JPH0247415B2 - Hikarifuaibabozainoseizohoho - Google Patents
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- JPH0247415B2 JPH0247415B2 JP13772484A JP13772484A JPH0247415B2 JP H0247415 B2 JPH0247415 B2 JP H0247415B2 JP 13772484 A JP13772484 A JP 13772484A JP 13772484 A JP13772484 A JP 13772484A JP H0247415 B2 JPH0247415 B2 JP H0247415B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
- C03B37/01815—Reactant deposition burners or deposition heating means
- C03B37/01823—Plasma deposition burners or heating means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の背景と目的］
本発明は、光フアイバ母材の製造方法の改良に
関するものである。
関するものである。
一般に、光フアイバ母材の製造方法は、
MCVD（化学気相沈積）法、VAD（気相軸付）法
によつて行われている。そして、これらの方法の
熱源には、主に酸水素バーナが用いられている。
MCVD（化学気相沈積）法、VAD（気相軸付）法
によつて行われている。そして、これらの方法の
熱源には、主に酸水素バーナが用いられている。
一方、プラズマ炎を用いる場合は、プラズマ炎
の高熱を利用することにより直接ガラス成形が可
能であり、プラズマ炎の中心では約２万℃であ
る。この温度を利用する方法としては、プラズマ
ガスに四塩化硅素（SiCl4）等のガスを混合させ
るが、これではプラズマ炎が不安定となる。
の高熱を利用することにより直接ガラス成形が可
能であり、プラズマ炎の中心では約２万℃であ
る。この温度を利用する方法としては、プラズマ
ガスに四塩化硅素（SiCl4）等のガスを混合させ
るが、これではプラズマ炎が不安定となる。
そこで、プラズマ炎のジエツト部に混合ガスを
導入する方法が安定である。ところが、ふつ素ド
ープガスを形成する場合、ドープ材に例えば
CCl2F2などのフロン系ガスが用いられる。しか
し、Ｃ−Ｆの結合が強く分解反応が十分進行せ
ず、ふつ素系の高ドープ化が難しい。
導入する方法が安定である。ところが、ふつ素ド
ープガスを形成する場合、ドープ材に例えば
CCl2F2などのフロン系ガスが用いられる。しか
し、Ｃ−Ｆの結合が強く分解反応が十分進行せ
ず、ふつ素系の高ドープ化が難しい。
本発明は上記の状況に鑑みなされたものであ
り、高ドープのふつ素ガラスの形成が可能な光フ
アイバ母材の製造方法を提供することを目的とし
たものである。
り、高ドープのふつ素ガラスの形成が可能な光フ
アイバ母材の製造方法を提供することを目的とし
たものである。
［発明の概要］
本発明の光フアイバ母材の製造方法は、高周波
プラズマトーチによりプラズマ炎を発生させ該プ
ラズマ炎にガラス形成用の原料を反応ガス導入管
を介し供給し、加熱反応によりチヤンバ内のガラ
ス旋盤に支持されたターゲツト棒外周面に直接ふ
つ素ドープのガラスの合成を行なう場合に、上記
原料を複数の上記反応ガス導入管を介し供給する
と共に、該反応ガス導入管を上記高周波プラズマ
トーチに対し直列状に配置し、該高周波プラズマ
トーチに近接する位置に配設された上記反応ガス
導入管からフロン系ガスを供給し、かつ、該フロ
ン系ガス供給の反応ガス導入管に隣接する位置に
配置された上記反応ガス導入管から四塩化硅素を
供給する方法であり、即ち、高周波プラズマトー
チに近接する位置に配設された反応ガス導入管か
らフロン系ガスを供給しＦの分解を容易にし高ド
ープのふつ素ガラスを形成する方法である。
プラズマトーチによりプラズマ炎を発生させ該プ
ラズマ炎にガラス形成用の原料を反応ガス導入管
を介し供給し、加熱反応によりチヤンバ内のガラ
ス旋盤に支持されたターゲツト棒外周面に直接ふ
つ素ドープのガラスの合成を行なう場合に、上記
原料を複数の上記反応ガス導入管を介し供給する
と共に、該反応ガス導入管を上記高周波プラズマ
トーチに対し直列状に配置し、該高周波プラズマ
トーチに近接する位置に配設された上記反応ガス
導入管からフロン系ガスを供給し、かつ、該フロ
ン系ガス供給の反応ガス導入管に隣接する位置に
配置された上記反応ガス導入管から四塩化硅素を
供給する方法であり、即ち、高周波プラズマトー
チに近接する位置に配設された反応ガス導入管か
らフロン系ガスを供給しＦの分解を容易にし高ド
ープのふつ素ガラスを形成する方法である。
［実施例］
以下本発明の光フアイバ母材の製造方法を実施
例を用い図面により説明する。図は実施装置の断
面図である。図において、１は高周波プラズマト
