JPH1031127A - 整列マークを有する光学装置およびその製造方法 - Google Patents
整列マークを有する光学装置およびその製造方法Info
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- JPH1031127A JPH1031127A JP9074124A JP7412497A JPH1031127A JP H1031127 A JPH1031127 A JP H1031127A JP 9074124 A JP9074124 A JP 9074124A JP 7412497 A JP7412497 A JP 7412497A JP H1031127 A JPH1031127 A JP H1031127A
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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- Electromagnetism (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、光導波体層パッケージで形成され
た光導波体リッジストライプと光学的に検出可能な整列
マークを有し、基板上での整列を容易に正確に行うこと
のできる光学装置およびその製造方法を提供することを
目的とする。 【解決手段】 この光学装置では、光導波体リッジスト
ライプＷＬは上部層ＤＳによって覆われた埋設ストライ
プ光導波体であり、整列マークＪＭは少なくとも部分的
に光導波体リッジストライプＷＬと同じ水平に付着され
た光導波体層パッケージＷＳで形成されていることを特
徴とする。整列マークＪＭはメサストライプとして形成
され、誘電体層ＤＩによって被覆されていてもよい。
た光導波体リッジストライプと光学的に検出可能な整列
マークを有し、基板上での整列を容易に正確に行うこと
のできる光学装置およびその製造方法を提供することを
目的とする。 【解決手段】 この光学装置では、光導波体リッジスト
ライプＷＬは上部層ＤＳによって覆われた埋設ストライ
プ光導波体であり、整列マークＪＭは少なくとも部分的
に光導波体リッジストライプＷＬと同じ水平に付着され
た光導波体層パッケージＷＳで形成されていることを特
徴とする。整列マークＪＭはメサストライプとして形成
され、誘電体層ＤＩによって被覆されていてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波体層パッケ
ージで形成された光導波体リッジストライプおよび光学
的に検出可能な整列マークを有する光学装置、およびそ
のような整列マークおよび埋設ストライプを有する光学
装置を製造するための方法に関する。
ージで形成された光導波体リッジストライプおよび光学
的に検出可能な整列マークを有する光学装置、およびそ
のような整列マークおよび埋設ストライプを有する光学
装置を製造するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】上述のような装置およびその他の素子あ
るいは光ファイバは、共通の基板上に設置される。整列
マークは、光学装置と光ファイバあるいは共通の基板上
の光導波体の間の反射点における結合損失を最小にする
ために、光学装置を光ファイバあるいは共通の基板上に
位置された光導波体と整列させるために使用される。そ
れ故に、光学装置上の整列マークの位置との正確度が共
通の基板上の整列の達成可能な正確度を決定することが
知られている。整列のために、整列マークの実際の位置
が光学的に検出され、それを移動させることによって装
置が予め定められた最適な位置に移動される。従って、
光学手段によって整列マークが容易に検出されることは
重要である。
るいは光ファイバは、共通の基板上に設置される。整列
マークは、光学装置と光ファイバあるいは共通の基板上
の光導波体の間の反射点における結合損失を最小にする
ために、光学装置を光ファイバあるいは共通の基板上に
位置された光導波体と整列させるために使用される。そ
れ故に、光学装置上の整列マークの位置との正確度が共
通の基板上の整列の達成可能な正確度を決定することが
知られている。整列のために、整列マークの実際の位置
が光学的に検出され、それを移動させることによって装
置が予め定められた最適な位置に移動される。従って、
光学手段によって整列マークが容易に検出されることは
重要である。
【０００３】整列マークを有する光学装置は、M.S.Cohe
n 氏等による会議用文献“Packaging of High-Density
Fiber/Laser Modules Using Passive Alignment Techni
