JPH0524875A - フツ化物光フアイバ用プリフオーム製造方法及び製造装置 - Google Patents
フツ化物光フアイバ用プリフオーム製造方法及び製造装置Info
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- JPH0524875A JPH0524875A JP18134591A JP18134591A JPH0524875A JP H0524875 A JPH0524875 A JP H0524875A JP 18134591 A JP18134591 A JP 18134591A JP 18134591 A JP18134591 A JP 18134591A JP H0524875 A JPH0524875 A JP H0524875A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/80—Non-oxide glasses or glass-type compositions
- C03B2201/82—Fluoride glasses, e.g. ZBLAN glass
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＶＤ法を用いた低損失のフッ化物光ファイ
バ用プリフォーム製造方法を提供する。 【構成】 揮発性原料と含フッ素ガスを反応容器内で気
相で反応させることによりフッ化物光ファイバ用プリフ
ォームを作製する方法において、含フッ素ガスのみを活
性化し、活性化した含フッ素ガスと揮発性原料を反応さ
せることによりフッ化物ガラスプリフォームを製造する
ことを特徴とするフッ化物光ファイバ用プリフォーム製
造方法。 【効果】 従来のＰＣＶＤ法に比べ不純物の少ない均質
なフッ化物ガラスを容易に作製することができる他、基
体として用いるフッ化物ガラス管の加熱による変形、結
晶化、さらにプラズマ照射による欠陥の生成を防ぐこと
ができ、低損失のフッ化物光ファイバの作製が可能とな
る。
バ用プリフォーム製造方法を提供する。 【構成】 揮発性原料と含フッ素ガスを反応容器内で気
相で反応させることによりフッ化物光ファイバ用プリフ
ォームを作製する方法において、含フッ素ガスのみを活
性化し、活性化した含フッ素ガスと揮発性原料を反応さ
せることによりフッ化物ガラスプリフォームを製造する
ことを特徴とするフッ化物光ファイバ用プリフォーム製
造方法。 【効果】 従来のＰＣＶＤ法に比べ不純物の少ない均質
なフッ化物ガラスを容易に作製することができる他、基
体として用いるフッ化物ガラス管の加熱による変形、結
晶化、さらにプラズマ照射による欠陥の生成を防ぐこと
ができ、低損失のフッ化物光ファイバの作製が可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、長尺にして低損失なフ
ッ化物光ファイバ用プリフォームの製造方法に関する。
ッ化物光ファイバ用プリフォームの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フッ化物ガラスを素材とする光ファイバ
は、石英系光ファイバを凌ぐ１０-2ｄＢ／ｋｍ以下の伝
送損失を持つことが期待されており、特にフッ化物ガラ
スの内で、ＺｒＦ4を主成分とするフッ化物ガラス（以
下、フッ化物ガラスという。）は、光ファイバ素材とし
て有望視されている。
は、石英系光ファイバを凌ぐ１０-2ｄＢ／ｋｍ以下の伝
送損失を持つことが期待されており、特にフッ化物ガラ
スの内で、ＺｒＦ4を主成分とするフッ化物ガラス（以
下、フッ化物ガラスという。）は、光ファイバ素材とし
て有望視されている。
【０００３】従来、フッ化物ガラスの製造方法としては
溶融法または気相合成法（ＣＶＤ法）が知られている。
気相合成法は、米国特許第４７１８９２９号、特願昭６
３−２７６００７号、特願平１−４９２７７号に記載さ
れているように、金属元素とβ−ジケトンとからなる金
属錯体を出発原料とし、金属錯体を加熱気化したガス流
及び含フッ素ガスを、基体を設けた反応系に導入し、こ
れらを上記基体上で反応させることによりフッ化物ガラ
スを製造する方法によって製造している。この気相合成
法によるフッ化物ガラスの製造では、溶融法において問
題であった坩堝器壁等からの汚染が防げる他、溶融法で
は作製困難であった大型母材の作製が可能となる等の利
点がある。
