JPS59146947A - 光波伝送体のプレフオ−ムの製法 - Google Patents

光波伝送体のプレフオ−ムの製法

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JPS59146947A
JPS59146947A JP59020936A JP2093684A JPS59146947A JP S59146947 A JPS59146947 A JP S59146947A JP 59020936 A JP59020936 A JP 59020936A JP 2093684 A JP2093684 A JP 2093684A JP S59146947 A JPS59146947 A JP S59146947A
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glass
layer
preform
forming
gas
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JP59020936A
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マツクス・クイスル
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    • C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、特許請求の範囲第１項に記載の上位概念によ
る光波伝送体（Ｌｉｃｈｔｗｅｌｌｅｎｌｅｉｔｅｒ）
のプレフォーム（Ｖｏｒｆｏｒｍ　；母相）の製法に関
する。
殊に、本発明は、担体（基体）の外側被偵により差当り
管状プレフォームを製造し、引続きこれを中実化して（
Ｋｏｌｌａｂ４ｅｒｅｎ　）ガラス棒にする方法に関す
る。このガラス棒から、引続き光波伝送体を引き出す。
雑誌ＩＥＥＥ　　ジャーナル・オフ・クヮントゥム・エ
レクロニクス（ＩＥＥＥ　　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｑ
ｕａｎｔｕｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　）、ＱＥ−１
８巻（，１９８２年）、１４１８頁から、バーナーを棒
の軸にそって移動させる外側被覆（外例気相堆積ＯＶＤ
　）の方法が公知である。このバーナーに、ガラス形成
性のガス及び／又は蒸気を供給すると、ガラス形成層の
外側被覆が可能になる。このような方法は、１個のバー
ナーを用いて高い析出率が得られない欠点を有する。
棒の母線にそったこのような析出の際に、この析出率を
高めるためには、直線状の焔を有する・ぐ−ナーが必要
である。しかしながら、このような焔は、障害性の不均
一な被覆を生じる不安定性を有する。
従って、本発明の課題は、殊に、生じる層の引続く汚れ
がさけられる、大面積で一様な被覆を得させることので
きる経済的に作動する種類の方法を得ることである。
この課題は、本発明により、特許請求の範囲第１項の特
徴部分の記載により解決される。
本発明の実施態様及び他の構成は特許請求の範囲第２項
〜第７項の記載から知ることができる。
本発明の１利点は、ガラス形成層の析出を、材料問題例
えば被覆装置の使用材料の温度安定性を殆んど無視しう
る程度の低い温度で行なうことができることにある。
次に実施例につき本発明を詳述する。公知の化学的気相
堆積法例えば石英ガラスから光波伝送体のプレフォーム
（母材）を製造するだめのＭＣＶＤ−法においては、四
塩化珪素（５ｉＣ９４）と酸素（０２）との反応から出
発する。この反応は、反応開始のために、約１６００℃
の温度を必要とする。プレフォームの全長にわたる析出
の工業的制御のだめの主要な障害は、多くの構成材料の
使用を禁止し、更に、高いエネルギー消費を必要とする
高い温度である。
これに反して、本発明にょシガラス形成性塩化物例えば
Ｓｉα４を水蒸気と反応させてガラス形成層産する場合
、この反応は、有利に、２０〜８００℃の温度範囲の極
めて低温で実施される。
この反応で、プレフォーム中に障害性の、光損失をもた
らすＯＨ−一イオンが生じうる。しかしながら、このＯ
Ｈ−一イオンの除去は、例えば雑誌ＩＥＥＥ　　）ヤー
ナル・オフ・クヮントゥム・エレクトニクスＱＥ　−１
８巻（１９８２年）　１８８３頁に記載の方法により可
能である。ところで、例えばドーピングされたが又はド
ーピングされていない５ｉ０２のガラス形成層を、実施
例の反応成分Ｓｉα４及び蒸気状Ｈ２０から本発明によ
り析出させることは、有利に低い温度例えば２０℃の室
温で進行することは意外である。これに反しば担持管上
の層の有利な析出を可能にし、残りの反応室中での不所
望の析出は、これを例えば１０００℃の温度に加熱する
ことに工すさけられる。
光波伝送体のプレフォームを実際に製造するために、ガ
ス−及び／又ル蒸気状の反応成分５ｉｃＩＬ４及びＨ２
Ｏを全面から加熱される反応室（この中には、内側から
水で冷却されるグラファイト管、基材が存在する）中に
導ひく。この基材上に、生じる５１０２の主要分が白色
固体層（５ｏｏｔ；スート）として堆積する。１熱処理
工程で相互に付着している個々の粒子より成る析出生成
物が、グラファイト基材上でガラス様プＩ／フオームに
変えられる。反応空間を加熱するための温度としては例
えば１０００℃が選択される。反応成分は、担持ガスに
より反応室内に導びかれる。約１６００℃の反応温度を
１０００℃寸で低めることにより、エネルギー節約と共
に材料問題も緩和される。四塩化ゲルマニウムを反応混
合物に添加する場合に、困難はない、それというのも、
ＧｅＣ１ｔ４は５ｉＣｉＬ４と同様に水蒸気と反応する
からである。この際、有利にＧｅＣ（１４は水蒸気と完
全に反応して酸化ゲルマニウムになり、これは析出層の
ドー、ｏント（Ｄｏｔｉｅｒｕｌｌｇ　）　（５ｉ０２
　　の屈折率を高める）として使用される。これに反し
て、ＧｅＣＵ４　と０２との公知反応では、完全に反応
してＧｅＯ２’！で達することはない。
本発明は、ここに記載の実施例に限定されるものではな
く、他の方法例えばＶＡＤ−法並びにいわゆる内性ＭＣ
ＶＤ−法でも有意義に使用できる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、　ガラス形成性ガス及び／又は蒸気混合物から少な
    くとも１層のガラス形成層を析出させることにより光波
    伝送体のプレフォームを製造する場合に、ガス及び／又
    は蒸気混合物はガラス形成層が生じるように水蒸気と反
    応するガラス形成性塩化物受なくとも１種を含有するこ
    とを特徴とする、光波伝送体のプレフォームの製法。 ２、層を、そのまわりよりも低い温度を有する相持材上
    に析出させる、特許請求の範囲第１項記載の方法。 凸、　ガス及び／又は蒸気混合物は、少なくとも四塩化
    珪素（５ｉ（ｕ４　）及び／又は四塩化ゲルマニウム（
    ＧｅＣ２，４）を特徴する特許請求の範囲第１項記載の
    方法。 ４、層を、その内部に冷却剤が導びかれる担持管の外面
    上に析出させる、特許請求の範囲第１項〜第３項のいず
    れか１項に記載の方法。 ５　担持管はグラファイトを含有し、冷却剤として水を
    特徴する特許請求の範囲第４項記載の方法。 ６、少なくとも１層の析出の後に、少なくとも１層のガ
    ラス層を形成する熱処理を行なう、特許請求の範囲第１
    項〜第５項のいずれか１項に記載の方法。 ７　熱処理を、ヒトロキ／ルイオン（Ｏ）（）の発生を
    さけるガス−及び／又は蒸気−雰囲気中で行なう、特許
    請求の範囲第６項記載の方法。
JP59020936A 1983-02-11 1984-02-09 光波伝送体のプレフオ−ムの製法 Pending JPS59146947A (ja)

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DE3471296D1 (en) 1988-06-23
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