JPS61168957A - 二方向光通信装置とその製法 - Google Patents

二方向光通信装置とその製法

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JPS61168957A
JPS61168957A JP61000477A JP47786A JPS61168957A JP S61168957 A JPS61168957 A JP S61168957A JP 61000477 A JP61000477 A JP 61000477A JP 47786 A JP47786 A JP 47786A JP S61168957 A JPS61168957 A JP S61168957A
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waveguide
optical waveguide
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マンフレート、プリハール
ハインリツヒ、シユレツテラー
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 :の発明は、少くとも一つのレーザー・ダイオード、少
くとも一つの光検出素子および少くとも一つの受動的光
デバイス特に波長選択デバイスで構成される二方向光通
信装置とその製造方法(−関するものである。
〔従来の技術〕
例えばガラス・ファイバを通して二つの伝送方向に波長
λ、の光と波長λ諺の光が送られる二方向光通信に均し
ては区間の両端番;それぞれ一つの送信要素と受信要素
ならび2:波長選択デバイスの形の受動光デバイスが必
要である。この種の装置は現在もなおハイブリッド形に
作られ1時間がかかり高価になるから単独加入者用とし
ては高価に過ぎる。
この場合大きさ、安定性、製造コスト等が価格を左右す
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
この発明の目的は、この種の装置を改良して低コストで
安定に多量生産できるようにすることである。
〔問題点の解決手段〕
、この目的は特許請求の範囲第1XJB:特徴として℃ 挙げた構成とすることg二よって達成される。
〔発明の作用効果〕
後からは簡単だと見られるこの発明の提案に到達するた
めには次の問題を解決する必要があった。
すなわちこの発明の対象となっている装置時に二方向光
通信に使用されるマルテプレクス・デマルチプレクス・
モジュールを集積構造とするため区;はレーザー・ダイ
オード、光検出素子例えばフォトダイオード、受動光導
波路および受動光デバイス例えば波長選択デバイスを少
くともそれぞれ一つづつ一つの基板上に作らなければな
らないが、これらのデバイスは互に著しく異った積層構
成と各層特性を要求することから大きな問題を提起する
DPBレーザー・ダイオードをストライブ導波路と集積
する方法は既に提案されている(ドイツ連邦共和国特許
出願公開第3436306号公報)が、この場合In0
aAsPJiii即ちQ層を使用することが主要条件で
ある。フォトダイオードに対してはIn0aA、s の
3成分層が第一に考えられる。
4成分層で構成された重積層と3成分層で構成された重
積層は層の配列も異り互5二調整されていないから、こ
のような素子を共通基板上で結合することには困難な問
題がある。
この発明はできるだけ多数の層が種々のデバイスζ二共
通に使用されると同時に必要としない層を局所的ならび
に選択的に除去することが可能であるようじした唯2回
のエピタキシィ過程によりエビタキVヤル層列を成長さ
せることができるという新しい知識に基くものである。
その外に両重積層系の見かけ上の不一致にも拘らず多く
の工程段を総てのデバイス(:対して共通に実施するこ
とができ、それによって工程段数を減らすことが可能で
あるという知識も利用されている。
この発明の有利な実施態様では特許請求の範囲第2項に
記載されているようC,レーザー・ダイオードから波長
選択格子を経由して光検出素子に導くストライプ形又は
成層形導波路が設けられる。この構成は集積マルチプレ
クス・デマルチプレクス・モジュールに対して有利であ
る。
特許請求の範囲第3項に従いレーザー・ダイオードとし
てストライプ形又は成層形の光導波路ミニ結合されたD
FBレーザー・ダイオードを使用することも有利である
。ストライプ導波路に結合されたレーザー・ダイオード
の製作には単に一つの補助層を追加するだけで充分であ
るが、これについては後で詳細に説明する。
この発明による装置の特別な長所は僅か2回のエピタキ
シィ過程によって製作することができることである。そ
のためには特許請求の範囲第4項6:記載したようにレ
ーザー・ダイオードとストライプ形又は成層形光導波路
と光検出素子を基板の一方の面に設け、光検出素子は偏
向要素を通しであるいは端面結合によって光導波路に結
合するだけでよい。
この偏向要素は受動光デバイスの一種であってストライ
プ形又は成鳩形導波路の構造化によって実現される。光
導波路と光検出素子の端面結合は文献[アイ・イー・イ
ー・イー ジャーナルオプ クワンタム エレクトロニ
クスJ (IEEE Journof Quant、E
lectr2) QE−13C4]、 1977年4月
p、220−223C記載されている公知の方法で実現
