JPS61168957A - 二方向光通信装置とその製法 - Google Patents

二方向光通信装置とその製法

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JPS61168957A
JPS61168957A JP61000477A JP47786A JPS61168957A JP S61168957 A JPS61168957 A JP S61168957A JP 61000477 A JP61000477 A JP 61000477A JP 47786 A JP47786 A JP 47786A JP S61168957 A JPS61168957 A JP S61168957A
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laser diode
waveguide
optical waveguide
substrate
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JP61000477A
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マンフレート、プリハール
ハインリツヒ、シユレツテラー
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 ：の発明は、少くとも一つのレーザー・ダイオード、少
くとも一つの光検出素子および少くとも一つの受動的光
デバイス特に波長選択デバイスで構成される二方向光通
信装置とその製造方法（−関するものである。
〔従来の技術〕
例えばガラス・ファイバを通して二つの伝送方向に波長
λ、の光と波長λ諺の光が送られる二方向光通信に均し
ては区間の両端番；それぞれ一つの送信要素と受信要素
ならび２：波長選択デバイスの形の受動光デバイスが必
要である。この種の装置は現在もなおハイブリッド形に
作られ１時間がかかり高価になるから単独加入者用とし
ては高価に過ぎる。
この場合大きさ、安定性、製造コスト等が価格を左右す
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
この発明の目的は、この種の装置を改良して低コストで
安定に多量生産できるようにすることである。
〔問題点の解決手段〕
、この目的は特許請求の範囲第１ＸＪＢ：特徴として℃ 挙げた構成とすることｇ二よって達成される。
〔発明の作用効果〕
後からは簡単だと見られるこの発明の提案に到達するた
めには次の問題を解決する必要があった。
すなわちこの発明の対象となっている装置時に二方向光
通信に使用されるマルテプレクス・デマルチプレクス・
モジュールを集積構造とするため区；はレーザー・ダイ
オード、光検出素子例えばフォトダイオード、受動光導
波路および受動光デバイス例えば波長選択デバイスを少
くともそれぞれ一つづつ一つの基板上に作らなければな
らないが、これらのデバイスは互に著しく異った積層構
成と各層特性を要求することから大きな問題を提起する
。
ＤＰＢレーザー・ダイオードをストライブ導波路と集積
する方法は既に提案されている（ドイツ連邦共和国特許
出願公開第３４３６３０６号公報）が、この場合Ｉｎ０
ａＡｓＰＪｉｉｉ即ちＱ層を使用することが主要条件で
ある。フォトダイオードに対してはＩｎ０ａＡ、ｓ　の
３成分層が第一に考えられる。
４成分層で構成された重積層と３成分層で構成された重
積層は層の配列も異り互５二調整されていないから、こ
のような素子を共通基板上で結合することには困難な問
題がある。
この発明はできるだけ多数の層が種々のデバイスζ二共
通に使用されると同時に必要としない層を局所的ならび
に選択的に除去することが可能であるようじした唯２回
のエピタキシィ過程によりエビタキＶヤル層列を成長さ
せることができるという新しい知識に基くものである。
その外に両重積層系の見かけ上の不一致にも拘らず多く
の工程段を総てのデバイス（：対して共通に実施するこ
とができ、それによって工程段数を減らすことが可能で
あるという知識も利用されている。
