JPH04261523A - 集積形光方向性結合器 - Google Patents
集積形光方向性結合器Info
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- JPH04261523A JPH04261523A JP3273256A JP27325691A JPH04261523A JP H04261523 A JPH04261523 A JP H04261523A JP 3273256 A JP3273256 A JP 3273256A JP 27325691 A JP27325691 A JP 27325691A JP H04261523 A JPH04261523 A JP H04261523A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 239000010421 standard material Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
- G02F1/3133—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type the optical waveguides being made of semiconducting materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、制御可能な集積形光り
方向性結合器に関する。
方向性結合器に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体材料から成る基板上に集積され、
この基板のドーピングされないかまたはｎドーピングさ
れた導波膜によって規定された２つの所定幅の条帯状導
波路から構成され、これらの条帯状導波路は、結合部分
では、この結合部分において一方の条帯状導波路の導波
膜内を案内された光波が他方の条帯状導波路の導波膜内
へ過結合し得るような微小間隔にて互いに延在し、結合
部分において少なくとも１つの条帯状導波路は導波膜上
に配設された所定幅の半導体材料製リブを有し、結合部
分の内部においてリブの領域では導波膜の上側または下
側に接触部を介して電気的に制御可能なｐｎまたはｐｉ
ｎ接合が集積され、その際接合はｐドーピングされた材
料からｎドーピングされるかまたはドーピングされない
材料に向かって導波膜から所定間隔にて配置され、ｐド
ーピングされた材料はこの接合の導波膜とは反対側に設
けられ、電気的に制御可能なｐｎまたはｐｉｎ接合を有
する条帯状導波路部分（第１領域内）は電気的に制御可
能な条帯状導波路であり、電気的に制御可能な条帯状導
波路の外に存在する各条帯状導波路部分（第２領域内）
または条帯状導波路は受動条帯状導波路を形成する制御
可能な集積形光方向性結合器はドイツ連邦共和国特許出
願公開第３９２９１３１号（特開平３−９８０１６）明
細書において提案されている。
この基板のドーピングされないかまたはｎドーピングさ
れた導波膜によって規定された２つの所定幅の条帯状導
波路から構成され、これらの条帯状導波路は、結合部分
では、この結合部分において一方の条帯状導波路の導波
膜内を案内された光波が他方の条帯状導波路の導波膜内
へ過結合し得るような微小間隔にて互いに延在し、結合
部分において少なくとも１つの条帯状導波路は導波膜上
に配設された所定幅の半導体材料製リブを有し、結合部
分の内部においてリブの領域では導波膜の上側または下
側に接触部を介して電気的に制御可能なｐｎまたはｐｉ
ｎ接合が集積され、その際接合はｐドーピングされた材
料からｎドーピングされるかまたはドーピングされない
材料に向かって導波膜から所定間隔にて配置され、ｐド
ーピングされた材料はこの接合の導波膜とは反対側に設
けられ、電気的に制御可能なｐｎまたはｐｉｎ接合を有
する条帯状導波路部分（第１領域内）は電気的に制御可
能な条帯状導波路であり、電気的に制御可能な条帯状導
波路の外に存在する各条帯状導波路部分（第２領域内）
または条帯状導波路は受動条帯状導波路を形成する制御
可能な集積形光方向性結合器はドイツ連邦共和国特許出
願公開第３９２９１３１号（特開平３−９８０１６）明
細書において提案されている。
【０００３】この方向性結合器においては、ｐｎまたは
