JPS6117433A - 光フアイバ母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ母材の製造方法Info
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- JPS6117433A JPS6117433A JP13772384A JP13772384A JPS6117433A JP S6117433 A JPS6117433 A JP S6117433A JP 13772384 A JP13772384 A JP 13772384A JP 13772384 A JP13772384 A JP 13772384A JP S6117433 A JPS6117433 A JP S6117433A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
- C03B37/01815—Reactant deposition burners or deposition heating means
- C03B37/01823—Plasma deposition burners or heating means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
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- Materials Engineering (AREA)
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の背景と目的］
本発明は、プラズマ炎を用いた光ファイバ母材の製造方
法の改良に関するもので拠る。
法の改良に関するもので拠る。
一般に、光ファイバ母材の製造は、Ｍ ＣＶ ｌ）（化
学気相沈積）法、ＶＡＤ（気相軸付）法によって行われ
ており、そして、これらの方法の熱源は主に酸水素バー
ナが用いられている。
学気相沈積）法、ＶＡＤ（気相軸付）法によって行われ
ており、そして、これらの方法の熱源は主に酸水素バー
ナが用いられている。
一方、プラズマ炎を用いる場合は、プラズマ炎の高温を
利用しＣ直接ガラス成形が可能であ”す、プラズマ炎の
中心は約２万℃である。この温度を利用し合成ガラスを
形成する方法としては、（１）プラズマ炎のジェット部
に混合ガスを導入する方法及び（２プラズマガスに混合
ガスを混合する方法などがある。このうち、（１）はふ
っ素ドープガスを形成するには、ドーパント材であるフ
ロンガスの熱分解反応が十分でなく、ふっ素の高ドープ
化が難しい。また、（２）は混合ガスの増加によりプラ
ズマ炎が不安定となり、ガラス膜の成長速度を向上する
ことが難しい。
利用しＣ直接ガラス成形が可能であ”す、プラズマ炎の
中心は約２万℃である。この温度を利用し合成ガラスを
形成する方法としては、（１）プラズマ炎のジェット部
に混合ガスを導入する方法及び（２プラズマガスに混合
ガスを混合する方法などがある。このうち、（１）はふ
っ素ドープガスを形成するには、ドーパント材であるフ
ロンガスの熱分解反応が十分でなく、ふっ素の高ドープ
化が難しい。また、（２）は混合ガスの増加によりプラ
ズマ炎が不安定となり、ガラス膜の成長速度を向上する
ことが難しい。
本発明は上記の状況に鑑みなされたものであり、ふっ素
の高ドープ化が得られると共に、ガラス膜の成長速度を
向上できる光ファイバ母材の製造方法を提供することを
目的としたものである。
の高ドープ化が得られると共に、ガラス膜の成長速度を
向上できる光ファイバ母材の製造方法を提供することを
目的としたものである。
［発明の概要］
本発明の光ファイバ母材の製造方法は、高周波１ラズマ
トーヂによりプラズマ炎を発生させ該プラズマ炎にガラ
ス形成用の原料を反応ガス導入管を介し供給し、加熱反
応によりブ１シンバ内のガラス旋盤に支持されたターゲ
ット棒外周面に直接ふっ素ドープガラスの混合を行なう
場合に、」−２高周波プラズマトーチの後方からフロン
系ガスを供給し、かつ、前方からガラス形成用のト原判
を上記チャンバ内に供給する方法である。即ち、フロン
系の反応ガス高周波プラズマトーチの後方から供給しプ
ラズマ炎の熱により「を分離させ、このＦを高周波プラ
