JPH03242342A - 光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法Info
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- JPH03242342A JPH03242342A JP3768990A JP3768990A JPH03242342A JP H03242342 A JPH03242342 A JP H03242342A JP 3768990 A JP3768990 A JP 3768990A JP 3768990 A JP3768990 A JP 3768990A JP H03242342 A JPH03242342 A JP H03242342A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01853—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
r産業上の利用分野J
本発明はMCVD法による光ファイバ母材の製造方法に
関する。
関する。
r従来の技術J
光ファイバ母材を製造する手段の一つに、MCVD法が
ある。
ある。
MCVD法を介して光ファイバ母材をつくるとき、石英
系のガラス管内に気相のガラス原料を供給し、ガラス原
料の熱酸化反応により生成したガラス微粒子をガラス管
の内周面に堆積させ、これと同時に、ガラス微粒子を透
明ガラス化する。
系のガラス管内に気相のガラス原料を供給し、ガラス原
料の熱酸化反応により生成したガラス微粒子をガラス管
の内周面に堆積させ、これと同時に、ガラス微粒子を透
明ガラス化する。
このようにしてガラス管内にクラッド用ガラス層、コア
用ガラス層を順次形成した後は、これらのガラス層を有
するガラス管をコラプスし、中実なガラス棒(光ファイ
バ母材)を得る。
用ガラス層を順次形成した後は、これらのガラス層を有
するガラス管をコラプスし、中実なガラス棒(光ファイ
バ母材)を得る。
MCVD法に用いられる気相のガラス原料は、主原料が
5iC1aであり、これに屈折率、軟化温度を設定する
ためのドープ原料が混合される。
5iC1aであり、これに屈折率、軟化温度を設定する
ためのドープ原料が混合される。
ドープ原料としては、ハロゲン化金属が多用されており
、たとえば、コア用ガラスの場合は、主原料SiC]a
に、GeCIa 、POCl3などのドープ原料が混合
される。
、たとえば、コア用ガラスの場合は、主原料SiC]a
に、GeCIa 、POCl3などのドープ原料が混合
される。
なお、これら主原料、ドープ原料は、キャリアガス02
でバブリングすることにより気化される。
でバブリングすることにより気化される。
上記において、気相のガラス原料をガラス管内で熱酸化
反応させたとき、副生物として塩素が発生し、これがO
H基と反応してHCIに変化する、いわゆる、ガラスの
脱水作用が起こるので、OH基含有量の少ない光ファイ
バ母材、ひいては、伝送特性の良好な光ファイバが得ら
れる。
反応させたとき、副生物として塩素が発生し、これがO
H基と反応してHCIに変化する、いわゆる、ガラスの
脱水作用が起こるので、OH基含有量の少ない光ファイ
バ母材、ひいては、伝送特性の良好な光ファイバが得ら
れる。
r発明が解決しようとする課題」
上述したMCVD法において、気相のガラス原料中に含
まれる水素化合物とか、大気の混入によりOH基が不可
避的に生成された場合、光ファイバ段階での伝送特性が
OH基の吸収ピークにより悪化する。
まれる水素化合物とか、大気の混入によりOH基が不可
避的に生成された場合、光ファイバ段階での伝送特性が
OH基の吸収ピークにより悪化する。
しかも、既述の脱水作用により生じたHClが、熱酸化
反応に不可欠な酸素の存在下において再びH2Oにもど
り、これがガラス中にOH基として取りこまれるので、
塩素による脱水効果が不十分なものになってしまう。
