JPH02275724A - 光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法Info
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- JPH02275724A JPH02275724A JP9518189A JP9518189A JPH02275724A JP H02275724 A JPH02275724 A JP H02275724A JP 9518189 A JP9518189 A JP 9518189A JP 9518189 A JP9518189 A JP 9518189A JP H02275724 A JPH02275724 A JP H02275724A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光ファイバレーザや増幅器を構成するのに好
適なエルビウム添加石英系光ファイバを構成するための
光ファイバ母材の製造方法に関する。
適なエルビウム添加石英系光ファイバを構成するための
光ファイバ母材の製造方法に関する。
［従来の技術］
希土類元素添加型光ファイバの合成方法には大きく分け
て、以下の４種類の方法がある。
て、以下の４種類の方法がある。
（１） ＭＣＶＤ法において、出発石英管の一部に１０
００を程度に加熱可能な希土類塩化物用チャンバを配置
し、ガラス膜堆積時に気相の希土類塩化物を供給する。
００を程度に加熱可能な希土類塩化物用チャンバを配置
し、ガラス膜堆積時に気相の希土類塩化物を供給する。
（２） ＶＡＤ法あるいはＯＶＤ法（Ｏｕｔｓｉｄｅ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ。
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ。
５ｉｔｉｏｎ、外付は法）において、合成した多孔質母
材を希土類塩化物：囲気中でガラス化する。
材を希土類塩化物：囲気中でガラス化する。
（３） ＭＣＶＤ法において、出発石英管内面にガラス
膜を堆積した後に、希土類元素を含む溶液中に浸漬し、
乾燥後に中実化する。
膜を堆積した後に、希土類元素を含む溶液中に浸漬し、
乾燥後に中実化する。
（４） ＶＡＤ法あるいはＯＶＤ法において、合成した
多孔質母材を、希土類元素を含む溶液中に浸漬し、乾燥
後に透明ガラス化する。
多孔質母材を、希土類元素を含む溶液中に浸漬し、乾燥
後に透明ガラス化する。
［発明が解決しようとする課題］
Ｍｌｌ：ＶＤ法を基本とした作製方法では、ファイバ母
材の大型化が困難であり、このため応力付与型ファイバ
等の作製上問題が生じる。加えて、母材長手方向での希
土類元素の添加濃度の均一性がよくないという欠点があ
った。一方、ＶＡＤ法、 ＯＶＤ法を基本とした方法で
は、母材の大型化が可能であり、希土類元素の添加分布
の均質性の点で有利であるが、作製工程が複雑になる欠
点があった。
材の大型化が困難であり、このため応力付与型ファイバ
等の作製上問題が生じる。加えて、母材長手方向での希
土類元素の添加濃度の均一性がよくないという欠点があ
った。一方、ＶＡＤ法、 ＯＶＤ法を基本とした方法で
は、母材の大型化が可能であり、希土類元素の添加分布
の均質性の点で有利であるが、作製工程が複雑になる欠
点があった。
そこで、本発明の目的は、蛍光スペクトル幅を拡大する
ためにアルミニウムとエルビウムとを共添加した石英系
ファイバを作製することを目脂して、エルビウムを高濃
度で、かつ均一に添加することのできる光ファイバ母材
の製造方法を提供することにある。
ためにアルミニウムとエルビウムとを共添加した石英系
ファイバを作製することを目脂して、エルビウムを高濃
度で、かつ均一に添加することのできる光ファイバ母材
の製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
このような目的を達成するために、本発明は、気相状態
のガラス原料を火炎中に供給し、酸水素火炎内での加水
熱分解反応により生成したガラス微粒子を、回転するタ
ーゲットに堆積してガラス微粒子の集合体による多孔質