ズマトーチの前方に供給される５ｉＣｆｆ１４から形成
されるＳｉＯ２とチャンバ内で反応させ、ターゲット棒
外周上にＦドープガラスを形成する方法がある。
トーヂによりプラズマ炎を発生させ該プラズマ炎にガラ
ス形成用の原料を反応ガス導入管を介し供給し、加熱反
応によりブ１シンバ内のガラス旋盤に支持されたターゲ
ット棒外周面に直接ふっ素ドープガラスの混合を行なう
場合に、」−２高周波プラズマトーチの後方からフロン
系ガスを供給し、かつ、前方からガラス形成用のト原判
を上記チャンバ内に供給する方法である。即ち、フロン
系の反応ガス高周波プラズマトーチの後方から供給しプ
ラズマ炎の熱により「を分離させ、このＦを高周波プラ
ズマトーチの前方に供給される５ｉＣｆｆ１４から形成
されるＳｉＯ２とチャンバ内で反応させ、ターゲット棒
外周上にＦドープガラスを形成する方法がある。
「実施例］
以下本発明の光ファイバ母材の製造方法を実施例を用い
図面により説明する。図は実施装置の断面図である。図
において、１は高周波プラズマトーチ、２は高周波プラ
ズマトーチ１のＦ方から吹き込まれるフロン１２ （Ｃ
（、ｔ’２Ｆ２ ）の反応ガス導入管、２Ａは高周波プ
ラズマ１−−ヂ１の下方からチャンバ４内にガラス形成
用の主原料の３ｉＣＪ４を供給覆る反応ガス導入管であ
る。３はＮ２のガスが供給されるガスシールキャップ、
４はチャンバである。５はガラス旋盤で、ターゲット棒
６の回転駆動及びヘッドを上下移動駆動するモータ１８
をそれぞれ有する移動ヘッド１７によりターゲット棒６
の両端を支承しており、ヘッド９上を軸方向に駆動装置
（図示せず）により駆動されるようになっている。８は
ヘッド９上に取り付けられたストッパー、７はガラス膜
、１０はバッフ７タンク、１１は排気管、１２は熱交換
器、１３はスクラバー、１／４は排気ファン、１５はバ
ルブ、１６はガス圧力計である。
図面により説明する。図は実施装置の断面図である。図
において、１は高周波プラズマトーチ、２は高周波プラ
ズマトーチ１のＦ方から吹き込まれるフロン１２ （Ｃ
（、ｔ’２Ｆ２ ）の反応ガス導入管、２Ａは高周波プ
ラズマ１−−ヂ１の下方からチャンバ４内にガラス形成
用の主原料の３ｉＣＪ４を供給覆る反応ガス導入管であ
る。３はＮ２のガスが供給されるガスシールキャップ、
４はチャンバである。５はガラス旋盤で、ターゲット棒
６の回転駆動及びヘッドを上下移動駆動するモータ１８
をそれぞれ有する移動ヘッド１７によりターゲット棒６
の両端を支承しており、ヘッド９上を軸方向に駆動装置
（図示せず）により駆動されるようになっている。８は
ヘッド９上に取り付けられたストッパー、７はガラス膜
、１０はバッフ７タンク、１１は排気管、１２は熱交換
器、１３はスクラバー、１／４は排気ファン、１５はバ
ルブ、１６はガス圧力計である。
そして、ガラス膜７の精製にあたっでは、高周波プラズ
マトーチ１に、矢印の如く酸素を送り込／Ｖて酸素プラ
ズマ炎を発生させる。また、反応ガス導入管２からフロ
ンガス１２を５０ｃｃ／ｍｉｎを、反応ガス導入管２Ａ
からＳｉ ＣＪ２ａ ２００Ｏｎ＋ｇ／ｍｉｎ酸素ガス
キャリアにして送り込み、反応チャンバ４内のプラズマ
炎の下方で反応させ、１０ｍｍφの石英ガラス棒のター
ゲット棒７上に、Ｆドープ５ｉＣ）＋系ガラス膜７を粋
咳ざゼる。ターゲット棒６はガラス旋盤５によって一定
の回転数にて回転駆動サレルヨウニナッテオリ、ガラス
旋盤５はヘッド９上を矢印の軸方向に駆動されてターゲ
ット棒６の外周及び長手方向にガラス膜７を形成リ−る
ことができる。尚、フロンガスは、ＣＣｆ２Ｆ２ ・Ｃ
Ｆ４・ＣＣ１「３ ・ｃｃ１３Ｆ・Ｃ２Ｆ６・Ｃ２Ｃｆ
！Ｆｓ−ｃ２ｃＩ！４Ｆ２・５ＩＦａを用いてもよい。
マトーチ１に、矢印の如く酸素を送り込／Ｖて酸素プラ
ズマ炎を発生させる。また、反応ガス導入管２からフロ
ンガス１２を５０ｃｃ／ｍｉｎを、反応ガス導入管２Ａ
からＳｉ ＣＪ２ａ ２００Ｏｎ＋ｇ／ｍｉｎ酸素ガス
キャリアにして送り込み、反応チャンバ４内のプラズマ
炎の下方で反応させ、１０ｍｍφの石英ガラス棒のター
ゲット棒７上に、Ｆドープ５ｉＣ）＋系ガラス膜７を粋
咳ざゼる。ターゲット棒６はガラス旋盤５によって一定
の回転数にて回転駆動サレルヨウニナッテオリ、ガラス
