JPS6038343B2 - 石英ガラスの製造方法 - Google Patents
石英ガラスの製造方法Info
- Publication number
- JPS6038343B2 JPS6038343B2 JP56032352A JP3235281A JPS6038343B2 JP S6038343 B2 JPS6038343 B2 JP S6038343B2 JP 56032352 A JP56032352 A JP 56032352A JP 3235281 A JP3235281 A JP 3235281A JP S6038343 B2 JPS6038343 B2 JP S6038343B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- gas
- hydrogen
- hydroxyl groups
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1415—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
- C03B2201/23—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with hydroxyl groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/36—Fuel or oxidant details, e.g. flow rate, flow rate ratio, fuel additives
- C03B2207/38—Fuel combinations or non-standard fuels, e.g. H2+CH4, ethane
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はけし、素化合物からの石英ガラスの製造方法、
特には制御量の水酸基を含む石英ガラスの製造方法に関
するものである。
特には制御量の水酸基を含む石英ガラスの製造方法に関
するものである。
従来、石英ガラスの製法については、水晶粉を溶融し、
これを成型する方法が知られているが、これには不純物
の混入があることから、ハロゲン化けし、素の加水分解
ないし酸化によって二酸化けし、素を生成させ、この溶
融物を耐火物で作った標的上に堆積させて高純度の石英
ガラスを製造する方法が実用化されるようになった。
これを成型する方法が知られているが、これには不純物
の混入があることから、ハロゲン化けし、素の加水分解
ないし酸化によって二酸化けし、素を生成させ、この溶
融物を耐火物で作った標的上に堆積させて高純度の石英
ガラスを製造する方法が実用化されるようになった。
他方、石英ガラスは光学的、化学的などの諸特性がすぐ
れていることから、近時は各種の特殊用途に利用される
ようになり、特にェレクトロニツクス産業の発展に伴な
うこの分野への適用により材質の一層の高純度化、均一
化が要求されるようになってきた。そしてこの均質化に
ついては特にこの石英ガラスに含有される水酸基の量が
問題とされ、例えばオブティカルフアィバ−用としては
この水酸基がその伝送損失を増大するということで極力
これを低下することが求められているが、他面ではこの
水酸基を含む石英ガラスには耐放射線にすぐれているこ
とが認められ、原子炉用窓村などとしてこの水酸基を含
む材料が求められているので、この石英ガラス製品につ
いてはそこに含まれる水酸基を適宜に制御する必要のあ
ることが確認されている。本発明はこの要求を満足する
石英ガラスの製造方法を提供するものであって、これは
アルゴンガスおよび／または酸素ガス流によって形成さ
れる高周波プラズマ火炎で、けし、素化合物、酸素およ
び塩化水素の混合ガスを反応させて二酸化けし・素を生
成させ、この溶融物を標的上に堆積させることを特徴と
するものである。
れていることから、近時は各種の特殊用途に利用される
ようになり、特にェレクトロニツクス産業の発展に伴な
うこの分野への適用により材質の一層の高純度化、均一
化が要求されるようになってきた。そしてこの均質化に
ついては特にこの石英ガラスに含有される水酸基の量が
問題とされ、例えばオブティカルフアィバ−用としては
この水酸基がその伝送損失を増大するということで極力
これを低下することが求められているが、他面ではこの
水酸基を含む石英ガラスには耐放射線にすぐれているこ
とが認められ、原子炉用窓村などとしてこの水酸基を含
む材料が求められているので、この石英ガラス製品につ
いてはそこに含まれる水酸基を適宜に制御する必要のあ
ることが確認されている。本発明はこの要求を満足する
石英ガラスの製造方法を提供するものであって、これは