可能である。しかしこの方法で必要とされているエピタ
キシャル被覆層のギャップはこの発明の装置tに対して
は不必要であって端面結合の形成は著しく簡単化される
別の実施例では特許請求の範囲第5項に従いレーザー・
ダイオードと光導波路が基板の一方の面?−1光検出素
子がその反対側の面に設けられ、光検出素子は偏向素子
によって光導波路に結合され、光導波路内を導かれる光
が光導波路から基板を経由して光検出素子に向うように
偏向される。この実施態様では偏向素子が光導波路の構
造化によって実現するものであるから、二つ以上のエピ
タキシャル成長層を必要とするにも拘わらずレーザー・
ダイオードとそれに結合さnた光導波路の製造工程と光
検出素子の製造工程とが互にはとんど無闇、係に実施さ
れるという長所がある。この場合基板は光導波路中を進
む光に対して透明でなければならない。
ばならない。
特許請求の範囲第6項に従い偏向素子として光導波路の
表面又はその内部に形成された偏向格子又は導波路内に
元の伝搬方向に対して斜めに置かれた反射面又はその双
方を使用するのも有利である。
る。
レーザー・ダイオードとストライプ形又は成層形の光導
波路との間の結合は公知の端面結合の外に表面結合又は
洩れ波結合によることができる。
この発明の一つの有利な実施態様では特許請求の範囲第
7項鑑二従い、レーザー・ダイオードが表面結合署−よ
って光導波路に結合され、レーザー・ダイオードの少く
とも一つの端面(:はレーザー光の伝搬方向に対して斜
めに置かれた反射面が設けられる。この反射面によりレ
ーザー・ダイオードと光導波路の間の結合が著しく改善
される。この反射面はエツチングによって作られた傾斜
側面として簡単に実現させることができる。
この発明による装置では特許請求の範囲第8項1:従い
光検出素子としてフォトダイオード又はフォトトランジ
スタを使用するのが有利である。
有利なマルチプレクス・デマルチプレクス・モジュール
の実施態様は特許請求の範囲第9項乃至第11項に本さ
れている。
前に連へたように特許請求の範囲第4項による実施態様
の長所はそれが僅か2回のエビタキンイ過程により簡単
に製作できることである。この実施態様を実施する方法
の一つは特許請求の範囲第12項に示されているが、そ
の重要な工程段はレーザー活性層とその下C装置かれる
光導波路構成層から成る層堆積を基板上に作る第一エピ
タキシィ過程と、この層堆積をレーザー・ダイオード予
定区域の外側でその下にある層に達するまで除去する段
階と、これによって露出した表面に少くとも三つの別の
層を成長させる第二エピタキシィ過程である。この場合
光導波路となる層の屈折率はその下に続く媒体の屈折率
より大きくレーデ−活性層の屈折率よりは小さく選ばれ
、第二エピタキシィ過程で成長する3層中の最下層はそ
の下の層よりも小さい屈折率を示し、最上層はその下に
続く4+二対して逆型にドープされた領域を含むかある
いはこれを上C2乗せている。
この方法は、第二エピタキシィ過程においては一つ又は
それ以上の補助層だけが形成され特定のドーピングを受
けるという点だけで公知の方法と異っている。3層中の
最上層は光検出素子形成用であって無ドーピングのもの
でよく、後から特許請求の範囲第13項に従い拡散によ
ってドープされる。
しかし3層構造の代りに特許請求の範囲第13項に記載
したよう≦ニニ重層を使用し、その一方の層は無ドーピ
ングとし他方は適当にドーブすることも可能である。こ
の二重層は第二エビタキンイ過程で作ることができる。
この場合拡散は必要でなくなる。
光導波路の外に別の受動光デバイスを光導波路層の構造
化によって作る場合には、特許請求の範囲第15項に従
い第二エピタキシィを開始する前に第一エビタキンイに
よって形成された膚堆積を部分的に除去した後残りの部
分を構造化して受動光デバイスを形成させる。
この発明6;よる方法において光検出素子の製作は特許
請求の範囲第16項に従い、第二エピタキシィにおいて
設けられた三層構造の最上層を場合≦:よってその上1
;置かれている層と共に元検出素子に予定されている区
域の外で除去する。
この発明による装置の一例は前述の集積マルテプレタス
・デマルチプレクス・モジュールである。
別の例は集積ヘテロゲイン又はホモダイン受信機であり
、ここでもレーザー・ダイオードとフォトダイオードが
他の光デバイスと共に集積されて光通信−二値用される
〔実施例〕
DFBレーザー・ダイオードとフォトダイオードを含む
集積マルチプレクス・デマルチプレクス・モジュールを
例にとり図面を参照してこの発明を更ζ:詳細に説明す
る。
第1図に示したマルtプレクス・デマルチプレクス拳モ
ジュールでは、DFBレーザー・ダイオードlとそれに
結合されたストライプ形又は成層形の光導波路12が基
板1oの表面に設けられた層11乃至1に=よって構成
されている。3は波長選択格子、4は偏向格子であり、
いずれも光導波路層lz内に作られている。
基板IOは例えば1017S10′′程度の高密度のN
 型置ニドープされたInPから成り、層11はこれと
同じ材料から成り厚さ0.5μ風である。
層12は4成分材料例えばInGhAsP  又はIn
GaAlAsから成るQ層であるが、第1図の実施例で
はInGhAsP層が使われている。
層12は最高密度10I?のN型ドーピングを施され、
厚さは0.3乃至0,5μ賜であり、はぼ螢光波長1.
