JPS6117434A - 光フアイバ母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ母材の製造方法Info
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- JPS6117434A JPS6117434A JP13772484A JP13772484A JPS6117434A JP S6117434 A JPS6117434 A JP S6117434A JP 13772484 A JP13772484 A JP 13772484A JP 13772484 A JP13772484 A JP 13772484A JP S6117434 A JPS6117434 A JP S6117434A
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- Japan
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- reaction gas
- gas introduction
- glass
- reaction
- supplying
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
- C03B37/01815—Reactant deposition burners or deposition heating means
- C03B37/01823—Plasma deposition burners or heating means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
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- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の背景と目的］
本発明は、光ファイバ母材の製造方法の改良に関するも
のである。
のである。
一般に、光ツノ！イバ母材の製造方法は、ＭＣＶＤ（化
学気相沈積）法、ＶＡＤ（気相軸付）法によって行われ
【いる。そして、これらの方法の熱踪には、主に酸水素
バーナが用いられている。
学気相沈積）法、ＶＡＤ（気相軸付）法によって行われ
【いる。そして、これらの方法の熱踪には、主に酸水素
バーナが用いられている。
一方、プラズマ炎を用いる場合は、プラズマ炎の高熱を
利用することにより直接ガラス成形が可能であり、プラ
ズマ炎の中心では約２万℃である。
利用することにより直接ガラス成形が可能であり、プラ
ズマ炎の中心では約２万℃である。
この温度を利用する方法としては、プラズマガスに四塩
化硅素（Ｓｉ Ｃ１ａ ）等のガスを混合させるが、こ
れではプラズマ炎が不安定となる。
化硅素（Ｓｉ Ｃ１ａ ）等のガスを混合させるが、こ
れではプラズマ炎が不安定となる。
そこで、プラズマ炎のジェット部に混合ガスを導入する
方法が安定である。ところが、ふっ素ドープガスを形成
づる場合、ドープ材に例えばＣＣＪ２Ｆ２などのフロン
系ガスが用いられる。
方法が安定である。ところが、ふっ素ドープガスを形成
づる場合、ドープ材に例えばＣＣＪ２Ｆ２などのフロン
系ガスが用いられる。
しかし、Ｃ−Ｆの結合が強く分解反応が十分進行せず、
ふっ素糸の高ドープ化が難しい。
ふっ素糸の高ドープ化が難しい。
本発明は上記の状況に鑑みなされたものであり、高ドー
プのふっ素ガラスの形成が可能な光ファイバ母材の製造
方法を提供することを目的としだものである。
プのふっ素ガラスの形成が可能な光ファイバ母材の製造
方法を提供することを目的としだものである。
［発明の概要］
本発明の光ファイバ母材の製造方法は、凸周波プラズマ
ジェットによりプラズマ炎を発生させ該プラズマ炎にガ
ラス形成用の原料を反応ガス導入管を介し供給し、加熱
反応によりチャンバ内のガラスｋｍに支持されたターゲ
ット棒外周面に直接ふっ素ドープのガラスの合成を行な
う場合に、上記原料を複数の上記反応ガス導入管を介し
供給すると共に、該反応ガス導入管を上記高周波プラズ
マトーチに対し直列状に配置し、該高周波プラズマトー
チに近接する位置に配設された上記反応ガス導入管から
フロン系ガスを供給し、かつ、該フ［コン系ガス供給の
反応ガス導入管に隣接する位置に配置された上記反応ガ
ス導入管から四端化硅素を供給する方法であり、即ち、
高周波プラズマトーチに近接する位置に配設された反応
ガス導入管からフロン系ガスを供給しＦの分解を容易に
し高ドープのふっ素ガラスを形成する方法である。
ジェットによりプラズマ炎を発生させ該プラズマ炎にガ
ラス形成用の原料を反応ガス導入管を介し供給し、加熱
反応によりチャンバ内のガラスｋｍに支持されたターゲ
ット棒外周面に直接ふっ素ドープのガラスの合成を行な
う場合に、上記原料を複数の上記反応ガス導入管を介し
供給すると共に、該反応ガス導入管を上記高周波プラズ
マトーチに対し直列状に配置し、該高周波プラズマトー
チに近接する位置に配設された上記反応ガス導入管から
フロン系ガスを供給し、かつ、該フ［コン系ガス供給の
