JPH06122523A - 希土類イオン含有カルコゲナイドガラスの製造方法 - Google Patents
希土類イオン含有カルコゲナイドガラスの製造方法Info
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- JPH06122523A JPH06122523A JP26921192A JP26921192A JPH06122523A JP H06122523 A JPH06122523 A JP H06122523A JP 26921192 A JP26921192 A JP 26921192A JP 26921192 A JP26921192 A JP 26921192A JP H06122523 A JPH06122523 A JP H06122523A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 気相反応を用いる希土類イオン含有のカルコ
ゲナイドガラスの作製技術を提供する。 【構成】 硫黄、セレン、テルル、砒素、燐、アンチモ
ン、ガリウム、珪素、アルミニウム、ゲルマニウムの元
素のハロゲン化物、水素化物、有機金属化合物、アルコ
キシド、β−ジケトン錯体の群より選択された２種類以
上のガスと希土類元素のβ−ジケトン錯体のガスを混合
し、前記混合ガスを気相あるいは基板６上で反応させる
ことを特徴とする。 【効果】 高純度でかつ均質なカルコゲナイドガラスが
作製でき、さらに希土類イオンを高濃度に均一に添加で
きる。また、本発明によれば、従来困難であった低損失
なカルコゲナイドファイバの作製が可能となり、ファイ
バの構造制御も容易にできる。この結果、希土類を活性
イオンとする固体レーザあるいは光ファイバアンプの作
製が可能となり、特にイオンの分散性が高濃度まで維持
できることから、高効率化、小型化が可能となる。
ゲナイドガラスの作製技術を提供する。 【構成】 硫黄、セレン、テルル、砒素、燐、アンチモ
ン、ガリウム、珪素、アルミニウム、ゲルマニウムの元
素のハロゲン化物、水素化物、有機金属化合物、アルコ
キシド、β−ジケトン錯体の群より選択された２種類以
上のガスと希土類元素のβ−ジケトン錯体のガスを混合
し、前記混合ガスを気相あるいは基板６上で反応させる
ことを特徴とする。 【効果】 高純度でかつ均質なカルコゲナイドガラスが
作製でき、さらに希土類イオンを高濃度に均一に添加で
きる。また、本発明によれば、従来困難であった低損失
なカルコゲナイドファイバの作製が可能となり、ファイ
バの構造制御も容易にできる。この結果、希土類を活性
イオンとする固体レーザあるいは光ファイバアンプの作
製が可能となり、特にイオンの分散性が高濃度まで維持
できることから、高効率化、小型化が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は希土類イオン含有カルコ
ゲナイドガラスの製造方法、さらに詳細にはレーザある
いは光アンプの媒体、光ファイバ型レーザあるいはファ
イバアンプに用いる希土類イオン含有カルコゲナイドガ
ラスの製造方法に関するものである。
ゲナイドガラスの製造方法、さらに詳細にはレーザある
いは光アンプの媒体、光ファイバ型レーザあるいはファ
イバアンプに用いる希土類イオン含有カルコゲナイドガ
ラスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】カルコゲナイドガラスは、構成している
元素の蒸気圧が溶融温度で高いために通常、石英アンプ
ルに封入し、１０時間以上電気炉の中で揺藍し冷却する
ことによって作製される。この方法によれば、ガラスの
純度は、出発原料に依存し、プロセスに精製が含まれな
いため高純度化が困難であった。また、一般に希土類イ
オンは一部のガラス組成を除いて、カルコゲナイドガラ
スに不溶で、平衡状態下の溶融技術では均一に高濃度添
加することが困難であった。また、溶融過程では、石英
アンプル内は高圧になっており、アンプルの破裂など安
全面での問題もあった。
元素の蒸気圧が溶融温度で高いために通常、石英アンプ
ルに封入し、１０時間以上電気炉の中で揺藍し冷却する
ことによって作製される。この方法によれば、ガラスの
純度は、出発原料に依存し、プロセスに精製が含まれな
いため高純度化が困難であった。また、一般に希土類イ
オンは一部のガラス組成を除いて、カルコゲナイドガラ
スに不溶で、平衡状態下の溶融技術では均一に高濃度添
加することが困難であった。また、溶融過程では、石英
アンプル内は高圧になっており、アンプルの破裂など安
全面での問題もあった。
【０００３】また、上記作製法の問題点を解決する手段
として、金属あるいは溶融法で作製したガラスをターゲ
ットとするスパッタ法があるが、この方法は成長速度が
最大１μｍと遅いこと、基板の形状に制約がある等の問
題があった。
として、金属あるいは溶融法で作製したガラスをターゲ
ットとするスパッタ法があるが、この方法は成長速度が
最大１μｍと遅いこと、基板の形状に制約がある等の問
題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点を
解決するために気相反応を用いるカルコゲナイドガラス
の作製技術を提供することにある。
解決するために気相反応を用いるカルコゲナイドガラス
の作製技術を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決する手段】上述の問題点を解決するため、
本発明の希土類イオン含有カルコゲナイドガラスの製造
方法は、硫黄、セレン、テルル、砒素、燐、アンチモ
ン、ガリウム、珪素、アルミニウム、ゲルマニウムの元