溶融法または気相合成法（ＣＶＤ法）が知られている。
気相合成法は、米国特許第４７１８９２９号、特願昭６
３−２７６００７号、特願平１−４９２７７号に記載さ
れているように、金属元素とβ−ジケトンとからなる金
属錯体を出発原料とし、金属錯体を加熱気化したガス流
及び含フッ素ガスを、基体を設けた反応系に導入し、こ
れらを上記基体上で反応させることによりフッ化物ガラ
スを製造する方法によって製造している。この気相合成
法によるフッ化物ガラスの製造では、溶融法において問
題であった坩堝器壁等からの汚染が防げる他、溶融法で
は作製困難であった大型母材の作製が可能となる等の利
点がある。
【０００４】しかし、上記ＣＶＤ法によるフッ化物光フ
ァイバ用プリフォーム作製にあっては、反応部における
金属錯体と含フッ素ガスとの反応に必要な熱源としてヒ
ータによる加熱を用いた場合、基体として用いるフッ化
物ガラス管のガラス軟化点が約２７０℃と低いために、
反応部の温度を２７０℃以上に加熱することができず、
反応部においてフッ素化の反応が充分に進行せず、堆積
したフッ化物ガラスの中に有機物等の不純物が残る問題
点があった。これに対し、米国特許４７１８９２９号に
記載されているような反応の励起源にプラズマを用いる
方法（ＰＣＶＤ法）を用いると、プラズマのエネルギー
を反応に使うことによりフッ化物ガラス管の軟化点以下
の温度での低温合成が可能となる。
ァイバ用プリフォーム作製にあっては、反応部における
金属錯体と含フッ素ガスとの反応に必要な熱源としてヒ
ータによる加熱を用いた場合、基体として用いるフッ化
物ガラス管のガラス軟化点が約２７０℃と低いために、
反応部の温度を２７０℃以上に加熱することができず、
反応部においてフッ素化の反応が充分に進行せず、堆積
したフッ化物ガラスの中に有機物等の不純物が残る問題
点があった。これに対し、米国特許４７１８９２９号に
記載されているような反応の励起源にプラズマを用いる
方法（ＰＣＶＤ法）を用いると、プラズマのエネルギー
を反応に使うことによりフッ化物ガラス管の軟化点以下
の温度での低温合成が可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｐ
ＣＶＤ法においても該金属錯体と含フッ素ガスの励起部
と、反応,堆積部を同一位置に設定した場合、高周波、
マイクロ波領域におけるフッ化物ガラス自身が持つ大き
な誘電損失のため、高周波、マイクロ波の吸収による自
己加熱が生じ、基体として用いているフッ化物ガラス管
の結晶化、変形の問題があった。
ＣＶＤ法においても該金属錯体と含フッ素ガスの励起部
と、反応,堆積部を同一位置に設定した場合、高周波、
マイクロ波領域におけるフッ化物ガラス自身が持つ大き
な誘電損失のため、高周波、マイクロ波の吸収による自
己加熱が生じ、基体として用いているフッ化物ガラス管
の結晶化、変形の問題があった。
【０００６】また、堆積したフッ化物ガラス膜について
は、成膜中にプラズマ内の高エネルギー粒子にさらされ
ることによって欠陥が発生し、これによって生じた吸収
が透過特性に影響を及ぼすという問題もあった。本発明
は、上記事情に鑑みてなされたもので、ＣＶＤ法を用い
て低損失なフッ化物光ファイバ用プリフォームを製造す
る方法の提供を目的としている。
は、成膜中にプラズマ内の高エネルギー粒子にさらされ
ることによって欠陥が発生し、これによって生じた吸収
が透過特性に影響を及ぼすという問題もあった。本発明
は、上記事情に鑑みてなされたもので、ＣＶＤ法を用い
て低損失なフッ化物光ファイバ用プリフォームを製造す
る方法の提供を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、揮発性原料と
含フッ素ガスを反応容器内で気相で反応させることによ
りフッ化物光ファイバ用プリフォームを作製する方法に
おいて、含フッ素ガスのみを活性化し、活性化した該含
フッ素ガスと揮発性原料を反応させることによりフッ化
物ガラスプリフォームを製造する方法によって上記課題
を解決した。また、この製造方法を実施するには、揮発
性原料と含フッ素ガスを反応容器内に導入し、該反応容
器内で気相で反応させることによりフッ化物光ファイバ
用プリフォームを製造する装置において、該含フッ素ガ
スの供給路に含フッ素ガス活性化装置を設け、該反応容
器内に活性化した含フッ素ガスを導入するように構成し
たフッ化物光ファイバ用プリフォーム製造装置が好適に
使用される。