ｐｉｎ接合はリブ形導波路として形成された両条帯状導
波路の全長に亘って延在している。この条帯状導波路は
従って標準的な導波路構造を有しており、その場合結合
部分におけるｐｎまたはｐｉｎ接合が電気的接触部を介
して電気的に制御可能である。
ｐｉｎ接合はリブ形導波路として形成された両条帯状導
波路の全長に亘って延在している。この条帯状導波路は
従って標準的な導波路構造を有しており、その場合結合
部分におけるｐｎまたはｐｉｎ接合が電気的接触部を介
して電気的に制御可能である。
【０００４】この方向性結合器は、光入力信号が電気的
制御信号に応じてスイッチの一方の出力端または他方の
出力端に供給される光スイッチとして駆動され得る。
制御信号に応じてスイッチの一方の出力端または他方の
出力端に供給される光スイッチとして駆動され得る。
【０００５】既提案の方向性結合器においては、これら
の構成要素の機能は一般に入力信号の偏光に左右される
、即ち幾何学形状が定められている場合、ＴＥ偏光され
た入力信号はＴＭ偏光された入力信号とは異なり複数の
出力端に分配されるという欠点を有する。
の構成要素の機能は一般に入力信号の偏光に左右される
、即ち幾何学形状が定められている場合、ＴＥ偏光され
た入力信号はＴＭ偏光された入力信号とは異なり複数の
出力端に分配されるという欠点を有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この方向性
結合器の機能が偏光に殆ど左右されず、従ってこのよう
な方向性結合器を用いて実現された光スイッチの機能が
偏光に殆ど左右されないように、冒頭で述べた種類の方
向性結合器を改善することを課題とする。
結合器の機能が偏光に殆ど左右されず、従ってこのよう
な方向性結合器を用いて実現された光スイッチの機能が
偏光に殆ど左右されないように、冒頭で述べた種類の方
向性結合器を改善することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明は、受動条帯状導波路がｐｎまたはｐｉｎ接
合のない条帯状導波路構造を有することを特徴とする。
に、本発明は、受動条帯状導波路がｐｎまたはｐｉｎ接
合のない条帯状導波路構造を有することを特徴とする。
【０００８】本発明による方向性結合器の特に有利な実
施態様は請求項２以降に記載されている。特に、受動条
帯状導波路の条帯状導波路構造はドイツ連邦共和国特許
出願公開第４０１４２３４号明細書に記載されたレーザ
ダイオードとの集積化に適するという利点を有する。受
動条帯状導波路の条帯状導波路構造は、電気的に制御可
能な条帯状導波路の条帯状導波路構造から上膜の省略ま
たはエッチング除去によって、このレーザダイオード上
に簡単に製作され得る。
施態様は請求項２以降に記載されている。特に、受動条
帯状導波路の条帯状導波路構造はドイツ連邦共和国特許
出願公開第４０１４２３４号明細書に記載されたレーザ
ダイオードとの集積化に適するという利点を有する。受
動条帯状導波路の条帯状導波路構造は、電気的に制御可
能な条帯状導波路の条帯状導波路構造から上膜の省略ま
たはエッチング除去によって、このレーザダイオード上
に簡単に製作され得る。
【０００９】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
【００１０】図１に示された方向性結合器において、基
板Ｓ上に集積された幅ｂの条帯状導波路ＷＬ１、ＷＬ２
は結合部分Ｋにおいて微小間隔ｄでもって互いに案内さ
れている。この間隔ｄは、この結合部分Ｋにおいて一方
の条帯状導波路ＷＬ１またはＷＬ２の導波膜内を案内さ
れた光波が他方の条帯状導波路ＷＬ２またはＷＬ１の導
波膜内へ過結合しない程度の小ささである。
板Ｓ上に集積された幅ｂの条帯状導波路ＷＬ１、ＷＬ２
は結合部分Ｋにおいて微小間隔ｄでもって互いに案内さ
れている。この間隔ｄは、この結合部分Ｋにおいて一方
の条帯状導波路ＷＬ１またはＷＬ２の導波膜内を案内さ
れた光波が他方の条帯状導波路ＷＬ２またはＷＬ１の導
波膜内へ過結合しない程度の小ささである。
【００１１】条帯状導波路ＷＬ１またはＷＬ２の電気的
に制御可能な条帯状導波路を形成する条帯状導波路部分
は移相器部分内に形成され、例えば領域Ｂ１に亘って延
在している。領域Ｂ１の外部つまり領域Ｂ１の左右の領
域Ｂ２においては、条帯状導波路ＷＬ１、ＷＬ２は受動