素のハロゲン化物、水素化物、有機金属化合物、アルコ
キシド、β−ジケトン錯体の群より選択された２種類以
上のガスと希土類元素のβ−ジケトン錯体のガスを混合
し、前記混合ガスを気相あるいは基板上で反応させるこ
とを特徴とする。
本発明の希土類イオン含有カルコゲナイドガラスの製造
方法は、硫黄、セレン、テルル、砒素、燐、アンチモ
ン、ガリウム、珪素、アルミニウム、ゲルマニウムの元
素のハロゲン化物、水素化物、有機金属化合物、アルコ
キシド、β−ジケトン錯体の群より選択された２種類以
上のガスと希土類元素のβ−ジケトン錯体のガスを混合
し、前記混合ガスを気相あるいは基板上で反応させるこ
とを特徴とする。
【０００６】また、本発明による希土類イオン含有カル
コゲナイドガラスの製造方法は、中空円筒状の基板の該
中空部に硫黄、セレン、テルル、砒素、燐、アンチモ
ン、ガリウム、珪素、アルミニウム、ゲルマニウムの元
素のハロゲン化物、水素化物、有機金属化合物、アルコ
キシド、β−ジケトン錯体の群より選択された２種類以
上のガスを導入し、該中空部にカルコゲナイドガラスの
膜を作製し、しかる後に硫黄、セレン、テルル、砒素、
燐、アンチモン、ガリウム、珪素、アルミニウム、ゲル
マニウムの元素のハロゲン化物、水素化物、有機金属化
合物、アルコキシド、β−ジケトン錯体の群より選択さ
れた２種類以上のガスと希土類元素のβ−ジケトン錯体
を含む混合ガスを導入し、該カルコゲナイドガラスの内
部に屈折率が高くかつ希土類イオンを含むカルコゲナイ
ドガラスを作製し、円筒状基板を取り除き、該カルコゲ
ナイドガラスの円筒を回転しつつ加熱し中実化する工程
よりなることを特徴とする。
コゲナイドガラスの製造方法は、中空円筒状の基板の該
中空部に硫黄、セレン、テルル、砒素、燐、アンチモ
ン、ガリウム、珪素、アルミニウム、ゲルマニウムの元
素のハロゲン化物、水素化物、有機金属化合物、アルコ
キシド、β−ジケトン錯体の群より選択された２種類以
上のガスを導入し、該中空部にカルコゲナイドガラスの
膜を作製し、しかる後に硫黄、セレン、テルル、砒素、
燐、アンチモン、ガリウム、珪素、アルミニウム、ゲル
マニウムの元素のハロゲン化物、水素化物、有機金属化
合物、アルコキシド、β−ジケトン錯体の群より選択さ
れた２種類以上のガスと希土類元素のβ−ジケトン錯体
を含む混合ガスを導入し、該カルコゲナイドガラスの内
部に屈折率が高くかつ希土類イオンを含むカルコゲナイ
ドガラスを作製し、円筒状基板を取り除き、該カルコゲ
ナイドガラスの円筒を回転しつつ加熱し中実化する工程
よりなることを特徴とする。
【０００７】すなわち、本発明は揮発性の高い原料を出
発原料として用い、かつ気相または基板上で分解あるい
は反応させることによってカルコゲナイドガラスを作製
するものである。特に、化学量論的に反応する原料の組
み合わせを選択すること、希土類イオンのソースとして
β−ジケトン錯体を用いることを特徴としている。本発
明の方法によれば、気相あるいは基板上での反応で生成
したイオンが成長表面での低い移動度のために凍結され
る。その結果、均質度の高いガラスの作製が可能とな
る。さらに、成長表面では非平衡状態が実現されてお
り、平衡状態下では不溶のイオンをガラス中に添加でき
る。したがって、希土類イオンを高濃度にかつ均一に添
加したカルコゲナイドガラスの作製が可能となる。ま
た、原料の気化プロセスにおいて原料の精製が行なわ
れ、かつ閉じた系で合成が完結するため高純度化も達成
できるという利点がある。
発原料として用い、かつ気相または基板上で分解あるい
は反応させることによってカルコゲナイドガラスを作製
するものである。特に、化学量論的に反応する原料の組
み合わせを選択すること、希土類イオンのソースとして
β−ジケトン錯体を用いることを特徴としている。本発
明の方法によれば、気相あるいは基板上での反応で生成
したイオンが成長表面での低い移動度のために凍結され
る。その結果、均質度の高いガラスの作製が可能とな
る。さらに、成長表面では非平衡状態が実現されてお
り、平衡状態下では不溶のイオンをガラス中に添加でき
る。したがって、希土類イオンを高濃度にかつ均一に添
加したカルコゲナイドガラスの作製が可能となる。ま
た、原料の気化プロセスにおいて原料の精製が行なわ
れ、かつ閉じた系で合成が完結するため高純度化も達成
できるという利点がある。
【０００８】
【発明の具体的説明】本発明による希土類イオン含有カ
ルコゲナイドガラスの製造方法によれば、硫黄、セレ
ン、テルル、砒素、燐、アンチモン、ガリウム、珪素、
アルミニウム、ゲルマニウムの少なくとも２種類以上の
元素のハロゲン化物、水素化物、有機金属化合物、アル
コキシド、β−ジケトン錯体いずれか１種類あるいは２
種類以上の混合物からなるガスと希土類元素のβ−ジケ
トン錯体のガスを混合する。
ルコゲナイドガラスの製造方法によれば、硫黄、セレ
ン、テルル、砒素、燐、アンチモン、ガリウム、珪素、
アルミニウム、ゲルマニウムの少なくとも２種類以上の
元素のハロゲン化物、水素化物、有機金属化合物、アル
コキシド、β−ジケトン錯体いずれか１種類あるいは２
種類以上の混合物からなるガスと希土類元素のβ−ジケ
トン錯体のガスを混合する。
【０００９】本発明において、硫黄、セレン、テルル、
砒素、燐、アンチモン、ガリウム、珪素、アルミニウ
ム、ゲルマニウム元素の化合物の形態は基本的に上述の
形態であれば基本的に限定されるものではない。しかし
ながら、さらに具体的に述べれば、硫黄、セレンは水素
化物、アルコキシド、有機金属化合物であるのがよく、
砒素、燐は水素化物、ハロゲン化物、アルコキシド、有
機金属化合物であるのがよい。テルル、アンチモン、ガ
リウム、硅素、アルミニウム、ゲルマニウムはハロゲン