ーチ、２は屈折率を支配するドーパント材を供給
する反応ガス導入管、２ＡはSiCl4を供給する反
応ガス導入管である。反応ガス導入管２，２Ａは
高周波プラズマトーチに対し縦方向に直列状に順
次配設され、高周波プラズマトーチ１に最も近接
する位置に反応ガス導入管２が配置され、反応ガ
ス導入管２に隣接し反応ガス導入管２Ａが配置さ
れている。３はN2のガスが供給されるガスシー
ルキヤツプ、４はチヤンバである。５はガラス旋
盤で、ターゲツト棒６の回転駆動及びヘツドを上
下移動駆動するモータ１８をそれぞれ有する移動
ヘツド１７によりターゲツト棒６の両端を支承し
ている。ガラス旋盤５はヘツド９上を軸方向に駆
動装置（図示せず）により駆動されるようになつ
ている。８はヘツド９上に取り付けられたストツ
パーである。１０はバツフアタンク、１１は排気
管、１２は熱交換器、１３はスクラバー、１４は
排気フアン、１５はバルブ、１６はガス圧力計で
ある。
例を用い図面により説明する。図は実施装置の断
面図である。図において、１は高周波プラズマト
ーチ、２は屈折率を支配するドーパント材を供給
する反応ガス導入管、２ＡはSiCl4を供給する反
応ガス導入管である。反応ガス導入管２，２Ａは
高周波プラズマトーチに対し縦方向に直列状に順
次配設され、高周波プラズマトーチ１に最も近接
する位置に反応ガス導入管２が配置され、反応ガ
ス導入管２に隣接し反応ガス導入管２Ａが配置さ
れている。３はN2のガスが供給されるガスシー
ルキヤツプ、４はチヤンバである。５はガラス旋
盤で、ターゲツト棒６の回転駆動及びヘツドを上
下移動駆動するモータ１８をそれぞれ有する移動
ヘツド１７によりターゲツト棒６の両端を支承し
ている。ガラス旋盤５はヘツド９上を軸方向に駆
動装置（図示せず）により駆動されるようになつ
ている。８はヘツド９上に取り付けられたストツ
パーである。１０はバツフアタンク、１１は排気
管、１２は熱交換器、１３はスクラバー、１４は
排気フアン、１５はバルブ、１６はガス圧力計で
ある。
そして、ガラス膜７の精製に当つては、高周波
プラズマトーチ１に、矢印の如く酸素を送り込ん
で酸素プラズマ炎を発生させる。また、反応ガス
導入管２，２Ａから反応ガスをプラズマ炎の下方
の反応チヤンバ４内に送り込み反応させ、10mmφ
の石英ガラス棒のターゲツト棒６に、Ｆドープ
SiO2系ガラス膜７を堆積させる。ターゲツト棒
６はガラス旋盤５によつて一定の回転数に回転駆
動されるようになつており、ガラス旋盤５はヘツ
ド９上を矢印の軸方向に駆動されてターゲツト棒
６の外周及び長手方向にガラス膜７を形成するよ
うになつている。そして、未反応ガス及び排気ガ
スは、反応チヤンバ４、排気管１１、バツフアタ
ンク１０、熱交換器１２及びスクラバー１３を通
り排気され、内圧はプラズマ炎を安定させるため
に重要である。
プラズマトーチ１に、矢印の如く酸素を送り込ん
で酸素プラズマ炎を発生させる。また、反応ガス
導入管２，２Ａから反応ガスをプラズマ炎の下方
の反応チヤンバ４内に送り込み反応させ、10mmφ
の石英ガラス棒のターゲツト棒６に、Ｆドープ
SiO2系ガラス膜７を堆積させる。ターゲツト棒
６はガラス旋盤５によつて一定の回転数に回転駆
動されるようになつており、ガラス旋盤５はヘツ
ド９上を矢印の軸方向に駆動されてターゲツト棒
６の外周及び長手方向にガラス膜７を形成するよ
うになつている。そして、未反応ガス及び排気ガ
スは、反応チヤンバ４、排気管１１、バツフアタ
ンク１０、熱交換器１２及びスクラバー１３を通
り排気され、内圧はプラズマ炎を安定させるため
に重要である。
上記の場合に、反応ガス導入管２からCCl2F2
を300c.c.／min、反応ガス導入管２Ａから酸素ガ
スをキヤリヤにしたSiCl42000mg／minをそれぞ
れ供給した。そして、CCl2F2ガスをプラズマ炎
の高温部に供給することで、熱酸化反応が十分に
進みCO2，Cl，Ｆに分解する。即ち、Ｃ−Ｆは
105Kcal／molの結合エネルギーであるが、プラ
ズマ炎の高温により容易に熱分解される。SiCl4
は1000℃付近でほぼ完全に酸化反応し、SiO2と
Ｆとが反応し、Ｆドープガラスが形成される。こ
の結果、従来に比べ、Ｆドープ量、即ち、Δnを
0.2％向上する高ドープのふつ素ガラスの形成が
可能である。
を300c.c.／min、反応ガス導入管２Ａから酸素ガ
スをキヤリヤにしたSiCl42000mg／minをそれぞ
れ供給した。そして、CCl2F2ガスをプラズマ炎
の高温部に供給することで、熱酸化反応が十分に
進みCO2，Cl，Ｆに分解する。即ち、Ｃ−Ｆは
105Kcal／molの結合エネルギーであるが、プラ
ズマ炎の高温により容易に熱分解される。SiCl4
は1000℃付近でほぼ完全に酸化反応し、SiO2と
Ｆとが反応し、Ｆドープガラスが形成される。こ
の結果、従来に比べ、Ｆドープ量、即ち、Δnを
0.2％向上する高ドープのふつ素ガラスの形成が
可能である。
このように本実施例の光フアイバ母材の製造方
法は、複数の反応ガス導入管を用い、高温プラズ
マジエツトに近接する位置の反応ガス導入管から