体を作製し、次いで当該多孔質体を加熱し、透明なガラ
ス体を合成する光ファイバ用ガラス母材の合成方法にお
いて、ガラス微粒子を合成する出発原料として、シリコ
ンテトラクロライド、トリクロルシランおよびモノシラ
ンのうちの少なくとも１種類と、Ａｌ１ （Ｃｎ１１２
ｎ＋１） ３の化学式（ｎ−１，２，４）で示される有
機アルミニウム化合物のうちの少なくともｉ ｆｆｆｉ
類と、エルビウムのβ−ジケトン化合物（Ｅｒ（Ｒ（：
０ＣＩＣＯＲ’）＋；Ｒ，Ｒ’ はアルキル基であり、
アルキル基中の水素をフッ素で置換したものも含む）を
使用することを特徴とする。
のガラス原料を火炎中に供給し、酸水素火炎内での加水
熱分解反応により生成したガラス微粒子を、回転するタ
ーゲットに堆積してガラス微粒子の集合体による多孔質
体を作製し、次いで当該多孔質体を加熱し、透明なガラ
ス体を合成する光ファイバ用ガラス母材の合成方法にお
いて、ガラス微粒子を合成する出発原料として、シリコ
ンテトラクロライド、トリクロルシランおよびモノシラ
ンのうちの少なくとも１種類と、Ａｌ１ （Ｃｎ１１２
ｎ＋１） ３の化学式（ｎ−１，２，４）で示される有
機アルミニウム化合物のうちの少なくともｉ ｆｆｆｉ
類と、エルビウムのβ−ジケトン化合物（Ｅｒ（Ｒ（：
０ＣＩＣＯＲ’）＋；Ｒ，Ｒ’ はアルキル基であり、
アルキル基中の水素をフッ素で置換したものも含む）を
使用することを特徴とする。
本発明の他の形態は、気相状態のガラス原料を火炎中に
供給し、酸水素火炎内での加水熱分解反応により生成し
たガラス微粒子を、回転するターゲットに堆積してガラ
ス微粒子の集合体による多孔質体を作製し、次いで当該
多孔質体を加熱し、透明なガラス体を合成する光ファイ
バ用ガラス母材の合成方法において、ガラス微粒子を合
成する出発原料として、シソコンテトラクロライド、ト
リクロルシランおよびモノシランのうちの少なくとも１
種類と、Ａ−ｅ （Ｃｎ）１２ｎ＋１）３の化学式（ｎ
−１，２゜４）で示される有機アルミニウム化合物のう
ちの少なくとも１種類とを使用して多孔質体を合成する
工程と、当該合成された多孔質体をエルビウムを含む溶
液中に浸漬する工程と、当該エルビウムを含む溶液の浸
透された多孔質体を加熱して透明なガラス体を合成する
工程とを具えたことを特徴とする。
供給し、酸水素火炎内での加水熱分解反応により生成し
たガラス微粒子を、回転するターゲットに堆積してガラ
ス微粒子の集合体による多孔質体を作製し、次いで当該
多孔質体を加熱し、透明なガラス体を合成する光ファイ
バ用ガラス母材の合成方法において、ガラス微粒子を合
成する出発原料として、シソコンテトラクロライド、ト
リクロルシランおよびモノシランのうちの少なくとも１
種類と、Ａ−ｅ （Ｃｎ）１２ｎ＋１）３の化学式（ｎ
−１，２゜４）で示される有機アルミニウム化合物のう
ちの少なくとも１種類とを使用して多孔質体を合成する
工程と、当該合成された多孔質体をエルビウムを含む溶
液中に浸漬する工程と、当該エルビウムを含む溶液の浸
透された多孔質体を加熱して透明なガラス体を合成する
工程とを具えたことを特徴とする。
［作 用］
本発明では、石英ガラス内でのエルビウムの特性向上に
寄与し、および導波構造形成のためのドーパントとして
の特性を併せ持つアルミニウムに着目し、アルミニウム
原料として融点が低く室温イ」近である程度の蒸気圧が
得られるアルキルアルミニウムを使用する。加えて、エ
ルビウムについても、β−ジケトン系化合物を使用する
ことによって、多孔質母材合成段階においてエルビウム
とアルミニウムとの共添加型光ファイバ母材が合成でき
る。
寄与し、および導波構造形成のためのドーパントとして
の特性を併せ持つアルミニウムに着目し、アルミニウム
原料として融点が低く室温イ」近である程度の蒸気圧が
得られるアルキルアルミニウムを使用する。加えて、エ
ルビウムについても、β−ジケトン系化合物を使用する
ことによって、多孔質母材合成段階においてエルビウム
とアルミニウムとの共添加型光ファイバ母材が合成でき
る。
本発明によれば、エルビウムを高濃度で、かつ均一に添
加することができ、したがって、蛍光スペクトル幅を拡
大して、高品質なエルビウム・アルミニウム共添加型光