反応に不可欠な酸素の存在下において再びH2Oにもど
り、これがガラス中にOH基として取りこまれるので、
塩素による脱水効果が不十分なものになってしまう。
本発明はこのような技術的課題に鑑み、MCVD法を介
して光ファイバ母材をつくるとき、ガラスの脱水が十分
に行なえ、伝送特性のよい光ファイバが得られる光ファ
イバ母材の製造方法を提供しようとするものである。
して光ファイバ母材をつくるとき、ガラスの脱水が十分
に行なえ、伝送特性のよい光ファイバが得られる光ファ
イバ母材の製造方法を提供しようとするものである。
1課題を解決するための手段」
本発明は所期の目的を達成するため、ガラス微粒子をガ
ラス管の内周面に堆積させて透明ガラス化することによ
り、ガラス管の内部に相対的に低屈折率のガラス層、高
屈折率のガラス層を順次形成する光ファイバ母材の製造
方法において、ガラス管の内部に上記高屈折率ガラス層
を形成するとき、上記低屈折率ガラス層の内側にガラス
微粒子を層状に堆積し、その後、該ガラス微粒子層を脱
水ならびに透明ガラス化することを特徴とする。
ラス管の内周面に堆積させて透明ガラス化することによ
り、ガラス管の内部に相対的に低屈折率のガラス層、高
屈折率のガラス層を順次形成する光ファイバ母材の製造
方法において、ガラス管の内部に上記高屈折率ガラス層
を形成するとき、上記低屈折率ガラス層の内側にガラス
微粒子を層状に堆積し、その後、該ガラス微粒子層を脱
水ならびに透明ガラス化することを特徴とする。
「作用j
本発明方法の場合、MCVD法を介してガラス管の内部
に低屈折率のガラス層(クラッド用)、高屈折率のガラ
ス層(コア用)を順次形成する。
に低屈折率のガラス層(クラッド用)、高屈折率のガラ
ス層(コア用)を順次形成する。
上記において、クラッド用ガラス層を形成するとき、通
常の手段と同様、ガラス微粒子を堆積すると同時にこれ
を透明ガラス化してよいが、コア用ガラス層を形成する
ときは、酸素を不可欠とするガラス微粒子の堆積工程と
、酸素を要しないガラス微粒子層の脱水、透明ガラス化
工程とを別々に行なう。
常の手段と同様、ガラス微粒子を堆積すると同時にこれ
を透明ガラス化してよいが、コア用ガラス層を形成する
ときは、酸素を不可欠とするガラス微粒子の堆積工程と
、酸素を要しないガラス微粒子層の脱水、透明ガラス化
工程とを別々に行なう。
こうしてコア用ガラス層を形成するとき、ガラス微粒子
層の脱水、透明ガラス化工程を、酸素の存在しない脱水
雰囲気、透明ガラス化雰囲気で行なうことができる。
層の脱水、透明ガラス化工程を、酸素の存在しない脱水
雰囲気、透明ガラス化雰囲気で行なうことができる。
したがって、脱水時に生じた)1G+がH2Oにもどる
とか、コア用ガラス層にOH基が取りこまれることがな
く、十分に脱水された品質のよい光ファイバ母材が得ら
れる。
とか、コア用ガラス層にOH基が取りこまれることがな
く、十分に脱水された品質のよい光ファイバ母材が得ら
れる。
「実 施 例1
本発明に係る光ファイバ母材の製造方法の実施例につき
、図面を参照して説明する。
、図面を参照して説明する。
第1図において、11はガス供給系を示し、41はガラ
ス合成装置を示す。
ス合成装置を示す。
ガス供給系11において、主ガス管12の基端側には分
岐ガス管13.14.15.16.17.18が設けら
れているとともに、主ガス管12の先端側には分岐ガス
管18.20が設けられており、主ガス管12の基端側
における一部の分岐ガス管13.14.15には、流量
調整器(マスフローコントローラ)21カ取IJつけら
れ、主ガス管12の先端側における一方の分岐ガス管2
0には、/ヘイバス弁22が取りつけられている。
岐ガス管13.14.15.16.17.18が設けら
れているとともに、主ガス管12の先端側には分岐ガス
管18.20が設けられており、主ガス管12の基端側
における一部の分岐ガス管13.14.15には、流量