条帯状導波路である。
に制御可能な条帯状導波路を形成する条帯状導波路部分
は移相器部分内に形成され、例えば領域Ｂ１に亘って延
在している。領域Ｂ１の外部つまり領域Ｂ１の左右の領
域Ｂ２においては、条帯状導波路ＷＬ１、ＷＬ２は受動
条帯状導波路である。
【００１２】領域Ｂ１は同様に２つの半部分領域に分割
されており、その内一方の半部分領域は結合部分の中心
Ｍから左に存在し、他方の半部分領域は結合部分の中心
Ｍから右に存在する。なお、両半部分領域は中心Ｍから
等しい距離を有している。この場合、半部分領域に所属
する条帯状導波路部分は制御可能な条帯状導波路であり
、一方、この半部分領域間に存在する条帯状導波路部分
とこの半部分領域の左右に配設された条帯状導波路部分
とは受動条帯状導波路である。
されており、その内一方の半部分領域は結合部分の中心
Ｍから左に存在し、他方の半部分領域は結合部分の中心
Ｍから右に存在する。なお、両半部分領域は中心Ｍから
等しい距離を有している。この場合、半部分領域に所属
する条帯状導波路部分は制御可能な条帯状導波路であり
、一方、この半部分領域間に存在する条帯状導波路部分
とこの半部分領域の左右に配設された条帯状導波路部分
とは受動条帯状導波路である。
【００１３】制御可能な条帯状導波路の条帯状導波路構
造は図２に断面が示されている。この構造によれば、基
板Ｓ上には導波膜ｗＳが設けられている。導波膜ｗＳ上
には厚さＤの間隔膜ＡＳが設けられ、さらにこの間隔膜
ＡＳ上にはリブＲが設けられている。リブＲの幅ｂは条
帯状導波路の幅を規定する。
造は図２に断面が示されている。この構造によれば、基
板Ｓ上には導波膜ｗＳが設けられている。導波膜ｗＳ上
には厚さＤの間隔膜ＡＳが設けられ、さらにこの間隔膜
ＡＳ上にはリブＲが設けられている。リブＲの幅ｂは条
帯状導波路の幅を規定する。
【００１４】基板Ｓはｎドーピングされた半導体材料か
ら構成されている。同様に導波膜ｗＳもｎドーピングさ
れた半導体材料から構成されている。なお、この導波膜
ｗＳの材料および／またはドーピングはその屈折率が基
板Ｓの屈折率よりも大きくなるように選定されている。
ら構成されている。同様に導波膜ｗＳもｎドーピングさ
れた半導体材料から構成されている。なお、この導波膜
ｗＳの材料および／またはドーピングはその屈折率が基
板Ｓの屈折率よりも大きくなるように選定されている。
【００１５】間隔膜ＡＳはｎドーピングされるかまたは
ドーピングされない半導体材料から構成され、この半導
体材料はその屈折率が導波膜ｗＳの屈折率よりも小さく
なるように選定されている。
ドーピングされない半導体材料から構成され、この半導
体材料はその屈折率が導波膜ｗＳの屈折率よりも小さく
なるように選定されている。
【００１６】リブＲはｐドーピングされた半導体材料か
ら構成されている。
ら構成されている。
【００１７】基板Ｓのｎドーピングされた材料と、導波
膜ｗＳのｎドーピングされた材料と、間隔膜ＡＳのドー
ピングされない材料と、リブＲのｐドーピングされた材
料とによって、ｐｎまたはｐｉｎ接合が形成される。接
合Ｕはｐドーピングされた材料からｎドーピングされる
かまたはドーピングされない材料に向かって導波膜ｗＳ
から間隔Ｄにて配設されている。
膜ｗＳのｎドーピングされた材料と、間隔膜ＡＳのドー
ピングされない材料と、リブＲのｐドーピングされた材
料とによって、ｐｎまたはｐｉｎ接合が形成される。接
合Ｕはｐドーピングされた材料からｎドーピングされる
かまたはドーピングされない材料に向かって導波膜ｗＳ
から間隔Ｄにて配設されている。
【００１８】リブＲの表面の下には高ｐドーピングされ
た接触膜Ｋｓが形成されており、この接触膜は金属接触
部ｐｋと電気的に結合されている。この接触部ｐｋに導
かれているリード線Ｌはこのリード線Ｌを間隔膜ＡＳと
リブＲとから分離する電気絶縁膜ＩＳ、例えば酸化膜上
を案内されている。
た接触膜Ｋｓが形成されており、この接触膜は金属接触
部ｐｋと電気的に結合されている。この接触部ｐｋに導
かれているリード線Ｌはこのリード線Ｌを間隔膜ＡＳと
リブＲとから分離する電気絶縁膜ＩＳ、例えば酸化膜上
を案内されている。
【００１９】接触部ｐｋの対向接触部は基板Ｓの下側に
設けられ、ｎｋが付されている。
設けられ、ｎｋが付されている。
【００２０】基板ＳとリブＲとは例えばＩｎＰから構成