この発明の有利な実施態様では特許請求の範囲第２項に
記載されているようＣ，レーザー・ダイオードから波長
選択格子を経由して光検出素子に導くストライプ形又は
成層形導波路が設けられる。この構成は集積マルチプレ
クス・デマルチプレクス・モジュールに対して有利であ
る。
特許請求の範囲第３項に従いレーザー・ダイオードとし
てストライプ形又は成層形の光導波路ミニ結合されたＤ
ＦＢレーザー・ダイオードを使用することも有利である
。ストライプ導波路に結合されたレーザー・ダイオード
の製作には単に一つの補助層を追加するだけで充分であ
るが、これについては後で詳細に説明する。
この発明による装置の特別な長所は僅か２回のエピタキ
シィ過程によって製作することができることである。そ
のためには特許請求の範囲第４項６：記載したようにレ
ーザー・ダイオードとストライプ形又は成層形光導波路
と光検出素子を基板の一方の面に設け、光検出素子は偏
向要素を通しであるいは端面結合によって光導波路に結
合するだけでよい。
この偏向要素は受動光デバイスの一種であってストライ
プ形又は成鳩形導波路の構造化によって実現される。光
導波路と光検出素子の端面結合は文献［アイ・イー・イ
ー・イー　ジャーナルオプ　クワンタム　エレクトロニ
クスＪ　（ＩＥＥＥ　Ｊｏｕｒｎｏｆ　Ｑｕａｎｔ、Ｅ
ｌｅｃｔｒ２）　ＱＥ−１３Ｃ４］、　１９７７年４月
ｐ、２２０−２２３Ｃ記載されている公知の方法で実現
可能である。しかしこの方法で必要とされているエピタ
キシャル被覆層のギャップはこの発明の装置ｔに対して
は不必要であって端面結合の形成は著しく簡単化される
。
別の実施例では特許請求の範囲第５項に従いレーザー・
ダイオードと光導波路が基板の一方の面？−１光検出素
子がその反対側の面に設けられ、光検出素子は偏向素子
によって光導波路に結合され、光導波路内を導かれる光
が光導波路から基板を経由して光検出素子に向うように
偏向される。この実施態様では偏向素子が光導波路の構
造化によって実現するものであるから、二つ以上のエピ
タキシャル成長層を必要とするにも拘わらずレーザー・
ダイオードとそれに結合さｎた光導波路の製造工程と光
検出素子の製造工程とが互にはとんど無闇、係に実施さ
れるという長所がある。この場合基板は光導波路中を進
む光に対して透明でなければならない。
ばならない。
特許請求の範囲第６項に従い偏向素子として光導波路の
表面又はその内部に形成された偏向格子又は導波路内に
元の伝搬方向に対して斜めに置かれた反射面又はその双
方を使用するのも有利である。
る。
レーザー・ダイオードとストライプ形又は成層形の光導
波路との間の結合は公知の端面結合の外に表面結合又は
洩れ波結合によることができる。
この発明の一つの有利な実施態様では特許請求の範囲第
７項鑑二従い、レーザー・ダイオードが表面結合署−よ
って光導波路に結合され、レーザー・ダイオードの少く
とも一つの端面（：はレーザー光の伝搬方向に対して斜
めに置かれた反射面が設けられる。この反射面によりレ
ーザー・ダイオードと光導波路の間の結合が著しく改善
される。この反射面はエツチングによって作られた傾斜
側面として簡単に実現させることができる。
この発明による装置では特許請求の範囲第８項１：従い
光検出素子としてフォトダイオード又はフォトトランジ
スタを使用するのが有利である。
有利なマルチプレクス・デマルチプレクス・モジュール
の実施態様は特許請求の範囲第９項乃至第１１項に本さ
れている。
前に連へたように特許請求の範囲第４項による実施態様
の長所はそれが僅か２回のエビタキンイ過程により簡単
に製作できることである。この実施態様を実施する方法
の一つは特許請求の範囲第１２項に示されているが、そ
の重要な工程段はレーザー活性層とその下Ｃ装置かれる
光導波路構成層から成る層堆積を基板上に作る第一エピ
タキシィ過程と、この層堆積をレーザー・ダイオード予
定区域の外側でその下にある層に達するまで除去する段
階と、これによって露出した表面に少くとも三つの別の
層を成長させる第二エピタキシィ過程である。この場合
光導波路となる層の屈折率はその下に続く媒体の屈折率
より大きくレーデ−活性層の屈折率よりは小さく選ばれ