3μmに対応するエネルギー・ギャップな示す。
層12の上に股けられたエッチストップ層は例えばIn
Pから成り、その厚さは例えば0.1μ鶏で密度101
7のNWドーピングを受ける。
レーザー活性層13はドープされていない真性伝導9層
であり1例えばO52μ論の厚さと155μ亀の螢光波
長に対応するエネルギー・ギャップを持つ。
DFBレーデ−・ダイオードの格子51が形成されてい
る層14はP型CニドープされたQllであり、例えば
0.3μ隅の厚さと1.3μ隅の螢光技長に対窓するエ
ネルギー・ギャップを持つ。層15はInPから成り、
例えば密度1g+?のP型ドーピングを受け1乃至1.
5μ鶏の厚さである。層16は例えば密度10’″のP
+型CニドープされたQ層であり、例えば0.2μ島の
厚さと12μ賜の螢光波長に対応するエネルギー・ギャ
ップを持つ。層15と16はP型にドープする代りに例
えば密度1017のN型1ニドープしてもよい。
DFBレーザー・ダイオード1は第1図の段52の左側
に置されている部分である。これに置えて波長選択格子
3とフォトダイオードの形の光検出素子2とその下に置
かれた偏向格子4が設けられている。
フォトダイオードは直接層16の表面に設けられたドー
プされない3成分材料例えばInGaAsから成る層1
7とその上に段けられた3成分材料例えばInGaAa
 の層18から構成される。層18は層16に対して逆
m+ニドープされ第1図の場合Nmである。層17の厚
さは例えば3μ鶏であり、層18は例えば密度1o の
N 型にドープされ厚さは例えば0,2μ鶴である。層
重8のドーピングは同程度の密度のP 型とすることが
できる。
ストライプ形又は成層形の光導波路中を導かれる光がフ
ォトダイオード2c二達するようにするため、このフォ
トダイオードの下で層12内に偏向格子4が作られ、光
の少くとも一部をフォトダイオード2に向って偏向する
レーザー・ダイオードlとフォトダイオード2の間の層
12に本来のデマルチプレクサを構成する波長選択格子
3が形成され、その平行溝は、層12には平行であり第
1図の紙面には垂直である平面内でこの紙面に対して糾
めに車がれている。
この格子3はモジュールの本来のマルチプレクサとデマ
ルチプレクサを構成するものである。
第1図のモジュールにはレーザー・ダイオードの光検出
素子の動作に必要な接触端がレーザー・ダイオード1の
区域では層16の上に、フォトダイオードの区域では層
18の上に設けらル、吏に少くとも一つの接点が基板1
0C設けられる。
第1図のモジュールの製造方法の詳細1;立ち入る前に
その機能を簡単に説明する。レーザー・ダイオードlで
発生した波長λ、の電磁放射の一部は洩れ波としてレー
ザー活性層13の下に置かれている光導波路12C入射
して波長選択格子31;達し、集積されている光検出素
子2に達することは阻止される。逆の伝搬方向に進む波
長λ、の電磁放射はガラスファイバから光導波路12に
入れられ、波長選択格子3によって光検出素子2C導か
れる。格子3はこの場合波長λ、の光がレーデ−・ダイ
オードIC達するのを阻止する。
第1図のモジュールの製造工程の主要部分は次の通りで
ある。まず第一エピタキシィ過程において基板10の表
面62層11乃至14が全面的に設けられた後層13と
14がレーザー・ダイオード予定区域の外で選択的に除
去されて段52が形成される。続いてこの段付表面に各
種の格子51゜3および4が作られる。この場合これら
の格子構造は一つ又はそれ以上の工程段においてレーザ
ー光又は電子ビームで所定区域を照射した後層12と1
4をエッチすることによって作られる。このエツチング
は総ての格子構造に対して共通に実施することができる
。次1::′lFJニエビタキシイ過程において格子構
造が食刻されている段付表面が層15乃至18において
形成される。続いて層17と18が光検出素子2の区域
の外で選択的に除去され。
最後にレーザー・ダイオードlと光検出素子2の動作に
必要な金属接点が設けられる。以後の工程は層13と1
4の選択的エツチング後第二エピタキシィ過程の前に層
12が構造化され、第二エピタキシィ過程≦二おいて3
以上の層が作られ補助的に設けられた層が選択的に除去
されることを除いて従来のものとほとんど変りはなく、
これ以外の差異は本質的なものではない。
第2図には第1図のユニットの菱形が示されている。こ
の変形では基板10は半絶縁性であるから光検出素子2
の動作には層18だけではなく層16にも160として
示されている接点が必要である外に層12が層15およ
び16と同じ導電型にドープされていなければならない