ques”（Proc. ECTC 1992, pages 98-107 参照）から知
られている。この装置は、十字形のような形の整列マー
クを有しており、それは、フォトリソグラフによって装
置の金属コンタクト層に与えられ、エッチングされる。
n 氏等による会議用文献“Packaging of High-Density
Fiber/Laser Modules Using Passive Alignment Techni
ques”（Proc. ECTC 1992, pages 98-107 参照）から知
られている。この装置は、十字形のような形の整列マー
クを有しており、それは、フォトリソグラフによって装
置の金属コンタクト層に与えられ、エッチングされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】フォトリソグラフによ
って整列マークを装置上に与えるためには、リソグラフ
マスクを装置と整列させる必要がある。リソグラフマス
クの整列は、認識可能な光導波体構造の装置で行われ
る。特に、もはや構造を検出することができない埋設ス
トライプ光導波体を有する装置の場合、リソグラフマス
クの整列およびその結果としての整列マークの位置は不
正確である。
って整列マークを装置上に与えるためには、リソグラフ
マスクを装置と整列させる必要がある。リソグラフマス
クの整列は、認識可能な光導波体構造の装置で行われ
る。特に、もはや構造を検出することができない埋設ス
トライプ光導波体を有する装置の場合、リソグラフマス
クの整列およびその結果としての整列マークの位置は不
正確である。
【０００５】基本的に異なる調整装置を有する光学装置
は、米国特許第5,355,386 号明細書から知られている。
その装置は、機械的な調節を助けるためにＶ字溝を有し
ており、それは光導波体層パッケージから横方向の突出
を有している。その装置は、上部層によって埋設されな
い波形の導波体を有している。ファイバと光導波体の間
の整列は、ファイバをＶ字溝に挿入することによって達
成された。機械的整列にはこの形式の整列補助手段が使
用されるが、光学的整列には整列マークが使用される。
ファイバの太さおよびエッチングされたＶ字溝の深さに
おける許容誤差を機械的整列で保証することはできな
い。さらに、このプロセスは、共通の基板上の装置の整
列に適していない。
は、米国特許第5,355,386 号明細書から知られている。
その装置は、機械的な調節を助けるためにＶ字溝を有し
ており、それは光導波体層パッケージから横方向の突出
を有している。その装置は、上部層によって埋設されな
い波形の導波体を有している。ファイバと光導波体の間
の整列は、ファイバをＶ字溝に挿入することによって達
成された。機械的整列にはこの形式の整列補助手段が使
用されるが、光学的整列には整列マークが使用される。
ファイバの太さおよびエッチングされたＶ字溝の深さに
おける許容誤差を機械的整列で保証することはできな
い。さらに、このプロセスは、共通の基板上の装置の整
列に適していない。
【０００６】従って、本発明の目的は、上述の困難を回
避し、基板上での整列に適した整列マークを有する光学
装置を提供することである。
避し、基板上での整列に適した整列マークを有する光学
装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明の整
列マークを有する光学装置によって達成される。本発明
は、光導波体層パッケージで形成された光導波体リッジ
ストライプおよび光学的に検出可能な整列マークを有す
る光学装置において、光導波体リッジストライプは上部
層によって覆われた埋設ストライプ光導波体であり、整
列マークは少なくとも部分的に光導波体リッジストライ
プと同じ水平に付着された光導波体層パッケージで形成
されていることを特徴とする。利点を有する実施形態
は、その従属請求項に記載されている。本発明により新
しい光学装置の製造方法も提供されている。第１の製造
方法は、特許請求の範囲の請求項４に記載されており、
第２の製造方法は請求項５に記載されている。
列マークを有する光学装置によって達成される。本発明
は、光導波体層パッケージで形成された光導波体リッジ
ストライプおよび光学的に検出可能な整列マークを有す
る光学装置において、光導波体リッジストライプは上部
層によって覆われた埋設ストライプ光導波体であり、整
列マークは少なくとも部分的に光導波体リッジストライ
プと同じ水平に付着された光導波体層パッケージで形成
されていることを特徴とする。利点を有する実施形態
は、その従属請求項に記載されている。本発明により新
しい光学装置の製造方法も提供されている。第１の製造