アルゴンガスおよび／または酸素ガス流によって形成さ
れる高周波プラズマ火炎で、けし、素化合物、酸素およ
び塩化水素の混合ガスを反応させて二酸化けし・素を生
成させ、この溶融物を標的上に堆積させることを特徴と
するものである。
これを説明すると、前記したハロゲン化けし、素を酸化
して二酸化けし、素とし、これを標的上に堆積させて石
英ガラスを製造する場合に、この原料としてのハロゲン
化けし、素とこれを酸化させるための高温ガス流を特に
水素を含まないものとすることによって、実質的に水酸
基を含まない石英ガラスを取得する方法は、例えば特公
昭４８−１６３３０として提案されているが、この水酸
基の含有量を自由に制御するという方法は未だ提案され
ていない。
して二酸化けし、素とし、これを標的上に堆積させて石
英ガラスを製造する場合に、この原料としてのハロゲン
化けし、素とこれを酸化させるための高温ガス流を特に
水素を含まないものとすることによって、実質的に水酸
基を含まない石英ガラスを取得する方法は、例えば特公
昭４８−１６３３０として提案されているが、この水酸
基の含有量を自由に制御するという方法は未だ提案され
ていない。
本発明者らはこの点に注目し、この水酸基に転換し得る
添加物として塩化水素中の水素を利用することとし、こ
の水素と反応系中に存在する酸素とによって水酸基（Ｏ
Ｈ基）を形成させれば、この石英ガラス中に水酸基を導
入することができること、またこの石英ガラス中に含ま
れる水酸基の量はここに添加される塩化水素の量と比例
するので、この塩化水素量を制御すれば石英ガラス中の
水酸基量を自由に制御することができることを見出して
、本発明を完成させた。これをさらに詳述すると、けし
、素化合物例えばハロゲン化けし、素を原料ガスとして
石英ガラスを製造する場合に、このハロゲン化けし、素
として水素基を有する化合物例えばトリクロロシラン（
ＳｉＨＣ１３）を使用したり、あるいは水素基を含まな
い化合物としてのテトラクロロシラン（ＳＩＣ１４）を
使用するときにこのキヤリーガスとして水素ガスを使用
するような場合には、反応系中に存在する酸素ガスによ
って、この水素は酸化されて水（比０）を形成し、これ
が水酸基として石英ガラスの分子鎖中に固定されたり、
あるいはこの水分がガス状でハロゲン化けし、素と反応
し、その一部がハロゲン化シラン中に固定され、結果に
おいてこれが石英ガラス中に水酸基として固定されるの
であるが、この水分を原因とする石英ガラス中の水酸基
量はここに使用されるハロゲン化けし、素の種類、反応
温度、ガス圧など多くの要因によって安定せず、この水
素量と石英ガラス中に含有される水酸基量の間には必ず
しも比例関係が成立しない。
添加物として塩化水素中の水素を利用することとし、こ
の水素と反応系中に存在する酸素とによって水酸基（Ｏ
Ｈ基）を形成させれば、この石英ガラス中に水酸基を導
入することができること、またこの石英ガラス中に含ま
れる水酸基の量はここに添加される塩化水素の量と比例
するので、この塩化水素量を制御すれば石英ガラス中の
水酸基量を自由に制御することができることを見出して
、本発明を完成させた。これをさらに詳述すると、けし
、素化合物例えばハロゲン化けし、素を原料ガスとして
石英ガラスを製造する場合に、このハロゲン化けし、素
として水素基を有する化合物例えばトリクロロシラン（
ＳｉＨＣ１３）を使用したり、あるいは水素基を含まな
い化合物としてのテトラクロロシラン（ＳＩＣ１４）を
使用するときにこのキヤリーガスとして水素ガスを使用
するような場合には、反応系中に存在する酸素ガスによ
って、この水素は酸化されて水（比０）を形成し、これ
が水酸基として石英ガラスの分子鎖中に固定されたり、
あるいはこの水分がガス状でハロゲン化けし、素と反応
し、その一部がハロゲン化シラン中に固定され、結果に
おいてこれが石英ガラス中に水酸基として固定されるの
であるが、この水分を原因とする石英ガラス中の水酸基
量はここに使用されるハロゲン化けし、素の種類、反応
温度、ガス圧など多くの要因によって安定せず、この水
素量と石英ガラス中に含有される水酸基量の間には必ず
しも比例関係が成立しない。
しかし、本発明者らはこの水素源として塩化水素（ＨＣ
Ｉ）を使用すると、第１図に示すようにこの塩化水素添
加量と石英ガラス中に含有される水酸基量が対数目盛グ
ラフで直線的に示され、比例関係にあることを確認した
。すなわち、この第１図はタテ軸に石英ガラス中に含ま
れる水酸基量、ョコ軸に水素の原子％をとり、この両者
の関係を示したものであるが、本発明者らの実験による
と、水素源として塩化水素を使用したときはこの関係が
直線Ａで示されるが、これを水素ガスとして供給したと
き、あるいは水（弦○）として供給したときには、その
関係が必ずしも直線Ｂ，Ｃにはまとまらず、したがって