含フッ素ガスを反応容器内で気相で反応させることによ
りフッ化物光ファイバ用プリフォームを作製する方法に
おいて、含フッ素ガスのみを活性化し、活性化した該含
フッ素ガスと揮発性原料を反応させることによりフッ化
物ガラスプリフォームを製造する方法によって上記課題
を解決した。また、この製造方法を実施するには、揮発
性原料と含フッ素ガスを反応容器内に導入し、該反応容
器内で気相で反応させることによりフッ化物光ファイバ
用プリフォームを製造する装置において、該含フッ素ガ
スの供給路に含フッ素ガス活性化装置を設け、該反応容
器内に活性化した含フッ素ガスを導入するように構成し
たフッ化物光ファイバ用プリフォーム製造装置が好適に
使用される。
【０００８】
【作用】本発明によれば、活性状態に励起された含フッ
素ガスをフッ素化の反応に用いることができるため、基
体として用いるフッ化物ガラス管を２７０℃以上に加熱
することなく、金属錯体のフッ素化反応を進行させるこ
とができる。このため、基体として用いるフッ化物ガラ
ス管の変形や結晶化が防げ、かつフッ素ラジカルの強い
酸化性のために有機物等の不純物の残留を防ぐことがで
きる。また、反応部と堆積部を分離したことにより、合
成されるフッ化物ガラス膜に及ぼすプラズマ中の高エネ
ルギー粒子の照射による欠陥の生成も抑制でき、透過特
性の優れたガラス膜の生成ができる。
素ガスをフッ素化の反応に用いることができるため、基
体として用いるフッ化物ガラス管を２７０℃以上に加熱
することなく、金属錯体のフッ素化反応を進行させるこ
とができる。このため、基体として用いるフッ化物ガラ
ス管の変形や結晶化が防げ、かつフッ素ラジカルの強い
酸化性のために有機物等の不純物の残留を防ぐことがで
きる。また、反応部と堆積部を分離したことにより、合
成されるフッ化物ガラス膜に及ぼすプラズマ中の高エネ
ルギー粒子の照射による欠陥の生成も抑制でき、透過特
性の優れたガラス膜の生成ができる。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明に係わるフッ化物光ファイバ
用プリフォームの製造装置の一例を示す図である。同図
において、符号１はロータリーポンプからなる排気系に
より減圧下に圧力調整される反応管であるチャンバであ
り、このチャンバ１には含フッ素ガス導入口２と揮発性
原料導入口３とが形成されている。このチャンバ１は、
その周囲を囲むヒータ４によって加熱されるようになっ
ている。チャンバ１の中央部には、基体として用いるフ
ッ化物ガラス管が位置している。一方、Ｚｒ，Ｂａ，Ｌ
ａ，Ａｌ，Ｎａ，Ｌｉの６種の揮発性原料がそれぞれ充
填される容器である６つの蒸発器６は、途中で合流して
揮発性原料導入口に連通する揮発性原料供給管７により
チャンバ１に連通されている。また、各蒸発器６はそれ
ぞれヒータ８により適温に加熱されるようになってお
り、供給管７の外周は、保温用ヒータ９により保温され
ている。
用プリフォームの製造装置の一例を示す図である。同図
において、符号１はロータリーポンプからなる排気系に
より減圧下に圧力調整される反応管であるチャンバであ
り、このチャンバ１には含フッ素ガス導入口２と揮発性
原料導入口３とが形成されている。このチャンバ１は、
その周囲を囲むヒータ４によって加熱されるようになっ
ている。チャンバ１の中央部には、基体として用いるフ
ッ化物ガラス管が位置している。一方、Ｚｒ，Ｂａ，Ｌ
ａ，Ａｌ，Ｎａ，Ｌｉの６種の揮発性原料がそれぞれ充
填される容器である６つの蒸発器６は、途中で合流して
揮発性原料導入口に連通する揮発性原料供給管７により
チャンバ１に連通されている。また、各蒸発器６はそれ
ぞれヒータ８により適温に加熱されるようになってお
り、供給管７の外周は、保温用ヒータ９により保温され
ている。
【００１０】上記含フッ素ガス導入口２からは、含フッ
素ガス活性化装置１０によって活性状態に励起された、
Ｆ2，ＨＦ，ＮＦ3，ＳＦ6，ＣＦ4などの含フッ素ガス
が、含フッ素ガス供給管１１を介して供給されるように
なっている。なお含フッ素ガス活性化装置としては、高
周波またはマイクロ波発振機の他、赤外線ランプ、紫外
線ランプ、ヒータ等を用いることもできる。以下に、本
発明のフッ化物光ファイバ用プリフォーム製造方法の実
施例について示すが、本発明はこれらの実施例によって
何等制限されるものではない。
素ガス活性化装置１０によって活性状態に励起された、
Ｆ2，ＨＦ，ＮＦ3，ＳＦ6，ＣＦ4などの含フッ素ガス