方法は、特許請求の範囲の請求項４に記載されており、
第２の製造方法は請求項５に記載されている。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１において、本発明による光学
装置ＢＥ1 の第１の実施形態が示されており、そこにお
いて、基板ＳＵＢの上には光導波体層パッケージＷＳお
よびそれを覆った状態の層ＤＳが位置されている。基板
ＳＵＢはｎ型ドープされたＩｎＰで作られており、覆っ
ている層ＤＳはｐ型ドープされたＩｎＰで作られてい
る。
装置ＢＥ1 の第１の実施形態が示されており、そこにお
いて、基板ＳＵＢの上には光導波体層パッケージＷＳお
よびそれを覆った状態の層ＤＳが位置されている。基板
ＳＵＢはｎ型ドープされたＩｎＰで作られており、覆っ
ている層ＤＳはｐ型ドープされたＩｎＰで作られてい
る。
【０００９】光導波体層パッケージＷＳは、１以上の光
学的に能動の半導体層ＡＳを含んでいる。簡単なものに
するために、この１つあるいは複数の光学的に能動の半
導体層ＡＳは、さらに能動層パッケージとして識別さ
れ、図１および２において太線で描かれている。能動層
パッケージＡＳは、例えば異なるバンドギャップエネル
ギを有するＩｎＧａＡｓＰ層とＩｎＧａＡｓ層とを交互
に連続したいわゆる多重量子波動層で構成された量子膜
層パッケージである。ドープされていない、あるいはわ
ずかにドープされたＩｎＰを含むことができる光導波体
層は、能動層パッケージＡＳの上方あるいは下方に位置
される。能動層パッケージＡＳと共に、それらは光導波
体層パッケージＷＳを形成する。
学的に能動の半導体層ＡＳを含んでいる。簡単なものに
するために、この１つあるいは複数の光学的に能動の半
導体層ＡＳは、さらに能動層パッケージとして識別さ
れ、図１および２において太線で描かれている。能動層
パッケージＡＳは、例えば異なるバンドギャップエネル
ギを有するＩｎＧａＡｓＰ層とＩｎＧａＡｓ層とを交互
に連続したいわゆる多重量子波動層で構成された量子膜
層パッケージである。ドープされていない、あるいはわ
ずかにドープされたＩｎＰを含むことができる光導波体
層は、能動層パッケージＡＳの上方あるいは下方に位置
される。能動層パッケージＡＳと共に、それらは光導波
体層パッケージＷＳを形成する。
【００１０】基板ＳＵＢの下側および上部層ＤＳ上に位
置された金属コンタクト層は本発明を理解するにあたっ
て重要でないので記載されておらず、また、上部層ＤＳ
と金属コンタクト層との間に位置される高濃度にドープ
されたコンタクト層も同じ理由のために記載されていな
い。
置された金属コンタクト層は本発明を理解するにあたっ
て重要でないので記載されておらず、また、上部層ＤＳ
と金属コンタクト層との間に位置される高濃度にドープ
されたコンタクト層も同じ理由のために記載されていな
い。
【００１１】光導波体層パッケージＷＳは、メサストラ
イプの形状に構成されている。このメサストライプは、
光学装置において埋設光導波体リッジストライプＷＬを
形成する。
イプの形状に構成されている。このメサストライプは、
光学装置において埋設光導波体リッジストライプＷＬを
形成する。
【００１２】実施形態における光学装置は、B.Fernier
氏等による会議用テキスト“High Yield 2”Technology
for Fabrication of 1.3mm SLMQW DFB Laser Suitable
forSTM 16 Applications”（Proc. ECOC 1994, page 8
41f参照）に記載されているように、埋設光導波体リッ
ジストライプ構造（ＢＲＳ）を有するレーザに代表され
る。
氏等による会議用テキスト“High Yield 2”Technology
for Fabrication of 1.3mm SLMQW DFB Laser Suitable
forSTM 16 Applications”（Proc. ECOC 1994, page 8
41f参照）に記載されているように、埋設光導波体リッ
ジストライプ構造（ＢＲＳ）を有するレーザに代表され
る。
【００１３】第２のメサストライプは、埋設光導波体リ
ッジストライプＷＬに並列に配置され、それもまた光導
波体層パッケージＷＳから形成されている。この第２の
メサストライプは整列マークＪＭであり、光導波体とし
て機能することはない。整列マークＪＭは上部層ＤＳに
よって覆われず、それ故に光学手段によって検出される
ことができる。それはＳｉＯ2 あるいはＳｉＮの薄い誘
電体層ＤＩによって覆われ、その層は製造プロセスの最
後に剥離されて取除かれることができる。
ッジストライプＷＬに並列に配置され、それもまた光導
波体層パッケージＷＳから形成されている。この第２の