調整器(マスフローコントローラ)21カ取IJつけら
れ、主ガス管12の先端側における一方の分岐ガス管2
0には、/ヘイバス弁22が取りつけられている。
一方の各分岐ガス管13.14.15には、これらの端
末にガスポンベ23.24.25がそれぞれ接続されて
おり、他方の各分岐ガス管16.17.18には、これ
らの端末に恒温型のバブリング槽26.27.28がそ
れぞれ接続されている。
末にガスポンベ23.24.25がそれぞれ接続されて
おり、他方の各分岐ガス管16.17.18には、これ
らの端末に恒温型のバブリング槽26.27.28がそ
れぞれ接続されている。
ガス供給系11において、ガス供給管29には、複数の
分岐ガス管30.31.32が設けられて、これら分岐
ガス管30.31.32に前記と同じ流量調整器21が
取りつけられている。
分岐ガス管30.31.32が設けられて、これら分岐
ガス管30.31.32に前記と同じ流量調整器21が
取りつけられている。
ガス供給管29の各分岐ガス管30.31.32は、こ
れらの先端側がバブリング槽28.27.28内にそれ
ぞれ挿入されており、ガス供給管29の基端側にはガス
ポンベ33が接続されている。
れらの先端側がバブリング槽28.27.28内にそれ
ぞれ挿入されており、ガス供給管29の基端側にはガス
ポンベ33が接続されている。
ガラス合成装置41において、ガラス旋盤42は一対の
チャック43.44を有し、一方のチャック43側には
回転継手45が備えられ、他方のチャック44側にはダ
ストボックス46が設けられている。
チャック43.44を有し、一方のチャック43側には
回転継手45が備えられ、他方のチャック44側にはダ
ストボックス46が設けられている。
ガラス合成装置41において、加熱器47は酸水素炎ノ
ヘーナからなる。
ヘーナからなる。
この加熱器47は、周知のトラバーサ48を介してガラ
ス族gj42に組みつけられ、ガラス旋盤42の長さ方
向に往復動自在となっている。
ス族gj42に組みつけられ、ガラス旋盤42の長さ方
向に往復動自在となっている。
前述した主ガス管12における分岐ガス管19.20の
うち、その一方の分岐ガス管19は、後述のごとく、ガ
ラス族gi42にセットされたガラス管の一端に回転継
手45を介して接続される。
うち、その一方の分岐ガス管19は、後述のごとく、ガ
ラス族gi42にセットされたガラス管の一端に回転継
手45を介して接続される。
主ガス管12における他方の分岐ガス管20と、ガラス
旋盤42のダストボックス46とは1図示しないガス洗
浄機(スクラバ)に接続される。
旋盤42のダストボックス46とは1図示しないガス洗
浄機(スクラバ)に接続される。
第1図のガス供給系11とガラス合成装置41とを介し
て、光ファイバ母材をつくるとき、以下のようになる。
て、光ファイバ母材をつくるとき、以下のようになる。
事前準備として、ガラス旋盤42のチャック43.44
を介して石英系のガラス管lを両端保持し、ガラス管1
の一端に回転継手45を介して分岐ガス管18を接続し
ておく。
を介して石英系のガラス管lを両端保持し、ガラス管1
の一端に回転継手45を介して分岐ガス管18を接続し
ておく。
ガス供給系11においては、ガスポンベ33からのO2
を流量調整器21により調整しつつガス供給管29の各
分岐ガス管30.32から7へブリング槽26.28内
に吹きこみ、一方のバブリング槽26内で蒸発させた主
原料5iC1n 、他方のバブリング槽28内で蒸発さ
せたドープ原料POfll:h を各分岐ガス管16.
18から主ガス管12、さらに、主ガス管12から分岐
ガス管19、分岐ガス管19からガラス管l内へと順次
給送する。
を流量調整器21により調整しつつガス供給管29の各
分岐ガス管30.32から7へブリング槽26.28内
に吹きこみ、一方のバブリング槽26内で蒸発させた主
原料5iC1n 、他方のバブリング槽28内で蒸発さ
せたドープ原料POfll:h を各分岐ガス管16.
