JPS6138138B2 - - Google Patents
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- JPS6138138B2 JPS6138138B2 JP55006633A JP663380A JPS6138138B2 JP S6138138 B2 JPS6138138 B2 JP S6138138B2 JP 55006633 A JP55006633 A JP 55006633A JP 663380 A JP663380 A JP 663380A JP S6138138 B2 JPS6138138 B2 JP S6138138B2
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- gas
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Landscapes
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
本発明は光伝送用ガラスフアイバーをつくるた
めのガラス素材すなわちプリフオームの製造方法
に関する。 一般に、光伝送用ガラスフオームには、線材の
半径方向に所定の屈折率分布をもつこと、濃度や
組成のゆらぎが少なくOH基やFe、Cu等の遷移
金属類の不純物の濃度が小さく光透過性が良いこ
と等の特性が要求される。 従来、特開昭46―6428号、同48―5788号、同49
―10055号、同49―10056号の明細書中に開示され
ている如く、このようなプリフオームの材料とし
ては屈折率を高める金属酸化物をドープしたシリ
カ系ガラスが、また製造方法としてはＭ―CVD
法、Ｏ―CVD法、VAD法が良く知られている。
この金属酸化物をドープしたシリカ系ガラスは光
透過性は良いが、ドーパントの価格が高い。更
に、特開昭49―76538号及び同50―87339号の明細
書中に開示されている如く、酸化物以外のドーパ
ントとしてＦ又はＮをドープすることにより屈折
率を上げたり下げたりすることができるが、この
方法では所定量のＮをドープしたシリカガラスを
安定に製造できない。シリカガラスへのＮのドー
プ量に応じたこのガラスSiOxNyの屈折率変化に
ついての文献として例えばI.Electrochem.Sa.：
Solid―State Science and Technology，
jan.1978、pp.139〜145に記載された
“Physicochemical Properties of Chemical
Vapor―Deposited Silicon Oxynitride from ａ
SiH4―CO2―NH3―H2 System”by A.K.
Gaind and E.W.Hearnがある。また、このよう
なガラスSiOxNyの製造方法としては、Ｉ・
Electrochem.Sa.：Solid―State Science and
Technology，April 1977 pp.599〜606に記載さ
れた“Oxynitride Deposition Kinetics in ａ
SiH4―CO2―NH3―H2―System”by A.K.
Gaind，G.K.Ackermann，V.J.Lucarini and R.
L.Bratter中のChemical Vapor Deposition法を
示すことができる。しかしこの方法はSiウエーハ
ー上にSiOxNyを安定化膜とし析出させることで
あり、そこでは合成速度よりも膜の性質が大切に
されるので単位時間当りの合成速度は小さい。す
なわち、この安定化膜の製造のような場合には、
反応系に供給される原料の濃度は希薄であり温度
も比較的低い状態でヘテロジエニアスな反応を利
用して欠陥のない膜を作つてゆくことが一般に行
なわれている。一方、光伝送用ガラスフアイバー
においてはガラスそのものが主体でありかつ大量
に必要とされるので、前述の膜の合成速度よりも
数桁大きい合成速度でなければならない。 さらに光伝送用ガラスフアイバーに於いて
めのガラス素材すなわちプリフオームの製造方法
に関する。 一般に、光伝送用ガラスフオームには、線材の
半径方向に所定の屈折率分布をもつこと、濃度や
組成のゆらぎが少なくOH基やFe、Cu等の遷移
金属類の不純物の濃度が小さく光透過性が良いこ
と等の特性が要求される。 従来、特開昭46―6428号、同48―5788号、同49
―10055号、同49―10056号の明細書中に開示され
ている如く、このようなプリフオームの材料とし
ては屈折率を高める金属酸化物をドープしたシリ
カ系ガラスが、また製造方法としてはＭ―CVD
法、Ｏ―CVD法、VAD法が良く知られている。
この金属酸化物をドープしたシリカ系ガラスは光
透過性は良いが、ドーパントの価格が高い。更
に、特開昭49―76538号及び同50―87339号の明細
書中に開示されている如く、酸化物以外のドーパ
ントとしてＦ又はＮをドープすることにより屈折
率を上げたり下げたりすることができるが、この
方法では所定量のＮをドープしたシリカガラスを
安定に製造できない。シリカガラスへのＮのドー
プ量に応じたこのガラスSiOxNyの屈折率変化に
ついての文献として例えばI.Electrochem.Sa.：
Solid―State Science and Technology，
jan.1978、pp.139〜145に記載された
“Physicochemical Properties of Chemical
Vapor―Deposited Silicon Oxynitride from ａ
SiH4―CO2―NH3―H2 System”by A.K.
Gaind and E.W.Hearnがある。また、このよう
なガラスSiOxNyの製造方法としては、Ｉ・
Electrochem.Sa.：Solid―State Science and
Technology，April 1977 pp.599〜606に記載さ
れた“Oxynitride Deposition Kinetics in ａ
SiH4―CO2―NH3―H2―System”by A.K.
Gaind，G.K.Ackermann，V.J.Lucarini and R.