ファイバを容易に合成できる。その結果、本発明によれ
ば、従来のＭ（：ＶＤ法に比べて、大型で、かつエルビ
ウムの添加濃度分布の均一な母材を合成することができ
る。
加することができ、したがって、蛍光スペクトル幅を拡
大して、高品質なエルビウム・アルミニウム共添加型光
ファイバを容易に合成できる。その結果、本発明によれ
ば、従来のＭ（：ＶＤ法に比べて、大型で、かつエルビ
ウムの添加濃度分布の均一な母材を合成することができ
る。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
（実施例１）
本発明の請求項１に記載の方法を用いて光ファイバ母材
を合成した結果について示す。
を合成した結果について示す。
実施例１では、多孔質母材の合成を第１図に示すＶＡＤ
合成装置により行った。このＶＡＤ合成装置は、使用し
た一部原料を除き通常のＶＡＤ装置と同一である。
合成装置により行った。このＶＡＤ合成装置は、使用し
た一部原料を除き通常のＶＡＤ装置と同一である。
すなわち、第１図に示すＶ八り合成装置の構成について
まず？’、ＬＣＩに説明する。ガラス原料はシリコンテ
トラクロライド用サチュレータ６、トリメチルアルミニ
ウム用サチュレータ７、Ｅｒ （ｔｈｄ） ｓ用サチュ
レータ８およびシリコンテトラクロライド用サチュレー
タ１２に充填されており、それぞれ、マスフローコント
ローラ９，１０．１１および１３により制御されたキャ
リアガスによりコア合成用トーチ３およびクラッド合成
用トーチ４に輸送される。これらトーチ３および４には
、前記ガラス原料ガス以外に燃焼用の酸素および水素が
供給されており、各トーチ３および４の先端部にはコア
合成用酸水素火炎１５およびクラッド合成用酸水素火炎
１６が形成されている。これら酸水素火炎１５および１
６中に供給されたガラス原料ガスは熱加水分解反応によ
り酸化されて、ガラス微粒子が形成される。
まず？’、ＬＣＩに説明する。ガラス原料はシリコンテ
トラクロライド用サチュレータ６、トリメチルアルミニ
ウム用サチュレータ７、Ｅｒ （ｔｈｄ） ｓ用サチュ
レータ８およびシリコンテトラクロライド用サチュレー
タ１２に充填されており、それぞれ、マスフローコント
ローラ９，１０．１１および１３により制御されたキャ
リアガスによりコア合成用トーチ３およびクラッド合成
用トーチ４に輸送される。これらトーチ３および４には
、前記ガラス原料ガス以外に燃焼用の酸素および水素が
供給されており、各トーチ３および４の先端部にはコア
合成用酸水素火炎１５およびクラッド合成用酸水素火炎
１６が形成されている。これら酸水素火炎１５および１
６中に供給されたガラス原料ガスは熱加水分解反応によ
り酸化されて、ガラス微粒子が形成される。
火炎中で形成されたガラス微粒子は、種棒ｌの下。
端に一部堆積し、堆積しなかった余剰ガラス微粒子は排
気管５より排出される。堆積量に応じて種棒１を上方に
引き上げることによって、第１図で示すような多孔質体
２が形成される。２′ はコア部分の多孔質母材である
。１４は反応容器である。
気管５より排出される。堆積量に応じて種棒１を上方に
引き上げることによって、第１図で示すような多孔質体
２が形成される。２′ はコア部分の多孔質母材である
。１４は反応容器である。
原料供給条件として、原料サチュレータ８，７．８およ
び１２の各温度、およびマスフローコントローラ９，１
０．１１および１３の各々で制御されたキャリアガス流
量について以下に示す。本例では、エルビウムのβ−ジ
ケトン化合物として、Ｅｒ （ｔｈｄ） ｓ（２，２，
６，８−・テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン−エ
ルビウム）を用いた。なお、酸水素ガスの供給条件につ
いても併せて示した。
び１２の各温度、およびマスフローコントローラ９，１
０．１１および１３の各々で制御されたキャリアガス流
量について以下に示す。本例では、エルビウムのβ−ジ
ケトン化合物として、Ｅｒ （ｔｈｄ） ｓ（２，２，
６，８−・テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン−エ