反応ガス導入管に隣接する位置に配置された上記反応ガ
ス導入管から四端化硅素を供給する方法であり、即ち、
高周波プラズマトーチに近接する位置に配設された反応
ガス導入管からフロン系ガスを供給しＦの分解を容易に
し高ドープのふっ素ガラスを形成する方法である。
［実施例コ
以下本発明の光ファイバ母材の製造方法を実施例を用い
図面により説明する。図は実施装置の断面図である。図
に８３いて、１は高周波プラズマトーチ、２は屈Ｊｈ率
を支配づるドーパント材を供給づる反応ガス導入管、２
Δは５ｉＣＩ！ａを供給する反応ガス導入管である。反
応ガス導入管２．２へは、高周波プラズマトーチに対し
縦方向に直列状に順次配設され、高周波プラズマトーチ
１に最も近接する位置に反応ガス導入管２が配置され、
反応ガス導入費２に隣接し反応ガス導入管２Ａが配置さ
れている。３はＮ２のガスが供給されるガスシールキャ
ップ、４はチャンバである。５はガラス旋盤で、ターゲ
ット棒６の回転駆動及びヘッドを上下移動駆動するモー
タ１８をそれぞれ有する移動ヘッド１７によりターゲッ
ト棒６の両端を支承している。ガラス旋盤５はヘッド９
上を軸方向に駆動装置（図示せず）により駆動されるよ
うになっている。Ｅ３はヘッド９上に取り付けられたス
トッパーである。１０はバッフ１タンク、１１は排気管
、１２は熱交換器、１３はスクラバー、１４は排気ファ
ン、１５はバルブ、１６はガス圧力計である。
図面により説明する。図は実施装置の断面図である。図
に８３いて、１は高周波プラズマトーチ、２は屈Ｊｈ率
を支配づるドーパント材を供給づる反応ガス導入管、２
Δは５ｉＣＩ！ａを供給する反応ガス導入管である。反
応ガス導入管２．２へは、高周波プラズマトーチに対し
縦方向に直列状に順次配設され、高周波プラズマトーチ
１に最も近接する位置に反応ガス導入管２が配置され、
反応ガス導入費２に隣接し反応ガス導入管２Ａが配置さ
れている。３はＮ２のガスが供給されるガスシールキャ
ップ、４はチャンバである。５はガラス旋盤で、ターゲ
ット棒６の回転駆動及びヘッドを上下移動駆動するモー
タ１８をそれぞれ有する移動ヘッド１７によりターゲッ
ト棒６の両端を支承している。ガラス旋盤５はヘッド９
上を軸方向に駆動装置（図示せず）により駆動されるよ
うになっている。Ｅ３はヘッド９上に取り付けられたス
トッパーである。１０はバッフ１タンク、１１は排気管
、１２は熱交換器、１３はスクラバー、１４は排気ファ
ン、１５はバルブ、１６はガス圧力計である。
そして、ガラス膜７の精製に当っては、高周波プラズマ
トーチ１に、矢印の如く酸素を送り込んで酸素プラズマ
炎を発生させる。また、反応ガス導入管２．２Ａから反
応ガスをプラズマ炎の下方の反応チャンバ４内に送り込
み反応させ、１０ｍｍφの石英ガラス捧のターゲット棒
６に、ＦドープＳｉＯ２系ガラス膜７を堆積さ「る。タ
ーゲット棒６はガラス旋盤５によって一定の回転数に回
転駆動されるようになっており、ガラス旋盤５はヘッド
９上を矢印の軸方向に駆動されてターゲット棒６の外周
及び長手方向にガラス膜７を形成するようになっている
。そして、未反応ガス及び排気ガスは、反応チャンバ４
、排気管１１、バッファタンク１０．熱交換器１２及び
スクラバー１３を通り排気され、内圧はプラズマ炎を安
定させるために重要である。
トーチ１に、矢印の如く酸素を送り込んで酸素プラズマ
炎を発生させる。また、反応ガス導入管２．２Ａから反
応ガスをプラズマ炎の下方の反応チャンバ４内に送り込
み反応させ、１０ｍｍφの石英ガラス捧のターゲット棒
６に、ＦドープＳｉＯ２系ガラス膜７を堆積さ「る。タ
ーゲット棒６はガラス旋盤５によって一定の回転数に回
転駆動されるようになっており、ガラス旋盤５はヘッド
９上を矢印の軸方向に駆動されてターゲット棒６の外周
及び長手方向にガラス膜７を形成するようになっている
。そして、未反応ガス及び排気ガスは、反応チャンバ４
、排気管１１、バッファタンク１０．熱交換器１２及び
スクラバー１３を通り排気され、内圧はプラズマ炎を安
定させるために重要である。
上記の場合に、反応ガス導入管２からＣＣ；Ｊ１２Ｆ２
を３ Ｑ Ｑｃｃ／ｍｉｎ 、反応ガス導入管２Ａから
酸素ガスをキャリヤにした５ｉＣＪ！ａ２０００ｍ ａ
／ｍｉｎをそれぞれ供給した。そして、ＣＣｌ７．２
Ｆ２ガスをプラズマ炎の高温部に供給することで、熱醇
化反応が十分に進みＣ；０２、Ｃ１ｌ、Ｆに分解する。
を３ Ｑ Ｑｃｃ／ｍｉｎ 、反応ガス導入管２Ａから
酸素ガスをキャリヤにした５ｉＣＪ！ａ２０００ｍ ａ
／ｍｉｎをそれぞれ供給した。そして、ＣＣｌ７．２
Ｆ２ガスをプラズマ炎の高温部に供給することで、熱醇
化反応が十分に進みＣ；０２、Ｃ１ｌ、Ｆに分解する。
叩ら、Ｃ−Ｆは１０５ＫＣａｆｌ／ｍｏｐの結合エネル
ギーであるが、プラズマ炎の高温により容易に熱分解さ
れる。５ＩＣｆｆｌａは □ｉ ｏｏｏ℃付近
でほぼ完全に酸化反応し、ＳｉＯ２と「とが反応し、Ｆ
ドープガラスが形成される。この結果、従来に比べ、Ｆ
ドープ量、即ら、Δｎを０．２％向上する高ドープのふ
っ素ガラ・スの形成が可能である。
ギーであるが、プラズマ炎の高温により容易に熱分解さ