。同様にレーザー・ダイオードにも層12又は11(=
接点が設けられる。
第1図と第2図のモジュールでは第二エピタキシィ過程
において両方の補助層17と18が設けられ、層18は
フォトダイオードの接触形成に必要なドーピングのドー
パント源となる。しかしこのドーパントは非ドープ層1
7に入れておいてもよい。第3図に示す変形では基板1
0と層11がN  ff1l:、ドープされて導電性に
なっている。層12.15および16はN型−ニドープ
される。層17はドープされていないが、基板10に対
して反対側CP!II!+ニドーブされた領域170が
局所的の拡散6:よって作られている。この領域17G
は第1図、′W42図の層18C代るものである。19
は被覆層であり同時に拡散マスクとして使用される。層
19は層17を選択的−二除去した後に設けられ、層1
7の残された部分に対する穴を通して拡散物質を入れる
ことができる。またP 型Cニドープされた領域170
C接点を作ることも可能である。
!!3図のモジュールでは層12.15および16が第
1因、第2図のモジュールのよう(−P型にドープされ
ずN型1;ドープされる。従って領域170はP型ドー
プでなければならない。このようなドーピング形式の場
合レーザー・ダイオードlの区域では層14と15が完
全にP型となるように深部まで例えば拡散(:よってド
ープする必要がある。
第4図には第1(lのモジュールの別の実施態様が第2
図、第3因に対応する形で示されている。
この実施態様では光導波路12と光検出素子2の間に端
面結合が作られる。そのため第一エピタキシィ過程の後
第二エピタキシィ過程開始前に層12の構造化と並んで
第一エピタキシィによって設けられた層11乃至14の
堆積と基板を光検出素子予定区域において特定の深さま
で局所的に除去する補助工程段が必要となる。基板10
の一部を除去する深さtは、層15,16,17および
場合により18を設けた後層12と層17が光検出素子
2の予定区域において等しい高さ1:並ぶように選定す
る。
層12内を格子3から光検出素子2に向って伝搬する光
は、補助工程段で作られた層12の端面121から出て
その前で垂直方向(=拡がる層15と16の部分を貫通
し等しい高さに置かれた層17に入射する。このモジュ
ールは偏向格子を必要としない。
レーデ−活性層13から光導波路12への結合の改II
には斜めに層かれた反射面を利用することができる。こ
の反射面は第1図その他のユニットに存在する段52を
傾斜面とすること;:よって簡単(=実現される。
第5図の平面図6=示されているマルチプレクス・デマ
ルチプレクス・モジュールではレーザー・ダイオードl
と光検出素子2が単に四角形で示されている。第1図乃
至第4図の層12で構成される構造化された光導波路は
、レーデ−・ダイオードlから例えば直線的に基板10
の一つの縁端に達しそこで終っているストライプ光導波
路区分120と、それから分岐して光検出素子21:達
するストライプ光導波路区分122を含む。この分岐光
導波路区分122は直接光導波路区分120−二接して
いる。
分岐区域123では構造化されたストライプ導波路12
に少くとも光導波路区分120の幅bに等しい拡がりを
持つ波長選択格子3が偏向素子として設けられる。第5
図の紙面1;平行に伸びる例えば溝で構成される格子ス
トライプ31は導波路区分120内の光伝搬方向R,と
分岐光導波路区分122内の光伝搬方向R8の双方に対
して斜めに置かれている。
偏向格子3の格子ストライプ31の傾斜角とその格子定
数は、レーザー・ダイオードlから放出された波長λ1
の放射が導波路区分120内で分岐導波路区分122の
前を通って基板10の縁端に連しそこから放出されて動
向するがラスファイバ8のテーパー形先端81に入射し
、このガラスファイバ8から導波路区分120に送り込
まれた波長λ、の光は分岐導波路区分122C向って偏
向されて光検出素子2響:導かれるように選定される。
この場合波長λ、の光のかなりの部分が光検出菓子に連
することなく、又波長λ、の光のかなりの部分がレーザ
ー・ダイオード1に達することもない。
第6図に示すマルチプレクス・デマルチプレクス・モジ
ュールは主として波長選択分岐格子3の代りに波長選択
方向性カプラが使用されている点で第5図のものと異っ
ている。レーザー・ダイオードと光検出素子は第5図と
第6図のものが等しく共に1および2として示される。
テーパー形先端を持つガラスファイバ8についても同様
である。
第6図の端面1210で終るストライプ光導波路120
0は第5図の端面121で終るストライプ光導波路区分