化物、アルコキシド、有機金属化合物の形態であるのが
好ましい。これらのガスはハロゲン化物、水素化物、有
機金属化合物、アルコキシド、β−ジケトン錯体のいず
れか一種類のガスであることもでき、二種類以上の異な
る化合物のガスであることもできる。
砒素、燐、アンチモン、ガリウム、珪素、アルミニウ
ム、ゲルマニウム元素の化合物の形態は基本的に上述の
形態であれば基本的に限定されるものではない。しかし
ながら、さらに具体的に述べれば、硫黄、セレンは水素
化物、アルコキシド、有機金属化合物であるのがよく、
砒素、燐は水素化物、ハロゲン化物、アルコキシド、有
機金属化合物であるのがよい。テルル、アンチモン、ガ
リウム、硅素、アルミニウム、ゲルマニウムはハロゲン
化物、アルコキシド、有機金属化合物の形態であるのが
好ましい。これらのガスはハロゲン化物、水素化物、有
機金属化合物、アルコキシド、β−ジケトン錯体のいず
れか一種類のガスであることもでき、二種類以上の異な
る化合物のガスであることもできる。
【００１０】前記ガラス形成用のガスと混合される希土
類元素のβ−ジケトン錯体は、本発明において基本的に
限定されるものではない。たとえば、下記の一般式
（１）のものを使用することができる。
類元素のβ−ジケトン錯体は、本発明において基本的に
限定されるものではない。たとえば、下記の一般式
（１）のものを使用することができる。
【式２】 （ただし、一般式（１）中、ＲおよびＲ’のいずれか一
方あるいは両方は炭素数１から７のアルキル基かまたは
炭素数１から７のアルキル基の水素の一部あるいは全部
をフッ素に置換したフルオロアルキル基、Ｍは金属、ｎ
は配位数を示す）
方あるいは両方は炭素数１から７のアルキル基かまたは
炭素数１から７のアルキル基の水素の一部あるいは全部
をフッ素に置換したフルオロアルキル基、Ｍは金属、ｎ
は配位数を示す）
【００１１】上記一般式中、ＲおよびＲ’の炭素数が０
であると、β−ジケトン錯体の分子の大きさが不十分で
金属を取り囲めなくなるため隣接する金属との相互作用
による気化性の定価が生じ、また、ＲおよびＲ’の炭素
数が７を越えると、分子量が大きくなり過ぎ、さらにβ
−ジケトン内部での分解および変質を生じる。
であると、β−ジケトン錯体の分子の大きさが不十分で
金属を取り囲めなくなるため隣接する金属との相互作用
による気化性の定価が生じ、また、ＲおよびＲ’の炭素
数が７を越えると、分子量が大きくなり過ぎ、さらにβ
−ジケトン内部での分解および変質を生じる。
【００１２】さらに配位数ｎは金属のイオンの価数と等
しいことが望ましく、金属イオンの価数よりも配位数が
小さい場合、不純物が金属に配位し気化性を低下させ、
金属のか数よりも配位数が大きい場合、錯体の熱安定性
が低下し分解が生じる。すなわち、希土類元素の場合、
３であることが望ましい。
しいことが望ましく、金属イオンの価数よりも配位数が
小さい場合、不純物が金属に配位し気化性を低下させ、
金属のか数よりも配位数が大きい場合、錯体の熱安定性
が低下し分解が生じる。すなわち、希土類元素の場合、
３であることが望ましい。
【００１３】希土類元素としては、たとえばＰｒ、Ｌ
ａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどの一種以上を使用することが
できる。
ａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどの一種以上を使用することが
できる。
【００１４】上述の混合ガスを気相あるいは基板上で反
応させるわけであるが、この際、後述の図１より明らか
なように、反応雰囲気中に水素を添加することができ
る。
応させるわけであるが、この際、後述の図１より明らか
なように、反応雰囲気中に水素を添加することができ
る。
【００１５】さらに基板を使用する場合、基板は一般的
に円板など平板状が一般的であるが、中空円筒状の基板
を使用し、基板中空部にガラスを形成する混合ガスを導
入してカルコゲナイドガラス膜を形成した後、希土類元
素のβ−ジケトン錯体を含む混合ガスを導入し、カルコ
ゲナイドガラスの内部に屈折率が高くかつ希土類イオン
を含むカルコゲナイドガラスを作製し、次いで、円筒基
板を除去した後、前記カルコゲナイドガラスの円筒を回
転させながら中実化して製造することも可能である。こ
の場合、光ファイバ用母材として使用することができ
る。
に円板など平板状が一般的であるが、中空円筒状の基板
を使用し、基板中空部にガラスを形成する混合ガスを導
入してカルコゲナイドガラス膜を形成した後、希土類元
素のβ−ジケトン錯体を含む混合ガスを導入し、カルコ
ゲナイドガラスの内部に屈折率が高くかつ希土類イオン
を含むカルコゲナイドガラスを作製し、次いで、円筒基
板を除去した後、前記カルコゲナイドガラスの円筒を回
転させながら中実化して製造することも可能である。こ
の場合、光ファイバ用母材として使用することができ
る。
【００１６】上述のような反応のエネルギ源としては、
熱、プラズマ、光の１種あるいは２種以上を使用するこ
とができる。
熱、プラズマ、光の１種あるいは２種以上を使用するこ
とができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳細に説明す
るが、本発明はこれにより何等限定されるものではな
い。また、以下、希土類元素のβ−ジケトン錯体をＲお
よびＲ’の組み合わせにより以下のように略記する。
るが、本発明はこれにより何等限定されるものではな
い。また、以下、希土類元素のβ−ジケトン錯体をＲお
よびＲ’の組み合わせにより以下のように略記する。
【００１８】 Ｒ Ｒ’ ｄｐｍ：−Ｃ（ＣＨ3）3 −Ｃ（ＣＨ3）3 ｐｐｍ：−Ｃ（ＣＨ3）3 −Ｃ2Ｆ5 ｈｆａ：−ＣＦ3 −ＣＦ3 ｄｆｈｄ：−ＣＦ3 −Ｃ3Ｆ7