が、含フッ素ガス供給管１１を介して供給されるように
なっている。なお含フッ素ガス活性化装置としては、高
周波またはマイクロ波発振機の他、赤外線ランプ、紫外
線ランプ、ヒータ等を用いることもできる。以下に、本
発明のフッ化物光ファイバ用プリフォーム製造方法の実
施例について示すが、本発明はこれらの実施例によって
何等制限されるものではない。
【００１１】（実施例１）図１に示す装置を用い、出発
原料として、 Ｚｒと CF3-CO-CH2-CO-CF3 との金属錯体 （Ｚｒ（ｈｆａ）4） Ｂａと C2F5-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ｂａ（ｐｐｍ）2） Ｌａと C3F7-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ｌａ（ｆｏｄ）3） Ａｌと C3F7-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ａｌ（ｆｏｄ）3） Ｎａと C2F5-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ｎａ（ｐｐｍ）） を使用し、含フッ素ガスとして１０％Ａｒ希釈Ｆ2ガス
を用いてフッ化物ガラスを以下の通り作製した。なお、
チャンバ１内をロータリーポンプにより１mmHgの圧力に
保持するとともに反応器及びそれに連なる揮発性原料供
給管の温度を２３０℃に保持した。上記金属錯体は、蒸
発器６内でそれぞれヒータ８により５５℃、２３０℃、
１８０℃、７５℃、１６５℃に保温される。これにより
揮発したガスは、キャリアガスとしてのＡｒを図示しな
いガス供給手段により供給することにより、チャンバ１
内に導入される。このとき、含フッ素ガスの供給量はマ
スフローコントローラによって調整できるようになって
いる。
原料として、 Ｚｒと CF3-CO-CH2-CO-CF3 との金属錯体 （Ｚｒ（ｈｆａ）4） Ｂａと C2F5-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ｂａ（ｐｐｍ）2） Ｌａと C3F7-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ｌａ（ｆｏｄ）3） Ａｌと C3F7-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ａｌ（ｆｏｄ）3） Ｎａと C2F5-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ｎａ（ｐｐｍ）） を使用し、含フッ素ガスとして１０％Ａｒ希釈Ｆ2ガス
を用いてフッ化物ガラスを以下の通り作製した。なお、
チャンバ１内をロータリーポンプにより１mmHgの圧力に
保持するとともに反応器及びそれに連なる揮発性原料供
給管の温度を２３０℃に保持した。上記金属錯体は、蒸
発器６内でそれぞれヒータ８により５５℃、２３０℃、
１８０℃、７５℃、１６５℃に保温される。これにより
揮発したガスは、キャリアガスとしてのＡｒを図示しな
いガス供給手段により供給することにより、チャンバ１
内に導入される。このとき、含フッ素ガスの供給量はマ
スフローコントローラによって調整できるようになって
いる。
【００１２】本実施例では、Ｚｒ（ｈｆａ）4を５cc/mi
n、Ｂａ（ｐｐｍ）2を５cc/min、Ｌａ（ｆｏｄ）3を２c
c/min、Ａｌ（ｆｏｄ）3を２cc/min、Ｎａ（ｐｐｍ）を
２cc/min、Ｆ2／Ａｒ １００cc/minの条件で２時間合成
を行なった結果、50ZrF4-30BaF2-10LaF3-5AlF3-5NaFの
組成を有する厚さ２mmのガラス膜が作製できた。このよ
うにして作製したフッ化物ガラスについてＸ線回折、赤
外吸収を測定した。なお、比較のために従来法であるＰ
ＣＶＤ法で作製したフッ化物ガラスについても赤外吸収
を測定した。図２にはＸ線回折図、図３には赤外吸収ス
ペクトルを示した。
n、Ｂａ（ｐｐｍ）2を５cc/min、Ｌａ（ｆｏｄ）3を２c
c/min、Ａｌ（ｆｏｄ）3を２cc/min、Ｎａ（ｐｐｍ）を
２cc/min、Ｆ2／Ａｒ １００cc/minの条件で２時間合成
を行なった結果、50ZrF4-30BaF2-10LaF3-5AlF3-5NaFの
組成を有する厚さ２mmのガラス膜が作製できた。このよ
うにして作製したフッ化物ガラスについてＸ線回折、赤