れる。５ＩＣｆｆｌａは □ｉ ｏｏｏ℃付近
でほぼ完全に酸化反応し、ＳｉＯ２と「とが反応し、Ｆ
ドープガラスが形成される。この結果、従来に比べ、Ｆ
ドープ量、即ら、Δｎを０．２％向上する高ドープのふ
っ素ガラ・スの形成が可能である。
このように本実施例の光ファイバ母材の製造方法は、複
数の反応ガス導入管を用い、高温プラズマジェットに近
接する位置の反応ガス導入管からフロン系ガスを供給す
ることによりプラズマ炎の高温により下が分解し、隣接
配置された反応ガス導入管から供給されたＳｉＣノ４か
ら形成されるＳｉＯ２と反応し高いＦドープのガラスを
形成できる。そして、フロン系ガス以外のドーパント材
を、高周波プラズマジェット近接側の反応ガス導入管よ
り供給しても良好なガラス膜を形成できる。
数の反応ガス導入管を用い、高温プラズマジェットに近
接する位置の反応ガス導入管からフロン系ガスを供給す
ることによりプラズマ炎の高温により下が分解し、隣接
配置された反応ガス導入管から供給されたＳｉＣノ４か
ら形成されるＳｉＯ２と反応し高いＦドープのガラスを
形成できる。そして、フロン系ガス以外のドーパント材
を、高周波プラズマジェット近接側の反応ガス導入管よ
り供給しても良好なガラス膜を形成できる。
また、上記実施例では、ターゲット棒が水平に配置され
た場合について述べたが、鉛直線方向に取り付りた場合
も作用効果を有づ゛る。
た場合について述べたが、鉛直線方向に取り付りた場合
も作用効果を有づ゛る。
［発明の効果］
双子記述した如く本発明の光ファイバ母材の製造方法に
よれば、高ドープのふっ素ガラスを形成できる効果を右
するものである。
よれば、高ドープのふっ素ガラスを形成できる効果を右
するものである。
図は本発明の光ファイバ母材の製造方法を実施装置の縦
断面図である。 １；高周波プラズマトーチ、 ２．２Ａ：反応ガス導入管、４；チャンバ、５；ガラス
旋盤、６：ターゲット棒、 ７；ガラス＃！。 −カ
断面図である。 １；高周波プラズマトーチ、 ２．２Ａ：反応ガス導入管、４；チャンバ、５；ガラス
旋盤、６：ターゲット棒、 ７；ガラス＃！。 −カ
Claims (1)
- （１）高周波プラズマトーチによりプラズマ炎を発生さ
せ該プラズマ炎にガラス形成用の原料を反応ガス導入管
を介し供給し、加熱反応によりチャンバ内のガラス旋盤
に支持されたターゲット棒外周面に直接ふっ素ドープガ
ラスの合成を行なう方法において、上記原料を複数の上
記反応ガス導入管を介し供給すると共に、該反応ガス導
入管を上記高周波プラズマトーチに対し直列状に配置し
、該高周波プラズマトーチに近接する位置に配設された
上記反応ガス導入管からフロン系ガスを供給し、かつ、
該フロン系ガス供給の反応ガス導入管に隣接する位置に
配置された上記反応ガス導入管から四塩化硅素を供給す
ることを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13772484A JPH0247415B2 (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | Hikarifuaibabozainoseizohoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13772484A JPH0247415B2 (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | Hikarifuaibabozainoseizohoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6117434A true JPS6117434A (ja) | 1986-01-25 |
| JPH0247415B2 JPH0247415B2 (ja) | 1990-10-19 |
Family
ID=15205344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13772484A Expired - Lifetime JPH0247415B2 (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | Hikarifuaibabozainoseizohoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247415B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1314608C (zh) * | 2005-06-10 | 2007-05-09 | 中国建筑材料科学研究院 | 高频等离子气相合成石英玻璃的方法 |
-
1984
- 1984-07-03 JP JP13772484A patent/JPH0247415B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0247415B2 (ja) | 1990-10-19 |
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