18から主ガス管12、さらに、主ガス管12から分岐
ガス管19、分岐ガス管19からガラス管l内へと順次
給送する。
これと同時、ガスポンベ23からのHe、ガスポンベ2
5からのSF6を流量調整器21により調整しつつ各分
岐ガス管13.15から主ガス管12、分岐ガス管19
を経由してガラス管l内へ給送する。
5からのSF6を流量調整器21により調整しつつ各分
岐ガス管13.15から主ガス管12、分岐ガス管19
を経由してガラス管l内へ給送する。
ガラス合成装置41においては、ガラス族g142を介
してガラス管1を回転させ、着火状態にある加熱器47
を、第1図のP1→P2方向、P2→P1方向へと往復
動させ、かつ、往動時(P1→P2)には加熱器47の
火力を強くし、復動時(P2→P+)には加熱器47の
火力を弱くする。
してガラス管1を回転させ、着火状態にある加熱器47
を、第1図のP1→P2方向、P2→P1方向へと往復
動させ、かつ、往動時(P1→P2)には加熱器47の
火力を強くし、復動時(P2→P+)には加熱器47の
火力を弱くする。
加熱器47が往動するときのガラス管1内では、加熱器
47の直後付近で生じる主原料、ドープ原料の熱酸化反
応によりガラス微粒子が生成され、これらガラス微粒子
が管内気流で加熱器47の前側へ吹きとばされるが、こ
れを追うように加熱器47が移動してくるので、これら
ガラス微粒子が透明ガラス化されてガラス管1の内周面
に堆積される。
47の直後付近で生じる主原料、ドープ原料の熱酸化反
応によりガラス微粒子が生成され、これらガラス微粒子
が管内気流で加熱器47の前側へ吹きとばされるが、こ
れを追うように加熱器47が移動してくるので、これら
ガラス微粒子が透明ガラス化されてガラス管1の内周面
に堆積される。
かくて、ガラス管lの内周面には、第2図に示すごとく
、ガラス管1と同程度の屈折率を有するクラッド用の透
明なガラス層2が形成される。
、ガラス管1と同程度の屈折率を有するクラッド用の透
明なガラス層2が形成される。
こうしてガラス管1にガラス層2を形成した後は、第1
図の22点で加熱器47を一時停止させてこれの火力を
弱め、各ガスについては、前記POC!3、SF6の供
給を止め、Heの供給を続け、かつ、ガラス管1内への
前記5iC14の供給量を調整し、さらに、ガスポンベ
33からの02を、流量調整器21により調整しつつ、
ガス供給管29の分岐ガス管31からバブリング槽27
内に吹きこみ、当該バブリング槽27内で蒸発させたド
ープ原料GeC]4 を、分岐ガス管17から主ガス管
12、主ガス管12から分岐ガス管19、分岐ガス管1
9からガラス管1内へと順次給送し、ガラス管1内のS
iC+4濃度、GeCIm濃度が安定するのを待つ。
図の22点で加熱器47を一時停止させてこれの火力を
弱め、各ガスについては、前記POC!3、SF6の供
給を止め、Heの供給を続け、かつ、ガラス管1内への
前記5iC14の供給量を調整し、さらに、ガスポンベ
33からの02を、流量調整器21により調整しつつ、
ガス供給管29の分岐ガス管31からバブリング槽27
内に吹きこみ、当該バブリング槽27内で蒸発させたド
ープ原料GeC]4 を、分岐ガス管17から主ガス管
12、主ガス管12から分岐ガス管19、分岐ガス管1
9からガラス管1内へと順次給送し、ガラス管1内のS
iC+4濃度、GeCIm濃度が安定するのを待つ。
ガラス管1内における主原料5ills 、 ドープ
原料Gejinの濃度が安定した後、第1図の22点で
待機している加熱器47の火力を強めて、これを第1図
のP1方向へ復動させると、主原料、ドープ原料の熱酸
化反応により生成されたガラス微粒子の層がガラス層2
の内周面に堆積される。
原料Gejinの濃度が安定した後、第1図の22点で
待機している加熱器47の火力を強めて、これを第1図
のP1方向へ復動させると、主原料、ドープ原料の熱酸
化反応により生成されたガラス微粒子の層がガラス層2
の内周面に堆積される。
このガラス微粒子層が形成されたとき、加熱器47を第
1図の21点で一時停止させてこれの火力を弱め、前記
S iCIa 、 GeC1aの供給を止め、 Heの
供給量を調整し、かつ、ガスポンベ24からのCI2