【００１９】
【実施例１】図１に本実施例で用いた作製装置の概略図
を示す。出発原料として、ＡｓＣｌ3、Ｈ2Ｓ、Ｐｒ（ｄ
ｐｍ）3を用いた。この図より明らかなように、Ｈ2Ｓは
ガスボンベ１収納されており、マスフローコントローラ
ーを介して反応チャンバ８に供給される。ＡｓＣｌ3は
バブラー２中に収納されており、マスフローコントロー
ラーを介して供給されるキャリアガス（Ａｒ）によって
反応チャンバ８に搬送される。さらにＰｒ（ｄｐｍ）3
は恒温槽４で加熱されたバブラー３中に収納されてお
り、マスフローコントローラーを介して供給されるキャ
リアガス（Ａｒ）によりラインヒーター５によってたと
えば、２００℃に加熱されたラインをへて反応チャンバ
８に送られる。さらに反応チャンバ８中には基板ヒータ
ー７によって所定温度、たとえば２００〜３００℃に加
熱された石英基板６が設けられている。
を示す。出発原料として、ＡｓＣｌ3、Ｈ2Ｓ、Ｐｒ（ｄ
ｐｍ）3を用いた。この図より明らかなように、Ｈ2Ｓは
ガスボンベ１収納されており、マスフローコントローラ
ーを介して反応チャンバ８に供給される。ＡｓＣｌ3は
バブラー２中に収納されており、マスフローコントロー
ラーを介して供給されるキャリアガス（Ａｒ）によって
反応チャンバ８に搬送される。さらにＰｒ（ｄｐｍ）3
は恒温槽４で加熱されたバブラー３中に収納されてお
り、マスフローコントローラーを介して供給されるキャ
リアガス（Ａｒ）によりラインヒーター５によってたと
えば、２００℃に加熱されたラインをへて反応チャンバ
８に送られる。さらに反応チャンバ８中には基板ヒータ
ー７によって所定温度、たとえば２００〜３００℃に加
熱された石英基板６が設けられている。
【００２０】また、反応チャンバ８には水素を供給する
ことができ、この場合キャリアガス、たとえばＡｒとと
もにマスフローコントローラーを介して供給する。
ことができ、この場合キャリアガス、たとえばＡｒとと
もにマスフローコントローラーを介して供給する。
【００２１】ＡｓＣｌ3、Ｈ2Ｓは常温で気体であるた
め、Ｈ2Ｓはマスフローコントローラーで直接制御し、
ＡｓＣｌ3はキャリアガスの流量で供給量を制御した。
Ｐｒ（ｐｐｍ）3は常温で固体であり、恒温槽４で１８
０〜２００℃に加熱することにより供給量を制御した。
反応温度は２５０℃とし、圧力は約１００Ｔｏｒｒとし
た。本実施例での反応は以下のように表すことができ
る。
め、Ｈ2Ｓはマスフローコントローラーで直接制御し、
ＡｓＣｌ3はキャリアガスの流量で供給量を制御した。
Ｐｒ（ｐｐｍ）3は常温で固体であり、恒温槽４で１８
０〜２００℃に加熱することにより供給量を制御した。
反応温度は２５０℃とし、圧力は約１００Ｔｏｒｒとし
た。本実施例での反応は以下のように表すことができ
る。
【００２２】式１ ２ＡｓＣｌ3（ｇ）＋３Ｈ2Ｓ（ｇ）→Ａｓ2Ｓ3（ｓ）＋６ＨＣｌ（ｇ）
【００２３】式２ ２Ｐｒ（ｐｐｍ）3（ｇ）＋３Ｈ2Ｓ（ｇ）→Ｐｒ2Ｓ3（ｓ）＋６Ｈ（ｐｐｍ）
【００２４】上記反応式において、（１）はガラスマト
リックス生成反応であり、（２）はドーパントであるＰ
ｒイオンの添加に関する反応である。上記反応は低温か
ら化学量論的に進行するため、未反応物の取込みが少な
い高純度のガラスが作製できる。
リックス生成反応であり、（２）はドーパントであるＰ
ｒイオンの添加に関する反応である。上記反応は低温か
ら化学量論的に進行するため、未反応物の取込みが少な
い高純度のガラスが作製できる。
【００２５】基板には石英を用いた。１時間の合成で約
１００μｍの膜が成長できた。ＥＰＭＡ（Electron Pro
be Micro Analyzer）およびＩＣＰ分析の結果、生成し
たガラスの組成はＡｓ４２ｍｏｌ％−Ｓ５８ｍｏｌ％で
あり、Ｐｒ０．０１〜５ｍｏｌ％まで添加可能であり、
この範囲ではＰｒの析出によるガラスの不均質性は観測
されなかった。また、ガラスの透過スペクトルの２．８
３μｍの吸収（ＯＨイオン）、４００μｍの吸収から、
ガラス中の水素化物イオン不純物は１ｐｐｍ以下である
ことがわかった。
１００μｍの膜が成長できた。ＥＰＭＡ（Electron Pro
be Micro Analyzer）およびＩＣＰ分析の結果、生成し
たガラスの組成はＡｓ４２ｍｏｌ％−Ｓ５８ｍｏｌ％で
あり、Ｐｒ０．０１〜５ｍｏｌ％まで添加可能であり、
この範囲ではＰｒの析出によるガラスの不均質性は観測
されなかった。また、ガラスの透過スペクトルの２．８
３μｍの吸収（ＯＨイオン）、４００μｍの吸収から、
ガラス中の水素化物イオン不純物は１ｐｐｍ以下である
ことがわかった。
【００２６】図２にＴｉサファイアレーザの１．０２μ
ｍで励起することにより得られた１．３μｍ近傍の蛍光
スペクトルを示す。蛍光の中心波長は約１．３３μｍで
あり、半値幅は９０ｎｍであった。溶融法ではＰｒの溶
融は困難であり、１．０２μｍで励起しても蛍光は確認
できなかった。本実施例で作製した２０００ｐｐｍＰｒ
を添加したガラスで測定した１．３３μｍの蛍光寿命は
約３００μｓであり、濃度に対する蛍光寿命の測定にお
いて、５０００ｐｐｍまで濃度消光による蛍光寿命の変
化は認められなかった。以上の結果から、従来法では得
られないＰｒが高濃度まで均一に分散したカラコゲナイ
ドガラスが合成できることが示された。
ｍで励起することにより得られた１．３μｍ近傍の蛍光
スペクトルを示す。蛍光の中心波長は約１．３３μｍで
あり、半値幅は９０ｎｍであった。溶融法ではＰｒの溶
融は困難であり、１．０２μｍで励起しても蛍光は確認
できなかった。本実施例で作製した２０００ｐｐｍＰｒ
を添加したガラスで測定した１．３３μｍの蛍光寿命は