メサストライプは整列マークＪＭであり、光導波体とし
て機能することはない。整列マークＪＭは上部層ＤＳに
よって覆われず、それ故に光学手段によって検出される
ことができる。それはＳｉＯ2 あるいはＳｉＮの薄い誘
電体層ＤＩによって覆われ、その層は製造プロセスの最
後に剥離されて取除かれることができる。
【００１４】図２において、図１のものと類似した装置
ＢＥ2 が第２の実施形態として示されており、それは整
列マークＪＭが誘電体層によって覆われておらず、被覆
層ＤＳおよび頂部の光導波体層からエッチングされてい
る点で異なっている。上部層ＤＳによって埋設されない
ので光学的に検出可能なままである整列マークを設ける
ための製造のエッチングステップは、能動層パッケージ
ＡＳが上部層ＤＳおよび光導波体層とは異なった材料で
構成されているという事実に基づいている。選択的に作
用するエッチング液がこのステップに使用され、それに
よって光導波体の被覆層および頂部層が剥離されるが、
能動層パッケージＡＳが損なわれることはない。この方
法において、整列マークＪＭは能動層パッケージＡＳの
レベルまで露出される。付加的な利点は、能動層パッケ
ージＡＳの正確な位置を決定することができ、それによ
って半導体層のエピタキシ成長を制御できることであ
る。
ＢＥ2 が第２の実施形態として示されており、それは整
列マークＪＭが誘電体層によって覆われておらず、被覆
層ＤＳおよび頂部の光導波体層からエッチングされてい
る点で異なっている。上部層ＤＳによって埋設されない
ので光学的に検出可能なままである整列マークを設ける
ための製造のエッチングステップは、能動層パッケージ
ＡＳが上部層ＤＳおよび光導波体層とは異なった材料で
構成されているという事実に基づいている。選択的に作
用するエッチング液がこのステップに使用され、それに
よって光導波体の被覆層および頂部層が剥離されるが、
能動層パッケージＡＳが損なわれることはない。この方
法において、整列マークＪＭは能動層パッケージＡＳの
レベルまで露出される。付加的な利点は、能動層パッケ
ージＡＳの正確な位置を決定することができ、それによ
って半導体層のエピタキシ成長を制御できることであ
る。
【００１５】本発明の利点は以下のようなものである。
すなわち、両方の構造が同じ処理ステップにおいて光導
波体層パッケージＷＳからエッチングされ、また、装置
における両方の構造の位置を決定するエッチングマスク
が単一のリソグラフマスクを使用する単一のリソグラフ
ステップにおいて構成されるので、装置ＢＥ1 およびＢ
Ｅ2 における光導波体リッジストライプＷＬに関して整
列マークＪＭの位置が正確にわかることである。整列マ
ークＪＭが機能および装置の製造を妨害することはな
く、それは、整列マークＪＭと光導波体リッジストライ
プＷＬとの間には光導波体リンクが存在しないからであ
る。
すなわち、両方の構造が同じ処理ステップにおいて光導
波体層パッケージＷＳからエッチングされ、また、装置
における両方の構造の位置を決定するエッチングマスク
が単一のリソグラフマスクを使用する単一のリソグラフ
ステップにおいて構成されるので、装置ＢＥ1 およびＢ
Ｅ2 における光導波体リッジストライプＷＬに関して整
列マークＪＭの位置が正確にわかることである。整列マ
ークＪＭが機能および装置の製造を妨害することはな
く、それは、整列マークＪＭと光導波体リッジストライ
プＷＬとの間には光導波体リンクが存在しないからであ
る。
【００１６】利点を有したストライプ形状の整列マーク
ＪＭは、レーザと光ファイバとの整列に特に適してい
る。レーザ光は光導波体リッジストライプＷＬの前部か
ら出る。レーザと光ファイバの間の結合損失に関する整
列の影響は、光の伝播方向に関して横方向のものであ
り、すなわち、特に光導波体リッジストライプＷＬとフ
ァイバの間の平行な変位と、基板ＳＵＢの平面における
ファイバと光導波体リッジストライプＷＬの間の角度の
誤整列である。両方の自由度は、ストリップ形状の整列
マークＪＭによって特別の正確度で整列させることがで
きる。光の伝播方向に関して縦方向の整列は、結合損失
に対して顕著な影響を与えない。光導波体リッジストラ
イプとファイバの間の垂直方向の変位は、製造中に基板
ＳＵＢおよび光導波体層パッケージＷＳの厚さを正確に
制御することによって避けなければならず、光学装置お
よび光ファイバに取付けられる装置は、それに応じて共
通の基板上に作られる。
ＪＭは、レーザと光ファイバとの整列に特に適してい
る。レーザ光は光導波体リッジストライプＷＬの前部か
ら出る。レーザと光ファイバの間の結合損失に関する整
列の影響は、光の伝播方向に関して横方向のものであ
り、すなわち、特に光導波体リッジストライプＷＬとフ
