JPS63257290A - 双方向性光通信または信号伝送のための集積光デバイス - Google Patents

双方向性光通信または信号伝送のための集積光デバイス

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JPS63257290A
JPS63257290A JP63073027A JP7302788A JPS63257290A JP S63257290 A JPS63257290 A JP S63257290A JP 63073027 A JP63073027 A JP 63073027A JP 7302788 A JP7302788 A JP 7302788A JP S63257290 A JPS63257290 A JP S63257290A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は双方向性光通信または信号伝送のための集積
光デバイスに関するものである。
（従来の技術〕 上記の種類のデバイスにおいて共通の基板の上に半導体
レーザーと、光検出器と、導波路構造を有する方向選択
性結合装置とがｇ１積されており、結合装置が３つのゲ
ートを有し、それらのうち第１のゲートはレーザーに、
また第２のゲートは検出器に結合されており、結合装置
は、レーザーから第１のゲートに入射結合された波長が
３つのゲートのうちの第３のゲートに伝達され、また第
２のゲートには伝達されないかまたは少なくともほとん
ど伝達されないように、また第３のゲートに入射結合さ
れた他の波長が第２のゲートに伝達されるように構成さ
れている双方向性光通信または信号伝送のための集積光
デバイスはドイツ連邦共和国特許出願公開第３５００３
２７号（特開昭６ｌ−１６８９５７）明細書から公知で
ある。この公知のデバイスでは方向選択性結合装置は主
として、導波路構造の上に構成されたブラッグ格子から
成っており、このブラッグ格子は、レーザーから放射さ
れて第１のゲートで導波路構造に入射結合された一方の
波長λ１が第３のゲートに通過する（またはその逆）よ
うに、また第３のゲートで導波路構造に入射結合された
他方の波長λ富が検出器に偏向しまたは通過するように
構成されている０、導波路構造は層厚波路または丁字形
ストリップ導波路構造から成っていてよい、公知のデバ
イスは小さいチャネル間隔、すなわち５Ｑｎｍよりも小
さい制隔に適している。
［発明が解決しようとする課題〕 本発明の課題は、冒頭に記載した種類のデバイスであっ
て、同じく小さいチャネル間隔に適しており、かつ少な
くとも４５ｄＢの漏話減衰を達成し得る新しいデバイス
を提供することである。
〔課題を解決するための手段〕
この課題は、本発明によれば、 結合装置がＹ字形導波路二又から成っており、その一方
の二又枝路が第１のゲートに、他方の二又枝路が第２の
ゲートに、また二又幹路が第３のゲートに対応付けられ
ており、 または結合装置が光方向性結合器から成っており、光方
向性結合器が結合区間の一方の側に２つのゲートを有し
、それらのうち一方は結合装置の第１のゲートを、また
他方は第２のゲートを形成し、また光方向性結合器が結
合区間の他方の側に結合装置の第３のゲートを形成する
ゲートを存し、また光方向性結合器が、結合区間により
第１のゲートと第３のゲートとの間で一方の波長を、ま
た第３のゲートと第２のゲートとの間で他方の波長を伝
達可能であり、 検出器に通ずる導波路の上または中に、一方の波長に対
しては遮断性、他方の波長に対しては透過性である波長
選択性フィルタが配置されていることにより解決される
。
〔発明の効果〕
本発明によるデバイスでは、要求され、また実際に必要
とされる漏話減衰が一方では導波路二又または方向性結
合器の方向選択性により、また他方では特に小さいチャ
ネル間隔における伝送のためにデバイスの採用を可能に
する波長選択性フィルタのフィルタ作用により達成され
る。
デバイスが伝送区間の両側で統一的なテクノロジーによ
り製造され得るならば、特に有利である。
その際にデバイスは集積光デバイスのテクノロジーによ
り製造可能であり、また加入者接続範囲のガラスファイ
バ伝送区間に適している。
〔実施態様〕
本発明によるデバイスの結合装置の第３のゲートはたい
ていストリップ導波路の端面により郭定されており、そ
こには高い屈折率跳躍が存在している。この場合、本発
明によるデバイスを請求項２に従って構成することは重
要である。なぜならば、レーザーから放射された一方の
波長λ１の光の強度は、長い伝送区間を通じて導かれて
減衰を生じた他方の波長λ、の光の強度よりも何倍も高
く、非鏡面化されていない端面から反射される一方の波
長ハの光の部分は伝送区間を経て供給される他方の波長
λ８の光の強度よりも何倍も大きく、また一方の波長λ
１の光の反射される部分はレーザーのなかに戻ると共に
光検出器をレーザーの光に対して遮蔽する波長選択性の
フィルタにも到達するからである。
少なくとも同一の導波路および対称な構成が使用される
ならば、導波路二又および光方向性結合器は少なくとも
、第３のゲートに供給される他方の波長λｔを基準にし
て、波長選択性フィルタおよび検出器に導かれる部分に
ついて３ｄＢの損失を惹起する。この損失はたとえば非
対称な構成により、たとえば導波路二又の第１の二又枝
路が断面積を二又幹および第１の二又枝路よりも小さく
されることによって減ぜられ得る。
損失は、光方向性結合器を使用する場合には、この方向
性結合器が請求項３に示されているように波長選択性方
向性結合器であるならば、導波路二又を使用する場合よ
りもずっと強い度合で減ぜられ得る。この実施例と関連
して言及すべきこととして、本発明によるデバイスでは
、方向性結合器のみが既にその方向選択性によりチャネ
ルの分離を導波路二又と同様に良好な効率で行い得る。
その波長選択性は、請求項３による実施例では、損失の
減少を達成するためにのみ利用される。それにより方向
性結合器は高選択性の実施例にくらぺて著しく短く構成
され得る。なぜならば、漏話の抑制が後に接続されてい
る波長選択性フィルタのなかで行われるからである。
請求項３によるデバイスの好ましい実施例は請求項４に
示されている。
Ｙ字形導波路二又に関して言及すべきこととして、二又
は２つの二又枝路しか有してはならないと理解されるべ
きではない０重要なことは、２つの二又枝路が存在して
おり、それらのうち一方が第１のゲートに、他方が第１
のゲートに対応付けられていること、また二又枝路が二
又幹を有する二叉根に合一していることのみである。
本発明によるデバイスの特に有利な実施例は請求項５に
示されており、それによれば波長選択性フィルタ装置は
ブラッグ格子から成っている。
請求項５によるデバイスの有利な実施例は請求項６およ
び７に示されている。
ブラッグ格子は区間から到来する光の他方の波長λ２に
ではなく、同一の基板上に位置するレーザーの一方の波
長島に同調させられているので、偏光に無関係な構成部
分は必要でない。なぜならば、レーザーはＴＥ偏光での
み発振するからである。さらに、この実施例またはデバ
イスは、伝送区間に対するモジュールが特定の範囲内で
自由に組み合わされるという利点を与える。その際にλ
１およびλ□の最小可能な間隔はブラッグ格子の遮断帯
域の幅により決定され、上方には可能な波長間隔が、短
波長側へブラッグ格子の放射が入ることにより制限され
る。
本発明によるデバイスの製造に関して特に有利な実施例
は請求項８に示されている。
本発明によるデバイスをエピタキシーにより製造する際
、請求項８に示されている共通の層はエピタキシ一層で
あってよく、またその場合に両格子はそれらの中間に位
置するエピタキシーなしに製造されてよく、それによっ
て必要なプロセスステップが顕著に減ぜられ得る。
請求項８によるデバイスの請求項９に示されている実施
例では、必要な両格子は単一の製造ステップでも製造さ
れ得る。
請求項８または９によるデバイスの存利な実施例は請求
項１０から出発する。特に請求項１０によるデバイスが
請求項１１に示されているように構成されることは目的
にかなっている。そこに示されている中間層は、少なく
ともフィルタとして使用されるブラッグ格子がレーザー
構造のエツチングの後に新たにエピタキシャルに成長さ
せられる必要がないようにするために、挿入されている
。
〔実施例〕
以下、図面により本発明を−Ｉσ詳細に説明する。
第１図によるデバイスでは、共通の基板Ｊの上に半導体
レーザー２と、光検出器３と、方向選択性の光接合装置
４としての導波路二又４０と、波長選択性のフィルタ５
としてのブラッグ格子５０と、レーザー２の出力パワー
を監視するためのモニタダイオード８とが＋［１されて
いる。
導波路二又４０はストリップ導波路から形成されており
、その際にレーザー２における第１のゲート４１から二
叉根４０４に通ずる二又枝路４０１とそこから第３のゲ
ート４３に通ずる二又幹４０３とは１つの通しの直線的
なストリップ導波路から成っており、他方において検出
器３における第２のゲート４２に通ずる二又枝路４０２
は二叉根４０４において分岐して湾曲して延びているス
トリップ導波路から成っている。このストリップ導波路
の表面にブラッグ格子５０がエツチングまたは他の仕方
で形成されている。
導波路二又４０の第３のゲート４３は直線的に延びてい
るストリップ導波路４０１．４０３の端面４３３により
二又幹４０３の端において郭定されている。この端面４
３３に伝送ファイバ７が連結されており、そのなかに、
半導体レーザーから送り出され第１のゲート４１および
直線的に延びているストリップ導波路４０１．４０３を
経て第３のゲート４３に導かれた一方の波長λ１が伝達
される。
ファイバ７によりデバイスに導かれた他方の波長ハは第
３のゲート４３を経て二又幹４０３のなかに入射結合さ
れ、またそのなかを一方の波長λ１の光の端面４３３で
反射された部分と同様に二叉＋［４０４の方向に伝播し
、そこで、両波長の強度の一部分が一方の二又枝路４０
１を経て第１のゲート４１へ、また他の一部分、典型的
には半分が他方の二又枝路４０２を経てブラッグ格子５
０へ伝播するように強度分布が行われる。
ブラッグ格子５０は、一方の波長島がそこで反射され、
また他方の二又枝路４０２を経て二叉根４０４へ、また
そこから第３のゲート４３へ逆伝播し、また他方の波長
λ２が矢印５２に示すように第２のゲート４２へ通され
、そこで検出器３へ出射結合され、次いで検出され得る
ように設計されている。
レーザー２から送り出され、第３のゲート４３に到達し
た一方の波長λ１の光は通常のようにファイバ７を通じ
て第３のゲート４３に導かれる他方の波長λｔの光と等
しくなくそれよりも大きい強度を有する。なぜならば、
波長λ２の光は伝送区間のなかで非常に強く減衰されて
到来するからである。端面４３３は典型的に非常に強い
屈折率跳躍を有し、またそれにより一方の波長λ１の大
きな部分がこの端面４３３において反射されるので、こ
の端面４３３は、反射される部分の強度が他方の波長λ
露の導かれる光のオーダー内に位置するように高度に光
鏡面化されなければならない。
基準値として、端面４３３において一方の波長λ１の光
の、プロミルのオーダーのたかだか一部分が反射されて
よいことが示される。
モニタ検出器６は半導体レーザー２の第１のゲート４１
と反対の側に配置されており、またストリップ導波路８
の短片により半導体レーザー２と接続されている。
検出器３およびモニタ検出器６はホトダイオードであっ
てよい。
第１図によるデバイスの具体的な実施例が第２図に垂直
断面図で示されており、その隙にこのデバイスの製造と
半導体レーザー２および検出器３における導波路二又４
０の結合とブラッグ格子５０の構成とに関して重要な垂
直断面部分のみが示されている。それらは第１図の切断
線Ａ−ＡおよびＢ−Ｂに沿ってのまたこれらの範囲内の
両垂直断面であり、これらのうち第２図にはｖＡＡ−Ａ
に属する垂直断面が分離空間から左側に、また線Ｂ−Ｂ
に属する垂直断面が右側に示されている。
それによれば第２図による実施例では、３００μｍの厚
みのＩｎＰから成るｎｏ　ドープされた基斗反１の上に
１１ｔｍの厚みのｎドープ゛されたＩｎＰから成るエピ
タキシャルバッファ層１０が、またその上に１．６５の
ギャップ波長および０．８μｍの厚みを有するｐドープ
された四元材料から成るエピタキシ一層１４が被覆され
ている。ＪｆＪ　１４の上に１μｍの厚みのＩｎＰから
成る別のρドープされたエピタキシ一層１５が位置して
いる。
第２図の左側部分に位置するＤＦＢレーザー２は主とし
て、層１０と層１４との間の範囲に３つの層１１ないし
１３から成る層スタックが配置されていることにより形
成されており、それらのうち層１３がレーザーのブラッ
グ格子２０を有する。
同じくエピタキシ一層である３つの層１１ないし１３の
うち、Ｎ１１は直接に層１０の上に被覆されており、ま
た１、３のギャップ波長および０．３μｍのｊＪみを有
するｎドープされた四元材料から成っている。層１１の
上に、レーザー活性層を形成し、また１、５５のギャッ
プ波長および０．２５μｍの厚みを有するドープされて
いない四元材料から成る層１２が被覆されている。
層１２の上に、１．３のギャップ波長および０．３μｍ
の厚みを有するｐドープされた四元材料から成り、表面
にブラッグ格子２０がエツチングにより形成されている
層１３が被覆されている。
層１１ないし１３および格子２０は層１４の被覆前に製
造される。
レーザーダイオードを完成するため、層１５の上に３つ
の層１１ないし１３の上方に、１．６７のギャップ波長
および０．２βｍの厚みを有するｐ′ドープされた四元
材料から成る層１６が被覆されており、この層は接触部
２１と接触している。それに対する対向接触部２２は基
板ｌの下面に３つの層１１ないし１３の下方に被覆され
ている。レーザー２から放射された一方の波長λ１の光
は層１２の端面から出て、これらの両端面の１つから直
接に、導波路二又４０を形成しまたは含んでいる７１１
４のなかに移行する。それによれば、この端面ば導波路
二又４０の第１のゲート４１をも形成する。
第２図の右側部分に位置する検出器３は、主としてＩＭ
　１４と、その上に被覆されたＩ、６７のギャップ波長
を有するｎドープされた四元材料の層１７と、この層の
上に被覆された１、６７の同じギャップ波長を有するｎ
ｏ　ドープされた四元材料の層１８とから成るホトダイ
オードから成っている。
ダイオード３の再接触部のうち、接触部３１は層１８の
上に、また他方の接触部３２は第２図の右側部分で導波
路二又４０の他方の二又枝路４０２をストリップ導波路
として形成しまたは含んでいるＰドープされた層１４の
上に被覆されている。
たとえば導波路二又４０のストリップ導波路はリブ導波
路として層１４からエツチングにより形成されていてよ
い。
符号１９を付されているのは、ダイオード３を包囲する
不活性化層であり、この層はたとえば窒化シリコンから
成っていてよい。
第２のゲート４２は層１７と層１４との間の境界面によ
り郭定されている。
第３図による実施例は、導波路二又の代わりに結合区間
りを有する方向性結合器４００が使用されている点で、
第１図および第２図の実施例と相違する。
この方向性結合器４００は、第１のゲート４１と第３の
ゲート４３との間に直線的に延びているストリップ導波
路４１０と、結合区間りのなかにこの導波路４１０から
わずかな間隔ｄをおいて配置されており、結合区間りの
なかを波状に延びておりまた第２のゲート４２に通じて
いる第２の導波路４２０とから成っている。第２の導波
路４２０の結合区間りの外側に延びておりブラッグ格子
５１が被覆されている部分は第１図および第２図による
実施例中の導波路二又４０の他方の二又枝路４０２に相
当する。結合区間りの左側に位置する第２の導波路４２
０の端４２１は、外から光が入らないように遮蔽されて
いる。方向性結合器４ＯＯは、波長λ８が主としてゲー
ト４１と４３との間でのみ、また波長λ２が主としてゲ
ート４３と４２との間でのみ伝達されるように波長選択
性の方向性結合器とし°ζ作用する。それにより結合器
の損失が顕著に減ぜられている。
その他の点では第３図にる実施例は第１図および第２図
による実施例のように構成されている。
第４図および第５図による実施例は主として、レーザー
２のブラッグ格子２０と波長選択性フィルタ５を形成す
るブラッグ格子５０とが、基＋ｆｆ　ｌを層１４から分
離する共通のバッファ１１０の上に構成されている点で
、第１図および第２図による実施例と相違する。レーザ
ー２のブラッグ格子２０は、この場合、レーザーの３つ
の層１１ないし１３の下側に位置している。さらに、レ
ーザー２の格子２０およびブラング格子５０は、格子線
５１６１がブラッグ格子２０からブラッグ格子５０の方
向に扇状に離れている単一の格子６０から成っている。
それにより格子２０および５０は単一の製造過程で製造
され得る。
導波路二又４０の両二又枝路４０１および４０２は両格
子２０および５０の範囲内で互いに平行に延びている。
導波路二又４０の代わりに方向性結合器、たとえば第３
図による方向性結合器４００も使用され得る。
レーザー２の層１１ないし１３のエツチングの後にブラ
ッグ格子５０を新たにエピタキシャルに成長させなくて
もよいように、１．０５のギャップ波長および０．１　
ｐ　ｍの厚みを有する追加的なロドーブされた四元材料
から成る層２００が挿入されている。
その他の点では第４図および第５図によるデバイスは第
１図および第２図によるデバイスに相当する。
第２図および第５図中で、四元材料から成る層はＱによ
り示されている。当該の四元材料から成る層Ｑの屈折率
を定めるギャップ波長は括弧内に示さ、れている、さら
に、ｐおよびｎドーピングが上記図面中に示されており
、その際に右肩に付けられている士印は比較的強いドー
ピングを示している。
第２図および第５図中に示されている設計のデバイスは
１ないし２ｎｍの遮断範囲と、ブラッグ格子５０の放射
の開始までの１５ないし２０ｎｍの波長間隔とを期待し
得る。
ギャップ波長に関する上記の数値および第２図および第
５図中に括弧内に記入されている数値はμｍを意味する
。すなわち、第２図および第５図中のＲ１４の１．０５
のギャップ波長は１．０５μｍのギャップ波長を意味す
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は方向選択性の結合装置として導波路二又を有す
るデバイスの平面図、第２図は第１図によるデバイスの
垂直断面図（左半部には第１図中の切断線Ａ−Ａにより
示されている部分のみが、また右半部には第１図中の切
断線Ｂ−Ｂにより示されている部分のみが示されている
）、第３図は方向選択性の結合装置として波長選択性の
光方向性結合器を有するデバイスの平面図、第４図は両
格子がエピタキシ一層の上に被覆されている単一の扇状
の格子から成っているデバイスの平面図、第５図は第４
図によるデバイスの垂直断面図（左半部には第４図中の
切断線Ｃ−Ｃにより示されている部分のみが、また右半
部には第４図中の切断線Ｄ−Ｄにより示されている部分
のみが示されている）である。 １・・・基板 ２・・・半導体レーザー ３・・・光検出器 ４・・・方向選択性結合装置 ５・・・波長選択性フィルタ １０・・・エピタキシャル−バッファ層１１〜１５・・
・エピタキシ一層 １６〜１８・・・四元材料から成る層 １９・・・不活性化層 ２０・・・ブラッグ格子 ２１．２２．３１．３２・・・接触部 ４０・・・導波路二又 ４１〜４３・・・ゲート ５０・・・ブラッグ格子 ５１．６１・・・格子線 ６０・・・格子 ２００・・・四元材料がら成る層 ４００・・・方向性結合器 ４０１．４０２・・・二又枝路 ４０３・・・二又幹 ４０４・・・二叉根 ４１０〜４３０・・・導波路 ４３３・・・端面 Ｌ・・・結合区間 ＩＧ　Ｉ Ｅ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）共通の基板（１）の上に半導体レーザー（２）と、
    光検出器（３）と、導波路構造（４０；４００）を有す
    る方向選択性結合装置（４）とが集積されており、結合
    装置（４）が３つのゲート（４１、４２、４３）を有し
    、それらのうち第１のゲート（４１）はレーザー（２）
    に、また第２のゲート（４２）は検出器（３）に結合さ
    れており、結合装置（４）は、レーザー（２）から第１
    のゲート（４１）に入射結合された波長（λ＿１）が３
    つのゲート（４１、４２、４３）のうちの第３のゲート
    （４３）に伝達され、また第２のゲート（４２）には伝
    達されないかまたは少なくともほとんど伝達されないよ
    うに、また第３のゲート（４３）に入射結合された他の
    波長（λ＿２）が第２のゲート（４２）に伝達されるよ
    うに構成されている双方向性光通信または信号伝送のた
    めの集積光デバイスにおいて、 結合装置（４）がＹ字形導波路二又（４０）から成って
    おり、その一方の二又枝路（４０１）が第１のゲート（
    ４１）に、他方の二又枝路（４０２）が第２のゲート（
    ４２）に、また二又幹路（４０３）が第３のゲート（４
    ３）に対応付けられており、 または結合装置（４）が光方向性結合器（ ４００）から成っており、光方向性結合器（４００）が
    結合区間（Ｌ）の一方の側に２つのゲートを有し、それ
    らのうち一方は結合装置（４）の第１のゲート（４１）
    を、また他方は第２のゲート（４２）を形成し、また光
    方向性結合器（４００）が結合区間（Ｌ）の他方の側に
    結合装置（４）の第３のゲート（４３）を形成するゲー
    トを有し、また光方向性結合器（４００）が、結合区間
    （Ｌ）により第１のゲート（４１）と第３のゲート（４
    ３）との間で一方の波長（λ＿１）を、また第３のゲー
    ト（４３）と第２のゲート（４２）との間で他方の波長
    （λ＿１）を伝達可能であり、 検出器（３）に通ずる導波路（４０２；４ ２０）の上または中に、一方の波長（λ＿１）に対して
    は遮断性、他方の波長（λ＿２）に対しては透過性であ
    る波長選択性フィルタ（５）が配置されている ことを特徴とする双方向性光通信または信 号伝送のための集積光デバイス。 ２）導波路二又（４０）の二又幹（４０３）を形成する
    または方向性結合器（４００）の結合区間（Ｌ）のなか
    に通ずる導波路（４３０）の、導波路二又（４０）また
    は方向性結合器（４００）の第３のゲート（４３）を形
    成する端面（４３３）が、この導波路（４０３；４３０
    ）のなかに供給される一方の波長（λ＿１）の１プロミ
    ルのオーダーのたかだか一部分が反射されるように非鏡
    面化されていることを特徴とする請求項１記載のデバイ
    ス。 ３）方向性結合器（４００）が波長選択性方向性結合器
    であり、この波長選択性方向性結合器が、結合区間（Ｌ
    ）により第１のゲート（４１）と第３のゲート（４３）
    との間で一方の波長（λ＿１）が伝達可能であり、また
    他方の波長（λ＿２）が伝達可能でなくまたは少なくと
    もほとんど伝達可能でなく、また第３のゲート（４３）
    と第２のゲート（４２）との間で他方の波長（λ＿２）
    が伝達可能であり、また一方の波長（λ＿１）が伝達可
    能でなくまたは少なくともほとんど伝達可能でないよう
    に構成されていることを特徴とする請求項１または２記
    載のデバイス。 ４）方向性結合器（４００）が、結合区間（Ｌ）のなか
    を直線的に延びておりまた結合装置（４）の第１のゲー
    ト（４１）と第３のゲート（４３）との間に接続されて
    いる導波路（４１０）と、結合区間（Ｌ）のなかに直線
    的に延びている導波路（４１０）からわずかな間隔（ｄ
    ）をおいて配置されており結合区間（Ｌ）のなかを波状
    に延びておりまた第２のゲート（４２）に通じている第
    ２の導波路（４２０）とを有することを特徴とする請求
    項３記載のデバイス。 ５）波長選択性フィルタ装置（５）が、検出器（３）に
    通ずる導波路（４０２；４２０）に構成されたブラッグ
    格子（５０）から成っていることを特徴とする請求項１
    ないし４の１つに記載のデバイス。 ６）ブラッグ格子（５０）が、検出器（３）に通ずる導
    波路（４０２；４２０）のなかに導かれる光の伝播方向
    （５２）に延びている少なくとも１つの格子線（５１）
    を有することを特徴とする請求項５記載のデバイス。 ７）ブラッグ格子（５０）が、導波路二又（４０）の導
    波路として構成された他方の二又枝路（４０２）の上に
    、またはこの結合区間（Ｌ）の外側の方向性結合器（４
    ００）の第２の導波路（４２０）の上に配置されている
    ことを特徴とする請求項５または６記載のデバイス。 ８）レーザー（２）が光格子（２０）を有するＤＦＢレ
    ーザーであり、またレーザー（２）の格子（２０）と、
    検出器（３）に通ずる導波路（４０２）におけるブラッ
    グ格子（５０）とが基板（１）の上の共通の層（１０ま
    たは１１）に構成されていることを特徴とする請求項５
    ないし７の１つに記載のデバイス。 ９）レーザー（２）の格子（２０）と、検出器（３）に
    通ずる導波路（４０２）におけるブラッグ格子（５０）
    とが単一の格子（６０）から成っており、その格子線（
    ５１、６１）がレーザー（２）の格子（２０）からブラ
    ッグ格子（５０）に向かう方向に扇状に離れていること
    を特徴とする請求項８記載のデバイス。 １０）レーザー（２）の格子（２０）と、検出器（３）
    に通ずる導波路（４０２）に構成されたブラッグ格子（
    ５０）とがバッファ層（１０）の上に構成されており、
    このバッファ層（１０）が基板（１）を、デバイスの導
    波路（４０１、４０２、４０３；４２０、４３０）を含
    んでおりまたは形成している層（１４）から隔てており
    、またレーザーのレーザー作用にとって能動的な層（１
    ３）がその格子の上に配置されていることを特徴とする
    請求項８または９記載のデバイス。 １１）レーザー（２）のエッチングすべき層構造（１１
    、１２、１３）と、レーザー（２）の格子（２０）と検
    出器（３）に通ずる導波路（４０２、４２０）における
    ブラッグ格子（５０）とを郭定する格子（６０；２０、
    ５０）との間に中間層（２００）が設けられていること
    を特徴とする請求項８ないし１０の１つに記載のデバイ
    ス。
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