約３００μｓであり、濃度に対する蛍光寿命の測定にお
いて、５０００ｐｐｍまで濃度消光による蛍光寿命の変
化は認められなかった。以上の結果から、従来法では得
られないＰｒが高濃度まで均一に分散したカラコゲナイ
ドガラスが合成できることが示された。
【００２７】
【実施例２】原料としてＧｅＣｌ4、Ｈ2Ｓ、Ｐｒ（ｐｐ
ｍ）3を用いた以外は、実施例１と同様の方法でガラス
膜を作製した。反応温度は３００℃とした。基板には石
英を用い１時間の合成で２ｍｍの膜成長ができた。組成
分析の結果、Ｇｅ２５ｍｏｌ％−Ｓ７５ｍｏｌ％であ
り、Ｐｒの添加量は０．０１〜７ｍｏｌ％であった。実
施例１と同様の測定を本実施例のガラスについても行な
い、１．３μｍ近傍における蛍光を確認した。本実施例
において、ＰＯＣｌ3を出発原料とし、Ｇｅの１０ｍｏ
ｌ％をＰで置換してもガラスの作製が可能であった。た
だし、このガラスの短波長あるいは長波長の透過特性が
低下し、２〜８μｍとなった。このため、励起光である
１．０２μｍ付近の光が透過せず、このためＰｒイオン
からの蛍光を観測することができなかった。
ｍ）3を用いた以外は、実施例１と同様の方法でガラス
膜を作製した。反応温度は３００℃とした。基板には石
英を用い１時間の合成で２ｍｍの膜成長ができた。組成
分析の結果、Ｇｅ２５ｍｏｌ％−Ｓ７５ｍｏｌ％であ
り、Ｐｒの添加量は０．０１〜７ｍｏｌ％であった。実
施例１と同様の測定を本実施例のガラスについても行な
い、１．３μｍ近傍における蛍光を確認した。本実施例
において、ＰＯＣｌ3を出発原料とし、Ｇｅの１０ｍｏ
ｌ％をＰで置換してもガラスの作製が可能であった。た
だし、このガラスの短波長あるいは長波長の透過特性が
低下し、２〜８μｍとなった。このため、励起光である
１．０２μｍ付近の光が透過せず、このためＰｒイオン
からの蛍光を観測することができなかった。
【００２８】
【実施例３】原料としてＡｓＣｌ3、ＧｅＣｌ4、Ｈ2Ｓ
ｅを用いた以外は、実施例１と同様の方法でガラス膜を
合成した。反応温度は３００℃であり、１時間の合成で
ガラス膜が合成できた。膜の組成はＡｓ３５ｍｏｌ％−
Ｇｅ１０ｍｏｌ％−Ｓｅ５５ｍｏｌ％であり、Ｐｒ５ｍ
ｏｌ％まで均質なガラスが作製できた。また、ＳｅをＳ
に変えても同様に均質なガラスが合成できた。また、こ
の方法で、ＰｒのかわりにＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕを用い
てもＰｒと同様に均一にガラスに添加することができ、
２種類以上の共添加も本実施例の方法により可能であっ
た。
ｅを用いた以外は、実施例１と同様の方法でガラス膜を
合成した。反応温度は３００℃であり、１時間の合成で
ガラス膜が合成できた。膜の組成はＡｓ３５ｍｏｌ％−
Ｇｅ１０ｍｏｌ％−Ｓｅ５５ｍｏｌ％であり、Ｐｒ５ｍ
ｏｌ％まで均質なガラスが作製できた。また、ＳｅをＳ
に変えても同様に均質なガラスが合成できた。また、こ
の方法で、ＰｒのかわりにＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕを用い
てもＰｒと同様に均一にガラスに添加することができ、
２種類以上の共添加も本実施例の方法により可能であっ
た。
【００２９】
【実施例４】原料としてＧａＣｌ3、Ｌａ（ｈｆａ）3、
Ｈ2Ｓ、Ｐｒ（ｈｆａ）3を用い、反応の励起源としてマ
イクロ波プラズマを用いた以外は、実施例１と同様の方
法でガラス膜を作製した。基板温度は２００℃とし、マ
イクロ波のパワーは１００Ｗとした。膜の組成はＧａ３
８ｍｏｌ％−Ｌａ４ｍｏｌ％−Ｓ５８ｍｏｌ％であっ
た。Ｐｒはガラスの構成成分であるＬａを完全に置換し
ても均質なガラスとして合成できた。透過スペクトルか
ら、水素化物イオン不純物濃度は１ｐｐｍ以下である
が、プラズマ照射で生成する苛電欠陥による吸収の影響
が短波長側に見られる。
Ｈ2Ｓ、Ｐｒ（ｈｆａ）3を用い、反応の励起源としてマ
イクロ波プラズマを用いた以外は、実施例１と同様の方
法でガラス膜を作製した。基板温度は２００℃とし、マ
イクロ波のパワーは１００Ｗとした。膜の組成はＧａ３
８ｍｏｌ％−Ｌａ４ｍｏｌ％−Ｓ５８ｍｏｌ％であっ
た。Ｐｒはガラスの構成成分であるＬａを完全に置換し
ても均質なガラスとして合成できた。透過スペクトルか
ら、水素化物イオン不純物濃度は１ｐｐｍ以下である
が、プラズマ照射で生成する苛電欠陥による吸収の影響
が短波長側に見られる。
【００３０】
【実施例５】原料としてＡｓ（ＯＣ4Ｈ9）3、Ｇｅ（Ｏ
ＣＨ3）4、Ｓｅ（ｉ−ＯＣ3Ｈ7）4、Ｐｒ（ｄｐｍ）3を
用い、反応ガスとして水素を導入した以外は実施例１と
同様の装置でガラス膜を作製した。ガラスの合成反応は
以下の式に従う。
ＣＨ3）4、Ｓｅ（ｉ−ＯＣ3Ｈ7）4、Ｐｒ（ｄｐｍ）3を
用い、反応ガスとして水素を導入した以外は実施例１と
同様の装置でガラス膜を作製した。ガラスの合成反応は
以下の式に従う。
【００３１】式３ Ａｓ（ＯＣ4Ｈ9）3（ｇ）＋Ｇｅ（ＯＣＨ3）4（ｇ）＋Ｓｅ（ｉ−ＯＣ3Ｈ7）4 （ｇ）＋１１／２Ｈ2（ｇ）→ＡｓＧｅＳｅ（ｓ）＋３Ｃ4Ｈ9ＯＨ（ｇ）＋４ｉ −Ｃ3Ｆ7ＯＨ（ｇ）
【００３２】式４ Ｐｒ（ｄｐｍ）3（ｇ）＋３／２Ｈ2（ｇ）→Ｐｒ（ｓ）＋３Ｈ（ｄｐｍ）
【００３３】反応温度は２００℃とした。生成したガラ
ス膜の組成はＡｓ３３ｍｏｌ％−Ｇｅ１０ｍｏｌ％−Ｓ
ｅ５８ｍｏｌ％であり、Ｐｒ５ｍｏｌ％まで均質なガラ
スが作製できた。また、この方法で、ＰｒのかわりにＬ
ａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕを用いてもＰｒと同様に均一にガ
ラスに添加することができ、２種類以上の共添加も本実
施例の方法により可能であった。