120 C対応し、第6図の光導波路区分1220は第
5図の光導波路区分122に対応する。
ストライプ形分岐光導波路区分1220は分岐区fi1
230において同時に偏向要素にもなっている波長選択
方向性カプラな通してストライプ光導波路区分1200
に光結合される。そのため両方のストライプ導波路区分
1200と1220は分岐区域1230においである長
さだけ狭い間隔を保って並行し、波長λ、の光は結合可
能であるがレーザー・ダイオード1からの波長λ、の光
は結合不可能であるようになっている。
ストライプ光導波路区分1200と1220は方向性カ
プラ30と共に構造化されたストライプ光導波路を構成
しているが、これは第1図乃至第4図の鳩12によって
実現されるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明i二よるマルチグレクス・デマルチプ
レクス・モジュールの光伝搬方向に平行な断面を示し、
第2図、第3図、第4図はそれぞれこの発明の%る実施
態様を示し、第5因と第6図はこの発明によるマルチプ
レクス・デマルチプレクス・モジュールの平面囚である
。 第1図において l・・・DFBレーザー・ダイオード、  2・・・光
検出素子、 3・・・波長選択格子、  4・・・偏向
格子、  10・・・基板。 IG 2 IG 3 FIG 4 FIG 5 FIG 6

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)レーザー・ダイオード(1)と光検出素子(2)が
    ストライプ形又は成層形光導波路((12)と共に一つ
    の共通基板(10)上に集積されていること、受動光デ
    バイスがストライプ形又は成層形光導波路(12)自体
    又はその特定の構造化形態(3、30、4)又はその双
    方によつて実現するものであることを特徴とする少くと
    も一つのレーザー・ダイオードと、光検出素子および受
    動光デバイスで構成された二方向光通信装置。 2)レーザー・ダイオード(1)から受動光デバイスを
    構成する波長選択デバイス(3)に達しそれから光検出
    素子(2)に達するストライプ形又は成層形光導波路(
    12)を備えていることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の装置。 3)レーザー・ダイオード(1)が光導波路(12)に
    結合されたDFBレーザー・ダイオードであることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載の装置。 4)レーザー・ダイオード(1)と光導波路(12)と
    光検出素子(2)とが基板(10)の同じ側に設けられ
    ていること、光検出素子(2)が偏向要素(4)又は端
    面結合によつて光導波路(12)に結合されていること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第3項の一つに
    記載の装置。 5)レーザー・ダイオードと光導波路が基板の一方の側
    に、光検出素子がその反対側に設けられていること、光
    検出素子が偏向素子を通して光導波路に結合され光導波
    路中を導かれる光が光導波路から基板を通して光検出素
    子に向うように偏向されることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項乃至第3項の一つに記載の装置。 6)偏向素子が光導波路(12)の上又は内部に形成さ
    れた偏向格子(4)および/又は光導波路中の光の伝搬
    方向に対して斜めに置かれた反射面から構成されること
    を特徴とする特許請求の範囲第4項又は第5項記載の装
    置。 7)レーザー・ダイオード(1)が表面結合を通して光
    導波路(12)に結合されていること、レーザー・ダイ
    オードの少くとも一方の端面にレーザー光伝搬方向に対
    して斜めに置かれた反射面が設けられていることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項乃至第6項の一つに記載の
    装置。 8)光検出素子がフォトダイオード又はフォトトランジ
    スタであることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至
    第7項の一つに記載の装置。 9)構造化されたストライプ光導波路(12)がレーザ