され、一方、導波膜ｗＳと間隔膜ＡＳとはＩｎＧａＡｓ
Ｐから構成されている。その場合、間隔膜ＡＳの材料は
１．１μｍのギャップ波長を有し、導波膜ｗＳの材料は
１．２５μｍのギャップ波長を有し得る。
され、一方、導波膜ｗＳと間隔膜ＡＳとはＩｎＧａＡｓ
Ｐから構成されている。その場合、間隔膜ＡＳの材料は
１．１μｍのギャップ波長を有し、導波膜ｗＳの材料は
１．２５μｍのギャップ波長を有し得る。
【００２１】受動条帯状導波路のｐｎまたはｐｉｎ接合
のない条帯状導波路構造は種々に構成され得る。
のない条帯状導波路構造は種々に構成され得る。
【００２２】図３ａおよびｂに示された実施例において
は、この構造はｎドーピングされるかまたはドーピング
されない半導体材料から成る導波膜ｗＳの厚肉領域を形
成するリブＲ１によって規定されている。なお、リブＲ
１の幅ｂは受動条帯状導波路ＷＬ１、ＷＬ２の幅を決定
する。導波膜ｗＳは基板Ｓとは反対側の上面Ｏが空気ま
たは他の標準材料、例えば基板Ｓの材料に接する。
は、この構造はｎドーピングされるかまたはドーピング
されない半導体材料から成る導波膜ｗＳの厚肉領域を形
成するリブＲ１によって規定されている。なお、リブＲ
１の幅ｂは受動条帯状導波路ＷＬ１、ＷＬ２の幅を決定
する。導波膜ｗＳは基板Ｓとは反対側の上面Ｏが空気ま
たは他の標準材料、例えば基板Ｓの材料に接する。
【００２３】図３ｃの実施例においては、この構造は幅
ｂが受動条帯状導波路の幅を規定する条帯状導波膜ｗＳ
を有している。この条帯状導波膜ｗＳは基板Ｓの標準材
料によって取囲まれている。しかしながら、例えば条帯
状導波膜ｗＳが基板Ｓの表面上に形成され、標準材料か
ら成る被覆膜によって被覆されるかまたは被覆されない
ようにすることもできる。この場合、この条帯状導波膜
ｗＳと基板Ｓとに空気または他の標準材料が接する。
ｂが受動条帯状導波路の幅を規定する条帯状導波膜ｗＳ
を有している。この条帯状導波膜ｗＳは基板Ｓの標準材
料によって取囲まれている。しかしながら、例えば条帯
状導波膜ｗＳが基板Ｓの表面上に形成され、標準材料か
ら成る被覆膜によって被覆されるかまたは被覆されない
ようにすることもできる。この場合、この条帯状導波膜
ｗＳと基板Ｓとに空気または他の標準材料が接する。
【００２４】図３ｄの実施例においては、ｐｎまたはｐ
ｉｎ接合のない条帯状導波路構造は導波膜ｗＳ上に配設
された標準材料製の他の膜ａＳの厚肉領域を形成するリ
ブＲ２によって規定される。なお、リブＲ２の幅ｂは受
動条帯状導波路ＷＬ１、ＷＬ２の幅を決定する。他の膜
ａＳは導波膜ｗＳとは反対側の上面ＯＷが空気または他
の標準材料に接する。
ｉｎ接合のない条帯状導波路構造は導波膜ｗＳ上に配設
された標準材料製の他の膜ａＳの厚肉領域を形成するリ
ブＲ２によって規定される。なお、リブＲ２の幅ｂは受
動条帯状導波路ＷＬ１、ＷＬ２の幅を決定する。他の膜
ａＳは導波膜ｗＳとは反対側の上面ＯＷが空気または他
の標準材料に接する。
【００２５】本発明による方向性結合器は、先ず導波膜
ｗＳと間隔膜ＡＳとこの上に配置されたリブＲとを備え
た基板Ｓが従来技術によって製造されるように有利に製
造され得る。領域Ｂ１ではリブＲが残留し続ける。その
領域では絶縁膜ＩＳと、接触部ｐｋと、リード線Ｌとが
同様に従来技術によって実現される。
ｗＳと間隔膜ＡＳとこの上に配置されたリブＲとを備え
た基板Ｓが従来技術によって製造されるように有利に製
造され得る。領域Ｂ１ではリブＲが残留し続ける。その
領域では絶縁膜ＩＳと、接触部ｐｋと、リード線Ｌとが
同様に従来技術によって実現される。
【００２６】領域Ｂ２においては少なくともリブＲが例
えばエッチングによって除去される。２つの領域Ｂ２に
はリブＲが作成されない。即ちこのリブＲはこの領域Ｂ
２においては初めから省略することもできる。
えばエッチングによって除去される。２つの領域Ｂ２に
はリブＲが作成されない。即ちこのリブＲはこの領域Ｂ
２においては初めから省略することもできる。
【００２７】図３ａないしｃに示された条帯状導波路構
造を製作するために、領域Ｂ２においては間隔膜ＡＳが
例えばエッチングによって除去される。領域Ｂ２にはこ
の間隔膜ＡＳが作成されない、即ち初めから省略するこ
ともできる。
造を製作するために、領域Ｂ２においては間隔膜ＡＳが
例えばエッチングによって除去される。領域Ｂ２にはこ
の間隔膜ＡＳが作成されない、即ち初めから省略するこ