、第二エピタキシィ過程で成長する３層中の最下層はそ
の下の層よりも小さい屈折率を示し、最上層はその下に
続く４＋二対して逆型にドープされた領域を含むかある
いはこれを上Ｃ２乗せている。
この方法は、第二エピタキシィ過程においては一つ又は
それ以上の補助層だけが形成され特定のドーピングを受
けるという点だけで公知の方法と異っている。３層中の
最上層は光検出素子形成用であって無ドーピングのもの
でよく、後から特許請求の範囲第１３項に従い拡散によ
ってドープされる。
しかし３層構造の代りに特許請求の範囲第１３項に記載
したよう≦ニニ重層を使用し、その一方の層は無ドーピ
ングとし他方は適当にドーブすることも可能である。こ
の二重層は第二エビタキンイ過程で作ることができる。
この場合拡散は必要でなくなる。
光導波路の外に別の受動光デバイスを光導波路層の構造
化によって作る場合には、特許請求の範囲第１５項に従
い第二エピタキシィを開始する前に第一エビタキンイに
よって形成された膚堆積を部分的に除去した後残りの部
分を構造化して受動光デバイスを形成させる。
この発明６；よる方法において光検出素子の製作は特許
請求の範囲第１６項に従い、第二エピタキシィにおいて
設けられた三層構造の最上層を場合≦：よってその上１
；置かれている層と共に元検出素子に予定されている区
域の外で除去する。
この発明による装置の一例は前述の集積マルテプレタス
・デマルチプレクス・モジュールである。
別の例は集積ヘテロゲイン又はホモダイン受信機であり
、ここでもレーザー・ダイオードとフォトダイオードが
他の光デバイスと共に集積されて光通信−二値用される
。
〔実施例〕
ＤＦＢレーザー・ダイオードとフォトダイオードを含む
集積マルチプレクス・デマルチプレクス・モジュールを
例にとり図面を参照してこの発明を更ζ：詳細に説明す
る。
第１図に示したマルｔプレクス・デマルチプレクス拳モ
ジュールでは、ＤＦＢレーザー・ダイオードｌとそれに
結合されたストライプ形又は成層形の光導波路１２が基
板１ｏの表面に設けられた層１１乃至１に＝よって構成
されている。３は波長選択格子、４は偏向格子であり、
いずれも光導波路層ｌｚ内に作られている。
基板ＩＯは例えば１０１７Ｓ１０′′程度の高密度のＮ
　型置ニドープされたＩｎＰから成り、層１１はこれと
同じ材料から成り厚さ０．５μ風である。
層１２は４成分材料例えばＩｎＧｈＡｓＰ　　又はＩｎ
ＧａＡｌＡｓから成るＱ層であるが、第１図の実施例で
はＩｎＧｈＡｓＰ層が使われている。
層１２は最高密度１０Ｉ？のＮ型ドーピングを施され、
厚さは０．３乃至０，５μ賜であり、はぼ螢光波長１．
３μｍに対応するエネルギー・ギャップな示す。
層１２の上に股けられたエッチストップ層は例えばＩｎ
Ｐから成り、その厚さは例えば０．１μ鶏で密度１０１
７のＮＷドーピングを受ける。
レーザー活性層１３はドープされていない真性伝導９層
であり１例えばＯ５２μ論の厚さと１５５μ亀の螢光波
長に対応するエネルギー・ギャップを持つ。
ＤＦＢレーデ−・ダイオードの格子５１が形成されてい
る層１４はＰ型ＣニドープされたＱｌｌであり、例えば
０．３μ隅の厚さと１．３μ隅の螢光技長に対窓するエ
ネルギー・ギャップを持つ。層１５はＩｎＰから成り、
例えば密度１ｇ＋？のＰ型ドーピングを受け１乃至１．
５μ鶏の厚さである。層１６は例えば密度１０’″のＰ
＋型ＣニドープされたＱ層であり、例えば０．２μ島の
厚さと１２μ賜の螢光波長に対応するエネルギー・ギャ
ップを持つ。層１５と１６はＰ型にドープする代りに例
えば密度１０１７のＮ型１ニドープしてもよい。
ＤＦＢレーザー・ダイオード１は第１図の段５２の左側
に置されている部分である。これに置えて波長選択格子
３とフォトダイオードの形の光検出素子２とその下に置
かれた偏向格子４が設けられている。
フォトダイオードは直接層１６の表面に設けられたドー
プされない３成分材料例えばＩｎＧａＡｓから成る層１
７とその上に段けられた３成分材料例えばＩｎＧａＡａ
　の層１８から構成される。層１８は層１６に対して逆
ｍ＋ニドープされ第１図の場合Ｎｍである。層１７の厚
さは例えば３μ鶏であり、層１８は例えば密度１ｏ　の
Ｎ　型にドープされ厚さは例えば０，２μ鶴である。層