旋盤５はヘッド９上を矢印の軸方向に駆動されてターゲ
ット棒６の外周及び長手方向にガラス膜７を形成リ−る
ことができる。尚、フロンガスは、ＣＣｆ２Ｆ２ ・Ｃ
Ｆ４・ＣＣ１「３ ・ｃｃ１３Ｆ・Ｃ２Ｆ６・Ｃ２Ｃｆ
！Ｆｓ−ｃ２ｃＩ！４Ｆ２・５ＩＦａを用いてもよい。
ここで、Ｆドープガラス形成にドーパント材どしてフロ
ン１２ （ＣＣｆ２Ｆ２ ）を用いた。Ｃ−Ｆの結合エ
ネルギーは、１０５Ｋｃａｌｌ／Ｉｎｏ１であり、Ｆを
遊離させるためには高温を必要とし、この場合、プラズ
マガスと同じ上部からフロン１２を供給することにより
、プラズマ１ヘーチの高温により完全に分離される。
ン１２ （ＣＣｆ２Ｆ２ ）を用いた。Ｃ−Ｆの結合エ
ネルギーは、１０５Ｋｃａｌｌ／Ｉｎｏ１であり、Ｆを
遊離させるためには高温を必要とし、この場合、プラズ
マガスと同じ上部からフロン１２を供給することにより
、プラズマ１ヘーチの高温により完全に分離される。
プラズマ炎の下洗には５ｉ（１４が供給される。
５ｉＣｆｆ１４は（１）式で示す反応を行なう。
Ｓｉ ＣＩ！ａ ＋０２ →Ｓｉ ０２ ＋２ＣＪ２−
（１）（１）式は、１０００℃以上で完全に右に反応は
移る。
（１）（１）式は、１０００℃以上で完全に右に反応は
移る。
５ｉ（）＋は分解したＦと反応し、Ｆドープガラスが形
成される。（１）式よりＳ：０２は、５ＩＣｆａの量に
依存し、ここＴハ２０００ｍ Ｑ ／ｍｉｎ （７）ｆ
ｊ合成形速度は２５μｍ ７ｃｙｃ 、ｐ ｅであった
。尚、移動ベット１７の移動速ＩＩ ３０ ｍｍ ／
ｍｉｎである。
成される。（１）式よりＳ：０２は、５ＩＣｆａの量に
依存し、ここＴハ２０００ｍ Ｑ ／ｍｉｎ （７）ｆ
ｊ合成形速度は２５μｍ ７ｃｙｃ 、ｐ ｅであった
。尚、移動ベット１７の移動速ＩＩ ３０ ｍｍ ／
ｍｉｎである。
また、５０００ｍ Ｑ ／ｍｉｎの５ｉＣｆ！ａを供給
してもガラス膜７の形成が可能であることもＩＩ済みで
ある。
してもガラス膜７の形成が可能であることもＩＩ済みで
ある。
このにうに本実施例の光ノア１′バ母材の製造方法にお
いては、フロン系の反応ガスを高周波プラズマトーチの
接法から供給しプラズマ炎の熱により下を確実に分離さ
せ、このＦを高周波プラズマトーチの前払に供給される
Ｓ Ｉ ＣＩ！ ４から形成されるＳｉＯ２反応材料と
チャンバ内で反応させターゲット棒外周上にＦドープガ
ラスを形成することができるので、ふっ素を高ドープ化
でき高い成長速度でターグツ１〜棒外周上にガラス膜を
形成できて誠意性を向上できる。
いては、フロン系の反応ガスを高周波プラズマトーチの
接法から供給しプラズマ炎の熱により下を確実に分離さ
せ、このＦを高周波プラズマトーチの前払に供給される
Ｓ Ｉ ＣＩ！ ４から形成されるＳｉＯ２反応材料と
チャンバ内で反応させターゲット棒外周上にＦドープガ
ラスを形成することができるので、ふっ素を高ドープ化
でき高い成長速度でターグツ１〜棒外周上にガラス膜を
形成できて誠意性を向上できる。
上記実施例はターゲット棒の軸線が水平の場合について
述べたが垂直位置の場合でも作用効果は同じである。
述べたが垂直位置の場合でも作用効果は同じである。
し発明の効果］
以上記述した如く本発明の光ファイバ母材の製造方法に
よれば、ふっ素の高ドープ化が得られると共にガラス膜
の成長速度を向上できる効果を有づるものである。
よれば、ふっ素の高ドープ化が得られると共にガラス膜
の成長速度を向上できる効果を有づるものである。
図は本発明の光ファイバ母材の製造方法を実施倒覆る装
置の断面図である。 １；高周波プラズマトーチ、 ２．２Δ；反応ガス導入管、４；ヂャンバ、５；カラス
旋盤、６；ターゲット棒、 ７；カラス膜。
置の断面図である。 １；高周波プラズマトーチ、 ２．２Δ；反応ガス導入管、４；ヂャンバ、５；カラス
旋盤、６；ターゲット棒、 ７；カラス膜。
Claims (1)
- （１）高周波プラズマトーチによりプラズマ炎を発生さ
せ該プラズマ炎にガラス形成用の原料を反応ガス導入管
を介し供給し、加熱反応によりチャンバ内のガラス旋盤
に支持されたターゲット棒外周面に直接ふっ素ドープガ
ラスの合成を行なう方法において、上記高周波プラズマ
トーチの後方からフロン系ガスを供給し、かつ、前方か
らガラス形成用の主原料を上記チャンバ内に供給するこ