ともできる。
【００２８】導波膜ｗＳのリブＲ１はこの導波膜ｗＳの
薄いエッチングによってリブＲ１の領域の外に作成され
る。
薄いエッチングによってリブＲ１の領域の外に作成され
る。
【００２９】図３ｂの場合には、リブＲ１の作成後、被
覆膜ＤＳが導波膜ｗＳ上に例えばエピタキシーによって
設けられる。この被覆膜ＤＳは例えば基板と同じ材料か
ら構成し得る。
覆膜ＤＳが導波膜ｗＳ上に例えばエピタキシーによって
設けられる。この被覆膜ＤＳは例えば基板と同じ材料か
ら構成し得る。
【００３０】図３ｃの実施例においては、平面状導波膜
ｗＳが幅ｂの条帯になるまでエッチングされる。初めか
ら幅ｂの条帯状導波膜ｗＳだけが作成され、従ってこの
条帯の外の導波膜ｗＳは初めから省略することもできる
。製作された条帯状導波膜ｗＳは被覆膜によって被覆さ
れる。この被覆膜は例えば基板Ｓの材料から構成され、
エピタキシャル法により製作され得る。図３ｃにおいて
は、被覆膜と基板Ｓとは同一材料から構成され、被覆膜
と基板との境界はなくなっている。被覆膜は省くことも
でき、それゆえ条帯状導波膜ｗＳはその場合には基板Ｓ
の上で空気に接する。
ｗＳが幅ｂの条帯になるまでエッチングされる。初めか
ら幅ｂの条帯状導波膜ｗＳだけが作成され、従ってこの
条帯の外の導波膜ｗＳは初めから省略することもできる
。製作された条帯状導波膜ｗＳは被覆膜によって被覆さ
れる。この被覆膜は例えば基板Ｓの材料から構成され、
エピタキシャル法により製作され得る。図３ｃにおいて
は、被覆膜と基板Ｓとは同一材料から構成され、被覆膜
と基板との境界はなくなっている。被覆膜は省くことも
でき、それゆえ条帯状導波膜ｗＳはその場合には基板Ｓ
の上で空気に接する。
【００３１】図３ｄの実施例は、例えば、間隔膜ＡＳが
リブＲの領域の外に薄くエッチング形成され、この間隔
膜ＡＳが他の膜ａＳを形成するようにして製作される。
リブＲの領域の外に薄くエッチング形成され、この間隔
膜ＡＳが他の膜ａＳを形成するようにして製作される。
【図１】本発明による方向性結合器の一例を示す平面図
。
。
【図２】電気的に制御可能な条帯状導波路の結合部分に
おける図１のＩＩ−ＩＩ断面線に沿った断面図。
おける図１のＩＩ−ＩＩ断面線に沿った断面図。
【図３】本発明による方向性結合器の受動条帯状導波路
の図１のＩＩＩ−ＩＩＩ断面線に沿った断面図で、ａな
いしｄはこの受動条帯状導波路の条帯状導波路構造のそ
れぞれ異なった例を示す断面図。
の図１のＩＩＩ−ＩＩＩ断面線に沿った断面図で、ａな
いしｄはこの受動条帯状導波路の条帯状導波路構造のそ
れぞれ異なった例を示す断面図。
Ｓ 基板
Ｋ 結合部分
Ｕ 接合
Ｏ 上面
Ｒ、Ｒ１、Ｒ２ リブ
ｗＳ 導波膜
ＯＷ 上面
ＷＬ１、ＷＬ２ 条帯状導波路
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体材料から成る基板（Ｓ）上に集
積され、この基板（Ｓ）のドーピングされないかまたは
ｎドーピングされた導波膜（ｗＳ）によって規定された
２つの所定幅（ｂ）の条帯状導波路（ＷＬ１、ＷＬ２）
から構成され、これらの条帯状導波路（ＷＬ１、ＷＬ２
）は、結合部分（Ｋ）では、この結合部分（Ｋ）におい
て一方の条帯状導波路（ＷＬ１またはＷＬ２）の導波膜
（ｗＳ）内を案内された光波が他方の条帯状導波路（Ｗ
Ｌ２またはＷＬ１）の導波膜（ｗＳ）内へ過結合し得る
ような微小間隔（ｄ）にて互いに延在し、前記結合部分
（Ｋ）において少なくとも１つの条帯状導波路（ＷＬ１
、ＷＬ２）は前記導波膜（ｗＳ）上に配設された幅（ｂ
）の半導体材料製リブ（Ｒ）を有し、前記結合部分（Ｋ
）の内部において前記リブ（Ｒ）の領域では前記導波膜
（ｗＳ）の上側または下側に接触部を介して電気的に制
御可能なｐｎまたはｐｉｎ接合が集積され、その際接合
（Ｕ）はｐドーピングされた材料からｎドーピングされ
るかまたはドーピングされない材料に向かって前記導波
膜（ｗＳ）から間隔（Ｄ）にて配置され、ｐドーピング
された材料はこの接合（Ｕ）の前記導波膜（ｗＳ）とは
反対側に設けられ、この電気的に制御可能なｐｎまたは
ｐｉｎ接合を有する条帯状導波路部分（領域Ｂ１内）は
電気的に制御可能な条帯状導波路であり、前記電気的に
制御可能な条帯状導波路の外に存在する各条帯状導波路
部分（領域Ｂ２内）または条帯状導波路は受動条帯状導