ス膜の組成はＡｓ３３ｍｏｌ％−Ｇｅ１０ｍｏｌ％−Ｓ
ｅ５８ｍｏｌ％であり、Ｐｒ５ｍｏｌ％まで均質なガラ
スが作製できた。また、この方法で、ＰｒのかわりにＬ
ａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕを用いてもＰｒと同様に均一にガ
ラスに添加することができ、２種類以上の共添加も本実
施例の方法により可能であった。
【００３４】
【実施例６】原料としてＧａ（ＣＨ3）3、Ｌａ（ｄｆｈ
ｄ）3Ｓ（ＣＨ3）2、Ｐｒ（ｄｐｍ）3を出発原料として
用い、水素を反応ガスとして用いた以外は、実施例１と
同様の方法でガラス膜を作製した。ガラスの生成反応は
以下の式に従う。
ｄ）3Ｓ（ＣＨ3）2、Ｐｒ（ｄｐｍ）3を出発原料として
用い、水素を反応ガスとして用いた以外は、実施例１と
同様の方法でガラス膜を作製した。ガラスの生成反応は
以下の式に従う。
【００３５】式５ Ｇａ（ＣＨ3）3（ｇ）＋Ｌａ（ｄｆｈｄ）3（ｇ）＋Ｓ（ＣＨ3）2（ｇ）＋４ Ｈ2（ｇ）→ＧａＬａＳ（ｓ）＋５ＣＨ4（ｇ）＋３Ｈ（ｄｆｈｄ）（ｇ）
【００３６】式６ Ｐｒ（ｄｐｍ）3（ｇ）＋３／２Ｈ2（ｇ）→Ｐｒ（ｓ）＋３Ｈ（ｐｐｍ）（ｇ ）
【００３７】
【実施例７】原料としてＡｓＣｌ3、Ｈ2Ｓ、Ｐｒ（ｄｐ
ｍ）3を用いた。装置は図１に示したものとほぼ同様で
あるが、反応部を石英管（内径１５ｍｍ）とし、外部か
ら電気炉で加熱する方式とした。反応温度は２５０℃と
し、圧力は約１００Ｔｏｒｒとした。まず、ＡｓＣ
Ｌ3、Ｈ2Ｓのみを流し、Ａｓ３５Ｓ６５のガラス相を５
ｍｍ厚さまで合成し、その後、Ｐｒ（ｄｐｍ）3を加
え、Ａｓ３８Ｓ６２に０．１ｍｏｌ％のＰｒ含んだガラ
スを５ｍｍ作製した。合成の後、石英管を研磨により取
り除き、Ａｒ雰囲気で電気炉で加熱しつつ、回転させる
ことで中実化した。損失は３μｍ付近で最低となり、２
５ｄＢ／ｋｍであった。また、比屈折率差は２．３％で
あった。本実施例の方法によれば、コア、クラッド径比
は合成時間によって任意に変えることが可能で、単一モ
ードファイバの作製も可能であった。図３に本実施例で
作製したファイバの損失スペクトルを示す。図中の２μ
ｍおよび４μｍ付近の吸収は添加したＰｒイオンによる
ものである。本実施例のファイバで注目すべき点はＯＨ
基およびＳＨ基による吸収が従来のファイバに比べ極め
て小さく、不純物の取込みが少ないものであることがわ
かる。
ｍ）3を用いた。装置は図１に示したものとほぼ同様で
あるが、反応部を石英管（内径１５ｍｍ）とし、外部か
ら電気炉で加熱する方式とした。反応温度は２５０℃と
し、圧力は約１００Ｔｏｒｒとした。まず、ＡｓＣ
Ｌ3、Ｈ2Ｓのみを流し、Ａｓ３５Ｓ６５のガラス相を５
ｍｍ厚さまで合成し、その後、Ｐｒ（ｄｐｍ）3を加
え、Ａｓ３８Ｓ６２に０．１ｍｏｌ％のＰｒ含んだガラ
スを５ｍｍ作製した。合成の後、石英管を研磨により取
り除き、Ａｒ雰囲気で電気炉で加熱しつつ、回転させる
ことで中実化した。損失は３μｍ付近で最低となり、２
５ｄＢ／ｋｍであった。また、比屈折率差は２．３％で
あった。本実施例の方法によれば、コア、クラッド径比
は合成時間によって任意に変えることが可能で、単一モ
ードファイバの作製も可能であった。図３に本実施例で
作製したファイバの損失スペクトルを示す。図中の２μ
ｍおよび４μｍ付近の吸収は添加したＰｒイオンによる
ものである。本実施例のファイバで注目すべき点はＯＨ
基およびＳＨ基による吸収が従来のファイバに比べ極め
て小さく、不純物の取込みが少ないものであることがわ
かる。
【００３８】また、Ｇｅ−Ｓ系、Ａｓ−Ｇｅ−Ｓｅ系で
もファイバの作製を行ない、それぞれ最低損失１２０ｄ
Ｂ／ｋｍ、１００ｄＢ／ｋｍを得た。
もファイバの作製を行ない、それぞれ最低損失１２０ｄ
Ｂ／ｋｍ、１００ｄＢ／ｋｍを得た。
【００３９】
【実施例８】原料としてＧｅＣｌ4、ＳｂＣｌ3、Ｈ2Ｓ
ｅ、Ｐｒ（ｄｐｍ）3を出発原料とした以外は、実施例
７の方法と同様の方法で、光ファイバを作製した。コア
ガラスの組成がＧｅ２５Ｓｂ１５Ｓｅ６０であり、クラ
ッドガラスの組成がＧｅ２８Ｓｂ１２Ｓｅ６０であっ
た。ここで、コアガラス中のＰｒ濃度は０．１ｍｏｌ％
であった。反応管は石英ガラスを用い、実施例７と同
様、合成後研磨により除去し、加熱によって中実化し母
材を作製した。このファイバの最低損失値は３μｍ付近
で４０ｄｂ／ｋｍであり、実施例７と同様、低損失ファ
イバが作製できた。
ｅ、Ｐｒ（ｄｐｍ）3を出発原料とした以外は、実施例
７の方法と同様の方法で、光ファイバを作製した。コア
ガラスの組成がＧｅ２５Ｓｂ１５Ｓｅ６０であり、クラ
ッドガラスの組成がＧｅ２８Ｓｂ１２Ｓｅ６０であっ
た。ここで、コアガラス中のＰｒ濃度は０．１ｍｏｌ％
であった。反応管は石英ガラスを用い、実施例７と同
様、合成後研磨により除去し、加熱によって中実化し母
材を作製した。このファイバの最低損失値は３μｍ付近
で４０ｄｂ／ｋｍであり、実施例７と同様、低損失ファ
イバが作製できた。
【００４０】
【実施例９】原料としてＡｓＣｌ3、Ｈ2Ｓ、Ｈ2Ｓｅ、
ＴｅＣｌ2、Ｐｒ（ｄｐｍ）3を用いた。装置は実施例７
で用いたものとほぼ同様であるが、石英管を取り巻くヒ
ータを取り除き、楕円面鏡を配置した。その楕円面鏡の
一つの焦点には石英管を、もう一つの焦点には低圧水銀
ランプを配置した。この装置で、コアガラスＡｓ３５Ｓ
１０Ｓｅ３５Ｔｅ１０、クラッドガラスとしてＡｓ５０
Ｓ２０Ｓｅ２０Ｔｅ１０の構造を持つ母材を作製した。
屈折率はそれぞれ２．７０と２．５１であり、比屈折率
差は７％であった。合成速度は、熱を用いた場合に比べ
わずかに遅く、７００μｍ／ｈであった。得られたファ
イバにはコアガラスにのみ０．８ｍｏｌ％のＰｒが添加
