JPH038737A - 光ファイバ用母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ用母材の製造方法Info
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- JPH038737A JPH038737A JP14327089A JP14327089A JPH038737A JP H038737 A JPH038737 A JP H038737A JP 14327089 A JP14327089 A JP 14327089A JP 14327089 A JP14327089 A JP 14327089A JP H038737 A JPH038737 A JP H038737A
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- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｃａ茶業上利用分野〕
本発明は光ファイバ用母材の製造方法、特にはグレーテ
ッドインデックス型、シングルモード型、または高ＮＡ
用光ファイバの製造に有用とされる光ファイバ用母材の
製造方法に関するものである。
ッドインデックス型、シングルモード型、または高ＮＡ
用光ファイバの製造に有用とされる光ファイバ用母材の
製造方法に関するものである。
［従来の技術］
光ファイバ用母材の製造はけい素化合物とゲルマニウム
化合物とからなるガラス原料をガス状で酸水素火炎バー
ナーに導入し、ここでの加水分解で生成したガラス微粒
子を担体上に堆積させて軸方向に成長した多孔質ガラス
母材を作り、これを加熱し透明ガラス化するという方法
（以下ＶＡＤ法と略記する）によって行なわれており、
この場合、けい素化合物として四塩化けい素、ゲルマニ
ラム化合物として四塩化ゲルマニウムを使用し、多孔質
ガラス母材の底面の形状と温度分布をコントロールする
とこのゲルマニウムによってドープされた光ファイバ用
母材の屈折率分布はほぼ２乗分布となる。
化合物とからなるガラス原料をガス状で酸水素火炎バー
ナーに導入し、ここでの加水分解で生成したガラス微粒
子を担体上に堆積させて軸方向に成長した多孔質ガラス
母材を作り、これを加熱し透明ガラス化するという方法
（以下ＶＡＤ法と略記する）によって行なわれており、
この場合、けい素化合物として四塩化けい素、ゲルマニ
ラム化合物として四塩化ゲルマニウムを使用し、多孔質
ガラス母材の底面の形状と温度分布をコントロールする
とこのゲルマニウムによってドープされた光ファイバ用
母材の屈折率分布はほぼ２乗分布となる。
［発明により解決されるべき課題］
しかし、このＶＡＤ法ではガス状のガラス原料の加水分
解によって生成したガラス微粒子が多孔質ガラス母材の
底面を通り外周直胴部に沿って排気されるために、外周
部にゲルマニウムの濃度分布に異常が生じ、この屈折率
分布が第２図の点線で示したようにスソ引きするように
なり、実線に示したような完全な２乗分布を示さなくな
るという不利が生じ、このような光ファイバ用母材から
製造された光ファイバはグレーテッドインデックス型や
高ＮＡ型においては広帯域化が困難となり、シングルモ
ード型ではファイバ設計ができなくなるという欠点が生
ずる。
解によって生成したガラス微粒子が多孔質ガラス母材の
底面を通り外周直胴部に沿って排気されるために、外周
部にゲルマニウムの濃度分布に異常が生じ、この屈折率
分布が第２図の点線で示したようにスソ引きするように
なり、実線に示したような完全な２乗分布を示さなくな
るという不利が生じ、このような光ファイバ用母材から
製造された光ファイバはグレーテッドインデックス型や
高ＮＡ型においては広帯域化が困難となり、シングルモ
ード型ではファイバ設計ができなくなるという欠点が生
ずる。
そのため、この種の光ファイバ用母材については多孔質
ガラス母材の製造工程と焼結工程でこの屈折率分布を調