とを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13772384A JPH0247414B2 (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | Hikarifuaibabozainoseizohoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13772384A JPH0247414B2 (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | Hikarifuaibabozainoseizohoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6117433A true JPS6117433A (ja) | 1986-01-25 |
| JPH0247414B2 JPH0247414B2 (ja) | 1990-10-19 |
Family
ID=15205319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13772384A Expired - Lifetime JPH0247414B2 (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | Hikarifuaibabozainoseizohoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247414B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008534428A (ja) * | 2005-04-05 | 2008-08-28 | ヘレーウス クヴァルツグラース ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | 光ファイバー用プリフォームの製造方法 |
| CN101767929A (zh) * | 2008-12-26 | 2010-07-07 | 信越化学工业株式会社 | 采用高频感应热等离子体炬的光纤预型体的制造方法及装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0581517U (ja) * | 1992-04-03 | 1993-11-05 | ポップリベット・ファスナー株式会社 | クリップ |
| JP5148367B2 (ja) * | 2007-05-29 | 2013-02-20 | 信越化学工業株式会社 | 高周波誘導熱プラズマトーチを用いた光ファイバプリフォームの製造方法 |
| JP5023016B2 (ja) | 2007-08-10 | 2012-09-12 | 信越化学工業株式会社 | 光ファイバ製造装置および線引き炉のシール方法 |
| JP5190966B2 (ja) | 2009-07-27 | 2013-04-24 | 信越化学工業株式会社 | 高周波誘導熱プラズマトーチを用いた光ファイバプリフォームの製造方法 |
-
1984
- 1984-07-03 JP JP13772384A patent/JPH0247414B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008534428A (ja) * | 2005-04-05 | 2008-08-28 | ヘレーウス クヴァルツグラース ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | 光ファイバー用プリフォームの製造方法 |
| CN101767929A (zh) * | 2008-12-26 | 2010-07-07 | 信越化学工业株式会社 | 采用高频感应热等离子体炬的光纤预型体的制造方法及装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0247414B2 (ja) | 1990-10-19 |
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