    ー・ダイオード(1)から基板(10)の一つの縁端ま
    で伸びそこで終つているストライプ導波路区分(120
    、1200)とそれから分岐して光検出素子(2)に達
    するストライプ導波路区分(122、1220)を備え
    ること、偏向素子(3、30)が導波路区分(122、
    1230)の分岐区域(123、1230)に設けられ
    、この要素はレーザー・ダイオード(1)から放射され
    た特定波長(λ_1)の光は光導波路(12)が終つて
    いる基板(10)の縁端部分に導かれ、この基板縁端部
    分から光導波路区分(120、1200)に入射した特
    定波長(λ_2)の光は分岐導波路区分(122、12
    20)に偏向されて光検出素子(2)に導かれ、その際
    波長λ_1の光の大きな部分が光検出素子(2)に導か
    れることなく又波長λ_2の光の大きな部分がレーザー
    ・ダイオード(1)に到達することもないように構成さ
    れていることを特徴とする特許請求の範囲第4項、第6
    項、第7項又は第8項の一つに記載の装置。 10)分岐ストライプ導波路区分(122)が直接スト
    ライプ導波路区分(120)に接していること、偏向素
    子(3)が導波路分岐区域(123)において構造化さ
    れたストライプ導波路(12)上に設けられ少くとも導
    波路区分(120)の幅を占める波長選択性偏向格子で
    構成され、その格子ストライプが導波路区分(120)
    中の光伝搬方向(R_1)と分岐導波路区分(122)
    中の光伝搬方向(R_2)の双方に対して傾斜し又第二
    の特定波長λ_2の光だけが偏向されるように格子定数
    が選定されていることを特徴とする特許請求の範囲第9
    項記載の装置。 11)一つの分岐ストライプ導波路区分(1220)が
    分岐区域(1230)において偏向素子を構成する波長
    選択方向性結合器(30)を通して別のストライプ導波
    路区分(1200)に結合されていることを特徴とする
    特許請求の範囲第9項記載の装置。 12)第一エピタキシィ過程においてレーザー活性層(
    13)とその下の光導波路形成層(13)を含む重積層
    を基板(10)の表面に作ること、この重積層をレーザ
    ー・ダイオードに予定されている区域を除いてその下の
    層(12)に達するまで除去すること、これによつて露
    出した表面に第二エピタキシィ過程において少くとも三
    つの層(15、16、17)を全面的に成長させ、その
    際下の層(12)に境を接する層(15)は層(12)
    よりも小さい屈折率を示すようにし、最上層(17)に
    はその下に続く層(16)に対して逆型にドープされた
    領域を含ませるかそれを上に乗せることを特徴とする少
    くとも一つのレーザー・ダイオード、光検出素子および
    受動光デバイスで構成された二方向光通信装置の製造方
    法。 13)三層構造の最上層(17)に続く第二層(16)
    に対して逆型にドープされる領域のドーピングに対して
    最上層(17)にドーパントを拡散させ、その拡散区域
    が最上層の厚さの一部分だけを占めるようにすることを
    特徴とする特許請求の範囲第12項記載の製法。 14)三層構造の最上層(17)の下に続く層(16)
    のドーピングに対して逆型にドープされた区域が対応し
    てドープされた層(18)を第二エピタキシィ過程に際
    して層(17)の上に付加することにより形成されるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第12項記載の製法。 15)第二エピタキシィ過程の開始前に第一エピタキシ
    ィ過程で作られた重積層を下部層(12)に達するまで
    選択的に除去した後この層(12)を受動的光デバイス
    形成のため構造化することを特徴とする特許請求の範囲
    第12項記載の製法。 16)第二エピタキシィ過程において設けられた重積層
    の最上層(17)が場合によつてはその上に設けられた
    一つ又はそれ以上の層と共に光検出素子(2)に予定さ
    れている区域の外側で選択的に除去されることを特徴と
    する特許請求の範囲第12項乃至第15項の一つに記載
    の製法。
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