ルビウム）を用いた。なお、酸水素ガスの供給条件につ
いても併せて示した。
コア原料
シリコンテトラクロライド（ＳｉＣ１４）原料温度４０
℃ キャリアガス流量ｌ００ｃｃ／ｍｉｎ。
℃ キャリアガス流量ｌ００ｃｃ／ｍｉｎ。
トリメチルアルミニウム（ＡＩ（ＣＩ＋３）３）原料温
度４０℃ 牛１１リアガス流量１００ｃｃ／ｍｉｎ。
度４０℃ 牛１１リアガス流量１００ｃｃ／ｍｉｎ。
Ｅｒ （ｔｈｄ） 。
原料温度１４０ ℃キャリアガス流量１００ｃｃ／ｍ
ｉｎ。
ｉｎ。
酸素 ８．ＯＡ ／ｌｌｌ１ｎ 水素２．８ （ｔ
／ｍｉｎクラッド原料 シリコンテトラクロライド（Ｓｉ（：１４）原料温度４
０℃ キャリアガス流量２００ｃｃ／ｍｉｎ。
／ｍｉｎクラッド原料 シリコンテトラクロライド（Ｓｉ（：１４）原料温度４
０℃ キャリアガス流量２００ｃｃ／ｍｉｎ。
酸素 ８．Ｏｉ／ｍｉｎ 水素３．５ Ｉｔ ／ｍ
ｉｎ以上の原料および酸水素ガスをコアおよびクラッド
用トーチ３，４に各々供給した。反応容器１４内におい
て、コアおよびクラッド合成用酸水素火炎１５および１
６内に供給された原料ガスは熱加水分解反応によりガラ
ス微粒子を形成し、回転している種棒１の下部に多孔質
母材２および２′を堆積させた。多孔質母材のコア・ク
ラツド比は９倍程度であった。合成した多孔質母材は、
次にＨｅ雰囲気中で１５００℃で１時間熱処理を行い透
明ガラス化させた。
ｉｎ以上の原料および酸水素ガスをコアおよびクラッド
用トーチ３，４に各々供給した。反応容器１４内におい
て、コアおよびクラッド合成用酸水素火炎１５および１
６内に供給された原料ガスは熱加水分解反応によりガラ
ス微粒子を形成し、回転している種棒１の下部に多孔質
母材２および２′を堆積させた。多孔質母材のコア・ク
ラツド比は９倍程度であった。合成した多孔質母材は、
次にＨｅ雰囲気中で１５００℃で１時間熱処理を行い透
明ガラス化させた。
透明ガラス化した母材は、外径が１２５μｍに線引ぎし
た場合においてカットオフ波長が１．３μｍになるよう
にジャケット管を使用してコア・クラツド比の調整を行
った。なお、コア・クラッド間の比屈折率差は０，４＊
であった。加えて、コア母材断面内およびコア母材長手
方向でのエルビウムの濃度分布は、±２零という高い均
一性が確認できた。
た場合においてカットオフ波長が１．３μｍになるよう
にジャケット管を使用してコア・クラツド比の調整を行
った。なお、コア・クラッド間の比屈折率差は０，４＊
であった。加えて、コア母材断面内およびコア母材長手
方向でのエルビウムの濃度分布は、±２零という高い均
一性が確認できた。
第２図に、本実施例において作製したエルビウム・アル
ミニウム共添加型単一モード光ファイバの蛍光スペクト
ルを実線で示す。なお、参考のためにエルビウムのみを
添加した単一モード光ファイバの蛍光スペクトル１８を
点線で併せて示す。第２図より明らかなように、アルミ
ニウムの共添加により蛍光スペクトル幅が広がり、かつ
スペクトル自体が滑らかになっていることが分かる。な
お、本実施例で作製したエルビウム・アルミニウム共添
加型単一モード光ファイバの伝送損失値は、波長１．２
μｍおよび１．５５Ｉ１ｍにおいて各々１．０ｄＢ／ｋ
ｍおよび１１００ｄＢ／に＋ｎであった。エルビウムの
吸収の影響がほぼ無視できる波長１．２μｍでの伝送損
失値は、通常の通信用光ファイバのそれに比べても２倍
程度であり、このことは本発明の方法が高品質なエルビ
ウム・アルミニウム共添加型単一モード光ファイバの作
製に有効であることを示している。
ミニウム共添加型単一モード光ファイバの蛍光スペクト
ルを実線で示す。なお、参考のためにエルビウムのみを
添加した単一モード光ファイバの蛍光スペクトル１８を
点線で併せて示す。第２図より明らかなように、アルミ
ニウムの共添加により蛍光スペクトル幅が広がり、かつ
スペクトル自体が滑らかになっていることが分かる。な
お、本実施例で作製したエルビウム・アルミニウム共添
加型単一モード光ファイバの伝送損失値は、波長１．２
μｍおよび１．５５Ｉ１ｍにおいて各々１．０ｄＢ／ｋ
ｍおよび１１００ｄＢ／に＋ｎであった。エルビウムの
吸収の影響がほぼ無視できる波長１．２μｍでの伝送損
失値は、通常の通信用光ファイバのそれに比べても２倍