重８のドーピングは同程度の密度のＰ　型とすることが
できる。
ストライプ形又は成層形の光導波路中を導かれる光がフ
ォトダイオード２ｃ二達するようにするため、このフォ
トダイオードの下で層１２内に偏向格子４が作られ、光
の少くとも一部をフォトダイオード２に向って偏向する
。
レーザー・ダイオードｌとフォトダイオード２の間の層
１２に本来のデマルチプレクサを構成する波長選択格子
３が形成され、その平行溝は、層１２には平行であり第
１図の紙面には垂直である平面内でこの紙面に対して糾
めに車がれている。
この格子３はモジュールの本来のマルチプレクサとデマ
ルチプレクサを構成するものである。
第１図のモジュールにはレーザー・ダイオードの光検出
素子の動作に必要な接触端がレーザー・ダイオード１の
区域では層１６の上に、フォトダイオードの区域では層
１８の上に設けらル、吏に少くとも一つの接点が基板１
０Ｃ設けられる。
第１図のモジュールの製造方法の詳細１；立ち入る前に
その機能を簡単に説明する。レーザー・ダイオードｌで
発生した波長λ、の電磁放射の一部は洩れ波としてレー
ザー活性層１３の下に置かれている光導波路１２Ｃ入射
して波長選択格子３１；達し、集積されている光検出素
子２に達することは阻止される。逆の伝搬方向に進む波
長λ、の電磁放射はガラスファイバから光導波路１２に
入れられ、波長選択格子３によって光検出素子２Ｃ導か
れる。格子３はこの場合波長λ、の光がレーデ−・ダイ
オードＩＣ達するのを阻止する。
第１図のモジュールの製造工程の主要部分は次の通りで
ある。まず第一エピタキシィ過程において基板１０の表
面６２層１１乃至１４が全面的に設けられた後層１３と
１４がレーザー・ダイオード予定区域の外で選択的に除
去されて段５２が形成される。続いてこの段付表面に各
種の格子５１゜３および４が作られる。この場合これら
の格子構造は一つ又はそれ以上の工程段においてレーザ
ー光又は電子ビームで所定区域を照射した後層１２と１
４をエッチすることによって作られる。このエツチング
は総ての格子構造に対して共通に実施することができる
。次１：：′ｌＦＪニエビタキシイ過程において格子構
造が食刻されている段付表面が層１５乃至１８において
形成される。続いて層１７と１８が光検出素子２の区域
の外で選択的に除去され。
最後にレーザー・ダイオードｌと光検出素子２の動作に
必要な金属接点が設けられる。以後の工程は層１３と１
４の選択的エツチング後第二エピタキシィ過程の前に層
１２が構造化され、第二エピタキシィ過程≦二おいて３
以上の層が作られ補助的に設けられた層が選択的に除去
されることを除いて従来のものとほとんど変りはなく、
これ以外の差異は本質的なものではない。
第２図には第１図のユニットの菱形が示されている。こ
の変形では基板１０は半絶縁性であるから光検出素子２
の動作には層１８だけではなく層１６にも１６０として
示されている接点が必要である外に層１２が層１５およ
び１６と同じ導電型にドープされていなければならない
。同様にレーザー・ダイオードにも層１２又は１１（＝
接点が設けられる。
第１図と第２図のモジュールでは第二エピタキシィ過程
において両方の補助層１７と１８が設けられ、層１８は
フォトダイオードの接触形成に必要なドーピングのドー
パント源となる。しかしこのドーパントは非ドープ層１
７に入れておいてもよい。第３図に示す変形では基板１
０と層１１がＮ　　ｆｆ１ｌ：、ドープされて導電性に
なっている。層１２．１５および１６はＮ型−ニドープ
される。層１７はドープされていないが、基板１０に対
して反対側ＣＰ！ＩＩ！＋ニドーブされた領域１７０が
局所的の拡散６：よって作られている。この領域１７Ｇ
は第１図、′Ｗ４２図の層１８Ｃ代るものである。１９
は被覆層であり同時に拡散マスクとして使用される。層
１９は層１７を選択的−二除去した後に設けられ、層１
７の残された部分に対する穴を通して拡散物質を入れる
ことができる。またＰ　型Ｃニドープされた領域１７０
Ｃ接点を作ることも可能である。
！！３図のモジュールでは層１２．１５および１６が第
１因、第２図のモジュールのよう（−Ｐ型にドープされ