これに比例関係はみられないことが確認されたのである
。
Ｉ）を使用すると、第１図に示すようにこの塩化水素添
加量と石英ガラス中に含有される水酸基量が対数目盛グ
ラフで直線的に示され、比例関係にあることを確認した
。すなわち、この第１図はタテ軸に石英ガラス中に含ま
れる水酸基量、ョコ軸に水素の原子％をとり、この両者
の関係を示したものであるが、本発明者らの実験による
と、水素源として塩化水素を使用したときはこの関係が
直線Ａで示されるが、これを水素ガスとして供給したと
き、あるいは水（弦○）として供給したときには、その
関係が必ずしも直線Ｂ，Ｃにはまとまらず、したがって
これに比例関係はみられないことが確認されたのである
。
つぎに本発明方法を添付の図面にもとづいて説明すると
、第２図は本発明方法を実施するための装置系統図を例
示したので、図におけるプラズマトーチ１にはプラズマ
発生用ガス送入口２、高周波発振器３、高周波ワークコ
イル４が付設されていて、これらの稼動により、ここに
プラズマ火炎５が発生させられる。このプラズマ火炎の
下端には原料ガス供給ノズル６からの原料ガスが吹きつ
けられ、原料ガスとしてのけし、素化合物はこの火炎で
直ちに酸化されて二酸化けし、素となり、これは耐火性
基台７の上に石英ガラス８として堆積されるのであるが
、この際プラズマ発生用のアルゴン、酸素はそれぞれロ
ーターメーター９，１２を介してプラズマ発生用ガス送
入口に送られ、また原料ガスとしてのけし、素化合物は
ローターメーター１３、バプラー１４を通る酸素ガスに
搬流され原料ガス供給ノズル６に送られる。他方、本発
明方法で使用される塩化水素はローターメーター１０を
介してプラズマ発生用ガスに、またローターメーター１
１を介して原料ガスにそれぞれ混入されて反応系に入れ
られるので、プラズマ火炎下の反応系ではけし、素化合
物と酸素と塩化水素とが反応することになり、これによ
って耐火性基台７の上に堆積される石英ガラス８はここ
に添加した塩化水素の量に応じ、第１図に示したグラフ
にもとづく水酸基量が含有するようになるのである。
、第２図は本発明方法を実施するための装置系統図を例
示したので、図におけるプラズマトーチ１にはプラズマ
発生用ガス送入口２、高周波発振器３、高周波ワークコ
イル４が付設されていて、これらの稼動により、ここに
プラズマ火炎５が発生させられる。このプラズマ火炎の
下端には原料ガス供給ノズル６からの原料ガスが吹きつ
けられ、原料ガスとしてのけし、素化合物はこの火炎で
直ちに酸化されて二酸化けし、素となり、これは耐火性
基台７の上に石英ガラス８として堆積されるのであるが
、この際プラズマ発生用のアルゴン、酸素はそれぞれロ
ーターメーター９，１２を介してプラズマ発生用ガス送
入口に送られ、また原料ガスとしてのけし、素化合物は
ローターメーター１３、バプラー１４を通る酸素ガスに
搬流され原料ガス供給ノズル６に送られる。他方、本発
明方法で使用される塩化水素はローターメーター１０を
介してプラズマ発生用ガスに、またローターメーター１
１を介して原料ガスにそれぞれ混入されて反応系に入れ
られるので、プラズマ火炎下の反応系ではけし、素化合
物と酸素と塩化水素とが反応することになり、これによ
って耐火性基台７の上に堆積される石英ガラス８はここ
に添加した塩化水素の量に応じ、第１図に示したグラフ
にもとづく水酸基量が含有するようになるのである。
本発明方法におけるけし「素化合物の二酸化けし・素へ
の転化およびその溶融ガラス化は高周波プラズマ火炎で
行なうのであるが、この高周波プラズマ火炎の発生は公
知の方法で行えばよく、特にこれを特定する必要はない
が、このプラズマ発生用ガスとしてはアルゴンおよび／
または酸素を使用する必要があり、これに水素ガスを混
合してはならない。
の転化およびその溶融ガラス化は高周波プラズマ火炎で
行なうのであるが、この高周波プラズマ火炎の発生は公
知の方法で行えばよく、特にこれを特定する必要はない
が、このプラズマ発生用ガスとしてはアルゴンおよび／
または酸素を使用する必要があり、これに水素ガスを混
合してはならない。
また、本発明方法に使用するけし、素化合物は、一般式
ＲｎＳｉＸ４‐ｎ（ここにＲはァルキル基、フェニル基
、水素、Ｘはハロゲン元素、アルコキシ基、ｎは０〜４
）で示される化合物であり、これにはテトラクロロシラ
ン（ＳＩＣ１４）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣ１３）
、ジクロ。
ＲｎＳｉＸ４‐ｎ（ここにＲはァルキル基、フェニル基
、水素、Ｘはハロゲン元素、アルコキシ基、ｎは０〜４
）で示される化合物であり、これにはテトラクロロシラ
ン（ＳＩＣ１４）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣ１３）