L.Bratter中のChemical Vapor Deposition法を
示すことができる。しかしこの方法はSiウエーハ
ー上にSiOxNyを安定化膜とし析出させることで
あり、そこでは合成速度よりも膜の性質が大切に
されるので単位時間当りの合成速度は小さい。す
なわち、この安定化膜の製造のような場合には、
反応系に供給される原料の濃度は希薄であり温度
も比較的低い状態でヘテロジエニアスな反応を利
用して欠陥のない膜を作つてゆくことが一般に行
なわれている。一方、光伝送用ガラスフアイバー
においてはガラスそのものが主体でありかつ大量
に必要とされるので、前述の膜の合成速度よりも
数桁大きい合成速度でなければならない。 さらに光伝送用ガラスフアイバーに於いて
【式】基が存在するとそれの振動による吸収損
失を生じ特に長波長光領域での伝送損失を生じる
ので
ので
【式】基は出来る限り減少せしめねばなら
ないのに対し、前述の合成方法はNH3を原料とし
て水素を含んでいる為に
て水素を含んでいる為に
【式】の残留は避ける
ことが出来ない。
本発明の目的は、屈折率を高めるドーパントと
してＮをドープしたシリカあるいは他の酸化物を
もドープしたドープトシリカの製造及び必要によ
りノンドープリシカ又はＦをドープしたシリカの
製造を行うことにより、光伝送損失を小さくかつ
半径方向に放物線状の屈折率分布をつけ光信号歪
を小さくしまた実用上問題となる強度を強くした
光伝送用ガラスフアイバーを作るためのガラスプ
リフオームの製造方法を提供することである。 本発明は従来のCVD法における合成速度より
数桁大きな合成速度でもつてＮをドープしたガラ
スSiOxNyを作ることを、シリコン化合物の供給
原料の濃度を高くしかつ反応温度も高くしてホモ
ジエニアスな反応を生ぜしめ、その結果生じる
SiOxNyの微粉末を直接透明ガラス状に合成積層
すること或は粉末状のSiOxNyを焼結した透明ガ
ラス化することによつて可能ならしめるものであ
る。後に後者の場合にはこのSiOxNyのガラス微
粉末の表面においてＮのドープ量を小さくし
SiO2に近い組成にすることによつて焼結時に気
泡が残留しないよう考慮して透明ガラス体を作る
ことである。 本発明は化学的結合力の弱いSi―Ｎを結合力の
強いSi―Ｏよりも前に先ぜしめるようにガスの流
れを考慮してこのSiOxNyの合成可能ならしめる
ものである。 本発明は高屈折率部分用ガラスの原料ガスとし
てSiCl2及びNCl3，NOCl，NO2Cl，ClN3の如きガ
ス即ち酸素ガスと反応してSiO2になるガス及び
発生機の窒素を出すガスを用い、酸化用ガスとし
てNOxCO2、O2の如き高温で酸化作用を持つガ
スを用いることにより
してＮをドープしたシリカあるいは他の酸化物を
もドープしたドープトシリカの製造及び必要によ
りノンドープリシカ又はＦをドープしたシリカの
製造を行うことにより、光伝送損失を小さくかつ
半径方向に放物線状の屈折率分布をつけ光信号歪
を小さくしまた実用上問題となる強度を強くした
光伝送用ガラスフアイバーを作るためのガラスプ
リフオームの製造方法を提供することである。 本発明は従来のCVD法における合成速度より
数桁大きな合成速度でもつてＮをドープしたガラ
スSiOxNyを作ることを、シリコン化合物の供給
原料の濃度を高くしかつ反応温度も高くしてホモ
ジエニアスな反応を生ぜしめ、その結果生じる
SiOxNyの微粉末を直接透明ガラス状に合成積層
すること或は粉末状のSiOxNyを焼結した透明ガ
ラス化することによつて可能ならしめるものであ
る。後に後者の場合にはこのSiOxNyのガラス微
粉末の表面においてＮのドープ量を小さくし
SiO2に近い組成にすることによつて焼結時に気
泡が残留しないよう考慮して透明ガラス体を作る
ことである。 本発明は化学的結合力の弱いSi―Ｎを結合力の
強いSi―Ｏよりも前に先ぜしめるようにガスの流
れを考慮してこのSiOxNyの合成可能ならしめる
ものである。 本発明は高屈折率部分用ガラスの原料ガスとし
てSiCl2及びNCl3，NOCl，NO2Cl，ClN3の如きガ
ス即ち酸素ガスと反応してSiO2になるガス及び
発生機の窒素を出すガスを用い、酸化用ガスとし
てNOxCO2、O2の如き高温で酸化作用を持つガ
スを用いることにより
【式】基の殆んど残留し
ないSiOxNyガラスを作ることである。必要な場
合には、発生機の窒素用ガスとしてN2F2、NF3の
ガスを用いてもよい。そして低屈折率部分用ガラ
スの原料ガスとしてはSiCl4或はSiF4とSiCl4、
SiCl4とCOF2、CF4、SF6CCl2F2の如き酸素ガス
と反応してSiO2になるガス或はＦをドープした
SiO2ガラスとなるガスを用い、酸化用ガスとし
てNO2、CO2、O2の如き高温で酸化作用を持つガ
スを用いることにより
合には、発生機の窒素用ガスとしてN2F2、NF3の
ガスを用いてもよい。そして低屈折率部分用ガラ
スの原料ガスとしてはSiCl4或はSiF4とSiCl4、
SiCl4とCOF2、CF4、SF6CCl2F2の如き酸素ガス
と反応してSiO2になるガス或はＦをドープした
SiO2ガラスとなるガスを用い、酸化用ガスとし
てNO2、CO2、O2の如き高温で酸化作用を持つガ
スを用いることにより
【式】基の殆んど残留し
ないSiO2ガラス又はＦドープSiO2ガラスを作る
ことである。 必要な場合には発生機のＦガス用として
N2F2、NF3のガスを用いてもよい。 本発明では加熱源として水素を含まないエネル
ギー源による例えばCO2レーザー、無水プラズマ
炎、（CN）2、CS2、CCl4等を酸化させる時の火炎
等による。或は石英管の壁等を通じての間接加熱
による高温化をすることによつて水素を含有させ
ないことによつて
ことである。 必要な場合には発生機のＦガス用として
N2F2、NF3のガスを用いてもよい。 本発明では加熱源として水素を含まないエネル
ギー源による例えばCO2レーザー、無水プラズマ
炎、（CN）2、CS2、CCl4等を酸化させる時の火炎
等による。或は石英管の壁等を通じての間接加熱
による高温化をすることによつて水素を含有させ
ないことによつて
【式】の殆んど無いガスを作
ることである。
第１表にはＮ供給用原料ガスの例を性質ととも
に示す。
に示す。
【表】
本発明はこのSiOxNyのｘとｙの値をSi供給用
ガス（SiCl4）、Ｎ供給用ガス（NCl3、NOCl、
NO2Cl、ClN3N2F2、NF3等）及びＯ供給用ガス
（O2、CO2、NO2等）の比率を制御することによ
り特にＮ供給用ガスとＯ供給用ガスとの比率を変
えることによりＮとＯのドープ量を変えて制御す
るものである。 本発明はこれらガスの混合を火炎又は反応系の
内部のみで生じせしめたい時には、石英ガラス等
のかく壁を用い、さらに原料ガス等を希しやくし
て供給することにより上記反応を可能ならしめる
ものである。原料ガスによつてこのようなかく壁
即ちノズルは不要となることも勿論ある。 以下に本発明について図面を参照して詳細に説
明する。けれども本発明はこれらの図面に示され
た実施例に限定されるものではない。 まず従来の方法を説明すると次のようになる。 SiH4、SiHCl3、SiCl4、SiF4等のガス状シリコ
ン化合物（水素化物、有機化合物、ハロゲン化
物）と、CO2、NOx、O2等の酸素を含むガス
と、NH2の如き発生期の窒素を出すガスとの混合
ガスは高温で加熱すると次のように反応して
SiOxNyができる。 SiH4＋xCO2＋yNH3→ SiOxNy＋xCO＋（２＋３／２ｙ）H2 ……(1) SiCl4＋xCO2＋yNH3→ SiOxNy＋xCO＋AHCl＋（３／２ｙ−２）H2……(2) 一般に、これらのSiOxNy（SiO2〜SiN４／３）は減 圧下でRFプラズマを用いたり（より低温で）、
CVD法によつて前述の如く半導体の保護膜を作
るのに利用されている。合成速度のより大きな
CVD法の場合に前述(1)式の反応について一例を
みるとH2：110／min、NH2＋CO2：〜2.3／
min、SiH4（５％inH2）：〜10cm3／min、〜〜200
cm3／min、（900〜1000℃）のように原料は希薄で
温度も800〜1200℃と低い。前述(2)式の反応につ
いても一例をみるとSi3N4の合成ではあるが
SiCl4、NH3を用いて1000〜1500℃という温度で
行なわれている。このような従来の方法ではガラ
スプリフオームとしての要求に適する大量を合成
することは容易でない。 本発明はこのようなとは異なる反応で、反応を
大量に生じせしめるためにガス状シリコン化合物
等の原料の供給量を増し反応温度も高くして
SiOxNyを作るのである。 第１図は本発明の光伝送用ガラスプリフオーム
の製造方法の一つを説明する為の図である。出発
部材としての薄肉石英管１１（必要によつては補
強のためにこの中にカーボン棒を入れておいても
よい）を図のように回転及び往復移動させ、高周
波プラズマトーチ１２で高温不活性ガス例えば
ArまN2のプラズマ炎を作り高温ガス１２′を薄肉
石英管１１に吹きつける。この間に後述のノズル
１３から原料ガスとして、シリコン化合物SiCl4
と、Ｎ供給用ガスと、酸素を含むガスとを送り込
み、この混合したガスは前記高温ガスにより加熱
されてガラス微粉末SiOxNy13′となる。14は
SiOxNyを積層させたガラス体を示す。 第２図ａは本発明の光伝送用ガラスプリフオー
ムの製造方法において使用するノズルの出口形状
を例示する図である。本発明のような原料濃度を
濃くし温度を高くした状態、例えば、 SiCl4；〜100cm3／min ClN3＋CO2；〜1000cm3／min （但し不活性ガスで希釈する） 温度：1150〜1800℃ に於いては、特にハロゲン化窒素ガス類は爆発性
があるので、反応が生じる系に入る前の原料はそ
れぞれ分れている必要がある。 第２図ａに示すノズルでは２１，２２，２３で
示す出口から原料を別々に吹き出す構造となつて
いる。ここで、原料ガスの組合せ｛２１，２２，
２３｝としては｛ハロゲン化窒素＋（不活性ガ
ス）、ガス状シリコン化合物SiCl4＋（H2）＋（不活
性ガス）、酸素を含むガス｝又は｛ガス状シリコ
ン化合物SiCl4＋（不活性ガス）、ハロゲン化窒素
＋（不活性ガス）、酸素を含むガス｝の組合せが考
えられ、原料ガスの組合せ｛２１，２３（２２は
なし）｝として｛ハロゲン化窒素＋ガス状シリコ
ン化合物＋（不活性ガス）、酸素を含むガス｝の組
合せも取り得る。ここでも、酸素を含むガスは外
側にもつてきてSi−Ｎとの結合をある程度作つた
うえでSi―Ｏの結合を作ることが大切である。構
造が複雑になるが、内側から外側に向かつてこれ
まで述べて来たところのものを何回かに分けてガ
スとして流してもよい。この場合には中心に酸素
ガスを流すようにすることも可能である。 第２図ｂは本発明の光伝送用ガラスプリフオー
ムの製造方法において使用するノズルの出口形状
を例示する図である。性質の異なる原料ガスはノ
ズルを出た直後に混合反応してガラス微粒子を作
ると、ノズルの先端に付着してガスの流れを悪く
するので、第２図ｂに示すように、ノズルを出た
直後では混合しないように第２図ａの出口２１と
２２との間にガス・カーテン用出口２４を、出口
２２と２３との間に同じく出口２５を設ける構造
にするとより効果的である。ガス・カーテン用ガ
スとしてはHe等の熱伝導性の良いガスが、後に
反応系で混合された時により均一な温度にすると
いう点で、効果的である。ここでＮのドープ量を
変えて屈折率を変化させる（Ｎのドープ量につれ
てSiOxNyの屈折率は高くなる）ためには、まず
所望の合成ガラス速度に対応してガス状シリコン
化合物の供給速度を決め、次にこのガス状シリコ
ン化合物に対するハロゲン化窒素と酸素を含むガ
スとの比率を一定にし、最後にハロゲン化窒素と
酸素を含むガスとの比率を変化せしめるような方
法を採用すると、SiOxNyのドーピングは安定し
て行なわれる。 第３図は本発明の光伝送用ガラスプレフオーム
の製造方法のもう一つの実施例を示す図である。
出発部材としての薄肉石英管３１（必要によつて
は補強のためにこの中にカーボン棒を入れておい
てもよい）を図のように回転往復移動させ、高周
波プラズマトーチ３２で高温のガス炎たとえば
ArHe等のプラズマ炎を作り、この中に原料ガス
としてシリコン化合物SiCl4、Ｎ供給用ガス酸素
を含むガスとを送り込み、混合したガスは前記高
温ガスにより加熱されてガラス微粉末SiOxNy３
４となり、これらは溶融ガラスとして積層されガ
ラス体３５となる。 第４図は本発明の光伝送用ガラスプリフオーム
の製造方法の別の実施例を示す図である。出発部
材４１を回転及び往復移動させ、（CN）2、CS2、
CCl4等を燃焼させて出来る火炎４２によりノズ
ル４３を流れる原料ガスを加熱する。例えば図中
４３′はSiCl4、４３″はＮ供給用ガス４３″は酸素
を含むガス、４４は燃焼ガス又は燃焼ガス酸素
ガスの流れるところを示す。 ここでも大切なことはＨ等の化合物例えばH2O
を含まない雰囲気にすることである。なお４３″
と４４は共用してもよい。 高温反応により生じたSiOxNyガラス微粉末４
５′はガラス体４６として積層される。或は次の
ような方法も可能である。例えば電気炉（白金ヒ
ーター）の如き高温炉によりノズルを流れる原料
ガスを加熱する。このノズルは、前述のように先
端の外周部からＨやＮの不活性ガスが吹き出さ
れ、中心部から吹き出される原料ガスを空気から
遮断する構造となつている。 第１図及び第３図の説明に於いては出発部材上
に透明ガラス体として積層する方法について述べ
たが、これはまずSiOxNyのガラス微粉末体とし
て積層しその後焼結して透明ガラス化することも
出来る。 次に、本発明のＮをドープしたシリカSiOxNy
の粉末体を焼結する必要があるが、このガラスの
焼結温度はノンドープのSiO2ガラスの焼結温度
に近く1450℃付近である。従来のＭ―CVD法、
Ｏ―CVD法、VAD法で行なわれている。B2O、
P2O5GeO2ドープの焼結と異なる点は、酸素を含
まぬ不活性ガス雰囲気中又は真空中又は酸素を含
まず塩素等又は窒素等を含むガス雰囲気中で行う
必要があることである。これはこの焼結温度付近
で酸素が存在すると窒素が脱けて酸化してしまう
ためである。尚、このSiOxNyのガラス微粒子の
個々の粒子のまわりはＮのドープ量の小さい
SiO2に近いものであると、特に焼結の時に気泡
が皆無のものが得られるので好ましい。これを実
行するには、まず真空中又は酸素を含まぬ不活性
ガスや塩素ガス下で焼結しない温度のもとで徐々
に昇温し、その後乾燥したO2ガス下に保持し微
粒子表面をSiO2に近ずける。しかる後前記雰囲
気下で焼結を行う。ここでの焼結は従来と同様の
Zone Sinteringの技術が有効である。 このようにして焼結された透明ガラス体は、半
径方向において中心に近づくにつれてＮのドープ
量が多く屈折率が高いプリフオームが得られる。 このようなプリフオームの外側に従来のＯ―
CVD、VADの場合と同様に、SiO2或はＦをドー
プしたSiO2を溶透ガラスとして積層する。又は
一たん微粉末体として積層し、さらに焼結して透
明ガラス体とすることも出来る。例えば第１図又
は第３図のようなＯ―CVDの場合にはこのよう
な目的に対しては、本発明でのＮ供給ガスを送る
系統のバルブを閉じるか、あるいはＮ供給ガスを
送る系統又はガス状シリコン化合物を送る系統に
Ｆを含むガスを送り込み適当な温度で反応を行な
わせればよい。VADの場合には、外側ガラスを
形成するような原料ガス、例えばSiCl4＋O2を外
側のバーナーから吹出させて粉末として積層して
も勿論よい。 尚第１図及び第３図の場合には焼結後は出発部
材１１を除去した後内面研削、レザー加工、炎加
工、HF洗浄等公知の方法で平滑かつ清浄な内面
を持つ円筒を作り、必要に応じてガラス旋盤にか
けて加熱しコラツプスして棒状プリフオームとし
てもよい。 もう一つの別のＭ―CVDに関する方法を第５
図にて説明する。 回転及び軸方向に相対的移動する石英ガラス管
５１の外側を、例えば酸水素炎５２（５２′はバ
ーナー）で加熱し、この中に前に述べたと同様に
ガス状シリコン化合物SiCl4、Ｎ供給用ガスとし
てのハロゲン化窒素、例えばNCl3ガス酸素供給
用ガスとしてのO2ガスを送り込み反応させ
SiOxNyのガラス微粉末５３を合成し内壁に着床
させ溶融して透明ガラス層５４を積層する。原料
ガスは例えばパイプ５５，５６，５７からSiCl4
ガス５５′、NCl3ガス５６′、O2ガス５７′の如く
分離して流し反応系に入れるとよい。原料によつ
てはこのノズルは必ずしも必要でない。 ここでも原料として供給するハロゲン化窒素と
酸素ガスとの割合を変えることによつて窒素のド
ープ量をコントロールすることが出来る。 このようにしてコアとしてのSiOxNyガラスを
積層出来るか、その前にクラツド用ガラスとして
は例えば従来のＭ―CVDと同様にしてB2O3―
SiO2、B2O3―SiO5―SiO2、B2O3―Ｆ―SiO2、
P2O5―Ｆ―SiO2又はSiO2ガラスを積層してもよ
い。 このようにクラツドとコアを内壁に積層した石
英ガラス管はガラス旋盤にかけ〜1800℃のように
高温に加熱してコラプスして透明ガラス棒プレフ
オームとする。 さらにもう一つの別の方法としてＰ―CVDを
第６図に説明する。このＰ―CVDとしては減圧
状態にて行う方法（低温プラズマ）、及び常圧下
で行う方法（高温プラズマ）があるが、ここでは
高温プラズマについて説明する。低温プラズマに
ついても可能なことは勿論である。 回転及び軸方向に相対的に往復移動する石英ガ
ラス管６１の周囲に高周波コイル６２を配置し管
内にプラズマ炎６２′を作り加熱する、この中に
前述のガス状シリコン化合物SiCl4、Ｎ供給用ガ
ス、例えばNCl3、酸素供給用ガスCO2を送り込み
反応させガラスSiOxNyの微粉末６３を合成し、
内壁に着床させ溶融して透明ガラス層６４を積層
する。原料ガスは例えばパイプ６５，６６，６７
からSiCl4ガス６５′、NCl3ガス６６′、CO2ガス
６７′の如く分離して流しプラズマ炎付近にて一
諸にするとよい。原料によつてはこの注意は不必
要なものもある。ここでも原料として供給する
NCl3とCO2の比を変えることによつて窒素のドー
プ量をコントロールすることが出来る。このよう
にしてコアとしてのSiOxNyガラスを積層出来る
が、クラツド・ガラスは前述と同様にコア・ガラ
スの積層前に行う。 このようにしてクラツド・コアガラスを内壁に
積層した石英ガラス管を前述と同様にコラプスし
てプレフオームとする。 上述のようにして作つた円筒状又は棒状プリフ
オームは平滑かつ清浄になるように表面処理を施
した後高周波誘導加熱炉、電気炉あるいは火炎炉
で加熱溶融紡糸すればフアイバーとなりリールキ
ヤプスタン等支えに触れる前に熱硬化性樹脂の焼
付塗布、金属コーテイングあるいは無機物の塗布
をプライマリー・コートとして施せば強い光通信
用フアイバー素線が得られる。 なおプレフオームの表面にAl2O3、TiO2、ZrO2
等をドープしたSiO2即ち単なるSiO2よりも融点
が低く、熱膨張係数も小さいガラスをコーテイン
グした後、溶融紡糸すると表面は清浄かつ平滑で
グリフイズクラツク源が無く、かつ表面に圧縮の
残留歪が残る為高強度のフアイバーが得られる。 本発明の光フアイバの製造方法の一実施例につ
いて述べる。内径20mmφ×外径25mmφの石英ガラ
ス管をガラス旋盤にかけ60rpmで回転し、外側を
往復移動する酸水素炎で1350〜1450℃の範囲にな
るように加熱し、始め、管内にはSiCl4100c.c.／
minO22000c.c.／minPF350c.c.／minBF350c.c.／min
を流し約１mmｔの厚みのP2O5―B2O3―Ｆ―SiO2
ガラスを内付けした。 次に多重管のノズルを該管の中に挿入し酸水素
炎とともに往復移動させ（30mm／min）、原料ガ
スとして中心よりSiCl450c.c.／min（He200c.c.／
minで希しやく）、その外側よりClN3300c.c.／min
（N3300c.c.／minで希しやく）、その外側より
CO2200c.c.／min（He300c.c.／minで希しやく）を
流すようにし各ガス間にはHeガスをそれぞれ100
c.c.／minずつしや断用ガスとして流した。 これを約５時間くり返したところ約0.8mmｔの
肉厚のSiOxNyが内付けされた。次にノズルを除
き石英ガラス管をさらに高温〜1900℃に加熱して
コラプスし18.9mmφのプレフオームを作つた。こ
れを抵抗炉で加熱し（〜2000℃）150μｍφのフ
アイバーとしシリコン樹脂を施したところクラツ
ド径80μｍφ、コア径60μｍφのフアイバーが得
られコアとクラツドの屈折率差は3.0％の値が得
られた。このガラスのｘは1.5、ｙは0.33であつ
た。また伝送損失はλ＝0.85μｍで4dB／Km以下
λ＝1.3μで1dB／Kmで低損失のフアイバであつ
た。
ガス（SiCl4）、Ｎ供給用ガス（NCl3、NOCl、
NO2Cl、ClN3N2F2、NF3等）及びＯ供給用ガス
（O2、CO2、NO2等）の比率を制御することによ
り特にＮ供給用ガスとＯ供給用ガスとの比率を変
えることによりＮとＯのドープ量を変えて制御す
るものである。 本発明はこれらガスの混合を火炎又は反応系の
内部のみで生じせしめたい時には、石英ガラス等
のかく壁を用い、さらに原料ガス等を希しやくし
て供給することにより上記反応を可能ならしめる
ものである。原料ガスによつてこのようなかく壁
即ちノズルは不要となることも勿論ある。 以下に本発明について図面を参照して詳細に説
明する。けれども本発明はこれらの図面に示され
た実施例に限定されるものではない。 まず従来の方法を説明すると次のようになる。 SiH4、SiHCl3、SiCl4、SiF4等のガス状シリコ
ン化合物（水素化物、有機化合物、ハロゲン化
物）と、CO2、NOx、O2等の酸素を含むガス
と、NH2の如き発生期の窒素を出すガスとの混合
ガスは高温で加熱すると次のように反応して
SiOxNyができる。 SiH4＋xCO2＋yNH3→ SiOxNy＋xCO＋（２＋３／２ｙ）H2 ……(1) SiCl4＋xCO2＋yNH3→ SiOxNy＋xCO＋AHCl＋（３／２ｙ−２）H2……(2) 一般に、これらのSiOxNy（SiO2〜SiN４／３）は減 圧下でRFプラズマを用いたり（より低温で）、
CVD法によつて前述の如く半導体の保護膜を作
るのに利用されている。合成速度のより大きな
CVD法の場合に前述(1)式の反応について一例を
みるとH2：110／min、NH2＋CO2：〜2.3／
min、SiH4（５％inH2）：〜10cm3／min、〜〜200
cm3／min、（900〜1000℃）のように原料は希薄で
温度も800〜1200℃と低い。前述(2)式の反応につ
いても一例をみるとSi3N4の合成ではあるが
SiCl4、NH3を用いて1000〜1500℃という温度で
行なわれている。このような従来の方法ではガラ
スプリフオームとしての要求に適する大量を合成
することは容易でない。 本発明はこのようなとは異なる反応で、反応を
大量に生じせしめるためにガス状シリコン化合物
等の原料の供給量を増し反応温度も高くして
SiOxNyを作るのである。 第１図は本発明の光伝送用ガラスプリフオーム
の製造方法の一つを説明する為の図である。出発
部材としての薄肉石英管１１（必要によつては補
強のためにこの中にカーボン棒を入れておいても
よい）を図のように回転及び往復移動させ、高周
波プラズマトーチ１２で高温不活性ガス例えば
ArまN2のプラズマ炎を作り高温ガス１２′を薄肉
石英管１１に吹きつける。この間に後述のノズル
１３から原料ガスとして、シリコン化合物SiCl4
と、Ｎ供給用ガスと、酸素を含むガスとを送り込
み、この混合したガスは前記高温ガスにより加熱
されてガラス微粉末SiOxNy13′となる。14は
SiOxNyを積層させたガラス体を示す。 第２図ａは本発明の光伝送用ガラスプリフオー
ムの製造方法において使用するノズルの出口形状
を例示する図である。本発明のような原料濃度を
濃くし温度を高くした状態、例えば、 SiCl4；〜100cm3／min ClN3＋CO2；〜1000cm3／min （但し不活性ガスで希釈する） 温度：1150〜1800℃ に於いては、特にハロゲン化窒素ガス類は爆発性
があるので、反応が生じる系に入る前の原料はそ
れぞれ分れている必要がある。 第２図ａに示すノズルでは２１，２２，２３で
示す出口から原料を別々に吹き出す構造となつて
いる。ここで、原料ガスの組合せ｛２１，２２，
２３｝としては｛ハロゲン化窒素＋（不活性ガ
ス）、ガス状シリコン化合物SiCl4＋（H2）＋（不活
性ガス）、酸素を含むガス｝又は｛ガス状シリコ
ン化合物SiCl4＋（不活性ガス）、ハロゲン化窒素
＋（不活性ガス）、酸素を含むガス｝の組合せが考
えられ、原料ガスの組合せ｛２１，２３（２２は
なし）｝として｛ハロゲン化窒素＋ガス状シリコ
ン化合物＋（不活性ガス）、酸素を含むガス｝の組
合せも取り得る。ここでも、酸素を含むガスは外
側にもつてきてSi−Ｎとの結合をある程度作つた
うえでSi―Ｏの結合を作ることが大切である。構
造が複雑になるが、内側から外側に向かつてこれ
まで述べて来たところのものを何回かに分けてガ
スとして流してもよい。この場合には中心に酸素
ガスを流すようにすることも可能である。 第２図ｂは本発明の光伝送用ガラスプリフオー
ムの製造方法において使用するノズルの出口形状
を例示する図である。性質の異なる原料ガスはノ
ズルを出た直後に混合反応してガラス微粒子を作
ると、ノズルの先端に付着してガスの流れを悪く
するので、第２図ｂに示すように、ノズルを出た
直後では混合しないように第２図ａの出口２１と
２２との間にガス・カーテン用出口２４を、出口
２２と２３との間に同じく出口２５を設ける構造
にするとより効果的である。ガス・カーテン用ガ
スとしてはHe等の熱伝導性の良いガスが、後に
反応系で混合された時により均一な温度にすると
いう点で、効果的である。ここでＮのドープ量を
変えて屈折率を変化させる（Ｎのドープ量につれ
てSiOxNyの屈折率は高くなる）ためには、まず
所望の合成ガラス速度に対応してガス状シリコン
化合物の供給速度を決め、次にこのガス状シリコ
ン化合物に対するハロゲン化窒素と酸素を含むガ
スとの比率を一定にし、最後にハロゲン化窒素と
酸素を含むガスとの比率を変化せしめるような方
法を採用すると、SiOxNyのドーピングは安定し
て行なわれる。 第３図は本発明の光伝送用ガラスプレフオーム
の製造方法のもう一つの実施例を示す図である。
出発部材としての薄肉石英管３１（必要によつて
は補強のためにこの中にカーボン棒を入れておい
てもよい）を図のように回転往復移動させ、高周
波プラズマトーチ３２で高温のガス炎たとえば
ArHe等のプラズマ炎を作り、この中に原料ガス
としてシリコン化合物SiCl4、Ｎ供給用ガス酸素
を含むガスとを送り込み、混合したガスは前記高
温ガスにより加熱されてガラス微粉末SiOxNy３
４となり、これらは溶融ガラスとして積層されガ
ラス体３５となる。 第４図は本発明の光伝送用ガラスプリフオーム
の製造方法の別の実施例を示す図である。出発部
材４１を回転及び往復移動させ、（CN）2、CS2、
CCl4等を燃焼させて出来る火炎４２によりノズ
ル４３を流れる原料ガスを加熱する。例えば図中
４３′はSiCl4、４３″はＮ供給用ガス４３″は酸素
を含むガス、４４は燃焼ガス又は燃焼ガス酸素
ガスの流れるところを示す。 ここでも大切なことはＨ等の化合物例えばH2O
を含まない雰囲気にすることである。なお４３″
と４４は共用してもよい。 高温反応により生じたSiOxNyガラス微粉末４
５′はガラス体４６として積層される。或は次の
ような方法も可能である。例えば電気炉（白金ヒ
ーター）の如き高温炉によりノズルを流れる原料
ガスを加熱する。このノズルは、前述のように先
端の外周部からＨやＮの不活性ガスが吹き出さ
れ、中心部から吹き出される原料ガスを空気から
遮断する構造となつている。 第１図及び第３図の説明に於いては出発部材上
に透明ガラス体として積層する方法について述べ
たが、これはまずSiOxNyのガラス微粉末体とし
て積層しその後焼結して透明ガラス化することも
出来る。 次に、本発明のＮをドープしたシリカSiOxNy
の粉末体を焼結する必要があるが、このガラスの
焼結温度はノンドープのSiO2ガラスの焼結温度
に近く1450℃付近である。従来のＭ―CVD法、
Ｏ―CVD法、VAD法で行なわれている。B2O、
P2O5GeO2ドープの焼結と異なる点は、酸素を含
まぬ不活性ガス雰囲気中又は真空中又は酸素を含
まず塩素等又は窒素等を含むガス雰囲気中で行う
必要があることである。これはこの焼結温度付近
で酸素が存在すると窒素が脱けて酸化してしまう
ためである。尚、このSiOxNyのガラス微粒子の
個々の粒子のまわりはＮのドープ量の小さい
SiO2に近いものであると、特に焼結の時に気泡
が皆無のものが得られるので好ましい。これを実
行するには、まず真空中又は酸素を含まぬ不活性
ガスや塩素ガス下で焼結しない温度のもとで徐々
に昇温し、その後乾燥したO2ガス下に保持し微
粒子表面をSiO2に近ずける。しかる後前記雰囲
気下で焼結を行う。ここでの焼結は従来と同様の
Zone Sinteringの技術が有効である。 このようにして焼結された透明ガラス体は、半
径方向において中心に近づくにつれてＮのドープ
量が多く屈折率が高いプリフオームが得られる。 このようなプリフオームの外側に従来のＯ―
CVD、VADの場合と同様に、SiO2或はＦをドー
プしたSiO2を溶透ガラスとして積層する。又は
一たん微粉末体として積層し、さらに焼結して透
明ガラス体とすることも出来る。例えば第１図又
は第３図のようなＯ―CVDの場合にはこのよう
な目的に対しては、本発明でのＮ供給ガスを送る
系統のバルブを閉じるか、あるいはＮ供給ガスを
送る系統又はガス状シリコン化合物を送る系統に
Ｆを含むガスを送り込み適当な温度で反応を行な
わせればよい。VADの場合には、外側ガラスを
形成するような原料ガス、例えばSiCl4＋O2を外
側のバーナーから吹出させて粉末として積層して
も勿論よい。 尚第１図及び第３図の場合には焼結後は出発部
材１１を除去した後内面研削、レザー加工、炎加
工、HF洗浄等公知の方法で平滑かつ清浄な内面
を持つ円筒を作り、必要に応じてガラス旋盤にか
けて加熱しコラツプスして棒状プリフオームとし
てもよい。 もう一つの別のＭ―CVDに関する方法を第５
図にて説明する。 回転及び軸方向に相対的移動する石英ガラス管
５１の外側を、例えば酸水素炎５２（５２′はバ
ーナー）で加熱し、この中に前に述べたと同様に
ガス状シリコン化合物SiCl4、Ｎ供給用ガスとし
てのハロゲン化窒素、例えばNCl3ガス酸素供給
用ガスとしてのO2ガスを送り込み反応させ
SiOxNyのガラス微粉末５３を合成し内壁に着床
させ溶融して透明ガラス層５４を積層する。原料
ガスは例えばパイプ５５，５６，５７からSiCl4
ガス５５′、NCl3ガス５６′、O2ガス５７′の如く
分離して流し反応系に入れるとよい。原料によつ
てはこのノズルは必ずしも必要でない。 ここでも原料として供給するハロゲン化窒素と
酸素ガスとの割合を変えることによつて窒素のド
ープ量をコントロールすることが出来る。 このようにしてコアとしてのSiOxNyガラスを
積層出来るか、その前にクラツド用ガラスとして
は例えば従来のＭ―CVDと同様にしてB2O3―
SiO2、B2O3―SiO5―SiO2、B2O3―Ｆ―SiO2、
P2O5―Ｆ―SiO2又はSiO2ガラスを積層してもよ
い。 このようにクラツドとコアを内壁に積層した石
英ガラス管はガラス旋盤にかけ〜1800℃のように
高温に加熱してコラプスして透明ガラス棒プレフ
オームとする。 さらにもう一つの別の方法としてＰ―CVDを
第６図に説明する。このＰ―CVDとしては減圧
状態にて行う方法（低温プラズマ）、及び常圧下
で行う方法（高温プラズマ）があるが、ここでは
高温プラズマについて説明する。低温プラズマに
ついても可能なことは勿論である。 回転及び軸方向に相対的に往復移動する石英ガ
ラス管６１の周囲に高周波コイル６２を配置し管
内にプラズマ炎６２′を作り加熱する、この中に
前述のガス状シリコン化合物SiCl4、Ｎ供給用ガ
ス、例えばNCl3、酸素供給用ガスCO2を送り込み
反応させガラスSiOxNyの微粉末６３を合成し、
内壁に着床させ溶融して透明ガラス層６４を積層
する。原料ガスは例えばパイプ６５，６６，６７
からSiCl4ガス６５′、NCl3ガス６６′、CO2ガス
６７′の如く分離して流しプラズマ炎付近にて一
諸にするとよい。原料によつてはこの注意は不必
要なものもある。ここでも原料として供給する
NCl3とCO2の比を変えることによつて窒素のドー
プ量をコントロールすることが出来る。このよう
にしてコアとしてのSiOxNyガラスを積層出来る
が、クラツド・ガラスは前述と同様にコア・ガラ
スの積層前に行う。 このようにしてクラツド・コアガラスを内壁に
積層した石英ガラス管を前述と同様にコラプスし
てプレフオームとする。 上述のようにして作つた円筒状又は棒状プリフ
オームは平滑かつ清浄になるように表面処理を施
した後高周波誘導加熱炉、電気炉あるいは火炎炉
で加熱溶融紡糸すればフアイバーとなりリールキ
ヤプスタン等支えに触れる前に熱硬化性樹脂の焼
付塗布、金属コーテイングあるいは無機物の塗布
をプライマリー・コートとして施せば強い光通信
用フアイバー素線が得られる。 なおプレフオームの表面にAl2O3、TiO2、ZrO2
等をドープしたSiO2即ち単なるSiO2よりも融点
が低く、熱膨張係数も小さいガラスをコーテイン
グした後、溶融紡糸すると表面は清浄かつ平滑で
グリフイズクラツク源が無く、かつ表面に圧縮の
残留歪が残る為高強度のフアイバーが得られる。 本発明の光フアイバの製造方法の一実施例につ
いて述べる。内径20mmφ×外径25mmφの石英ガラ
ス管をガラス旋盤にかけ60rpmで回転し、外側を
往復移動する酸水素炎で1350〜1450℃の範囲にな
るように加熱し、始め、管内にはSiCl4100c.c.／
minO22000c.c.／minPF350c.c.／minBF350c.c.／min
を流し約１mmｔの厚みのP2O5―B2O3―Ｆ―SiO2
ガラスを内付けした。 次に多重管のノズルを該管の中に挿入し酸水素
炎とともに往復移動させ（30mm／min）、原料ガ
スとして中心よりSiCl450c.c.／min（He200c.c.／
minで希しやく）、その外側よりClN3300c.c.／min
（N3300c.c.／minで希しやく）、その外側より
CO2200c.c.／min（He300c.c.／minで希しやく）を
流すようにし各ガス間にはHeガスをそれぞれ100
c.c.／minずつしや断用ガスとして流した。 これを約５時間くり返したところ約0.8mmｔの
肉厚のSiOxNyが内付けされた。次にノズルを除
き石英ガラス管をさらに高温〜1900℃に加熱して
コラプスし18.9mmφのプレフオームを作つた。こ
れを抵抗炉で加熱し（〜2000℃）150μｍφのフ
アイバーとしシリコン樹脂を施したところクラツ
ド径80μｍφ、コア径60μｍφのフアイバーが得
られコアとクラツドの屈折率差は3.0％の値が得
られた。このガラスのｘは1.5、ｙは0.33であつ
た。また伝送損失はλ＝0.85μｍで4dB／Km以下
λ＝1.3μで1dB／Kmで低損失のフアイバであつ
た。
【式】基は2ppm以下であつた。
本発明の光伝送用ガラスフアイバーの製造方法
による実験結果のもう一つの例について述べる。
第２図６に示す出口構造の石英ノズル（外径30mm
φ）を用いて出口２１からNCl3を１／min、出
口３４からＨを１／min、出口２２からSiO4を
0.2／min及びＨを1.9／min、出口２５から
Ｈを１／in及び出口２３からCO2を５／min
流し、このノズルの外側にもう一つのシリコン・
ナイトライド管を設け、この石英ノズルとシリコ
ン・ナイトライド管の間に（CN）2、O2をそれぞ
れ10／min、20／minの割合で流し、火炎に
より加熱した。温度はノズルにガスを流さない時
でも1800℃であつた。この条件でガラス微粉末を
作り1000℃まで真空中で加熱し、３時間1000℃で
N2中に保持した後1450℃まで加熱したところＮ
はドープされ屈折率にして約1.483のガラスが得
られた。このガラスはｘは1.7、ｙは0.2であつ
た。次に、ここでNCl3のかわりに徐々にＨガス
を流してガラス微粉末を作り焼結したところ得ら
れたＮのドープ量は少なくなつてゆき最終的には
屈折率1.460のガラスが得られた。このガラスは
ｘが1.98、ｙが0.01であつた。 本発明の効果としては次の事項が挙げられる。 (1) 原料としてはＢ，Ｐ，G6等の高価なものを
用いず安価な窒素含有化合物やNO2CO2O2を用
いるため安価なガラスが得られること。 (2) 窒素のドープ量に応じて屈折率は大きく変る
ので所望の開口数のフアイバーを作るプリフオ
ームができること。 (3) ＮドープのSiOxNyの透過率はSiO2に比して
不利な点はなく、特に長波長での損失は小かく
かつ放射線等に対する影響もより小さので極め
て好ましいフアイバーを作ることができるこ
と。 (4) 窒素ドープのSiOxNyの物理的性質及び化学
的耐久性はSiO2のそれに近いので極めてフア
イバーにし易く、信頼性のあるフアイバーが容
易にできること。 (5) 中心部は窒素含有量が多くなり粘度も高くな
るので、これを紡糸する時の温度は必然的に高
くなり、極めて強いフアイバーを得ることがで
きること。 (6) 窒素供給化合物としてはNH3のような水素を
含む化合物を用いず、原料用ガス及び加熱源は
無水のものである為に、
による実験結果のもう一つの例について述べる。
第２図６に示す出口構造の石英ノズル（外径30mm
φ）を用いて出口２１からNCl3を１／min、出
口３４からＨを１／min、出口２２からSiO4を
0.2／min及びＨを1.9／min、出口２５から
Ｈを１／in及び出口２３からCO2を５／min
流し、このノズルの外側にもう一つのシリコン・
ナイトライド管を設け、この石英ノズルとシリコ
ン・ナイトライド管の間に（CN）2、O2をそれぞ
れ10／min、20／minの割合で流し、火炎に
より加熱した。温度はノズルにガスを流さない時
でも1800℃であつた。この条件でガラス微粉末を
作り1000℃まで真空中で加熱し、３時間1000℃で
N2中に保持した後1450℃まで加熱したところＮ
はドープされ屈折率にして約1.483のガラスが得
られた。このガラスはｘは1.7、ｙは0.2であつ
た。次に、ここでNCl3のかわりに徐々にＨガス
を流してガラス微粉末を作り焼結したところ得ら
れたＮのドープ量は少なくなつてゆき最終的には
屈折率1.460のガラスが得られた。このガラスは
ｘが1.98、ｙが0.01であつた。 本発明の効果としては次の事項が挙げられる。 (1) 原料としてはＢ，Ｐ，G6等の高価なものを
用いず安価な窒素含有化合物やNO2CO2O2を用
いるため安価なガラスが得られること。 (2) 窒素のドープ量に応じて屈折率は大きく変る
ので所望の開口数のフアイバーを作るプリフオ
ームができること。 (3) ＮドープのSiOxNyの透過率はSiO2に比して
不利な点はなく、特に長波長での損失は小かく
かつ放射線等に対する影響もより小さので極め
て好ましいフアイバーを作ることができるこ
と。 (4) 窒素ドープのSiOxNyの物理的性質及び化学
的耐久性はSiO2のそれに近いので極めてフア
イバーにし易く、信頼性のあるフアイバーが容
易にできること。 (5) 中心部は窒素含有量が多くなり粘度も高くな
るので、これを紡糸する時の温度は必然的に高
くなり、極めて強いフアイバーを得ることがで
きること。 (6) 窒素供給化合物としてはNH3のような水素を
含む化合物を用いず、原料用ガス及び加熱源は
無水のものである為に、
【式】基の極めて小
さく低損失のフアイバーを得ることが出来るこ
と。
と。
第１図はプラズマ炎を利用しこの中に原料ガス