外吸収を測定した。なお、比較のために従来法であるＰ
ＣＶＤ法で作製したフッ化物ガラスについても赤外吸収
を測定した。図２にはＸ線回折図、図３には赤外吸収ス
ペクトルを示した。
【００１３】図２から明らかなように、本実施例で作製
したガラス膜には、結晶による回折ピークは認められな
かった。また、図３に示した赤外吸収スペクトルにおい
て、実線は本実施例で作製したガラス、破線は従来法で
作製したガラスについてのスペクトルである。図３から
明らかなように、従来法で作製したガラスには、2.9μ
ｍ付近にＯＨ基による吸収が見られるが、本実施例で作
製したガラスにはＯＨ基による吸収が見られず、本実施
例の方法を用いることによりＯＨ基の濃度が極めて低い
フッ化物ガラス膜が作製できることが分かる。図４には
本実施例で作製したフッ化物ガラスのＸＰＳ（Ｘ線光電
子分光）スペクトルを示す。この図から、本実施例で作
製したガラス膜が、Ｚｒ，Ｂａ，Ｌａ，Ａｌ，Ｎａ及び
Ｆのみからなり、有機物の残留のないフッ化物であるこ
とが分かる。またこの際キャリアガスとしてのＡｒやＨ
ｅの流量を調整することにより、フッ化物ガラスの組成
を全範囲にわたって容易に制御することができた。
したガラス膜には、結晶による回折ピークは認められな
かった。また、図３に示した赤外吸収スペクトルにおい
て、実線は本実施例で作製したガラス、破線は従来法で
作製したガラスについてのスペクトルである。図３から
明らかなように、従来法で作製したガラスには、2.9μ
ｍ付近にＯＨ基による吸収が見られるが、本実施例で作
製したガラスにはＯＨ基による吸収が見られず、本実施
例の方法を用いることによりＯＨ基の濃度が極めて低い
フッ化物ガラス膜が作製できることが分かる。図４には
本実施例で作製したフッ化物ガラスのＸＰＳ（Ｘ線光電
子分光）スペクトルを示す。この図から、本実施例で作
製したガラス膜が、Ｚｒ，Ｂａ，Ｌａ，Ａｌ，Ｎａ及び
Ｆのみからなり、有機物の残留のないフッ化物であるこ
とが分かる。またこの際キャリアガスとしてのＡｒやＨ
ｅの流量を調整することにより、フッ化物ガラスの組成
を全範囲にわたって容易に制御することができた。
【００１４】（実施例２）実施例１で用いた方法と同様
の方法で、含フッ素ガスとしてＳＦ6を用いてフッ化物
ガラスの合成を行なった。各揮発原料の供給の割合は実
施例１と同様とした。また、ＳＦ6ガスはプラズマ発生
装置によって含フッ素ガス供給管１１内でプラズマ状態
を作り、連結するチャンバー内に導入される。２時間の
合成を行なった結果、厚さ２mmのフッ化物ガラス膜を合
成することができた。この他に含フッ素ガスとしては、
ＨＦのほか、ＮＦ3，ＣＦ4を用いることができた。
の方法で、含フッ素ガスとしてＳＦ6を用いてフッ化物
ガラスの合成を行なった。各揮発原料の供給の割合は実
施例１と同様とした。また、ＳＦ6ガスはプラズマ発生
装置によって含フッ素ガス供給管１１内でプラズマ状態
を作り、連結するチャンバー内に導入される。２時間の
合成を行なった結果、厚さ２mmのフッ化物ガラス膜を合
成することができた。この他に含フッ素ガスとしては、
ＨＦのほか、ＮＦ3，ＣＦ4を用いることができた。
【００１５】（実施例３）図１に示す装置により、出発
原料として、 Ｚｒと CF3-CO-CH2-CO-CF3 との金属錯体 （Ｚｒ（ｈｆａ）4） Ｂａと C2F5-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ｂａ（ｐｐｍ）2） Ｌａと C3F7-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ｌａ（ｆｏｄ）3） Ａｌと C3F7-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ａｌ（ｆｏｄ）3） Ｎａと C2F5-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ｎａ（ｐｐｍ）） Ｌｉと C3F7-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ｌｉ（ｆｏｄ）） を使用し、含フッ素ガスとして１０％Ａｒ希釈Ｆ2ガス
を用いてフッ化物ガラスを以下の通り作製した。なお、
作製方法は実施例１と同様の方法によった。また、１０
％Ａｒ希釈Ｆ2ガスは、プラズマ発生装置によって含フ
ッ素ガス供給管１１内でプラズマ状態を作り、連結する