、ジクロ。
シラン（ＳｉＱＣ１２）などのハロゲノシラン、ジメチ
ルジクロロシラン、メチルジクロロシラン、メチルアル
コキシシランなどのオルガノクロロシラン類が挙げられ
るが、このオルガノクロロシラン類は熱分解時に炭素を
遊離するおそれがあり、また水素基を含むハロゲノシラ
ン類は危険性があること、またこの水素基によって目標
とする石英ガラス中の水酸基量に誤差を与えるおそれが
あるので、本発明の実施に当ってはこれらの不利を招く
おそれのないテトラクロロシランを使用することが望ま
しい。なお、このテトラクロロシランは沸点６０ｏ○の
常温では液体の化合物であるので、これをプラズマ火炎
と接触させるためには図示したようにこれをバブラー中
に装入しておき、これを酸素ガスおよび／または塩化水
素ガスで搬送させることがよい。本発明方法における塩
化水素の添加はこれをプラズマ発生用ガス中に混入して
も、あるいは原料搬送ガスに混入してもよいが、この添
加量は目標とする石英ガラス中に含有させるべき水酸基
量を勘案して決定する必要があり、の添加量により石英
ガラス量中に含有されるべき水酸基量はこれを１〜１０
００ｐｐｍの範囲で制御することができる。
ルジクロロシラン、メチルジクロロシラン、メチルアル
コキシシランなどのオルガノクロロシラン類が挙げられ
るが、このオルガノクロロシラン類は熱分解時に炭素を
遊離するおそれがあり、また水素基を含むハロゲノシラ
ン類は危険性があること、またこの水素基によって目標
とする石英ガラス中の水酸基量に誤差を与えるおそれが
あるので、本発明の実施に当ってはこれらの不利を招く
おそれのないテトラクロロシランを使用することが望ま
しい。なお、このテトラクロロシランは沸点６０ｏ○の
常温では液体の化合物であるので、これをプラズマ火炎
と接触させるためには図示したようにこれをバブラー中
に装入しておき、これを酸素ガスおよび／または塩化水
素ガスで搬送させることがよい。本発明方法における塩
化水素の添加はこれをプラズマ発生用ガス中に混入して
も、あるいは原料搬送ガスに混入してもよいが、この添
加量は目標とする石英ガラス中に含有させるべき水酸基
量を勘案して決定する必要があり、の添加量により石英
ガラス量中に含有されるべき水酸基量はこれを１〜１０
００ｐｐｍの範囲で制御することができる。
これを要するに本発明方法によれば石英ガラス中に含有
される水酸基量を前記した範囲で例えば誤差範囲士５％
の範囲で制御することができるので、各種の石英ガラス
をその用途に応じて連続的にしかも容易に製造すること
ができるという効果が与えられる。つぎに本発明方法の
実施例をあげる。
される水酸基量を前記した範囲で例えば誤差範囲士５％
の範囲で制御することができるので、各種の石英ガラス
をその用途に応じて連続的にしかも容易に製造すること
ができるという効果が与えられる。つぎに本発明方法の
実施例をあげる。
実施例 １
プラズマトーチにアルゴンガス１５そ／分、酸素ガス２
０夕／分の混合ガスを送入し、４ＭＨｚ、出力１０ＫＷ
の高周波発振器に入力してプラズマ火炎を発生させ、こ
れにテトラクロロシラン０．５〆／分、酸素１．５そ／
分、塩化水素２０６ｃｃ／分（０．９５８原子％）の反
応ガスを吹きつけて、このプラズマ火炎下に直立させた
直径１仇肋の石英榛の頂部に石英ガラスを堆積させるよ
うにして、５時間連続運転を行なったところ、石英榛上
に石英ガラスが４８夕／時で成長し、蓬５比吻、長さ５
４側の石英ガラスロッドが得られた。
０夕／分の混合ガスを送入し、４ＭＨｚ、出力１０ＫＷ
の高周波発振器に入力してプラズマ火炎を発生させ、こ
れにテトラクロロシラン０．５〆／分、酸素１．５そ／
分、塩化水素２０６ｃｃ／分（０．９５８原子％）の反
応ガスを吹きつけて、このプラズマ火炎下に直立させた
直径１仇肋の石英榛の頂部に石英ガラスを堆積させるよ
うにして、５時間連続運転を行なったところ、石英榛上
に石英ガラスが４８夕／時で成長し、蓬５比吻、長さ５
４側の石英ガラスロッドが得られた。
ついでこの石英ガラスロッド中に含まれる水酸基量を測
定したところ、これはその中心部で５３ｐｐｍ、端部で
４８ｐｐｍであり、目標とした５０ｐｐｍの石英ガラス
製品であることが確認された。
定したところ、これはその中心部で５３ｐｐｍ、端部で
４８ｐｐｍであり、目標とした５０ｐｐｍの石英ガラス
製品であることが確認された。
実施例 ２
前例における塩化水素添加量を、目的とする石英ガラス
製品中の水酸基濃度を１０岬ｐｍとするため、４２６ｃ
ｃ／分（１．９８原子％）としたほかは前例と同機の条
件で５時間連続運転したところ、石英ガラスが、４６夕
／時で成長して径５＆帆、長さ５７肋の石英ガラス榛が
得られ、このものの水酸基濃度は中心部で１０３ｐｐｍ