された。損失は、実施例８と同様３μｍ付近で最低損失
値５７ｄＢ／ｋｍが得られた。
ＴｅＣｌ2、Ｐｒ（ｄｐｍ）3を用いた。装置は実施例７
で用いたものとほぼ同様であるが、石英管を取り巻くヒ
ータを取り除き、楕円面鏡を配置した。その楕円面鏡の
一つの焦点には石英管を、もう一つの焦点には低圧水銀
ランプを配置した。この装置で、コアガラスＡｓ３５Ｓ
１０Ｓｅ３５Ｔｅ１０、クラッドガラスとしてＡｓ５０
Ｓ２０Ｓｅ２０Ｔｅ１０の構造を持つ母材を作製した。
屈折率はそれぞれ２．７０と２．５１であり、比屈折率
差は７％であった。合成速度は、熱を用いた場合に比べ
わずかに遅く、７００μｍ／ｈであった。得られたファ
イバにはコアガラスにのみ０．８ｍｏｌ％のＰｒが添加
された。損失は、実施例８と同様３μｍ付近で最低損失
値５７ｄＢ／ｋｍが得られた。
【００４１】
【実施例１０】実施例７と同様の方法でＳｉＣｌ4、Ｇ
ｅＣｌ4、ＡｓＨ3、ＴｅＣｌ2、Ｐｒ（ｄｐｍ）3を用い
て、Ｓｉ１５Ｇｅ１０Ａｓ２５Ｔｅ５０をコアガラス、
Ｓｉ２５Ａｓ２５Ｔｅ５０をクラッドガラスとする光フ
ァイバを作製した。コアガラス中のＰｒイオン濃度は１
ｍｏｌ％であった。最低損失値は３μｍ付近で２００ｄ
Ｂ／ｋｍであった。ここで、Ｓｉの一部をＳｎで置換し
てもファイバが作製でき、損失は２７０ｄＢ／ｋｍであ
った。
ｅＣｌ4、ＡｓＨ3、ＴｅＣｌ2、Ｐｒ（ｄｐｍ）3を用い
て、Ｓｉ１５Ｇｅ１０Ａｓ２５Ｔｅ５０をコアガラス、
Ｓｉ２５Ａｓ２５Ｔｅ５０をクラッドガラスとする光フ
ァイバを作製した。コアガラス中のＰｒイオン濃度は１
ｍｏｌ％であった。最低損失値は３μｍ付近で２００ｄ
Ｂ／ｋｍであった。ここで、Ｓｉの一部をＳｎで置換し
てもファイバが作製でき、損失は２７０ｄＢ／ｋｍであ
った。
【００４２】
【実施例１１】ＡｌＣｌ3、Ｌａ（ｐｐｍ）3、Ｈ2Ｓ、
Ｐｒ（ｄｐｍ）3を用いた以外は、実施例４と同様の方
法でガラスを作製した。生成した膜の組成はＡｌ３５Ｌ
ａ５Ｓ６０であった。ＡｌをＰｒで置換した場合、Ｐｒ
は１０ｍｏｌ％まで均質なガラスが得られた。透過スペ
クトルから推定される水素化物イオン不純物は１ｐｐｍ
以下であった。
Ｐｒ（ｄｐｍ）3を用いた以外は、実施例４と同様の方
法でガラスを作製した。生成した膜の組成はＡｌ３５Ｌ
ａ５Ｓ６０であった。ＡｌをＰｒで置換した場合、Ｐｒ
は１０ｍｏｌ％まで均質なガラスが得られた。透過スペ
クトルから推定される水素化物イオン不純物は１ｐｐｍ
以下であった。
【００４３】
【発明の効果】以上実施例により説明したように、本発
明によれば、従来は不可能であった高純度でかつ均質な
カルコゲナイドガラスが作製でき、さらに希土類イオン
を高濃度に均一に添加できる。すなわち、揮発性原料の
組み合わせで、低温から不純物の少ないガラスの作製が
可能となり、希土類はβ−ジケトン錯体を用いることに
より添加することが可能になり、さらに、成長表面で非
平衡状態が実現されるため平衡条件下では添加が困難な
濃度域まで均一に添加することが可能となった。また、
本発明によれば、従来困難であった低損失なカルコゲナ
イドファイバの作製が可能となり、ファイバの構造制御
も容易にできる。この結果、希土類を活性イオンとする
固体レーザあるいは光ファイバアンプの作製が可能とな
り、特にイオンの分散性が高濃度まで維持できることか
ら、高効率化、小型化が可能となる。
明によれば、従来は不可能であった高純度でかつ均質な
カルコゲナイドガラスが作製でき、さらに希土類イオン
を高濃度に均一に添加できる。すなわち、揮発性原料の
組み合わせで、低温から不純物の少ないガラスの作製が
可能となり、希土類はβ−ジケトン錯体を用いることに
より添加することが可能になり、さらに、成長表面で非
平衡状態が実現されるため平衡条件下では添加が困難な
濃度域まで均一に添加することが可能となった。また、
本発明によれば、従来困難であった低損失なカルコゲナ
イドファイバの作製が可能となり、ファイバの構造制御
も容易にできる。この結果、希土類を活性イオンとする
固体レーザあるいは光ファイバアンプの作製が可能とな
り、特にイオンの分散性が高濃度まで維持できることか
ら、高効率化、小型化が可能となる。
【図１】実施例１において使用したＣＶＤ装置の概略
図。
図。
【図２】実施例１で作製したガラスの１．３μｍ近傍の
蛍光スペクトルの測定結果。
蛍光スペクトルの測定結果。
【図３】実施例７で作製したファイバの損失スペクトル
の測定結果。
の測定結果。
１ Ｈ2Ｓガスボンベ ２ ＡｌＣｌ3を充填したステンレスバブラー ３ Ｐｒ（ｄｐｍ）3を充填したステンレスバブラ
ー ４ 恒温槽 ５ ラインヒータ ６ 石英基板 ７ 基板ヒータ ８ 反応チャンバ
ー ４ 恒温槽 ５ ラインヒータ ６ 石英基板 ７ 基板ヒータ ８ 反応チャンバ
Claims (4)
- 【請求項１】硫黄、セレン、テルル、砒素、燐、アンチ
モン、ガリウム、珪素、アルミニウム、ゲルマニウムの
元素のハロゲン化物、水素化物、有機金属化合物、アル
コキシド、β−ジケトン錯体の群より選択された２種類
以上のガスと希土類元素のβ−ジケトン錯体のガスを混
合し、前記混合ガスを気相あるいは基板上で反応させる
ことを特徴とする希土類イオン含有カルコゲナイドガラ
スの製造方法。 - 【請求項２】反応雰囲気に水素を添加することを特徴と
する請求項１記載の希土類イオン含有カルコゲナイドガ
ラスの製造方法。 - 【請求項３】前記希土類元素のβ−ジケトン錯体は一般
式（１）で表されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項又は第２項記載の希土類イオン含有カルコゲナイド
ガラスの製造方法。 【式１】 （ただし、一般式（１）中、ＲおよびＲ’のいずれか一