程度であり、このことは本発明の方法が高品質なエルビ
ウム・アルミニウム共添加型単一モード光ファイバの作
製に有効であることを示している。
（実施例２）
本発明の請求項２に記載の方法を用いて光ファイバ母材
を合成した結果について示す。ここでは、多孔質母材の
合成は第３図に示す装置により行った。この装置は、ク
ラッド合成系がないことおよびエルビウム原料がないこ
とを除き、第１図に示した作製装置と同一である。
を合成した結果について示す。ここでは、多孔質母材の
合成は第３図に示す装置により行った。この装置は、ク
ラッド合成系がないことおよびエルビウム原料がないこ
とを除き、第１図に示した作製装置と同一である。
原料供給条件として、原料サチュレータ６および７の各
温度、およびマスフローコントローラ９およびＩＯの各
々で制御されたキャリアガス流量について以下に示す。
温度、およびマスフローコントローラ９およびＩＯの各
々で制御されたキャリアガス流量について以下に示す。
なお、酸水素ガスの供給条件についても併せて示した。
コア原料
シリコンテトラクロライド（ＳｉＣ１４）原オ４ン品度
４０℃ キャリアガス流量１００ｃｃ／ｍｉｎ。
４０℃ キャリアガス流量１００ｃｃ／ｍｉｎ。
トリメチルアルミニウム（ＡＩ （（：ｌＩ：＋） ３
）原料温度４０℃ キャリアガス流量１００ｃｃ／ｍ
ｉｎ 。
）原料温度４０℃ キャリアガス流量１００ｃｃ／ｍ
ｉｎ 。
酸素 ８．ＯＩｌ／ｍｉｎ 水素４．ＯＩｔ ／ｍ
ｉｎ以上の原料および酸水素ガスをコア用１−−チ３に
供、給した。反応容器１４内において、コア用酸水素火
炎１５内に供給された原料ガスは熱加水分解反応により
ガラス微粒子を形成し、回転している種棒１の下部に多
孔質母材２０を堆積させた。
ｉｎ以上の原料および酸水素ガスをコア用１−−チ３に
供、給した。反応容器１４内において、コア用酸水素火
炎１５内に供給された原料ガスは熱加水分解反応により
ガラス微粒子を形成し、回転している種棒１の下部に多
孔質母材２０を堆積させた。
合成した多孔質母材２０は、第４図（八）および（Ｂ）
に示すようにしてエルビウムの添加およびガラス化処理
を行った。
に示すようにしてエルビウムの添加およびガラス化処理
を行った。
ここで、第４図（Ａ）は、液浸用の装置である。
装置各部の動作は、多孔質体を取り付け゛Ｃ上下に微動
可能な種棒１と、液浸用のドーパント溶液を入れる容器
２９よりなる。実際に液浸処理を行うにあたっては、多
孔質体を液浸用容器３０中に徐々に浸漬（下降）させて
いく。
可能な種棒１と、液浸用のドーパント溶液を入れる容器
２９よりなる。実際に液浸処理を行うにあたっては、多
孔質体を液浸用容器３０中に徐々に浸漬（下降）させて
いく。
第４図（［１）は、７夜浸した母材を透明ガラス化する
際に使用したガラス化用電気炉の構成を示す図である。
際に使用したガラス化用電気炉の構成を示す図である。
この電気炉は、石英ガラス製炉芯管３２を使用したカー
ボン抵抗炉３１である。ガラス化処理は、まず、液浸後
の多孔質体３３を電気炉最高温度部分より充分に上方に
位置させておき、ついで電気炉を所定の温度に保ち、多
孔質体３３を徐々に下降させていった。
ボン抵抗炉３１である。ガラス化処理は、まず、液浸後
の多孔質体３３を電気炉最高温度部分より充分に上方に
位置させておき、ついで電気炉を所定の温度に保ち、多
孔質体３３を徐々に下降させていった。
エルビウムの添加にあたっては、第４図（八）において
、液浸用容器２９内に入れた塩化エルビウムのエタノー
ル溶液３０中に多孔質母材２０を徐々に下降させて、こ
の多孔質母材２０内にエルビウム溶液を浸透させて行っ
た。
、液浸用容器２９内に入れた塩化エルビウムのエタノー
ル溶液３０中に多孔質母材２０を徐々に下降させて、こ
の多孔質母材２０内にエルビウム溶液を浸透させて行っ
た。
この工程に続き、当該法没後の多孔質母材を乾燥させた
後に、第４図（Ｂ）に示す電気炉３１により透明ガラス
化処理した。この透明ガラス化処理は、ヘリウム／酸素
の混合雰囲気中で行った。
後に、第４図（Ｂ）に示す電気炉３１により透明ガラス
化処理した。この透明ガラス化処理は、ヘリウム／酸素
の混合雰囲気中で行った。