チャンバ内に導入される。このとき、含フッ素ガスの供
給量はマスフローコントローラによって調整できるよう
になっている。本実施例では、Ｚｒ（ｈｆａ）4を５cc/
min、Ｂａ（ｐｐｍ）2を５cc/min、Ｌａ（ｆｏｄ）3を
２cc/min、Ａｌ（ｆｏｄ）3を２cc/min、Ｎａ（ｐｐ
ｍ）を２cc/min、Ｌｉ（ｆｏｄ）を２cc/min、Ｆ2／Ａ
ｒ １００cc/minの条件で２時間合成を行なった結果、4
8.5ZrF4-23.5BaF2-3.5LaF3-2.5AlF3-15NaF-7LiF の組成
を有する厚さ２mmのガラス膜が作製できた。
原料として、 Ｚｒと CF3-CO-CH2-CO-CF3 との金属錯体 （Ｚｒ（ｈｆａ）4） Ｂａと C2F5-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ｂａ（ｐｐｍ）2） Ｌａと C3F7-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ｌａ（ｆｏｄ）3） Ａｌと C3F7-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ａｌ（ｆｏｄ）3） Ｎａと C2F5-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ｎａ（ｐｐｍ）） Ｌｉと C3F7-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯体 （Ｌｉ（ｆｏｄ）） を使用し、含フッ素ガスとして１０％Ａｒ希釈Ｆ2ガス
を用いてフッ化物ガラスを以下の通り作製した。なお、
作製方法は実施例１と同様の方法によった。また、１０
％Ａｒ希釈Ｆ2ガスは、プラズマ発生装置によって含フ
ッ素ガス供給管１１内でプラズマ状態を作り、連結する
チャンバ内に導入される。このとき、含フッ素ガスの供
給量はマスフローコントローラによって調整できるよう
になっている。本実施例では、Ｚｒ（ｈｆａ）4を５cc/
min、Ｂａ（ｐｐｍ）2を５cc/min、Ｌａ（ｆｏｄ）3を
２cc/min、Ａｌ（ｆｏｄ）3を２cc/min、Ｎａ（ｐｐ
ｍ）を２cc/min、Ｌｉ（ｆｏｄ）を２cc/min、Ｆ2／Ａ
ｒ １００cc/minの条件で２時間合成を行なった結果、4
8.5ZrF4-23.5BaF2-3.5LaF3-2.5AlF3-15NaF-7LiF の組成
を有する厚さ２mmのガラス膜が作製できた。
【００１６】このようにして作製したフッ化物ガラスに
ついて測定したガラス転移点（Ｔｇ）及び結晶化温度
（Ｔｘ）を表１に示す。あわせて実施例１で作製された
フッ化物ガラスのＴｇ，Ｔｘについて、また比較のため
に溶融法によって作られたフッ化物ガラスのＴｇ，Ｔｘ
についても表１に示す。
ついて測定したガラス転移点（Ｔｇ）及び結晶化温度
（Ｔｘ）を表１に示す。あわせて実施例１で作製された
フッ化物ガラスのＴｇ，Ｔｘについて、また比較のため
に溶融法によって作られたフッ化物ガラスのＴｇ，Ｔｘ
についても表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】この表中（Ｔｘ−Ｔｇ）の値から分かるよ
うに、本実施例で作製されたフッ化物ガラスの（Ｔｘ−
Ｔｇ）の値は、溶融法で作製された（Ｔｘ−Ｔｇ）の値
より大きく、このことはガラスとしてより安定なものが
作製されていることを示している。
うに、本実施例で作製されたフッ化物ガラスの（Ｔｘ−
Ｔｇ）の値は、溶融法で作製された（Ｔｘ−Ｔｇ）の値
より大きく、このことはガラスとしてより安定なものが
作製されていることを示している。
【００１９】（実施例４）図１に示す装置により、出発
原料としてＺｒと CF3-CO-CH2-CO-CF3 との金属錯体
（Ｚｒ（ｈｆａ）4）を使用し、含フッ素ガスとして１
０％Ａｒ希釈Ｆ2ガスを用いてフッ化ジルコニウム膜を
以下の通り作製した。なお、作製方法は実施例１と同様
の方法によった。また、１０％Ａｒ希釈Ｆ2ガスは、プ
ラズマ発生装置によって含フッ素ガス供給管１１内でプ
ラズマ状態を作り、連結するチャンバ内に導入される。
本実施例では、Ｚｒ（ｈｆａ）4を１０cc/min、Ｆ2／Ａ
ｒ １００cc/minの条件で２時間合成を行なった結果、
厚さ２mmのフッ化ジルコニウム膜が作製できた。このよ
うにして作製したフッ化ジルコニウム膜について紫外吸