波路を形成する制御可能な集積形光方向性結合器におい
て、前記受動条帯状導波路はｐｎまたはｐｉｎ接合のな
い条帯状導波路構造を有することを特徴とする集積形光
方向性結合器。 - 【請求項２】 ｐｎまたはｐｉｎ接合のない条帯状導
波路構造は、ｎドーピングされるかまたはドーピングさ
れない半導体材料から成る導波膜（ｗＳ）の厚肉領域を
形成するリブ（Ｒ１）によって規定され、このリブ（Ｒ
１）の幅（ｂ）は受動条帯状導波路（ＷＬ１、ＷＬ２）
の幅を決定し、前記導波膜（ｗＳ）は基板（Ｓ）とは反
対側面（Ｏ）が空気または他の標準材料に接することを
特徴とする請求項１記載の方向性結合器。 - 【請求項３】 ｐｎまたはｐｉｎ接合のない条帯状導
波路構造は、幅（ｂ）が受動条帯状導波路の幅を決定す
る条帯状導波膜（ｗＳ）を有し、この条帯状導波膜（ｗ
Ｓ）は基板（Ｓ）の標準材料に取囲まれるかまたはこの
条帯状導波膜（ｗＳ）と前記基板（Ｓ）とに空気または
他の標準材料が接することを特徴とする請求項１記載の
方向性結合器。 - 【請求項４】 ｐｎまたはｐｉｎ接合のない条帯状導
波路構造は導波膜（ｗＳ）上に配設された標準材料製の
他の膜（ａＳ）の厚肉領域を形成するリブ（Ｒ２）によ
って規定され、このリブ（Ｒ２）の幅（ｂ）は受動条帯
状導波路（ＷＬ１、ＷＬ２）の幅を決定し、前記他の膜
（ａＳ）は前記導波膜（ｗＳ）とは反対側の上面（ＯＷ
）に空気または他の標準材料が接することを特徴とする
請求項１記載の方向性結合器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4030754 | 1990-09-28 | ||
| DE4030754.9 | 1990-09-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04261523A true JPH04261523A (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=6415198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3273256A Pending JPH04261523A (ja) | 1990-09-28 | 1991-09-24 | 集積形光方向性結合器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5157748A (ja) |
| EP (1) | EP0477604B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04261523A (ja) |
| DE (1) | DE59106907D1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0585565B1 (en) * | 1992-07-08 | 1998-10-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide device and manufacturing method of the same |
| KR0137125B1 (ko) * | 1992-11-16 | 1998-06-15 | 모리시타 요이찌 | 광도파로소자와 그 제조방법 |
| US5375184A (en) * | 1992-12-29 | 1994-12-20 | Honeywell Inc. | Flexible channel optical waveguide having self-aligned ports for interconnecting optical devices |
| WO1995008787A1 (en) * | 1993-09-21 | 1995-03-30 | Bookham Technology Limited | An electro-optic device |
| DE69409215T2 (de) * | 1993-12-06 | 1998-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hybrid Magnetstruktur und deren Herstellungsverfahren |