を流して作るSiOxNyガラスの外付け法を示し、
第２図abは原料供給ノズルの先端を示す。第３
図はプラズマ炎中に原料ガスを流しSiOxNyガラ
スの外付け法を示す。第４図はCS2―O2炎の如く
無水炎の中に原料ガスを流しSiOxNyガラスを軸
ズケする方法を示す。第５図はSiOxNy（無水）
ガラス合成の為のＭ―CVDを示し、第６図は
SiOxNy（無水）ガラス合成の為のＰ―CVDを示
す。 図中１１，３１，４１は出発部材、５１，６１
は出発部材としての石英ガラス又は高ケイ酸ガラ
ス管１２′，３２′，６２′はプラズマ炎、４２は
無水炎、５２は酸水素炎、１３，３３，４３，５
５，５６，５７，６５，６６，６７は原料ガス供
給孔、１３，３４，４５，５３，６３はSiOxNy
のガラス微粉末、１４，３５，４６，５４，６４
はSiOxNyのガラス積層体を示す、２１，２２，
２３，２４，２５は石英ガラスの多重管を示す。
を流して作るSiOxNyガラスの外付け法を示し、
第２図abは原料供給ノズルの先端を示す。第３
図はプラズマ炎中に原料ガスを流しSiOxNyガラ
スの外付け法を示す。第４図はCS2―O2炎の如く
無水炎の中に原料ガスを流しSiOxNyガラスを軸
ズケする方法を示す。第５図はSiOxNy（無水）
ガラス合成の為のＭ―CVDを示し、第６図は
SiOxNy（無水）ガラス合成の為のＰ―CVDを示
す。 図中１１，３１，４１は出発部材、５１，６１
は出発部材としての石英ガラス又は高ケイ酸ガラ
ス管１２′，３２′，６２′はプラズマ炎、４２は
無水炎、５２は酸水素炎、１３，３３，４３，５
５，５６，５７，６５，６６，６７は原料ガス供
給孔、１３，３４，４５，５３，６３はSiOxNy
のガラス微粉末、１４，３５，４６，５４，６４
はSiOxNyのガラス積層体を示す、２１，２２，
２３，２４，２５は石英ガラスの多重管を示す。
Claims (1)
- １ 原料ガスとしてガス状シリコン化合物及びハ
ロゲン化窒素及び酸素供給ガスを高温の反応系内
に送り反応させ無水のガラス微粉末を作り、該ガ
ラス微粉末を出発部材上に積層させ、焼結して
SiOxNyを含む光伝送用ガラスプリフオームを製
造する方法において、前記SiOxNyはｘが1.5〜
1.98yが0.01〜0.33であり、前記ハロゲン化窒素
がNCl3、NOCl、NO2Cl、ClN3、N2F2およびNF3
の中、少なくとも１つを含むことを特徴とする光
伝送用ガラスフオームの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP663380A JPS56104738A (en) | 1980-01-22 | 1980-01-22 | Preparation of glass preform for light-piping |
| DE19803037491 DE3037491C2 (de) | 1979-10-04 | 1980-10-03 | Verfahren zur Herstellung einer Glasvorform für optische Fasern |
| GB8032139A GB2062615B (en) | 1979-10-04 | 1980-10-06 | Preparing glass preform for optical transmission |
| US06/217,075 US4402720A (en) | 1980-01-22 | 1980-12-16 | Process for preparing glass preform for optical fiber |
| GB08316931A GB2129417B (en) | 1979-10-04 | 1983-06-22 | A process for preparing a glass preform for optical transmission |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP663380A JPS56104738A (en) | 1980-01-22 | 1980-01-22 | Preparation of glass preform for light-piping |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56104738A JPS56104738A (en) | 1981-08-20 |
| JPS6138138B2 true JPS6138138B2 (ja) | 1986-08-27 |
Family
ID=11643759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP663380A Granted JPS56104738A (en) | 1979-10-04 | 1980-01-22 | Preparation of glass preform for light-piping |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56104738A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4378987A (en) * | 1981-10-15 | 1983-04-05 | Corning Glass Works | Low temperature method for making optical fibers |
| JPS60151241A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-09 | Hitachi Cable Ltd | 光フアイバ母材の製造方法 |
| JPS6117435A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-25 | Hitachi Cable Ltd | 光フアイバ母材の製造方法 |
| JP5329347B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2013-10-30 | 湖北工業株式会社 | 紫外線伝送用光ファイバ及びその製造方法 |
-
1980
- 1980-01-22 JP JP663380A patent/JPS56104738A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56104738A (en) | 1981-08-20 |
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