ここで用いた透明ガラス化処理条件を以下に記す。
処理温度 １４９０℃
母月下嵯速度 ２００ｍｍ／ｌ＋ｒ。
ガラス化雰囲気 １１ｅ ５０００ｃｃ／ｍｉｎ。
０□ ５００ｃｃ／ｍｉｎ。
かかるガラス化処理後、得られた透明ガラス化母材を急
冷した。
冷した。
透明ガラス化した母材は、外径が１２５μｍに線引きし
た場合においてカットオフ波長が１．３μｍになるよう
にジャケット管を使用してコア・クラツド比の調整を行
った。なお、コア・クラッド間の比屈折率差はＯ１桟で
あった。
た場合においてカットオフ波長が１．３μｍになるよう
にジャケット管を使用してコア・クラツド比の調整を行
った。なお、コア・クラッド間の比屈折率差はＯ１桟で
あった。
ｌｉ例２において作製したエルビウム・アルミニウム共
添加型単一モード光ファイバの蛍光スペクトルは第２図
に示したものと同様に、アルミニウムの共添加により蛍
光スペクトル幅が広がり、かつスペクトル自体が滑らか
になっていることが確認できた。
添加型単一モード光ファイバの蛍光スペクトルは第２図
に示したものと同様に、アルミニウムの共添加により蛍
光スペクトル幅が広がり、かつスペクトル自体が滑らか
になっていることが確認できた。
なお、本実施例で作製したエルビウム・アルミニウム共
添加型単一モード光ファイバの伝送損失値は、波長１．
２μｍおよび１．５５μｍにおいて各々１ 、１ ｄ［
ｌ／ｋｍおよび９００ｄＢ／ｋｍであった。エルビウム
の吸収の水音が４．Ｆぼ無視できる波長１．２μｍでの
伝送損失値は、通常の通信用光ファイバのそれに比べて
も２倍程度であり、このことは本発明の方法が高品質な
エルビウム・アルミニウム共添加型車−モード光ファイ
バの作製に有効であることを示している。
添加型単一モード光ファイバの伝送損失値は、波長１．
２μｍおよび１．５５μｍにおいて各々１ 、１ ｄ［
ｌ／ｋｍおよび９００ｄＢ／ｋｍであった。エルビウム
の吸収の水音が４．Ｆぼ無視できる波長１．２μｍでの
伝送損失値は、通常の通信用光ファイバのそれに比べて
も２倍程度であり、このことは本発明の方法が高品質な
エルビウム・アルミニウム共添加型車−モード光ファイ
バの作製に有効であることを示している。
次に、有機アルミニウム化合物Ａ、ｆ？、 （Ｃ，１Ｉ
２１−１）３について述べる。
２１−１）３について述べる。
この有機アルミニウム金属については、ＶＡＤ法で使用
することを前提に蒸気圧の値により次の表１のように選
択した。
することを前提に蒸気圧の値により次の表１のように選
択した。
表１
なお、上記より炭素数の多いもの（ｎ−５，６，・・・
）については蒸気圧の問題もありＶＡＤ法においては不
適当と考えられる。加えて、このような有機アルミニウ
ム金属原料およびｎ−３の場合は一般的に人手が困難で
ある。従って、本発明では、ｎ−１，２゜４とするのが
好ましい。
）については蒸気圧の問題もありＶＡＤ法においては不
適当と考えられる。加えて、このような有機アルミニウ
ム金属原料およびｎ−３の場合は一般的に人手が困難で
ある。従って、本発明では、ｎ−１，２゜４とするのが
好ましい。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、エルビウムを高
濃度で、かつ均一に添加することができ、したがって、
蛍光スベクｌ〜ル幅を拡大して、高品質なエルビウム・
アルミニウム共添加型先ファイバを容易に合成できる。
濃度で、かつ均一に添加することができ、したがって、
蛍光スベクｌ〜ル幅を拡大して、高品質なエルビウム・
アルミニウム共添加型先ファイバを容易に合成できる。
その結果、本発明によれば、従来のＭＣＶＤ法に比べて
、大型で、かつエルビウムの添加濃度分布の均一な母材
を合成することができ、本発明によって作製した光ファ
イバは、光増幅や非線形光回路用の光ファイバとして有
効に使用できる。
、大型で、かつエルビウムの添加濃度分布の均一な母材
を合成することができ、本発明によって作製した光ファ
イバは、光増幅や非線形光回路用の光ファイバとして有
効に使用できる。
第１図は本発明の第１の実施例におけるエルビウム・ア
ルミニウム共添加型光ファイバ母材の作製装置の一例を
示す構成図、 第２図は本発明の第１の実施例において作製したエルビ