、端部で９８ｐｐｍであり、目標とした水酸基濃度をも
つ製品が得られた。
製品中の水酸基濃度を１０岬ｐｍとするため、４２６ｃ
ｃ／分（１．９８原子％）としたほかは前例と同機の条
件で５時間連続運転したところ、石英ガラスが、４６夕
／時で成長して径５＆帆、長さ５７肋の石英ガラス榛が
得られ、このものの水酸基濃度は中心部で１０３ｐｐｍ
、端部で９８ｐｐｍであり、目標とした水酸基濃度をも
つ製品が得られた。
比較例
石英ガラス中の水酸基度の目標を５０ｐｐｍとし、実施
例１における塩化水素の代わりに３．１０夕／分の水素
ガスまたは水蒸気９５２ｃｃ／分を使用し、実施例１と
同様の条件で５時間の連続運転をしたところ、水素ガス
を使用した場合の石英ガラスの水酸基濃度は中心部６５
ｐｐｍ、端部６０ｐｐｍで、これは目標値５０ｐｐｍに
くらべて３０％増であり、水蒸気使用の場合は中心部４
７ｐｐｍ、端部３８ｐｐｍで、これを目標値にくらべて
−２４％であつた。
例１における塩化水素の代わりに３．１０夕／分の水素
ガスまたは水蒸気９５２ｃｃ／分を使用し、実施例１と
同様の条件で５時間の連続運転をしたところ、水素ガス
を使用した場合の石英ガラスの水酸基濃度は中心部６５
ｐｐｍ、端部６０ｐｐｍで、これは目標値５０ｐｐｍに
くらべて３０％増であり、水蒸気使用の場合は中心部４
７ｐｐｍ、端部３８ｐｐｍで、これを目標値にくらべて
−２４％であつた。
またこの目標値を１０岬ｐｍとし、実施例２における塩
化水素の代わり‘こ２．０４夕／分の水蒸気を使用して
同様に処理したところ、得られた石英ガラス中の水酸基
濃度は中心部で１４０ｐｐｍ、端部で１３ゆｐｍで、こ
れは目標値に対し十４０％という結果であった。
化水素の代わり‘こ２．０４夕／分の水蒸気を使用して
同様に処理したところ、得られた石英ガラス中の水酸基
濃度は中心部で１４０ｐｐｍ、端部で１３ゆｐｍで、こ
れは目標値に対し十４０％という結果であった。
第１図はプラズマ火炎中で、けし、素化合物から石英ガ
ラスを製造する場合の水素源添加量と石英ガラス中の水
酸基濃度との相関図、第２図は本発明方法を実施するた
めの装置系統図を示したものである。 １・・・・・・プラズマトーチ、２・・・・・・ガス送
入口、３・・・・・・高周波発振器、４・・・・・・高
周波ワークコイル、５・・・・・・プラズマ火炎、６・
・・・・・原料ガス供給口、７・・・・・・耐火性基体
、８・・・・・・石英ガラス堆積体、９〜１３……ロー
ターメーター。 第１図 第２図
ラスを製造する場合の水素源添加量と石英ガラス中の水
酸基濃度との相関図、第２図は本発明方法を実施するた
めの装置系統図を示したものである。 １・・・・・・プラズマトーチ、２・・・・・・ガス送
入口、３・・・・・・高周波発振器、４・・・・・・高
周波ワークコイル、５・・・・・・プラズマ火炎、６・
・・・・・原料ガス供給口、７・・・・・・耐火性基体
、８・・・・・・石英ガラス堆積体、９〜１３……ロー
ターメーター。 第１図 第２図
Claims (1)
- １ アルゴンガスおよび／または酸素ガス流によつて形
成された高周波プラズマ火炎で、けい素化合物、酸素お
よび塩化水素の混合ガスを反応させて二酸化けい素を生
成させ、この溶融物を標的上に堆積させることを特徴と
する石英ガラスの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56032352A JPS6038343B2 (ja) | 1981-03-06 | 1981-03-06 | 石英ガラスの製造方法 |
| US06/352,856 US4432781A (en) | 1981-03-06 | 1982-02-26 | Method for manufacturing fused quartz glass |
| DE19823207844 DE3207844A1 (de) | 1981-03-06 | 1982-03-04 | Verfahren zur herstellung von quarzglas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56032352A JPS6038343B2 (ja) | 1981-03-06 | 1981-03-06 | 石英ガラスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57149832A JPS57149832A (en) | 1982-09-16 |
| JPS6038343B2 true JPS6038343B2 (ja) | 1985-08-31 |
Family