整する方法が採られており、これについては多孔質ガラ
ス母材の製造工程において、多孔質ガラス母材の外周部
に不活性ガスや酸素ガスを吹き付ける方法（特開昭５４
−１１６４２９号公報参照）が知られているが、これに
は多孔質ガラス母材の外周部の温度低下によって多孔質
ガラス母材のかさ密度が低くなるために、多孔質ガラス
母材が割れ易くなり、その製造が安定しなくなるという
不利があり、多孔質ガラス母材を焼結するときに脱水を
兼ねてＣＲ２などのハロゲンガスで処理して四塩化ゲル
マニウムを蒸発除去する方法、ゲルマニウムを一酸化炭
素、水素などの還元性ガスを用いて一酸化ゲルマニウム
として気化除去する方法も知られているが、Ｃβ２ガス
を用いる場合は反応が遅く、Ｃβ２ガスが多孔質ガラス
母材の中心部まで拡散されるために外周部のゲルマニウ
ムだけを効率的に除去するのが難しく、−酸化炭素、水
素などの還元性ガスを用いる場合には反応が非常に速く
進むために拡散部分でゲルマニウムが除去され、拡散部
のゲルマニウムの分布に極端な段差が生じるという欠点
があり、さらにこの−酸化炭素、水素の添加は石英に構
造欠陥を与えるという不利もある。
ガラス母材の製造工程と焼結工程でこの屈折率分布を調
整する方法が採られており、これについては多孔質ガラ
ス母材の製造工程において、多孔質ガラス母材の外周部
に不活性ガスや酸素ガスを吹き付ける方法（特開昭５４
−１１６４２９号公報参照）が知られているが、これに
は多孔質ガラス母材の外周部の温度低下によって多孔質
ガラス母材のかさ密度が低くなるために、多孔質ガラス
母材が割れ易くなり、その製造が安定しなくなるという
不利があり、多孔質ガラス母材を焼結するときに脱水を
兼ねてＣＲ２などのハロゲンガスで処理して四塩化ゲル
マニウムを蒸発除去する方法、ゲルマニウムを一酸化炭
素、水素などの還元性ガスを用いて一酸化ゲルマニウム
として気化除去する方法も知られているが、Ｃβ２ガス
を用いる場合は反応が遅く、Ｃβ２ガスが多孔質ガラス
母材の中心部まで拡散されるために外周部のゲルマニウ
ムだけを効率的に除去するのが難しく、−酸化炭素、水
素などの還元性ガスを用いる場合には反応が非常に速く
進むために拡散部分でゲルマニウムが除去され、拡散部
のゲルマニウムの分布に極端な段差が生じるという欠点
があり、さらにこの−酸化炭素、水素の添加は石英に構
造欠陥を与えるという不利もある。
［課題を解決するための手段］
本発明はこのような不利、欠点を除去した光ファイバ用
母材の製造方法に関するものであり、これはけい素化合
物とゲルマニウム化合物よりなるガラス原料を酸水素火
炎バーナーで加水分解し、生成したガラス微粒子を担体
上に堆積して軸方向に成長した多孔質ガラス母材を作り
、ついでこれを加熱処理して透明ガラス化する光ファイ
バ母材の製造方法において、該バーナーに隣接して第２
のバーナーを設けてここに塩素−水素炎を発生させ、こ
れを該多孔質ガラス母材の外周に吹き付けて該光ファイ
バ母材の屈折率分布を調節することを特徴とするもので
ある。
母材の製造方法に関するものであり、これはけい素化合
物とゲルマニウム化合物よりなるガラス原料を酸水素火
炎バーナーで加水分解し、生成したガラス微粒子を担体
上に堆積して軸方向に成長した多孔質ガラス母材を作り
、ついでこれを加熱処理して透明ガラス化する光ファイ
バ母材の製造方法において、該バーナーに隣接して第２
のバーナーを設けてここに塩素−水素炎を発生させ、こ
れを該多孔質ガラス母材の外周に吹き付けて該光ファイ
バ母材の屈折率分布を調節することを特徴とするもので
ある。
すなわち、本発明者らはゲルマニウムの屈折率分布が２
乗分布を示す光ファイバ用母材の製造方法について種々
検討した結果、公知のＶＡＤ法による光ファイバ用母材
の製造方法において、けい素化合物とゲルマニウム化合
物とからなるガス状のガラス原料を酸水素火炎で加水分
解させて得たガラス微粒子を堆積させて多孔質ガラス母
材を作ったのち、この多孔質ガラス母材の外周に第２の
バーナーによって塩素−水素炎を発生させ、この塩素−
水素炎をその外周部に吹き付けると多孔質ガラス母材の
外周温度を低下させずにゲルマニウムによる屈折率分布
が第２図の実線で示したように２乗分布のスソ引きがな
くなることを見出すと共に、これについては第１のバー
ナーと同じ第３のバーナーを設けてここで発生したガラ
ス微粒子を上記で塩素−水素炎を吹き付けた多孔質ガラ
ス母材の外周部に堆積させれば、このスソ引きが完全に
解決されたコア、クラッドからなる光ファイバ用母材を
一体で合成することができることを確認して本発明を完
成させた。
乗分布を示す光ファイバ用母材の製造方法について種々
検討した結果、公知のＶＡＤ法による光ファイバ用母材
の製造方法において、けい素化合物とゲルマニウム化合
物とからなるガス状のガラス原料を酸水素火炎で加水分
解させて得たガラス微粒子を堆積させて多孔質ガラス母
材を作ったのち、この多孔質ガラス母材の外周に第２の
バーナーによって塩素−水素炎を発生させ、この塩素−
水素炎をその外周部に吹き付けると多孔質ガラス母材の
外周温度を低下させずにゲルマニウムによる屈折率分布
が第２図の実線で示したように２乗分布のスソ引きがな
くなることを見出すと共に、これについては第１のバー
ナーと同じ第３のバーナーを設けてここで発生したガラ
ス微粒子を上記で塩素−水素炎を吹き付けた多孔質ガラ
ス母材の外周部に堆積させれば、このスソ引きが完全に
解決されたコア、クラッドからなる光ファイバ用母材を
一体で合成することができることを確認して本発明を完
成させた。
つぎにこれをさらに詳述する。
［作 用］
本発明による光ファイバ用母材の製造は基本的にはＶＡ
Ｄ法で行なわれる。
Ｄ法で行なわれる。
したがって、この光ファイバ用母材の製造はまず第１図
に示したように、四塩化けい素などのけい素化合物と四
塩化ゲルマニウムなどのゲルマニウム化合物とからなる
ガラス原料をガス状として第１のバーナー１としての酸
水素火炎バーナーに送り、ここでの加水分解で発生した
ガラス微粒子を担体（図示せず）上に堆積して多孔質ガ
ラス母材２を形成させるのであるが、このようにして得
られる多孔質ガラス母材のゲルマニウムの屈折率分布は
第２図に点線で示したようにスソ引き部があるので、こ
れについては第２のガスバーナー３を用意してこれに塩
素−水素炎を発生させて、この塩素−水素炎をここに得
られた多孔質ガラス母材の外周面４に吹き付けてこのゲ
ルマニウムの屈折率分布のスソ引き部を消滅させる必要
がある。
に示したように、四塩化けい素などのけい素化合物と四
塩化ゲルマニウムなどのゲルマニウム化合物とからなる
ガラス原料をガス状として第１のバーナー１としての酸
水素火炎バーナーに送り、ここでの加水分解で発生した
ガラス微粒子を担体（図示せず）上に堆積して多孔質ガ
ラス母材２を形成させるのであるが、このようにして得
られる多孔質ガラス母材のゲルマニウムの屈折率分布は
第２図に点線で示したようにスソ引き部があるので、こ
れについては第２のガスバーナー３を用意してこれに塩
素−水素炎を発生させて、この塩素−水素炎をここに得
られた多孔質ガラス母材の外周面４に吹き付けてこのゲ
ルマニウムの屈折率分布のスソ引き部を消滅させる必要
がある。
この第２のバーナーによる塩素−水素炎の作用は
Ｈ２＋ＣＲ２→ ２ＨＣ１’ ・・・
（１）ＧｅＯ□＋ ４ＨＣｊ！ −ＧｅＣ１１４＋
２）１２０ ＝ （２）Ｇｅ０２＋ ２ＣＪ）２ −
ＧｅＣｐ、＋ ０２ − （３）という反応
（１）〜（３）によって多孔質ガラス母材外周部におい
て温度を低下させることなく、原料炎中の未反応四塩化
ゲルマニウムの加水分解によるゲルマニウム酸化物の生
成を抑制すると共に、ゲルマニウム酸化物を四塩化ゲル
マニウムとして容易に蒸発させるので、多孔質ガラス母
材におけるゲルマニウムの屈折率分布においてスソ引き
部を形成している６ｅ０２がなくなってゲルマニウムＧ
ｅｍ、の屈折率分布が第２図に実線で示したようなスソ
引き部のない最適な２乗分布を示すようになる。
（１）ＧｅＯ□＋ ４ＨＣｊ！ −ＧｅＣ１１４＋
２）１２０ ＝ （２）Ｇｅ０２＋ ２ＣＪ）２ −
ＧｅＣｐ、＋ ０２ − （３）という反応
（１）〜（３）によって多孔質ガラス母材外周部におい
て温度を低下させることなく、原料炎中の未反応四塩化
ゲルマニウムの加水分解によるゲルマニウム酸化物の生
成を抑制すると共に、ゲルマニウム酸化物を四塩化ゲル
マニウムとして容易に蒸発させるので、多孔質ガラス母
材におけるゲルマニウムの屈折率分布においてスソ引き
部を形成している６ｅ０２がなくなってゲルマニウムＧ
ｅｍ、の屈折率分布が第２図に実線で示したようなスソ
引き部のない最適な２乗分布を示すようになる。
なお、この塩素−水素炎を形成する塩素／水素のモル比
は上記した式（１）によるＨ Ｃｆ！の形成、（３）式
によるＣＲ２の存在が必要とされることから１．０以下
では充分な効果が得られなくなるので１．０以上とする
ことがよいが、このＣ２□、Ｈ２の供給量はゲルマニウ
ムをドープした多孔質ガラス母材の外径に応じて適宜遭
訳すればよい。
は上記した式（１）によるＨ Ｃｆ！の形成、（３）式
によるＣＲ２の存在が必要とされることから１．０以下
では充分な効果が得られなくなるので１．０以上とする
ことがよいが、このＣ２□、Ｈ２の供給量はゲルマニウ
ムをドープした多孔質ガラス母材の外径に応じて適宜遭
訳すればよい。
また、このように塩素−水素炎で処理した多孔質ガラス
母材は上記したようにゲルマニウムの屈折率分布が最適
の２乗分布を示したものとなるので、これを１，１００
℃で脱水後、１．４５０℃のヘリウム雰囲気中で透明ガ
ラス化すればゲルマニウムの屈折率分布が２乗分布を示
す光ファイバ用母材とすることができる。また、この多
孔質ガラス母材については第３図に示したように第１の
バーナー１と同じ酸水素火炎バーナーを用意し、この第
３のバーナー５にガス状のガラス原料であるけい素化合
物を供給し、この酸水素火炎による加水分解でガラス微
粒子を発生させてこれを多孔質ガラス母材の外周部に堆
積させることができ、これによればスソ引きのない屈折
分布をもったコアとクラッドの一体合成が可能となるの
で、これを脱水し、透明ガラス化すればより確実にゲル
マニウムの屈折率分布が２乗分布である光ファイバ用母
材を得ることができ、この光ファイバ用母材からはグレ
ーテッドインデックス型、シングルモード型、高ＮＡ型
光ファイバを容易に得ることができるという有利性が与
えられる。
母材は上記したようにゲルマニウムの屈折率分布が最適
の２乗分布を示したものとなるので、これを１，１００
℃で脱水後、１．４５０℃のヘリウム雰囲気中で透明ガ
ラス化すればゲルマニウムの屈折率分布が２乗分布を示
す光ファイバ用母材とすることができる。また、この多
孔質ガラス母材については第３図に示したように第１の
バーナー１と同じ酸水素火炎バーナーを用意し、この第
３のバーナー５にガス状のガラス原料であるけい素化合
物を供給し、この酸水素火炎による加水分解でガラス微
粒子を発生させてこれを多孔質ガラス母材の外周部に堆
積させることができ、これによればスソ引きのない屈折
分布をもったコアとクラッドの一体合成が可能となるの
で、これを脱水し、透明ガラス化すればより確実にゲル
マニウムの屈折率分布が２乗分布である光ファイバ用母
材を得ることができ、この光ファイバ用母材からはグレ
ーテッドインデックス型、シングルモード型、高ＮＡ型
光ファイバを容易に得ることができるという有利性が与
えられる。
［実施例］
つぎに本発明の実施例および比較例をあげる。
実施例１
第１図に示した装置を使用し、この第１のバーナーに水
素４ 、５１１／分、酸素６．！ｌ／分、シールアルゴ
ン１．０１７分を送入して着火し、この酸水素火炎バー
ナーにアルゴンに同伴させた四塩化けい素０．２ＩＩ＋
７分、四塩化ゲルマニウム０．０２Ｎ／分を流し、ここ
での加水分解で発生したガラス微粒子を担体としての石
英製ロンド上に堆積して外周にゲルマニウムをドープし
た多孔質ガラス母材を作り、第２のバーナーに水素３．
ＯＲ１分、塩素５．０１！／分、シールアルゴン０．７
Ｒ／分を流してここに塩素−水素炎を発生させ、この塩
素−水素炎を上記で得た多孔質ガラス母材の外周部に吹
き付けて外径６０ｍｍφ、長さ４５０ｍｌ１１、重量２
３０ｇの多孔質ガラス母材とＪＯｂｒ、この多孔質ガラ
ス母材を１，１００℃に加熱して脱水し、１，４５０℃
のヘリウム雰囲気中で透明ガラス化して光ファイバ用母
材を作り、このもののゲルマニウムの屈折率分布をしら
べたところ、このものは第２図の実線に示したようにΔ
ｎ□８が１．０％で外周部にゲルマニウムのスソ引き部
を有しないほぼ放物線状の２乗分布を示した。
素４ 、５１１／分、酸素６．！ｌ／分、シールアルゴ
ン１．０１７分を送入して着火し、この酸水素火炎バー
ナーにアルゴンに同伴させた四塩化けい素０．２ＩＩ＋
７分、四塩化ゲルマニウム０．０２Ｎ／分を流し、ここ
での加水分解で発生したガラス微粒子を担体としての石
英製ロンド上に堆積して外周にゲルマニウムをドープし
た多孔質ガラス母材を作り、第２のバーナーに水素３．
ＯＲ１分、塩素５．０１！／分、シールアルゴン０．７
Ｒ／分を流してここに塩素−水素炎を発生させ、この塩
素−水素炎を上記で得た多孔質ガラス母材の外周部に吹
き付けて外径６０ｍｍφ、長さ４５０ｍｌ１１、重量２
３０ｇの多孔質ガラス母材とＪＯｂｒ、この多孔質ガラ
ス母材を１，１００℃に加熱して脱水し、１，４５０℃
のヘリウム雰囲気中で透明ガラス化して光ファイバ用母
材を作り、このもののゲルマニウムの屈折率分布をしら
べたところ、このものは第２図の実線に示したようにΔ
ｎ□８が１．０％で外周部にゲルマニウムのスソ引き部
を有しないほぼ放物線状の２乗分布を示した。
つぎにこの光ファイバ用母材をコアとしてＧＩファイバ
母材を製造し、線引きしてガラスファイバとし、その評
価をしたところ、このものは０．１１５μｍで８５０
ＭＨ２−Ｋｍ、 １．３ａｍで１，０５０ＭＨ２−１ｆ
＋という結果を示した。
母材を製造し、線引きしてガラスファイバとし、その評
価をしたところ、このものは０．１１５μｍで８５０
ＭＨ２−Ｋｍ、 １．３ａｍで１，０５０ＭＨ２−１ｆ
＋という結果を示した。
比較例
実施例において第２のバーナーを設置せず、したがって
塩素−水素炎を多孔質ガラス母材に吹きつけることをし
なかったほかは実施例１と同じ方法で光ファイバ母材を
作り、このもののゲルマニウムの屈折率分布をしらべた
ところ、これは第２図の点線で示したようにその外周部
にゲルマニウムのスソ引き部がみられ、この母材から製
造したＧＩファイバ母材を線引きして得た光ファイバは
０．８５ｔＪｍで３４０ ＭＨ２−Ｋｍ １．３４
ｏｎで６７０ Ｍ）１２−Ｋｍ という結果を示した
。
塩素−水素炎を多孔質ガラス母材に吹きつけることをし
なかったほかは実施例１と同じ方法で光ファイバ母材を
作り、このもののゲルマニウムの屈折率分布をしらべた
ところ、これは第２図の点線で示したようにその外周部
にゲルマニウムのスソ引き部がみられ、この母材から製
造したＧＩファイバ母材を線引きして得た光ファイバは
０．８５ｔＪｍで３４０ ＭＨ２−Ｋｍ １．３４
ｏｎで６７０ Ｍ）１２−Ｋｍ という結果を示した
。
実施例２
第３図に示した装置を使用し、コア部合成用の第１のバ
ーナーに水素１，０ρ／分、酸素２．ＯＲ１分、シール
アルゴン０Ｍｌ１分を送入して着火し、この酸水素火炎
バーナーにアルゴンに同伴させた四塩化けい素を７ｏｍ
Ｒ／分、四塩化ゲルマニウムを４ｍＲ１分で流し、ここ
での加水分解で発生したガラス微粒子を担体としての石
英製ロンド上に堆積して外周にゲルマニウムをドープし
た多孔質ガラス母材を作り、第２のバーナーに水素１．
５４！／分、塩素２．簀／分、シールアルゴン０．６Ａ
／分を流してここに塩素−水素炎を発生させ、この塩素