ァイバの間の平行な変位と、基板ＳＵＢの平面における
ファイバと光導波体リッジストライプＷＬの間の角度の
誤整列である。両方の自由度は、ストリップ形状の整列
マークＪＭによって特別の正確度で整列させることがで
きる。光の伝播方向に関して縦方向の整列は、結合損失
に対して顕著な影響を与えない。光導波体リッジストラ
イプとファイバの間の垂直方向の変位は、製造中に基板
ＳＵＢおよび光導波体層パッケージＷＳの厚さを正確に
制御することによって避けなければならず、光学装置お
よび光ファイバに取付けられる装置は、それに応じて共
通の基板上に作られる。
【００１７】本発明に従って装置を製造するためのプロ
セスの第１の実施形態において、以下のステップが順次
実行される。
セスの第１の実施形態において、以下のステップが順次
実行される。
【００１８】第１のステップにおいて、光導波体層パッ
ケージＷＳが基板ＳＵＢ上に水平に付着される。
ケージＷＳが基板ＳＵＢ上に水平に付着される。
【００１９】第２のステップにおいて、光導波体リッジ
ストライプＷＬおよび整列マークがエッチングによって
形成される。図３のａにおいて、この第２のステップの
後の装置の様子が示されており、そこにおいて、この実
施形態の光導波体リッジストライプＷＬおよび整列マー
クＪＭは等しくメサストライプに構成されている。
ストライプＷＬおよび整列マークがエッチングによって
形成される。図３のａにおいて、この第２のステップの
後の装置の様子が示されており、そこにおいて、この実
施形態の光導波体リッジストライプＷＬおよび整列マー
クＪＭは等しくメサストライプに構成されている。
【００２０】第３のステップにおいて、整列マークＪＭ
が例えばＳｉＯ2 あるいはＳｉＮ等の薄い誘電体層ＤＩ
で覆われる。
が例えばＳｉＯ2 あるいはＳｉＮ等の薄い誘電体層ＤＩ
で覆われる。
【００２１】第４のステップにおいて、上部層ＤＳがエ
ピタキシによって装置上に付着される。上部層ＤＳの半
導体材料は、誘電体層ＤＩ上で成長することができない
ため、整列マークＪＭは上部層ＤＳで覆われないままで
残される。誘電体層は、それに続いて取除かれることが
できる。この第４のステップ後の光の伝播方向に垂直に
切り取られた断面図が図３のｂに示されている。
ピタキシによって装置上に付着される。上部層ＤＳの半
導体材料は、誘電体層ＤＩ上で成長することができない
ため、整列マークＪＭは上部層ＤＳで覆われないままで
残される。誘電体層は、それに続いて取除かれることが
できる。この第４のステップ後の光の伝播方向に垂直に
切り取られた断面図が図３のｂに示されている。
【００２２】本発明のプロセスの第２の実施形態におい
て、第１の実施形態の第１および第２のステップの後、
第３のステップにおいて表面全体の上に上部層ＤＳがエ
ピタキシによって付着され、第４のステップにおいて上
部層ＤＳおよび光導波体層パッケージＷＳの頂部層が整
列マークＪＭの領域で取除かれる。これは例えば化学的
湿式エッチングによって行われることができ、そこにお
いて、選択的に作用するエッチング液が使用され、上部
層ＤＳおよび光導波体の頂部層が剥離されるが、その異
なる材料組成のために、能動層パッケージＡＳを全く損
なわないか、あるいは損なうとしても、非常に速度が遅
い。例えば感光性ラッカー被覆をエッチングマスクとし
て使用することができ、それによって整列マークＪＭの
周囲の領域が覆われないままで残される。図３のｃにお
いて、この第４のステップの後の装置の様子が示されて
いる。整列マークＪＭ上の頂部は、エッチングストッパ
として作用する能動層パッケージＡＳである。エッチン
グされた溝は、整列マークの両側で基板ＳＵＢに到達す
る。
て、第１の実施形態の第１および第２のステップの後、
第３のステップにおいて表面全体の上に上部層ＤＳがエ
ピタキシによって付着され、第４のステップにおいて上
部層ＤＳおよび光導波体層パッケージＷＳの頂部層が整
列マークＪＭの領域で取除かれる。これは例えば化学的
湿式エッチングによって行われることができ、そこにお
いて、選択的に作用するエッチング液が使用され、上部
層ＤＳおよび光導波体の頂部層が剥離されるが、その異
なる材料組成のために、能動層パッケージＡＳを全く損
なわないか、あるいは損なうとしても、非常に速度が遅
い。例えば感光性ラッカー被覆をエッチングマスクとし
て使用することができ、それによって整列マークＪＭの
周囲の領域が覆われないままで残される。図３のｃにお
いて、この第４のステップの後の装置の様子が示されて
いる。整列マークＪＭ上の頂部は、エッチングストッパ
として作用する能動層パッケージＡＳである。エッチン
グされた溝は、整列マークの両側で基板ＳＵＢに到達す
る。
【００２３】ＩｎＰおよびＩｎＧａＡｓＰに加えて、光