ID=12356558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56032352A Expired JPS6038343B2 (ja) | 1981-03-06 | 1981-03-06 | 石英ガラスの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4432781A (ja) |
| JP (1) | JPS6038343B2 (ja) |
| DE (1) | DE3207844A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3304721A1 (de) * | 1983-02-11 | 1984-08-16 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung einer vorform fuer lichtwellenleiter |
| JP2554356B2 (ja) * | 1988-05-17 | 1996-11-13 | 住友電気工業株式会社 | ガラス原料供給方法及びガラス原料供給装置 |
| JPH0513306U (ja) * | 1991-07-25 | 1993-02-23 | 鐘紡株式会社 | 化粧料容器 |
| JPH0611705A (ja) * | 1992-01-31 | 1994-01-21 | Sony Corp | 能動素子基板 |
| US6044664A (en) * | 1997-09-29 | 2000-04-04 | Nikon Corporation | Synthetic silica glass manufacturing apparatus |
| JP3796561B2 (ja) * | 1999-04-21 | 2006-07-12 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラスの製造方法 |
| US20070044513A1 (en) * | 1999-08-18 | 2007-03-01 | Kear Bernard H | Shrouded-plasma process and apparatus for the production of metastable nanostructured materials |
| US7797966B2 (en) * | 2000-12-29 | 2010-09-21 | Single Crystal Technologies, Inc. | Hot substrate deposition of fused silica |
| US20020083739A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-04 | Pandelisev Kiril A. | Hot substrate deposition fiber optic preforms and preform components process and apparatus |
| US20020083740A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-04 | Pandelisev Kiril A. | Process and apparatus for production of silica grain having desired properties and their fiber optic and semiconductor application |
| US20020117625A1 (en) * | 2001-02-26 | 2002-08-29 | Pandelisev Kiril A. | Fiber optic enhanced scintillator detector |
| JP3753975B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2006-03-08 | 株式会社フジクラ | シングルモード光ファイバの製造方法及びシングルモード光ファイバ |
| DE202004021665U1 (de) * | 2003-04-26 | 2009-11-26 | Schott Ag | Glaskörper aus dotiertem Quarzglas |
| JP2011230987A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス母材製造方法 |