ウム・アルミニウム共添加型単一モード光ファイバの蛍
光スペクトルを示す図、第３図は本発明の第２の実施例
におけるアルミニウム添加多孔質母材の合成装置の一例
を示す構成図、 第４図（Ａ）および（Ｂ）は本発明の第２の実施例にお
けるエルビウム添加および透明ガラス化の各工程をそれ
ぞれ説明する図である。 １・・・種棒、 ２・・・多孔質母材、 ２′・・・コア部分の多孔質母材、 ３・・・コア合成用トーチ、 ４・・・クラッド合成用トーチ、 ５・・・排気管、 ６・・・シリコンテトラクロライド用サチュレータ、７
・・・トリメチルアルミニウム用サチュレータ、８・・
・Ｅｒ（ｔｈｄ）３用サチユレータ、９〜１１・・・マ
スフローコン１〜ローラ、１２・・・シソコンテトラク
ロライド用サチュレータ、１３・・・マスフローコント
ローラ、 １４・・・反応容器、 １５・・・コア合成用酸水素火炎、 １６・・・クラッド合成用酸水素火炎、２０・・・コア
用多孔質体、 ２９・・・を反浸用容器、 ３０・・・塩化エルビウムのエタノールｍ ？Ｍ、３１
・・・電気炉、 ３２・・・石英ガラス製炉芯管、 ３３・・・液浸後の多孔質体。 特許出願人 日本電信電話株式会社
ルミニウム共添加型光ファイバ母材の作製装置の一例を
示す構成図、 第２図は本発明の第１の実施例において作製したエルビ
ウム・アルミニウム共添加型単一モード光ファイバの蛍
光スペクトルを示す図、第３図は本発明の第２の実施例
におけるアルミニウム添加多孔質母材の合成装置の一例
を示す構成図、 第４図（Ａ）および（Ｂ）は本発明の第２の実施例にお
けるエルビウム添加および透明ガラス化の各工程をそれ
ぞれ説明する図である。 １・・・種棒、 ２・・・多孔質母材、 ２′・・・コア部分の多孔質母材、 ３・・・コア合成用トーチ、 ４・・・クラッド合成用トーチ、 ５・・・排気管、 ６・・・シリコンテトラクロライド用サチュレータ、７
・・・トリメチルアルミニウム用サチュレータ、８・・
・Ｅｒ（ｔｈｄ）３用サチユレータ、９〜１１・・・マ
スフローコン１〜ローラ、１２・・・シソコンテトラク
ロライド用サチュレータ、１３・・・マスフローコント
ローラ、 １４・・・反応容器、 １５・・・コア合成用酸水素火炎、 １６・・・クラッド合成用酸水素火炎、２０・・・コア
用多孔質体、 ２９・・・を反浸用容器、 ３０・・・塩化エルビウムのエタノールｍ ？Ｍ、３１
・・・電気炉、 ３２・・・石英ガラス製炉芯管、 ３３・・・液浸後の多孔質体。 特許出願人 日本電信電話株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）気相状態のガラス原料を火炎中に供給し、酸水素火
炎内での加水熱分解反応により生成したガラス微粒子を
、回転するターゲットに堆積してガラス微粒子の集合体
による多孔質体を作製し、次いで当該多孔質体を加熱し
、透明なガラス体を合成する光ファイバ用ガラス母材の
合成方法において、前記ガラス微粒子を合成する出発原
料として、シリコンテトラクロライド、トリクロルシラ
ンおよびモノシランのうちの少なくとも１種類と、Ａｌ
（Ｃ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１）＿３の化学式（ｎ＝１，
２，４）で示される有機アルミニウム化合物のうちの少
なくとも１種類と、エルビウムのβ−ジケトン化合物（
Ｅｒ（ＲＣＯＣＨＣＯＲ′）＿３；Ｒ、Ｒ′はアルキル
基であり、アルキル基中の水素をフッ素で置換したもの
も含む）を使用することを特徴とする光ファイバ母材の
製造方法。 ２）気相状態のガラス原料を火炎中に供給し、酸水素火
炎内での加水熱分解反応により生成したガラス微粒子を
、回転するターゲットに堆積してガラス微粒子の集合体
による多孔質体を作製し、次いで当該多孔質体を加熱し
、透明なガラス体を合成する光ファイバ用ガラス母材の
合成方法において、 前記ガラス微粒子を合成する出発原料として、シリコン
テトラクロライド、トリクロルシランおよびモノシラン
のうちの少なくとも１種類と、Ａｌ（Ｃ＿ｎＨ＿２＿ｎ
＿＋＿１）＿３の化学式（ｎ＝１，２，４）で示される
有機アルミニウム化合物のうちの少なくとも１種類とを
使用して前記多孔質体を合成する工程と、当該合成され
た多孔質体をエルビウムを含む溶液中に浸漬する工程と
、 当該エルビウムを含む溶液の浸透された多孔質体を加熱
して透明なガラス体を合成する工程とを具えたことを特
徴とする光ファイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9518189A JPH02275724A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9518189A JPH02275724A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02275724A true JPH02275724A (ja) | 1990-11-09 |
Family
ID=14130580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9518189A Pending JPH02275724A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02275724A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0585755A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-06 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光増幅器用エルビウムド−プフアイバ |
| JPH06234537A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-08-23 | Corning Inc | 光ファイバ・プリフォ−ムの作成方法 |
| US5498307A (en) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Stevenson; John D. | In-mold labeling using an adhesive |
| JP2005187254A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス体の製造方法 |
| CN111116037A (zh) * | 2020-01-13 | 2020-05-08 | 成都翱翔拓创光电科技合伙企业(有限合伙) | 一种vad法制备稀土元素掺杂光纤预制棒的装置和方法 |
-
1989
- 1989-04-17 JP JP9518189A patent/JPH02275724A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0585755A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-06 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光増幅器用エルビウムド−プフアイバ |
| JPH06234537A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-08-23 | Corning Inc | 光ファイバ・プリフォ−ムの作成方法 |
| US5498307A (en) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Stevenson; John D. | In-mold labeling using an adhesive |
| JP2005187254A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス体の製造方法 |
| CN111116037A (zh) * | 2020-01-13 | 2020-05-08 | 成都翱翔拓创光电科技合伙企业(有限合伙) | 一种vad法制备稀土元素掺杂光纤预制棒的装置和方法 |
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