ずＮ型１；ドープされる。従って領域１７０はＰ型ドー
プでなければならない。このようなドーピング形式の場
合レーザー・ダイオードｌの区域では層１４と１５が完
全にＰ型となるように深部まで例えば拡散（：よってド
ープする必要がある。
第４図には第１（ｌのモジュールの別の実施態様が第２
図、第３因に対応する形で示されている。
この実施態様では光導波路１２と光検出素子２の間に端
面結合が作られる。そのため第一エピタキシィ過程の後
第二エピタキシィ過程開始前に層１２の構造化と並んで
第一エピタキシィによって設けられた層１１乃至１４の
堆積と基板を光検出素子予定区域において特定の深さま
で局所的に除去する補助工程段が必要となる。基板１０
の一部を除去する深さｔは、層１５，１６，１７および
場合により１８を設けた後層１２と層１７が光検出素子
２の予定区域において等しい高さ１：並ぶように選定す
る。
層１２内を格子３から光検出素子２に向って伝搬する光
は、補助工程段で作られた層１２の端面１２１から出て
その前で垂直方向（＝拡がる層１５と１６の部分を貫通
し等しい高さに置かれた層１７に入射する。このモジュ
ールは偏向格子を必要としない。
レーデ−活性層１３から光導波路１２への結合の改ＩＩ
には斜めに層かれた反射面を利用することができる。こ
の反射面は第１図その他のユニットに存在する段５２を
傾斜面とすること；：よって簡単（＝実現される。
第５図の平面図６＝示されているマルチプレクス・デマ
ルチプレクス・モジュールではレーザー・ダイオードｌ
と光検出素子２が単に四角形で示されている。第１図乃
至第４図の層１２で構成される構造化された光導波路は
、レーデ−・ダイオードｌから例えば直線的に基板１０
の一つの縁端に達しそこで終っているストライプ光導波
路区分１２０と、それから分岐して光検出素子２１：達
するストライプ光導波路区分１２２を含む。この分岐光
導波路区分１２２は直接光導波路区分１２０−二接して
いる。
分岐区域１２３では構造化されたストライプ導波路１２
に少くとも光導波路区分１２０の幅ｂに等しい拡がりを
持つ波長選択格子３が偏向素子として設けられる。第５
図の紙面１；平行に伸びる例えば溝で構成される格子ス
トライプ３１は導波路区分１２０内の光伝搬方向Ｒ，と
分岐光導波路区分１２２内の光伝搬方向Ｒ８の双方に対
して斜めに置かれている。
偏向格子３の格子ストライプ３１の傾斜角とその格子定
数は、レーザー・ダイオードｌから放出された波長λ１
の放射が導波路区分１２０内で分岐導波路区分１２２の
前を通って基板１０の縁端に連しそこから放出されて動
向するがラスファイバ８のテーパー形先端８１に入射し
、このガラスファイバ８から導波路区分１２０に送り込
まれた波長λ、の光は分岐導波路区分１２２Ｃ向って偏
向されて光検出素子２響：導かれるように選定される。
この場合波長λ、の光のかなりの部分が光検出菓子に連
することなく、又波長λ、の光のかなりの部分がレーザ
ー・ダイオード１に達することもない。
第６図に示すマルチプレクス・デマルチプレクス・モジ
ュールは主として波長選択分岐格子３の代りに波長選択
方向性カプラが使用されている点で第５図のものと異っ
ている。レーザー・ダイオードと光検出素子は第５図と
第６図のものが等しく共に１および２として示される。
テーパー形先端を持つガラスファイバ８についても同様
である。
第６図の端面１２１０で終るストライプ光導波路１２０
０は第５図の端面１２１で終るストライプ光導波路区分
１２０　Ｃ対応し、第６図の光導波路区分１２２０は第
５図の光導波路区分１２２に対応する。
ストライプ形分岐光導波路区分１２２０は分岐区ｆｉ１
２３０において同時に偏向要素にもなっている波長選択
方向性カプラな通してストライプ光導波路区分１２００
に光結合される。そのため両方のストライプ導波路区分
１２００と１２２０は分岐区域１２３０においである長
さだけ狭い間隔を保って並行し、波長λ、の光は結合可
能であるがレーザー・ダイオード１からの波長λ、の光
は結合不可能であるようになっている。
ストライプ光導波路区分１２００と１２２０は方向性カ
プラ３０と共に構造化されたストライプ光導波路を構成
しているが、これは第１図乃至第４図の鳩１２によって