収を測定した。なお、比較のため、従来法であるＰＣＶ
Ｄ法で作製したフッ化ジルコニウム膜についても紫外吸
収を測定した。図５に示した紫外吸収スペクトルにおい
て、実線は本実施例で作製したガラス、破線は従来法で
作製したガラスについてのスペクトルである。この図５
から明らかなように、従来法で作製したガラスには300n
m付近に欠陥による吸収が見られるが、本実施例で作製
したガラスには欠陥による吸収が見られず、本実施例の
方法を用いることによりプラズマ照射による欠陥の生成
が抑制できることが分かる。
原料としてＺｒと CF3-CO-CH2-CO-CF3 との金属錯体
（Ｚｒ（ｈｆａ）4）を使用し、含フッ素ガスとして１
０％Ａｒ希釈Ｆ2ガスを用いてフッ化ジルコニウム膜を
以下の通り作製した。なお、作製方法は実施例１と同様
の方法によった。また、１０％Ａｒ希釈Ｆ2ガスは、プ
ラズマ発生装置によって含フッ素ガス供給管１１内でプ
ラズマ状態を作り、連結するチャンバ内に導入される。
本実施例では、Ｚｒ（ｈｆａ）4を１０cc/min、Ｆ2／Ａ
ｒ １００cc/minの条件で２時間合成を行なった結果、
厚さ２mmのフッ化ジルコニウム膜が作製できた。このよ
うにして作製したフッ化ジルコニウム膜について紫外吸
収を測定した。なお、比較のため、従来法であるＰＣＶ
Ｄ法で作製したフッ化ジルコニウム膜についても紫外吸
収を測定した。図５に示した紫外吸収スペクトルにおい
て、実線は本実施例で作製したガラス、破線は従来法で
作製したガラスについてのスペクトルである。この図５
から明らかなように、従来法で作製したガラスには300n
m付近に欠陥による吸収が見られるが、本実施例で作製
したガラスには欠陥による吸収が見られず、本実施例の
方法を用いることによりプラズマ照射による欠陥の生成
が抑制できることが分かる。
【００２０】（実施例５）図１に示す装置により、出発
原料としてＡｌと C3F7-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯
体（Ａｌ（ｆｏｄ）3）を使用し、含フッ素ガスとして
１０％Ａｒ希釈Ｆ2ガスを用いてフッ化アルミニウム膜
を以下の通り作製した。なお、作製方法は実施例１と同
様の方法によった。また、１０％Ａｒ希釈Ｆ2ガスは、
プラズマ発生装置によって含フッ素ガス供給管１１内で
プラズマ状態を作り、連結するチャンバ内に導入され
る。本実施例では、Ａｌ（ｆｏｄ）3を１０cc/min、Ｆ2
／Ａｒ１００cc/minの条件で２時間合成を行なった結
果、厚さ２mmのフッ化アルミニウム膜が作製できた。
原料としてＡｌと C3F7-CO-CH2-CO-C(CH3)3 との金属錯
体（Ａｌ（ｆｏｄ）3）を使用し、含フッ素ガスとして
１０％Ａｒ希釈Ｆ2ガスを用いてフッ化アルミニウム膜
を以下の通り作製した。なお、作製方法は実施例１と同
様の方法によった。また、１０％Ａｒ希釈Ｆ2ガスは、
プラズマ発生装置によって含フッ素ガス供給管１１内で
プラズマ状態を作り、連結するチャンバ内に導入され
る。本実施例では、Ａｌ（ｆｏｄ）3を１０cc/min、Ｆ2
／Ａｒ１００cc/minの条件で２時間合成を行なった結
果、厚さ２mmのフッ化アルミニウム膜が作製できた。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来のＰＣＶＤ法に比べ不純物の少ない均質なフッ化物
ガラスを容易に作製することができる他、基体として用
いるフッ化物ガラス管の加熱による変形、結晶化、さら
にプラズマ照射による欠陥の生成を防ぐことができ、低
損失のフッ化物光ファイバの作製が可能となる。
従来のＰＣＶＤ法に比べ不純物の少ない均質なフッ化物
ガラスを容易に作製することができる他、基体として用
いるフッ化物ガラス管の加熱による変形、結晶化、さら
にプラズマ照射による欠陥の生成を防ぐことができ、低
損失のフッ化物光ファイバの作製が可能となる。
【図１】本発明に係わるフッ化物光ファイバ用プリフォ
ーム作製装置の一例を示す概略図である。
ーム作製装置の一例を示す概略図である。
【図２】実施例１で得られたフッ化物ガラス膜のＸ線回
折図である。
折図である。
【図３】実施例１で作製したフッ化物ガラスの赤外吸収
スペクトルを示す図である。
スペクトルを示す図である。
【図４】実施例１で得られたフッ化物ガラスのＸＰＳス
ペクトルを示す図である。
ペクトルを示す図である。
【図５】実施例３で得られたフッ化ジルコニウム膜の紫