フロン系ガスを供給することによりプラズマ炎の
高温によりＦが分解し、隣接配置された反応ガス
導入管から供給されたSiCl4から形成されるSiO2
と反応し高いＦドープのガラスを形成できる。そ
して、フロン系ガス以外のドーパント材を、高周
波プラズマジエツト近接側の反応ガス導入管より
供給しても良好なガラス膜を形成できる。
法は、複数の反応ガス導入管を用い、高温プラズ
マジエツトに近接する位置の反応ガス導入管から
フロン系ガスを供給することによりプラズマ炎の
高温によりＦが分解し、隣接配置された反応ガス
導入管から供給されたSiCl4から形成されるSiO2
と反応し高いＦドープのガラスを形成できる。そ
して、フロン系ガス以外のドーパント材を、高周
波プラズマジエツト近接側の反応ガス導入管より
供給しても良好なガラス膜を形成できる。
また、上記実施例では、ターゲツト棒が水平に
配置された場合について述べたが、鉛直線方向に
取り付けた場合も作用効果を有する。
配置された場合について述べたが、鉛直線方向に
取り付けた場合も作用効果を有する。
［発明の効果］
以上記述した如く本発明の光フアイバ母材の製
造方法によれば、高ドープのふつ素ガラスを形成
できる効果を有するものである。
造方法によれば、高ドープのふつ素ガラスを形成
できる効果を有するものである。
図は本発明の光フアイバ母材の製造方法を実施
装置の縦断面図である。 １……高周波プラズマトーチ、２，２Ａ……反
応ガス導入管、４……チヤンバ、５……ガラス旋
盤、６……ターゲツト棒、７……ガラス膜。
装置の縦断面図である。 １……高周波プラズマトーチ、２，２Ａ……反
応ガス導入管、４……チヤンバ、５……ガラス旋
盤、６……ターゲツト棒、７……ガラス膜。
Claims (1)
- １ 高周波プラズマトーチによりプラズマ炎を発
生させ該プラズマ炎にガラス形成用の原料を反応
ガス導入管を介し供給し、加熱反応によりチヤン
バ内のガラス旋盤に支持されたターゲツト棒外周
面に直接ふつ素ドープガラスの合成を行なう方法
において、上記原料を複数の上記反応ガス導入管
を介し供給すると共に、該反応ガス導入管を上記
高周波プラズマトーチに対し直列状に配置し、該
高周波プラズマトーチに近接する位置に配設され
た上記反応ガス導入管からフロン系ガスを供給
し、かつ、該フロン系ガス供給の反応ガス導入管
に隣接する位置に配置された上記反応ガス導入管
から四塩化硅素を供給することを特徴とする光フ
アイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13772484A JPH0247415B2 (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | Hikarifuaibabozainoseizohoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13772484A JPH0247415B2 (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | Hikarifuaibabozainoseizohoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6117434A JPS6117434A (ja) | 1986-01-25 |
| JPH0247415B2 true JPH0247415B2 (ja) | 1990-10-19 |
Family
ID=15205344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13772484A Expired - Lifetime JPH0247415B2 (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | Hikarifuaibabozainoseizohoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247415B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1314608C (zh) * | 2005-06-10 | 2007-05-09 | 中国建筑材料科学研究院 | 高频等离子气相合成石英玻璃的方法 |
-
1984
- 1984-07-03 JP JP13772484A patent/JPH0247415B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1314608C (zh) * | 2005-06-10 | 2007-05-09 | 中国建筑材料科学研究院 | 高频等离子气相合成石英玻璃的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6117434A (ja) | 1986-01-25 |
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