実現されるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明ｉ二よるマルチグレクス・デマルチプ
レクス・モジュールの光伝搬方向に平行な断面を示し、
第２図、第３図、第４図はそれぞれこの発明の％る実施
態様を示し、第５因と第６図はこの発明によるマルチプ
レクス・デマルチプレクス・モジュールの平面囚である
。 第１図において ｌ・・・ＤＦＢレーザー・ダイオード、　　２・・・光
検出素子、　３・・・波長選択格子、　　４・・・偏向
格子、　　１０・・・基板。 ＩＧ　２ ＩＧ　３ ＦＩＧ　４ ＦＩＧ　５ ＦＩＧ　６

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）レーザー・ダイオード（１）と光検出素子（２）が
    ストライプ形又は成層形光導波路（（１２）と共に一つ
    の共通基板（１０）上に集積されていること、受動光デ
    バイスがストライプ形又は成層形光導波路（１２）自体
    又はその特定の構造化形態（３、３０、４）又はその双
    方によつて実現するものであることを特徴とする少くと
    も一つのレーザー・ダイオードと、光検出素子および受
    動光デバイスで構成された二方向光通信装置。 ２）レーザー・ダイオード（１）から受動光デバイスを
    構成する波長選択デバイス（３）に達しそれから光検出
    素子（２）に達するストライプ形又は成層形光導波路（
    １２）を備えていることを特徴とする特許請求の範囲第
    １項記載の装置。 ３）レーザー・ダイオード（１）が光導波路（１２）に
    結合されたＤＦＢレーザー・ダイオードであることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の装置。 ４）レーザー・ダイオード（１）と光導波路（１２）と
    光検出素子（２）とが基板（１０）の同じ側に設けられ
    ていること、光検出素子（２）が偏向要素（４）又は端
    面結合によつて光導波路（１２）に結合されていること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項の一つに
    記載の装置。 ５）レーザー・ダイオードと光導波路が基板の一方の側
    に、光検出素子がその反対側に設けられていること、光
    検出素子が偏向素子を通して光導波路に結合され光導波
    路中を導かれる光が光導波路から基板を通して光検出素
    子に向うように偏向されることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項乃至第３項の一つに記載の装置。 ６）偏向素子が光導波路（１２）の上又は内部に形成さ
    れた偏向格子（４）および／又は光導波路中の光の伝搬
    方向に対して斜めに置かれた反射面から構成されること
    を特徴とする特許請求の範囲第４項又は第５項記載の装
    置。 ７）レーザー・ダイオード（１）が表面結合を通して光
    導波路（１２）に結合されていること、レーザー・ダイ
    オードの少くとも一方の端面にレーザー光伝搬方向に対
    して斜めに置かれた反射面が設けられていることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項乃至第６項の一つに記載の
    装置。 ８）光検出素子がフォトダイオード又はフォトトランジ
    スタであることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
    第７項の一つに記載の装置。 ９）構造化されたストライプ光導波路（１２）がレーザ
    ー・ダイオード（１）から基板（１０）の一つの縁端ま
    で伸びそこで終つているストライプ導波路区分（１２０
    、１２００）とそれから分岐して光検出素子（２）に達
    するストライプ導波路区分（１２２、１２２０）を備え
    ること、偏向素子（３、３０）が導波路区分（１２２、
    １２３０）の分岐区域（１２３、１２３０）に設けられ