−水素炎を上記で得た多孔質ガラス母材の外周部に吹き
付けた。
ーナーに水素１，０ρ／分、酸素２．ＯＲ１分、シール
アルゴン０Ｍｌ１分を送入して着火し、この酸水素火炎
バーナーにアルゴンに同伴させた四塩化けい素を７ｏｍ
Ｒ／分、四塩化ゲルマニウムを４ｍＲ１分で流し、ここ
での加水分解で発生したガラス微粒子を担体としての石
英製ロンド上に堆積して外周にゲルマニウムをドープし
た多孔質ガラス母材を作り、第２のバーナーに水素１．
５４！／分、塩素２．簀／分、シールアルゴン０．６Ａ
／分を流してここに塩素−水素炎を発生させ、この塩素
−水素炎を上記で得た多孔質ガラス母材の外周部に吹き
付けた。
ついで、第３のバーナーに水素７．ＯＲ１分、酸素１０
、Ｏｆｆ／分、シールアルゴン２．ＯＲ１分を流して着
火し、この酸水素火炎バーナーにアルゴンに同伴させた
四塩化けい素０．２６１’／分を流し、ここでの加水分
解で発生したガラス微粒子を上記で得た多孔質ガラス母
材の外周部に吹き付けて外径８０ｍｍφ、長さ７００ｍ
ｍ 、重量６３０ｇであるシングルモード用の多孔質ガ
ラス母材を作った。
、Ｏｆｆ／分、シールアルゴン２．ＯＲ１分を流して着
火し、この酸水素火炎バーナーにアルゴンに同伴させた
四塩化けい素０．２６１’／分を流し、ここでの加水分
解で発生したガラス微粒子を上記で得た多孔質ガラス母
材の外周部に吹き付けて外径８０ｍｍφ、長さ７００ｍ
ｍ 、重量６３０ｇであるシングルモード用の多孔質ガ
ラス母材を作った。
つぎに、この多孔質ガラス母材を１，１００℃で脱水し
、１，４８０℃のヘリウム雰囲気中で透明ガラス化して
光ファイバ用母材を作り、このものの屈折率分布なしら
べたところ、このものは第４図に示したように、Δｎ−
０Ｊ％、Ｄ／ａ＝３．２でコア部とクラッド部の境界に
はゲルマニウムのスソ弓き部もなく明確な２乗分布を示
したので、この光ファイバ母材から製造したシングルモ
ード光ファイバはコア径が明確でこの屈折率分布からフ
ァイバのカットオフ波長などの構造設計推定が高い確率
で行なえるものであることが確認された。
、１，４８０℃のヘリウム雰囲気中で透明ガラス化して
光ファイバ用母材を作り、このものの屈折率分布なしら
べたところ、このものは第４図に示したように、Δｎ−
０Ｊ％、Ｄ／ａ＝３．２でコア部とクラッド部の境界に
はゲルマニウムのスソ弓き部もなく明確な２乗分布を示
したので、この光ファイバ母材から製造したシングルモ
ード光ファイバはコア径が明確でこの屈折率分布からフ
ァイバのカットオフ波長などの構造設計推定が高い確率
で行なえるものであることが確認された。
［発明の効果］
本発明は前記したように、ＶＡＤ法により得た多孔質ガ
ラス母材の外周部に第２のバーナーによる塩素−水素炎
を吹き付けてその屈折率分布を調節するものであるが、
これによれば塩素−水素炎で発生する塩化水素（ＨＣｌ
ｌ）および炎中の塩素（ｃＩ１２）が多孔質ガラス母材
外周部での原料炎中の未反応四塩化ゲルマニウムの加水
分解反応を抑制すると共に、多孔質ガラス母材外周部の
二酸化ゲルマニウム（Ｇｅｍ２）と反応してこれを四塩
化ゲルマニウム（ＧｅＣＩ２４）とし、この四塩化ゲル
マニウムが容易に蒸発するので、母材中のゲルマニウム
の屈折率分布においてスソ引き部を形成しているＧｅＯ
２がなくなり、したがってこの屈折率分布が適切な２乗
分布を示すようになるという効果が与えられる。なお、
この多孔質ガラス母材から作られた光ファイバ用母材に
は特にグレーテッドインデックス型、シングルモード型
、また高ＮＡ用光ファイバの製造に有用とされるという
工業上の有利性が与えられる。
ラス母材の外周部に第２のバーナーによる塩素−水素炎
を吹き付けてその屈折率分布を調節するものであるが、
これによれば塩素−水素炎で発生する塩化水素（ＨＣｌ
ｌ）および炎中の塩素（ｃＩ１２）が多孔質ガラス母材
外周部での原料炎中の未反応四塩化ゲルマニウムの加水
分解反応を抑制すると共に、多孔質ガラス母材外周部の