| US5745630A (en) * | 1996-02-22 | 1998-04-28 | Sandia Corporation | Cutoff-mesa isolated rib optical waveguide for III-V heterostructure photonic integrated circuits |
| US6233070B1 (en) | 1998-05-19 | 2001-05-15 | Bookham Technology Plc | Optical system and method for changing the lengths of optical paths and the phases of light beams |
| US6393185B1 (en) | 1999-11-03 | 2002-05-21 | Sparkolor Corporation | Differential waveguide pair |
| US6738541B2 (en) | 2001-09-18 | 2004-05-18 | Agilent Technologies, Inc. | Optical switch comprising two non-coplanar arrays of optical waveguides |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3108814A1 (de) * | 1981-03-09 | 1982-09-16 | Siemens Ag | 180(grad)-umlenker |
| US4728167A (en) * | 1986-02-24 | 1988-03-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force. | Electrically controlled integrated optical switch |
| DE59010811D1 (de) * | 1989-09-01 | 1998-04-23 | Siemens Ag | Integriert optische Anordnung mit wenigstens einem auf einem Substrat aus Halbleitermaterial integrierten optischen Wellenleiter |
| US5004447A (en) * | 1989-09-06 | 1991-04-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Low loss semiconductor directional coupler switches including gain method of switching light using same |
-
1991
- 1991-08-14 US US07/744,897 patent/US5157748A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-03 EP EP91114859A patent/EP0477604B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-03 DE DE59106907T patent/DE59106907D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-24 JP JP3273256A patent/JPH04261523A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0477604A2 (de) | 1992-04-01 |
| EP0477604B1 (de) | 1995-11-15 |
| US5157748A (en) | 1992-10-20 |
| DE59106907D1 (de) | 1995-12-21 |
| EP0477604A3 (en) | 1992-10-28 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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