    、この要素はレーザー・ダイオード（１）から放射され
    た特定波長（λ＿１）の光は光導波路（１２）が終つて
    いる基板（１０）の縁端部分に導かれ、この基板縁端部
    分から光導波路区分（１２０、１２００）に入射した特
    定波長（λ＿２）の光は分岐導波路区分（１２２、１２
    ２０）に偏向されて光検出素子（２）に導かれ、その際
    波長λ＿１の光の大きな部分が光検出素子（２）に導か
    れることなく又波長λ＿２の光の大きな部分がレーザー
    ・ダイオード（１）に到達することもないように構成さ
    れていることを特徴とする特許請求の範囲第４項、第６
    項、第７項又は第８項の一つに記載の装置。 １０）分岐ストライプ導波路区分（１２２）が直接スト
    ライプ導波路区分（１２０）に接していること、偏向素
    子（３）が導波路分岐区域（１２３）において構造化さ
    れたストライプ導波路（１２）上に設けられ少くとも導
    波路区分（１２０）の幅を占める波長選択性偏向格子で
    構成され、その格子ストライプが導波路区分（１２０）
    中の光伝搬方向（Ｒ＿１）と分岐導波路区分（１２２）
    中の光伝搬方向（Ｒ＿２）の双方に対して傾斜し又第二
    の特定波長λ＿２の光だけが偏向されるように格子定数
    が選定されていることを特徴とする特許請求の範囲第９
    項記載の装置。 １１）一つの分岐ストライプ導波路区分（１２２０）が
    分岐区域（１２３０）において偏向素子を構成する波長
    選択方向性結合器（３０）を通して別のストライプ導波
    路区分（１２００）に結合されていることを特徴とする
    特許請求の範囲第９項記載の装置。 １２）第一エピタキシィ過程においてレーザー活性層（
    １３）とその下の光導波路形成層（１３）を含む重積層
    を基板（１０）の表面に作ること、この重積層をレーザ
    ー・ダイオードに予定されている区域を除いてその下の
    層（１２）に達するまで除去すること、これによつて露
    出した表面に第二エピタキシィ過程において少くとも三
    つの層（１５、１６、１７）を全面的に成長させ、その
    際下の層（１２）に境を接する層（１５）は層（１２）
    よりも小さい屈折率を示すようにし、最上層（１７）に
    はその下に続く層（１６）に対して逆型にドープされた
    領域を含ませるかそれを上に乗せることを特徴とする少
    くとも一つのレーザー・ダイオード、光検出素子および
    受動光デバイスで構成された二方向光通信装置の製造方
    法。 １３）三層構造の最上層（１７）に続く第二層（１６）
    に対して逆型にドープされる領域のドーピングに対して
    最上層（１７）にドーパントを拡散させ、その拡散区域
    が最上層の厚さの一部分だけを占めるようにすることを
    特徴とする特許請求の範囲第１２項記載の製法。 １４）三層構造の最上層（１７）の下に続く層（１６）
    のドーピングに対して逆型にドープされた区域が対応し
    てドープされた層（１８）を第二エピタキシィ過程に際
    して層（１７）の上に付加することにより形成されるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１２項記載の製法。 １５）第二エピタキシィ過程の開始前に第一エピタキシ
    ィ過程で作られた重積層を下部層（１２）に達するまで
    選択的に除去した後この層（１２）を受動的光デバイス
    形成のため構造化することを特徴とする特許請求の範囲
    第１２項記載の製法。 １６）第二エピタキシィ過程において設けられた重積層
    の最上層（１７）が場合によつてはその上に設けられた
    一つ又はそれ以上の層と共に光検出素子（２）に予定さ
    れている区域の外側で選択的に除去されることを特徴と
    する特許請求の範囲第１２項乃至第１５項の一つに記載
    の製法。
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