を流量調整器21により調整しつつ、分岐ガス管14か
ら主ガス管12、主ガス管12から分岐ガス管19、分
岐ガス管19からガラス管1内へと順次給送する。
1図の21点で一時停止させてこれの火力を弱め、前記
S iCIa 、 GeC1aの供給を止め、 Heの
供給量を調整し、かつ、ガスポンベ24からのCI2
を流量調整器21により調整しつつ、分岐ガス管14か
ら主ガス管12、主ガス管12から分岐ガス管19、分
岐ガス管19からガラス管1内へと順次給送する。
ガラス管1内へのHe、 C12供給を開始した後、一
定時間の経過を待って再び加熱器47の火力を強め、か
つ、加熱器47を第1図のP1→P2方向へ往動させて
、ガラス微粒子層を脱水ならびに透明ガラス化する。
定時間の経過を待って再び加熱器47の火力を強め、か
つ、加熱器47を第1図のP1→P2方向へ往動させて
、ガラス微粒子層を脱水ならびに透明ガラス化する。
かくて、ガラス層2の内周面には、第2図に示すごとく
、ガラス管l、ガラス層2よりも高い屈折率を有するコ
ア用の透明なガラス層3が形成される。
、ガラス管l、ガラス層2よりも高い屈折率を有するコ
ア用の透明なガラス層3が形成される。
以下、第1図のPz側において、ガラス管lを加熱器4
7により強加熱してその一端を封じ、つぎのコラプス処
理では、バイパス弁22を開放した状態でガラス管1内
を正圧に保持しながら、ガラス管1とガラス層2,3と
を加熱器47で溶融し、このコラプス時の表面張力によ
りガラス管1を中実にしてガラス棒(光ファイバ母材)
を得る。
7により強加熱してその一端を封じ、つぎのコラプス処
理では、バイパス弁22を開放した状態でガラス管1内
を正圧に保持しながら、ガラス管1とガラス層2,3と
を加熱器47で溶融し、このコラプス時の表面張力によ
りガラス管1を中実にしてガラス棒(光ファイバ母材)
を得る。
なお、第3図に示すように、クラッド用ガラス層2と、
コア用ガラス層3との間には、ガラス層3を形成する手
段に準じてクラッド用のガラス層4を形成したり、また
は、ガラス層3.4を同時形成することもある。
コア用ガラス層3との間には、ガラス層3を形成する手
段に準じてクラッド用のガラス層4を形成したり、また
は、ガラス層3.4を同時形成することもある。
第3図に示す光ファバイ母材の屈折率は、−例として、
第4図のようになる。
第4図のようになる。
この場合、nlがコア用ガラス層3の屈折率、n2がク
ラッド用ガラス層4の屈折率、n3がクラッド用ガラス
層2の屈折率、n4がガラス管lの屈折率を示す。
ラッド用ガラス層4の屈折率、n3がクラッド用ガラス
層2の屈折率、n4がガラス管lの屈折率を示す。
つぎに、本発明方法の具体例とその比較例について説明
する。
する。
具体例1
これは、第2図に示す光ファイバ母材を第1図の手段で
作製する例である。
作製する例である。
ガラス管1としては、内径19mmφ、外径25mmφ
の石英管を用い、ガラス管lの内周面にクラッド用ガラ
ス層2を形成するとき、ガラス管1の回転数、各ガスの
供給量、加熱器47の条件を以下のように設定した。
の石英管を用い、ガラス管lの内周面にクラッド用ガラ
ス層2を形成するとき、ガラス管1の回転数、各ガスの
供給量、加熱器47の条件を以下のように設定した。
ガラス管:回転数50rp+m、。
5iGIa : 1500cc/winの02でバブリ
ング供給。
ング供給。
POCl2 : 150cc/mir+の02テパブリ
ング供給。
ング供給。
He : 2000cc/win。
SF6 : Icc/win 。
加熱器:往動130mm/win、復動2500mm/
win、ガラス管を1900℃に加熱。
win、ガラス管を1900℃に加熱。
ガラス層:堆積数15回。
クラッド用ガラス層2の内周面にコア用ガラス層3を形
成するとき、ガラス管1の回転数、各ガスの供給量、加
熱器47の条件を以下のように設定してガラス微粒子を
堆積させた。
成するとき、ガラス管1の回転数、各ガスの供給量、加
熱器47の条件を以下のように設定してガラス微粒子を
堆積させた。
ガラス管二回転数5Orpm
SiC1a : 300cc/sinのo2”c’バブ
リング供給。
リング供給。
