル電極配線パターン用マスクの一
例である。

第２図ムは周辺露光用マスクの部分図、第２図Ｂは内部
ブロック露光用マスクである。

第２図において、１はガラス板、２は電極端子。

３は電極端子２と内部配線の接続部、４はブロック露光
用マスクのガラス板、５はファインパターンである。

また、第１図は本発明のマスクを用いて露光する状態を
示す図である。第１図において２１は基板、２２は金属
層で、一般に蒸着によシ形成され。

レジスト・マスク形成後エツチングされて電極配線パタ
ーンとなるものである。２３はホトレジスト、２４はマ
スク、２６は１ステツプ前て露光した時の第１のマスク
位置で、その後筒２のマスク位置２６迄ステツプ移動し
たものである。

第１のマスク位置２６と第２のマスク位置２６の重な多
位置で切れ目なく配線パターンが接続されることになっ
ている。

第２図に示すように１周辺は全周が１枚のマスクで露光
されるが、この時使用するマスクはそれ程高精度を必要
とせず大面積用を容易に作ることが出来る。また内部は
第１図Ｂに示すように必要ならばＬＳＩ用のマスクプロ
セスで作れば良く、その大きさも任意で良い。

工程としては図示してないが、まず基板上にホトレジス
トを塗布し周辺部の電極端子部のみ一括露光する。次に
第２図に示すようにステップ移動しながら内部の高精度
パターンを露光してゆけばよい。

ネガレジスト使用の場合は同一レジスト、２回露光が出
来るがポジレジストの場合は工程ステップを一部変更す
る必要がある。勿論、外周部のパターンのエツチング塩
すすめて再度レジスト塗布から繰シかえして内部の高精
度パターンを形成しても良い。

発明の効果 以りのように本発明によれば１周辺部は比較的精度を要
しないため、マスク製作費は極めて安い。

また、内部の高精度パターンの部分はブロックに分けた
ためＬＳＩ用マスクプロセスがそのまま使用でき、パタ
ーン形成において高精度が維持できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のパターン形成法における露光法の一例
を示す説明図、第２図ム、Ｂは本発明の一実施例のパタ
ーン形成に用いるホトマスクを示す概略図、第３図人、
Ｂは従来のパターン形成法を示す概略図である。 づ ２１・・・・・・基板、２２・・・・・・金属層、２３
・・・・・・ホトレジスト、２４・・・・・・マスク、
２６・・・・・・第１のマスク位置、２６・・・・・・
第２のマスク位置。 第　１　図 第２図 第３図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板周辺の粗い外部リード引き出し用電極を形成
   するためのパターンは一括露光で行い、内部の高密度・
   高精細度パターンは分割されたパターンを繰りかえし露
   光して形成することを特徴とするパターン形成法。
2. （２）分割されたパターンの接続部は一方が他方より太
   くなっていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載のパターン形成法。