方あるいは両方は炭素数１から７のアルキル基かまたは
炭素数１から７のアルキル基の水素の一部あるいは全部
をフッ素に置換したフルオロアルキル基、Ｍは金属、ｎ
は配位数を示す） - 【請求項４】中空円筒状の基板の該中空部に硫黄、セレ
ン、テルル、砒素、燐、アンチモン、ガリウム、珪素、
アルミニウム、ゲルマニウムの元素のハロゲン化物、水
素化物、有機金属化合物、アルコキシド、β−ジケトン
錯体の群より選択された２種類以上のガスを導入し、該
中空部にカルコゲナイドガラスの膜を作製し、しかる後
に硫黄、セレン、テルル、砒素、燐、アンチモン、ガリ
ウム、珪素、アルミニウム、ゲルマニウムの元素のハロ
ゲン化物、水素化物、有機金属化合物、アルコキシド、
β−ジケトン錯体の群より選択された２種類以上のガス
と希土類元素のβ−ジケトン錯体を含む混合ガスを導入
し、該カルコゲナイドガラスの内部に屈折率が高くかつ
希土類イオンを含むカルコゲナイドガラスを作製し、円
筒状基板を取り除き、該カルコゲナイドガラスの円筒を
回転しつつ加熱し中実化する工程よりなることを特徴と
する希土類イオン含有カルコゲナイドガラスの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26921192A JPH06122523A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 希土類イオン含有カルコゲナイドガラスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26921192A JPH06122523A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 希土類イオン含有カルコゲナイドガラスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06122523A true JPH06122523A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17469223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26921192A Pending JPH06122523A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 希土類イオン含有カルコゲナイドガラスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06122523A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100383608B1 (ko) * | 2000-07-06 | 2003-05-16 | 삼성전자주식회사 | 알칼리 할로겐이 첨가된 광증폭기용 황화물 유리 및 그제조 방법 |
| JP2005187254A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス体の製造方法 |
| DE102004025083A1 (de) * | 2004-05-21 | 2005-12-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Festkörperelektrolytmaterialbereichs für ein Speicherelement einer Festkörperelektrolytspeicherzelle |
| JP2012148975A (ja) * | 2005-04-13 | 2012-08-09 | Corning Inc | 低粘度押出成形および射出成形のためのカルコゲナイドガラス |
| JP2018177565A (ja) * | 2017-04-07 | 2018-11-15 | 日本電気硝子株式会社 | カルコゲナイドガラス |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP26921192A patent/JPH06122523A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100383608B1 (ko) * | 2000-07-06 | 2003-05-16 | 삼성전자주식회사 | 알칼리 할로겐이 첨가된 광증폭기용 황화물 유리 및 그제조 방법 |
| JP2005187254A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス体の製造方法 |
| DE102004025083A1 (de) * | 2004-05-21 | 2005-12-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Festkörperelektrolytmaterialbereichs für ein Speicherelement einer Festkörperelektrolytspeicherzelle |
| JP2012148975A (ja) * | 2005-04-13 | 2012-08-09 | Corning Inc | 低粘度押出成形および射出成形のためのカルコゲナイドガラス |
| JP2018177565A (ja) * | 2017-04-07 | 2018-11-15 | 日本電気硝子株式会社 | カルコゲナイドガラス |
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