GeC1a : 100cc/sinの02でバブリン
グ供給。
グ供給。
He : 2000cc/win。
待機時間二30秒(ガス濃度安定)。
加熱器:復動130m腸/sin 、ガラス管を190
0℃に加熱。
0℃に加熱。
ガラス微粒子を脱水、透明ガラス化するとき、ガラス管
1の回転数、各ガスの供給量、加熱器47の条件を以下
のように設定した。
1の回転数、各ガスの供給量、加熱器47の条件を以下
のように設定した。
ガラス管:回転数5Orpm 。
He : 1000cc/win。
CI2: 200cc/sin 。
加熱器:往動80履lI/層in、ガラス管を2000
℃に加熱。
℃に加熱。
以下は、既述の手段でガラス管端を封じ、ガラス管をコ
ラプスして、光ファイバ母材を得た。
ラプスして、光ファイバ母材を得た。
具体例2
これは第3図に示す光ファイバ母材を第1図の手段で作
製する例である。
製する例である。
ガラス管lとしては具体例1と同じものを使用し、ガラ
ス管1の内周面にクラッド用ガラス層2を形成するとき
、堆積数14回目までは、具体例1と同様に行ない、堆
積数15回目のときに、加熱器47を130膓■/si
nで復動させてクラッド用のガラス微粒子を堆積させ、
その後、ガラス管1内をHe:1000cc/sin
、 C1z:200cc/winの雰囲気に保持し、8
0m■/winで移動する加熱器47によりガラス管1
を2000℃に加熱して、ガラス微粒子を脱水、透明ガ
ラス化した。以下は具体例1と同じである。
ス管1の内周面にクラッド用ガラス層2を形成するとき
、堆積数14回目までは、具体例1と同様に行ない、堆
積数15回目のときに、加熱器47を130膓■/si
nで復動させてクラッド用のガラス微粒子を堆積させ、
その後、ガラス管1内をHe:1000cc/sin
、 C1z:200cc/winの雰囲気に保持し、8
0m■/winで移動する加熱器47によりガラス管1
を2000℃に加熱して、ガラス微粒子を脱水、透明ガ
ラス化した。以下は具体例1と同じである。
具体例3
これは第3図に示す光ファイバ母材を第1図の手段で作
製する例である。
製する例である。
ガラス管1としては具体例1.2と同じものを用い、ガ
ラス管1の内周面にクラッド用ガラス層2を形成すると
き、堆積数14回目までは、具体例1.2と同様に行な
い、堆積数15回目のときに、具体例2と同様にクラフ
ト用のガラス微粒子を堆積させ、これに引き続き、具体
例1と同様の手段でコア用のガラス微粒子を堆積させた
後、これらカラス微粒子層を具体例1と同様に、ただし
加熱器47の往動速度は50mm/winとして、脱水
、透明ガラス化した。以下は具体例1.2と同しである
。
ラス管1の内周面にクラッド用ガラス層2を形成すると
き、堆積数14回目までは、具体例1.2と同様に行な
い、堆積数15回目のときに、具体例2と同様にクラフ
ト用のガラス微粒子を堆積させ、これに引き続き、具体
例1と同様の手段でコア用のガラス微粒子を堆積させた
後、これらカラス微粒子層を具体例1と同様に、ただし
加熱器47の往動速度は50mm/winとして、脱水
、透明ガラス化した。以下は具体例1.2と同しである
。
比較例
各具体例と同じガラス管を用い、具体例1と同様にして
クラッド用ガラス層を形成した後、ガラ微粒子層の段階
を経ず、脱水処理することなしに具体例1と同様のコア
用ガラス層を形成し、以下は各具体例と同様にした。
クラッド用ガラス層を形成した後、ガラ微粒子層の段階
を経ず、脱水処理することなしに具体例1と同様のコア
用ガラス層を形成し、以下は各具体例と同様にした。
上述した具体例1〜3、比較例で得た光ファイ/へ母材
は、いずれも、コア部の外径が1.3a+mφ、合成り
ラッド部の外径が8mmφ、母材外径が18mmφであ
り、比屈折率差が0.3%である。
は、いずれも、コア部の外径が1.3a+mφ、合成り
ラッド部の外径が8mmφ、母材外径が18mmφであ
り、比屈折率差が0.3%である。
これらの光ファイバ母材を外径!25 #Lraφの光
ファイバに線引きし、その伝送特性を評価した。
ファイバに線引きし、その伝送特性を評価した。
各個の光ファイバとも、OH基の吸収ピークが波&1.
397zm付近に認められた。