二酸化ゲルマニウム（Ｇｅｍ２）と反応してこれを四塩
化ゲルマニウム（ＧｅＣＩ２４）とし、この四塩化ゲル
マニウムが容易に蒸発するので、母材中のゲルマニウム
の屈折率分布においてスソ引き部を形成しているＧｅＯ
２がなくなり、したがってこの屈折率分布が適切な２乗
分布を示すようになるという効果が与えられる。なお、
この多孔質ガラス母材から作られた光ファイバ用母材に
は特にグレーテッドインデックス型、シングルモード型
、また高ＮＡ用光ファイバの製造に有用とされるという
工業上の有利性が与えられる。
第１図および第３図は本発明による多孔質ガラス母材の
製造方法を示す縦断面図、第２図は第１図の方法で作ら
れた多孔質ガラス母材のゲルマニウムの屈折率分布図、
第４図は第３図の方法で作られた多孔質ガラス母材のゲ
ルマニウムの屈折率分布図を示したものである。 １・・・第１ のバーナー ２・・・多孔質ガラス母材、 ３・・・第２のバーナー ４・・・多孔質ガラス母材の外周部、 ５・・・第３のバーナー 第 図 第 図 第 図 第 因
製造方法を示す縦断面図、第２図は第１図の方法で作ら
れた多孔質ガラス母材のゲルマニウムの屈折率分布図、
第４図は第３図の方法で作られた多孔質ガラス母材のゲ
ルマニウムの屈折率分布図を示したものである。 １・・・第１ のバーナー ２・・・多孔質ガラス母材、 ３・・・第２のバーナー ４・・・多孔質ガラス母材の外周部、 ５・・・第３のバーナー 第 図 第 図 第 図 第 因
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、けい素化合物とゲルマニウム化合物よりなるガラス
原料を酸水素火炎バーナーで加水分解し、生成したガラ
ス微粒子を担体上に堆積して軸方向に成長した多孔質ガ
ラス母材を作り、ついでこれを加熱処理して透明ガラス
化する光ファイバ母材の製造方法において、該バーナー
に隣接して第２のバーナーを設けてここに塩素−水素炎
を発生させ、これを該多孔質ガラス母材の外周に吹き付
けて該光ファイバ母材の屈折率分布を調節することを特
徴とする光ファイバ用母材の製造方法。 ２、多孔質ガラス母材に塩素−水素炎を吹き付けたのち
、第３のバーナーを用いて該多孔質ガラス母材の外周に
ガラス微粒子を堆積してクラッド用多孔質ガラス層を形
成し、ついで加熱し透明ガラス化する請求項１に記載の
光ファイバ用母材の製造方法。 ３、塩素−水素炎に供給する塩素／水素のモル比を１．
０以上とする請求項１または２に記載の光ファイバ用母
材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1143270A JPH0788231B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1143270A JPH0788231B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038737A true JPH038737A (ja) | 1991-01-16 |
| JPH0788231B2 JPH0788231B2 (ja) | 1995-09-27 |
Family
ID=15334848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1143270A Expired - Fee Related JPH0788231B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0788231B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6401497B1 (en) | 1998-04-22 | 2002-06-11 | Wacoal Corp. | Garment with figure control or muscle support function |