学装置は、例えばＧａＡｓ等のIII／Ｖ族化合物タイプ
の別の半導体を有することもできる。また、ＩＶ／ＩＶ
族あるいはII／ＶＩ族化合物タイプの半導体、ならびに
ポリマあるいは例えばシリコン基板上のＳｉＯ2 等の誘
電体化合物を使用することもできる。
学装置は、例えばＧａＡｓ等のIII／Ｖ族化合物タイプ
の別の半導体を有することもできる。また、ＩＶ／ＩＶ
族あるいはII／ＶＩ族化合物タイプの半導体、ならびに
ポリマあるいは例えばシリコン基板上のＳｉＯ2 等の誘
電体化合物を使用することもできる。
【００２４】本発明は、１以上の能動半導体層を含んで
いる光学装置およびそれを製造するプロセスの２つの実
施形態に限定されない。増幅されていない光を導く純粋
な受動光導波体層パッケージから光導波体および整列マ
ークを形成することも可能である。
いる光学装置およびそれを製造するプロセスの２つの実
施形態に限定されない。増幅されていない光を導く純粋
な受動光導波体層パッケージから光導波体および整列マ
ークを形成することも可能である。
【図１】本発明による光学装置の第１の実施形態の概略
的斜視図。
的斜視図。
【図２】本発明による光学装置の第２の実施形態の概略
的斜視図。
的斜視図。
【図３】第１および第２のプロセスの異なる製造段階の
期間中の光導波体の光の伝播方向に垂直に切り取られた
装置の断面図。
期間中の光導波体の光の伝播方向に垂直に切り取られた
装置の断面図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マルティン・レーニヒ ドイツ連邦共和国、71229 レオンベルク、 アハールムシュトラーセ ６ (72)発明者 ヤマル・ボウアヤド − アミネ ドイツ連邦共和国、71642 ルードビヒス ブルク、ホーエンラインシュトラーセ 20 (72)発明者 ライノルト・バインマン ドイツ連邦共和国、73733 エスリンゲン、 バウアーナッカー・ベーク ８
Claims (5)
- 【請求項１】 光導波体層パッケージで形成された光導
波体リッジストライプおよび光学的に検出可能な整列マ
ークを有する光学装置において、 光導波体リッジストライプは上部層によって覆われた埋
設ストライプ光導波体であり、 整列マークは少なくとも部分的に光導波体リッジストラ
イプと同じ水平に付着された光導波体層パッケージで形
成されていることを特徴とする光学装置。 - 【請求項２】 整列マークはメサストライプであること
を特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 整列マークは誘電体層によって被覆され
ていることを特徴とする請求項１記載の光学装置。 - 【請求項４】 整列マークを有する光学装置の製造方法
において、 ａ）光導波体層パッケージをエピタキシによって基板上
に水平に付着し、 ｂ）光導波体リッジストライプおよび整列マークを光導
波体層パッケージからエッチングし、 ｃ）整列マークを誘電体層で被覆し、 ｄ）上部層をエピタキシによって付着するステップを含
んでいる光学装置の製造方法。 - 【請求項５】 整列マークを有する光学装置を製造する
ための方法において、 ａ）光導波体層パッケージをエピタキシによって基板上
に水平に付着し、 ｂ）光導波体リッジストライプおよび整列マークを光導
波体層パッケージからエッチングし、 ｃ）上部層をエピタキシによって付着し、 ｄ）選択的に作用するエッチング液によって整列マーク
をエッチングするステップを含んでいる光学装置の製造
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19611907.3 | 1996-03-26 | ||
| DE19611907A DE19611907A1 (de) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | Optisches Bauelement mit Justiermarke und Verfahren zur Herstellung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1031127A true JPH1031127A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=7789460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9074124A Pending JPH1031127A (ja) | 1996-03-26 | 1997-03-26 | 整列マークを有する光学装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0798576A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1031127A (ja) |
| DE (1) | DE19611907A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US6553171B1 (en) | 1999-10-21 | 2003-04-22 | Nhk Spring Co., Ltd. | Optical component having positioning markers and method for making the same |
| DE60115887T2 (de) * | 2001-09-03 | 2006-06-14 | Agilent Technologies Inc | Methode zur Ausrichtung eines passiven optischen Elements auf ein aktives optisches Element |
| US6744953B2 (en) * | 2001-09-07 | 2004-06-01 | Agilent Technologies, Inc. | Planar optical waveguide with alignment structure |
| US7110115B2 (en) | 2003-06-30 | 2006-09-19 | Motorola, Inc. | Method and arrangement for aligning an optical component on a printed wiring board |
| WO2005066677A2 (en) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Lambdy Crossing, Ltd. | Improved accuracy fiducial marks for trench implementation in optical transceiver platforms |
| DE102015219056B4 (de) * | 2015-10-01 | 2018-05-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Halbleiterlichtquelle und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlichtquelle |
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| FR2659148B1 (fr) * | 1990-03-01 | 1993-04-16 | Commissariat Energie Atomique | Procede de connexion entre une fibre optique et un microguide optique. |
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| FR2724057B1 (fr) * | 1994-08-26 | 1996-10-18 | Alcatel Nv | Procede de realisation d'un repere sur une plaquette notamment semiconductrice incluant une structure enterree |
-
1996
- 1996-03-26 DE DE19611907A patent/DE19611907A1/de not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-03-24 EP EP97400667A patent/EP0798576A3/de not_active Withdrawn
- 1997-03-26 JP JP9074124A patent/JPH1031127A/ja active Pending
Also Published As
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|---|---|
| DE19611907A1 (de) | 1997-10-02 |
| EP0798576A3 (de) | 1997-10-15 |
| EP0798576A2 (de) | 1997-10-01 |
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