| JP6402466B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-10-10 | 住友電気工業株式会社 | マルチコア光ファイバの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2002342B (en) * | 1977-07-27 | 1982-06-30 | Sumitomo Electric Industries | Process for producing a glass member |
| FR2476058A1 (fr) * | 1980-02-15 | 1981-08-21 | Quartz Silice Sa | Semi-produit pour la production de fibres optiques, procede de preparation du semi-produit et fibres optiques obtenues a partir du semi-produit |
-
1981
- 1981-03-06 JP JP56032352A patent/JPS6038343B2/ja not_active Expired
-
1982
- 1982-02-26 US US06/352,856 patent/US4432781A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-03-04 DE DE19823207844 patent/DE3207844A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57149832A (en) | 1982-09-16 |
| DE3207844C2 (ja) | 1990-12-20 |
| DE3207844A1 (de) | 1982-11-11 |
| US4432781A (en) | 1984-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6038343B2 (ja) | 石英ガラスの製造方法 | |
| JP3233298B2 (ja) | 高純度溶融シリカガラスの非多孔質物体を作成する方法 | |
| JP2002060214A (ja) | 球状シリカ微粒子及びその製造方法 | |
| JPH04270130A (ja) | 高純度溶融シリカガラスの非多孔質体を作成する方法 | |
| KR100622616B1 (ko) | 유기실란의 분해에 의한 실리카 제조방법 | |
| JPS61247626A (ja) | ナトリウム含有ガラスまたはセラミツク物品の製造方法 | |
| JPH0459254B2 (ja) | ||
| JPS5939708A (ja) | 炭化けい素微粉末の製造方法 | |
| US4539221A (en) | Process for the chemical vapor deposition of oxidic particles | |
| US6326325B1 (en) | Method for fabricating silicon oxynitride | |
| JPH0465019B2 (ja) | ||
| US4735643A (en) | Method for producing an aerosol stream | |
| JPH06226085A (ja) | 酸化物微粒子の製造装置および製造方法 | |
| JPH0218295B2 (ja) | ||
| EP0045600A1 (en) | Improved method for producing semiconductor grade silicon | |
| JPS61291498A (ja) | 炭化けい素ウイスカ−の製造方法 | |
| Aylett et al. | Trifluoroiodosilane and difluorodi-iodosilane: their properties and use in preparing fluorosilicon derivatives with Si–N, Si–O, and Si–S bonds | |
| JPH04238805A (ja) | 高純度クロルシランの製造方法 | |
| JPH0339978B2 (ja) | ||
| AU731687C (en) | Method for fabricating silicon oxynitride | |
| JPS6218625B2 (ja) | ||
| AU731687B2 (en) | Method for fabricating silicon oxynitride | |
| JPH0132167B2 (ja) | ||
| JPS6046911A (ja) | 炭化けい素微粉末の製造方法 | |
| JPS62143840A (ja) | 光フアイバ−母材を製造する方法 |