397zm付近に認められた。
損失の増加について、比較例が0.5〜5dB/kmと
バラツキを生じたのに対し、具体例1〜3の場合は0.
2〜1dB/kmとかなり改善された。
バラツキを生じたのに対し、具体例1〜3の場合は0.
2〜1dB/kmとかなり改善された。
これは、比較例(従来例)において不可避的に混入した
水分、含水素不純物の除去が困難であること、および、
各具体例(本発明)において、酸素の存在しない塩素雰
囲気下でのガラス脱水(特にコア部分)が良好に行なわ
れたことをそれぞれ示している。
水分、含水素不純物の除去が困難であること、および、
各具体例(本発明)において、酸素の存在しない塩素雰
囲気下でのガラス脱水(特にコア部分)が良好に行なわ
れたことをそれぞれ示している。
なお、各具体例相互においては、具体例3、具体例2、
具体例1の順に効果が優れる。
具体例1の順に効果が優れる。
「発明の効果」
以上説明した通り、本発明に係る光ファイバ母材の製造
方法は、ガラス管の内部に相対的に低屈折率のガラス層
、高屈折率のガラス層を順次形成するMCVD法におい
て、高屈折率のガラス層を形成するときに、低屈折率ガ
ラス層の内側にガラス微粒子を層状に堆積し、その後、
該ガラス微粒子層を脱水ならびに透明ガラス化するから
、コア部分のガラス脱水が十分に行なえ、伝送特性のよ
い光ファイバの母材が得られる。
方法は、ガラス管の内部に相対的に低屈折率のガラス層
、高屈折率のガラス層を順次形成するMCVD法におい
て、高屈折率のガラス層を形成するときに、低屈折率ガ
ラス層の内側にガラス微粒子を層状に堆積し、その後、
該ガラス微粒子層を脱水ならびに透明ガラス化するから
、コア部分のガラス脱水が十分に行なえ、伝送特性のよ
い光ファイバの母材が得られる。
第1図は本発明方法の一実施例をこれに用いる装置とと
もに略示したは説明図、第2図、第3図は本発明方法に
よる光ファイバ母材の各個を示した断面図、第4図は本
発明方法による光ファイバ母材の屈折率分布を示した説
明図である。 1・・・・・・・・・・ガラス管 2・・・・・・・・・・クラッド用ガラス層3・・・・
・・・・・・コア用ガラス層4・・・・・・・・・・ク
ラッド用ガラス層11・・・・・・・・・・ガス供給系 12・・・・・・・・・・主ガス管 13〜20・・・・・・分岐ガス管 21・・・・・・・・・・流量調整器 22・・・・・・・・・リヘイパス弁 23〜25・・・・・・ガスボンベ 26〜28・・・・・・バブリング槽 28・・・・・・・・・・ガス供給管 30〜32・・・・・・分岐ガス管 33・・・・・・・・・・ガスポンベ 41・・・・・・・・・・ガラス合成装置42・・・・
・・・・・・ガラス旋盤 43.44・・・・・・チャック 45・・・・・・・・・・回転継手 46・・・・・・・・・・ダストボックス47・・・・
・・・・・・加熱器 48・・・・・・・・・・トラバーサ
もに略示したは説明図、第2図、第3図は本発明方法に
よる光ファイバ母材の各個を示した断面図、第4図は本
発明方法による光ファイバ母材の屈折率分布を示した説
明図である。 1・・・・・・・・・・ガラス管 2・・・・・・・・・・クラッド用ガラス層3・・・・
・・・・・・コア用ガラス層4・・・・・・・・・・ク
ラッド用ガラス層11・・・・・・・・・・ガス供給系 12・・・・・・・・・・主ガス管 13〜20・・・・・・分岐ガス管 21・・・・・・・・・・流量調整器 22・・・・・・・・・リヘイパス弁 23〜25・・・・・・ガスボンベ 26〜28・・・・・・バブリング槽 28・・・・・・・・・・ガス供給管 30〜32・・・・・・分岐ガス管 33・・・・・・・・・・ガスポンベ 41・・・・・・・・・・ガラス合成装置42・・・・
・・・・・・ガラス旋盤 43.44・・・・・・チャック 45・・・・・・・・・・回転継手 46・・・・・・・・・・ダストボックス47・・・・
・・・・・・加熱器 48・・・・・・・・・・トラバーサ
Claims (1)
- ガラス微粒子をガラス管の内周面に堆積させて透明ガラ
ス化することにより、ガラス管の内部に相対的に低屈折
率のガラス層、高屈折率のガラス層を順次形成する光フ
ァイバ母材の製造方法において、ガラス管の内部に上記