| JP2002335212A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 分散制御器 |
| JP2002371453A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Asahi Kasei Corp | 経編地 |
| KR100528763B1 (ko) * | 1999-02-09 | 2005-11-15 | 가부시키가이샤 와코르 | 체형보정기능이 있는 의류 |
| KR100685522B1 (ko) * | 2005-12-31 | 2007-02-26 | 이철성 | 보정 속옷 |
| WO2022181648A1 (ja) * | 2021-02-25 | 2022-09-01 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバ及び光ファイバ母材の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU768742B2 (en) * | 1998-11-02 | 2004-01-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Single-mode optical fiber and its production method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5983953A (ja) * | 1982-11-05 | 1984-05-15 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光フアイバ母材の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP1143270A patent/JPH0788231B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5983953A (ja) * | 1982-11-05 | 1984-05-15 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光フアイバ母材の製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6401497B1 (en) | 1998-04-22 | 2002-06-11 | Wacoal Corp. | Garment with figure control or muscle support function |
| KR100528763B1 (ko) * | 1999-02-09 | 2005-11-15 | 가부시키가이샤 와코르 | 체형보정기능이 있는 의류 |
| JP2002335212A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 分散制御器 |
| JP2002371453A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Asahi Kasei Corp | 経編地 |
| KR100685522B1 (ko) * | 2005-12-31 | 2007-02-26 | 이철성 | 보정 속옷 |
| WO2022181648A1 (ja) * | 2021-02-25 | 2022-09-01 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバ及び光ファイバ母材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0788231B2 (ja) | 1995-09-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |