JPS6144725A - 石英系多孔質ガラス層の処理方法 - Google Patents
石英系多孔質ガラス層の処理方法Info
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- JPS6144725A JPS6144725A JP16599384A JP16599384A JPS6144725A JP S6144725 A JPS6144725 A JP S6144725A JP 16599384 A JP16599384 A JP 16599384A JP 16599384 A JP16599384 A JP 16599384A JP S6144725 A JPS6144725 A JP S6144725A
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- Japan
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- porous glass
- fluorine
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/14—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with boron and fluorine
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は石英系多孔質ガラス層にフッ素をドープするた
めの処理方法に関する。
めの処理方法に関する。
（従 来 技 術）
石英系光ファイバにおいて、コア・クラッド相互の相対
的屈折率差を大きくすべく、あるいは光ファイバの耐放
射線性を高めるべく、そのクラッド中にフッ素をドープ
することがすでに実施されている。
的屈折率差を大きくすべく、あるいは光ファイバの耐放
射線性を高めるべく、そのクラッド中にフッ素をドープ
することがすでに実施されている。
光フアイバ母材の製造に際してフッ素ドープト石英を合
成するとき、１例として火炎加水分解法における火炎（
酸水素炎）中に直接フツ素化合物を混入し、その合成ガ
ラス中にフッ素をドープする方法がとられている。
成するとき、１例として火炎加水分解法における火炎（
酸水素炎）中に直接フツ素化合物を混入し、その合成ガ
ラス中にフッ素をドープする方法がとられている。
この方法の場合、酸水素炎中にフッ素化合物を混入して
いるため、きわめて容易に大量のＨＦガスが合成され、
しかもそのＨＦがＳ ｉＯ２などの合成ガラスを侵食し
てこれをＳ ｉＦ ４などのガスに転換し、揮散させて
しまう。
いるため、きわめて容易に大量のＨＦガスが合成され、
しかもそのＨＦがＳ ｉＯ２などの合成ガラスを侵食し
てこれをＳ ｉＦ ４などのガスに転換し、揮散させて
しまう。
それゆえ上記方法の場合、反応収率が低い問題があり、
ガラス中にドープできるフッ素の量にも限界があった。
ガラス中にドープできるフッ素の量にも限界があった。
（発明の目的）
本発明は上記の問題点に鑑み、ガラス揮散を抑制して石
英系ガラス中に必要かつ十分な量のフッ素をドープする
ことのできる石英系多孔質ガラス層の処理方法を提供し
ようとするものである。
英系ガラス中に必要かつ十分な量のフッ素をドープする
ことのできる石英系多孔質ガラス層の処理方法を提供し
ようとするものである。
（発明の構成）
本発明に係る方法は、所定ハロゲン化原料の化学反応に
より生成されたガラス微粒子を堆積してＢ ２０３Ｓ
１０２系多孔質ガラス層を形成し、該多孔質ガラス層フ
ッ素含有雰囲気中にて加熱処理することを特徴ととして
いる。
より生成されたガラス微粒子を堆積してＢ ２０３Ｓ
１０２系多孔質ガラス層を形成し、該多孔質ガラス層フ
ッ素含有雰囲気中にて加熱処理することを特徴ととして
いる。
（実 施 例）
つぎに図面を参照して本発明方法の具体的な実施例を説
明する。
明する。
第１図は、本発明方法の処理対象となる石英系多孔質ガ
ラス層ｌが石英系ガラス棒２の外周に堆積形成された状
態を示している。
ラス層ｌが石英系ガラス棒２の外周に堆積形成された状
態を示している。
上記ガラス棒２は既知のＭＣＶＤ法とか、ＶＡＤ法、Ｏ
ＶＤ法などを介してつくられたものであり、該層２は１
例として純Ｓ ＸＯ２からなる。
ＶＤ法などを介してつくられたものであり、該層２は１
例として純Ｓ ＸＯ２からなる。
一方、上記ガラス層ｌはＯＶＤ法、ＶＡＤ法などを介し
てガラス棒２の外周に前記のごとく形成されているので
あり、これはＢ２Ｏ５−８ｉＯ２系からなる。
てガラス棒２の外周に前記のごとく形成されているので
あり、これはＢ２Ｏ５−８ｉＯ２系からなる。
多孔質ガラス層ｌをガラス棒２の外周に堆積形成すると
き、既知の多重管（三重管）構造からなるバーナが用い
られ、該バーナ中心にある第１流道には原料ガスが、つ
ぎの第２流道には酸素が、さらに第３流道には水素がそ
れぞれ供給されるとともにこれらの火炎加水分解反応に
より生成されたガラス微粒子（スート状）がガラス棒２
の外周に堆積され、多孔質ガラス層ｌとなる。
き、既知の多重管（三重管）構造からなるバーナが用い
られ、該バーナ中心にある第１流道には原料ガスが、つ
ぎの第２流道には酸素が、さらに第３流道には水素がそ
れぞれ供給されるとともにこれらの火炎加水分解反応に
より生成されたガラス微粒子（スート状）がガラス棒２
の外周に堆積され、多孔質ガラス層ｌとなる。
多孔質ガラス層ｌ形成する際のより具体的な例として、
四塩化ケイ素２５０ｃｃ／分と、三塩化ホウ素５０ｃｃ
／分と、アルゴン９００ＣＣ／分とを混合した原料ガス
が第１流道へ供給され、第２流道、第３流道にはそれぞ
れ６１／分の水素、４１７分の酸素が供給される。
四塩化ケイ素２５０ｃｃ／分と、三塩化ホウ素５０ｃｃ
／分と、アルゴン９００ＣＣ／分とを混合した原料ガス
が第１流道へ供給され、第２流道、第３流道にはそれぞ
れ６１／分の水素、４１７分の酸素が供給される。
上記のようにしてガラス棒２の外周に形成された多孔質
ガラス層ｌは、三フフ化ホウ素１％Φ残部ヘリウムとし
た混合ガス、しかもその混合ガス供給量が３０１／分で
ある１４００’Ｃのフッ素含有雰囲気中にて加熱処理さ
れるのであり、ここで多孔質ガラス層ｌにはフッ素がド
ープされ、同時に該層１が透明ダラス化される。
ガラス層ｌは、三フフ化ホウ素１％Φ残部ヘリウムとし
た混合ガス、しかもその混合ガス供給量が３０１／分で
ある１４００’Ｃのフッ素含有雰囲気中にて加熱処理さ
れるのであり、ここで多孔質ガラス層ｌにはフッ素がド
ープされ、同時に該層１が透明ダラス化される。
この際の加熱処理に用いられる装置は、第２図に例示す
るごとく下部に給気口３、上部に排気口４を備なえた石
英製炉心管５の外周に電気ヒータ６が配置されたもので
あり、該炉心管５内には下部の給気口３から上記混合ガ
スが供給されるとともにその上部から多孔質ガラス層ｌ
付のガラス棒２が低速で挿入降下され、多孔質ガラス層
ｌが電気ヒータ６により加熱処理される。
るごとく下部に給気口３、上部に排気口４を備なえた石
英製炉心管５の外周に電気ヒータ６が配置されたもので
あり、該炉心管５内には下部の給気口３から上記混合ガ
スが供給されるとともにその上部から多孔質ガラス層ｌ
付のガラス棒２が低速で挿入降下され、多孔質ガラス層
ｌが電気ヒータ６により加熱処理される。
上記処理により得らたガラス棒を光ファイアバ母材とし
、これを紡糸して光ファイバにしたところ、その屈折率
分布は第３図（イ）のごとく、Ｓ ｉＯ２製コア７の屈
折率＝ １．４６におけるクラッド８との比屈折率差Δ
が１．０％にもなり、クラッド８にフッ素が十分ドープ
されていることが確認できた。
、これを紡糸して光ファイバにしたところ、その屈折率
分布は第３図（イ）のごとく、Ｓ ｉＯ２製コア７の屈
折率＝ １．４６におけるクラッド８との比屈折率差Δ
が１．０％にもなり、クラッド８にフッ素が十分ドープ
されていることが確認できた。
比較のため、フッ素化合物を含まない雰囲気中で加熱処
理することにより得られた上記母材を紡糸し、光ファイ
バを製造したところ、この比較例でのΔは第３図（ロ）
のごと＜ ０．２５％とかなり小さいものになってしま
った。
理することにより得られた上記母材を紡糸し、光ファイ
バを製造したところ、この比較例でのΔは第３図（ロ）
のごと＜ ０．２５％とかなり小さいものになってしま
った。
なお、Ｂ２Ｏ３−５ｉＯ２系テ（７） Ｂ ２０３ （
７）効果として、Ｂ２Ｏ３はＦとの反応性が高く、これ
と容易に反応してガラス中にＦを取りこむ。
７）効果として、Ｂ２Ｏ３はＦとの反応性が高く、これ
と容易に反応してガラス中にＦを取りこむ。
換言すれば、りすかにＦが存在する処理雰囲気中でも上
記反応が進み、多量のＦをガラス中に取りこむ。
記反応が進み、多量のＦをガラス中に取りこむ。
また、一般に純Ｓ Ｉ Ｏ２製とした多孔質ガラスをフ
ッ素化合物含有雰囲気中で加熱処理すると、そのガラス
の大半が揮散してしまうが１本発明のごと〈Ｂ２Ｏ３を
含むＳ ｉｏ ２系の場合、上記処理によるガラス揮散
が１０％以下であり、フッ素ドープ時のガラス歩どまり
が高く、かつ、フッ素の反応収率も高い。
ッ素化合物含有雰囲気中で加熱処理すると、そのガラス
の大半が揮散してしまうが１本発明のごと〈Ｂ２Ｏ３を
含むＳ ｉｏ ２系の場合、上記処理によるガラス揮散
が１０％以下であり、フッ素ドープ時のガラス歩どまり
が高く、かつ、フッ素の反応収率も高い。
（発明の効果）
以上説明した通り、本発明方法によるときは、Ｂ Ｏ
Ｓ ｉＯ２系の多孔質ガラスをフッ素含有雰囲気中にて
加熱処理するから、ガラス揮散を抑制して石英系ガラス
中に必要かつ十分な量のフッ素をドープすることができ
る。
Ｓ ｉＯ２系の多孔質ガラスをフッ素含有雰囲気中にて
加熱処理するから、ガラス揮散を抑制して石英系ガラス
中に必要かつ十分な量のフッ素をドープすることができ
る。
第１図は本発明方法において処理対象となる多孔質ガラ
ス層の略示説明図、第２図は本発明方法に用いる装置の
略示説明図、第３図は本発明方法での処理母材から得ら
れた光ファイバとその比較例における光ファイバのそれ
ぞれ屈折率分布を示した説明図である。 １・・・多孔質ガラス層 ５・−Φ炉心管 ６・−・電気ヒータ
ス層の略示説明図、第２図は本発明方法に用いる装置の
略示説明図、第３図は本発明方法での処理母材から得ら
れた光ファイバとその比較例における光ファイバのそれ
ぞれ屈折率分布を示した説明図である。 １・・・多孔質ガラス層 ５・−Φ炉心管 ６・−・電気ヒータ
Claims (1)
- 所定ハロゲン化原料の化学反応により生成されたガラス
微粒子を堆積してＢ＿２Ｏ＿３−ＳｉＯ＿２系多孔質ガ
ラス層を形成し、該多孔質ガラスをフッ素含有雰囲気中
にて加熱処理することを特徴とする石英系多孔質ガラス
層の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16599384A JPS6144725A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 石英系多孔質ガラス層の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16599384A JPS6144725A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 石英系多孔質ガラス層の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144725A true JPS6144725A (ja) | 1986-03-04 |
| JPH0551542B2 JPH0551542B2 (ja) | 1993-08-02 |
Family
ID=15822874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16599384A Granted JPS6144725A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 石英系多孔質ガラス層の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144725A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6283323A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラスの製造方法 |
| JPH04110672U (ja) * | 1991-03-13 | 1992-09-25 | 日本精工株式会社 | 衝撃吸収式ステアリング装置 |
| EP0547335A2 (en) * | 1991-12-16 | 1993-06-23 | Corning Incorporated | Method of making fluorine/boron doped silica tubes |
| US5921067A (en) * | 1996-08-14 | 1999-07-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Pillow type packaging apparatus |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP16599384A patent/JPS6144725A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6283323A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラスの製造方法 |
| JPH04110672U (ja) * | 1991-03-13 | 1992-09-25 | 日本精工株式会社 | 衝撃吸収式ステアリング装置 |
| EP0547335A2 (en) * | 1991-12-16 | 1993-06-23 | Corning Incorporated | Method of making fluorine/boron doped silica tubes |
| US5921067A (en) * | 1996-08-14 | 1999-07-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Pillow type packaging apparatus |
| US6109001A (en) * | 1996-08-14 | 2000-08-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Tape attacher |
| US6119435A (en) * | 1996-08-14 | 2000-09-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Tape attacher |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0551542B2 (ja) | 1993-08-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |