JP6943150B2 - 半導体光素子 - Google Patents
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- シリコンからなる基板の上に形成された波長可変レーザを備え、
前記波長可変レーザは、III−V族化合物半導体からなる発光部と光フィルタを備える外部共振器とから構成され、
前記外部共振器は、
前記基板の上に形成された酸化物からなる下部クラッド層と、
前記下部クラッド層の上に形成された半導体からなるコアと、
前記コアを覆って形成された酸化物からなる上部クラッド層と
による光導波路から構成され、
前記発光部は、活性層および前記活性層を挟んで配置された電流注入部を備え、
前記発光部は、前記下部クラッド層の上に形成され、
前記発光部の上には、窒化シリコンからなる中間層を介して前記上部クラッド層が形成されていることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1記載の半導体光素子において、
前記光フィルタを構成する光導波路の一部に、導波する光の波長特性を制御するためのヒーターを備える
ことを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1または2記載の半導体光素子において、
前記光フィルタを構成する光導波路の端部における前記コアに、不純物がドープされた部分を備えることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体光素子において、
前記コアは、前記発光部と同じ化合物半導体から構成され、
前記コアと前記発光部とは、バットカップリングにより光学的に接続され、
前記コアの幅は、前記コアと前記発光部との接続部分から光の進行方向に沿って細くなるように形成されている
ことを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体光素子において、
光出力端における前記コアは、前記光出力端に近づくほど細くなる先細りの形状とされた先端部を備え、
前記先端部と前記上部クラッド層との間に配置されて前記先端部を覆って形成された第2コアを備え、
前記第2コアは、前記コアより小さく前記上部クラッド層より大きな屈折率の材料から構成されている
ことを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体光素子において、
前記光フィルタは、ラティスフィルタおよびリングフィルタから構成されていることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項6記載の半導体光素子において、
前記ラティスフィルタは、
光学的に多段に接続された複数の遅延干渉フィルタから構成され、
前記複数の遅延干渉フィルタから構成された各段の遅延長は互いに異なる
ことを特徴とする半導体光素子。
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