高屈折率ガラス層を形成するとき、上記低屈折率ガラス
層の内側にガラス微粒子を層状に堆積し、その後、該ガ
ラス微粒子層を脱水ならびに透明ガラス化することを特
徴とする光ファイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3768990A JPH03242342A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3768990A JPH03242342A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03242342A true JPH03242342A (ja) | 1991-10-29 |
Family
ID=12504539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3768990A Pending JPH03242342A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03242342A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004063104A1 (en) * | 2003-01-15 | 2004-07-29 | Ls Cable Ltd. | Modified chemical vapor deposition device for manufacturing optical fiber preform |
US6840063B2 (en) | 1998-12-10 | 2005-01-11 | Samsung Electroncis Co., Ltd | Optical fiber preform manufacturing method for shrinkage and closing of deposited tube |
JP2005154162A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラスパイプ加工方法及び装置、ガラスパイプ |
KR100582800B1 (ko) * | 2003-12-03 | 2006-05-23 | 엘에스전선 주식회사 | 저 수산기 함유 광섬유 모재 및 광섬유의 제조방법 및 장치 |
JP2012511416A (ja) * | 2008-12-12 | 2012-05-24 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | 小規模製造工場で製造される発熱性ケイ酸 |
-
1990
- 1990-02-19 JP JP3768990A patent/JPH03242342A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN100371276C (zh) * | 2003-01-15 | 2008-02-27 | Lg电线有限公司 | 用于制备光纤预型体的改进的化学气相沉积设备 |
JP2005154162A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラスパイプ加工方法及び装置、ガラスパイプ |
US7637125B2 (en) | 2003-11-20 | 2009-12-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Glass tube processing method, apparatus and glass tube |
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JP2012511416A (ja) * | 2008-12-12 | 2012-05-24 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | 小規模製造工場で製造される発熱性ケイ酸 |
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