外吸収スペクトルである。
外吸収スペクトルである。
１ チャンバ
２ 含フッ素ガス導入口
３ 揮発性原料導入口
４ 赤外線加熱炉
５ フッ化物ガラス管
６ 蒸発器
７ 揮発性原料供給管
８ ヒータ
９ 保温用ヒータ
１０ 含フッ素ガス活性化装置
１１ 含フッ素ガス供給管
Claims (2)
- 【請求項１】 揮発性原料と含フッ素ガスを反応容器内
で気相で反応させることによりフッ化物光ファイバ用プ
リフォームを作製する方法において、含フッ素ガスのみ
を活性化し、活性化した該含フッ素ガスと揮発性原料を
反応させることによりフッ化物ガラスプリフォームを製
造することを特徴とするフッ化物光ファイバ用プリフォ
ーム製造方法。 - 【請求項２】 揮発性原料と含フッ素ガスを反応容器内
に導入し、該反応容器内で気相で反応させることにより
フッ化物光ファイバ用プリフォームを製造する装置にお
いて、該含フッ素ガスの供給路に含フッ素ガス活性化装
置を設け、該反応容器内に活性化した含フッ素ガスを導
入することを特徴としたフッ化物光ファイバ用プリフォ
ーム製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18134591A JPH0524875A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | フツ化物光フアイバ用プリフオーム製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18134591A JPH0524875A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | フツ化物光フアイバ用プリフオーム製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0524875A true JPH0524875A (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16099081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18134591A Pending JPH0524875A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | フツ化物光フアイバ用プリフオーム製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0524875A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0814062A1 (en) * | 1996-06-21 | 1997-12-29 | Yamamura Glass Co. Ltd. | Process for producing a thin film of a metal fluoride on a substrate |
| JP2011256101A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Draka Comteq Bv | 一次プリフォームを製造する方法 |
-
1991
- 1991-07-22 JP JP18134591A patent/JPH0524875A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0814062A1 (en) * | 1996-06-21 | 1997-12-29 | Yamamura Glass Co. Ltd. | Process for producing a thin film of a metal fluoride on a substrate |
| US5891531A (en) * | 1996-06-21 | 1999-04-06 | Yamamura Glass Co., Ltd. | Process for producing a thin film of a flouride |
| JP2011256101A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Draka Comteq Bv | 一次プリフォームを製造する方法 |
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