JP3608763B2 - 半導体受光素子及び半導体受光装置の製造方法 - Google Patents
半導体受光素子及び半導体受光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3608763B2 JP3608763B2 JP00823698A JP823698A JP3608763B2 JP 3608763 B2 JP3608763 B2 JP 3608763B2 JP 00823698 A JP00823698 A JP 00823698A JP 823698 A JP823698 A JP 823698A JP 3608763 B2 JP3608763 B2 JP 3608763B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- light
- semiconductor light
- face
- incident end
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体受光素子及び半導体受光装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の屈折型半導体受光素子は、図2に示すように、n−InP基板25上に、n−InP層24、InGaAs光受光層23、p−InP層22により受光部分である半導体多層構造を積層すると共にp電極26、n電極27を形成し、更に、光受光層23を層厚方向に斜めに通過するよう光入射端面21を形成したものである。
このような屈折型半導体受光素子は、光入射傾斜端面の近傍より劈開などによりチップが規定されている。
【0003】
また、従来の導波路型半導体受光素子は、図3に示すように、n−InP基板37上に、1μm厚n−InP層36、2μm厚1.2μm組成n−InGaAsP光ガイド層35、3μm厚1.4μm組成InGaAsP光受光層34、2μm厚1.2μm組成p−InGaAsP光ガイド層33、1μm厚p−InP層32により受光部分である半導体多層構造を積層すると共にp電極38、n電極39を成形し、光入射端面31から入射光が入射できるようにしたものである。
このような導波路型半導体受光素子は、劈開による光入射端面によりチップが規定されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述した半導体受光素子においては、ファイバ等の光導波路と光学的に結合する場合、ファイバ先端を受光感度が最大になる位置まで数ミクロンの精度で機械的に微動させて合わせこむ必要がある。
従って、受光素子とファイバを組み合わせてモジュールを製作するとき、極めて高精度な位置あわせ技術が必要であり、微小なずれで、受光感度の低下や応答速度の低下が発生する。
このため、通常は受光素子とファイバの間にレンズを1ないし2個挿入し、機械的位置あわせ精度を緩和する方法がとられている。
【0005】
しかしながら、このようなレンズ系の挿入は部品点数の増加や製作工程の増加となり、モジュールコストが上がってしまうという問題が有る。
本発明の目的は、上述した従来技術に鑑みてなされたものであり、屈折型光受光素子又は導波路型光受光素子において、ファイバとの光結合を図る際、容易に高精度で光結合が可能となる光受光素子及びそれを用いた半導体受光装置の製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の請求項1に係る半導体受光素子は、光受光層を含む半導体多層構造よりなる受光部分と端面に表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面を設けることにより、該光入射端面で入射光を屈折させて、前記光受光層を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにし、かつ、該光入射端面に対向してV又はU字型の溝を有する屈折型半導体受光素子において、該光入射端面部分及びその近傍が有機物質で埋められ、該有機物質により前記光入射端面が保護され、突合せ結合される光ファイバ又は光導波路の先端が該有機物質で止まるようにしたことを特徴とする。
【0007】
該光入射端面に対向してV又はU字型の溝を有しているため、この部分がファイバのガイドとして働く。
また、光入射端面及びその近傍が有機物質で埋められているため、ファイバ等の光導波路と突き合わせにより光結合を図れる。
従来技術とは、ファイバ等との光結合が微妙な機械的位置あわせが必要なく、高精度にできる点が異なる。
【0008】
上記目的を達成する本発明の請求項1に係る半導体受光素子は、光受光層を含む半導体多層構造よりなる導波路型半導体受光素子において、光入射端面に対向してV又はU字型の溝を有する半導体受光素子において、該光入射端面の近傍が有機物質で埋められ、該有機物質により前記光入射端面が保護され、突合せ結合される光ファイバ又は光導波路の先端が該有機物質で止まるようにしたことを特徴とする。
【0009】
また、光入射端面の近傍が有機物質で埋められているため、ファイバ等の光導波路と突き合わせにより光結合を図れる。
このため、ファイバ等との光結合が、従来技術のような微妙な機械的位置あわせの必要なく、高精度にできる。
【0010】
〔作用〕
このように、本素子は、光入射端面に対向してV又はU字型の溝を有しており、かつ、光入射端面部分及びその近傍、又は、その近傍が有機物質で埋められている。
このため、V又はU字型の溝部分がファイバ等の光導波路のガイドとして作用し、また、光入射端面側が有機物質で保護されているため突き合わせにより高精度な光結合が可能となる。
また、1チップ上に並列に本素子を配列するモノリシック構成により多数本のフアイバとの光結合を一括して高精度に行うことが可能となる。
【0011】
【発明の実施の形態】
〔実施例1〕
本発明の第1の実施例に係る屈折型半導体受光素子を図1に示す。
同図に示すように、半絶縁性InP基板15上には、1μm厚n−InP層14、1μm厚InGaAs光受光層13、1μm厚p−InP層12よりなる受光部分である半導体多層構造が積層されると共にp電極16、n電極17が形成され、また、光受光層13を入射光が層厚方向に斜めに通過するよう、表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面11が形成され、更に、この光入射端面11に対向してV字型溝18が形成されている。素子の受光層面積は30μm×50μmである。
光入射端面11及びその近傍は、有機物質であるフォトレジスト19で埋められている。
【0012】
光入射端面11及びV字型溝18は、T字型の窓を有するシリコン窒化膜マスクを用い、ブロムメタノールを用いでウェットエッチングを行い、同時に形成した。
この時、光入射端面11及びV字型溝18は、(001)表面のウェハをブロムメタノールを用いたウェットエッチングでは(111)A面が図のように逆メサ形状で形成され、これに直交する方向では(−1−11)面が順メサ形状で形成されることを利用して形成した。
【0013】
この時、V字形状は面方位で精度よく製作され、従って、深さもマスクの窓幅で制御性よくコントロールできる。
もちろん、逆メサ部及びV字型溝18は他のウェットエッチング液やドライエッチング法を用いて形成しても良いし、他の結晶面を利用したり、エッチングマスクの密着性を利用し角度を制御して形成しても良い。
【0014】
V字型溝18は、左右の順メサ面の底辺がエッチング時間の経過と共に下に降りてゆき、両側の底辺が一致することで自動的に形成されるため、深さもマスク窓幅で制御性よくコントロールできるわけであるが、底辺が一致する前の状態はいわゆるU字型の形状になる。
このため、時間でエッチング深さを制御することにより必要に応じてU字型の溝も形成可能である。
【0015】
また、エッチング途中で異なるエッチング液に変えること等で形状の異なるU字型溝が形成可能である。
光入射端面11に無反射膜を形成した後、全面にフォトレジストを塗布し、全面を露光装置にて露光すると、逆メサのひさし部分は露光されないため、レジスト現像により図のようにひさし部分から順メサ形状で有機物質であるレジスト19が残る。
【0016】
露光時、露光時間を制御したり、基板を斜めに露光することで、レジスト19の順メサ形状は制御可能である。
本実施例では、全面を露光してレジスト19の埋め込みを部分を形成しているが、マスクを用いて露光し、光入射端面11の先端部分より有限の長さ離してレジスト19の埋め込み部分を形成しても良い。
【0017】
V字型溝18に、シングルモードファイバ(図示省略)を乗せてガイドさせて突き当てても、ファイバの先端部エッジはレジスト19で止まるのでファイバ先端が素子の光入射端面11にぶつかることはない。
シングルモードファイバをエポキシ等で固定した後、有機溶剤でレジスト部分のみを選択的に除去すれば、光受光装置である受光モジュールを製作できる。
【0018】
ここで、水平及び垂直方向の光入射位置はV字型溝18を形成するためのマスクの精度でほぼ決定でき、かつ、突き当てにより光軸方向の位置合わせも可能なため、ファイバの微妙な機械的移動による位置合わせによらず、高精度な位置決めが可能であった。
例えば、波長1.3μmの光を導入すると、印加逆バイアス1.5Vで受光感度0.8A/W以上の大きな値が得られた。
【0019】
また、シングルモードファイバの代わりに先球ファイバを用い、ビームサイズを微小化しても、同様に、高精度な位置決めが可能なため、焦点のビームサイズと同等程度まで素子受光部分を微小化できる。
【0020】
従って、微小化による超高速応答が可能な素子がファイバと高結合な状態で実現でき、容易にモジュール化を図ることができる。
例えば、受光面積(10μm×20μm)の素子で、受光感度を高く保ちながら、3dB帯域40GHzの高速動作可能なモジュールが製作可能であった。
本実施例では、表面側のp−InP層は結晶成長によって形成しているが、結晶成長ではアンドープInP層とし、表面側の主たる部分の半導体の導電形を、Znの拡散や、イオン注入法とその後のアニールによって決定しても良い。
【0021】
また、半導体受光素子部分は、第1導電形を有する半導体層上にあって、真性又は第一の導電型の半導体層、超格子半導体層又は多重量子井戸半導体層より成る光受光層とショットキー電極との間に、前記光受光層と前記ショットキー電極との間のショットキー障壁よりも高いショットキー障壁を前記ショットキー電極に対して有するショットキーバリアハイトの高い半導体属を介在した多層構造を基板上に構成してなる半導体受光素子や、前記ショットキーバリアハイトの高い半導体層は、In1−x−yGaxAlyAs(0≦x≦1,0≦y≦1)又はIn1−x−yGaxAlyAs(0≦x≦1,0≦y≦1)とその上の薄いIn1−uGauAs1−vPv(0≦u≦1,0≦v≦1)よりなる半導体受光素子で構成しても良い。
【0022】
また、本実施例では、基板として半絶縁性InPを用い、基板側にn−InPを用いた例であるが、p−InPを用いても上記のpとnを逆にして同様に製作可能であり、また、n−InPやp−InP基板を用いても同様に製作可能である。
また、ここでは、受光層として均一組成のバルクを用いているが、アバランシェフォトダイオードに用いられるSGAM(Separate−absorption−graded−multiplication )構造やSAM−SL(Separate absorption and multiplication superlattice)構造や他の超格子構造の半導体層等を用いても良い。
また、InGaAsP/InP系以外のInGaAlAs/InGaAsPやAlGaAs/GaAs系などの材料系や歪を内在するような材料系でも良い。
【0023】
〔実施例2〕
本発明の第2の実施例に係る屈折型半導体受光素子を図4に示す。
同図に示すように、半絶縁性InP基板45上には、1μm厚n−InP層44、1μm厚InGaAs光受光層43、1μ厚p−InP層42よりなる受光部分である半導体多層構造が積層されると共にp電極46、n電極47が形成され、また、光受光層43を入射光が層厚方向に斜めに通過するよう、表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面41が形成され、更に、この光入射端面41に対向してV字型溝48が形成されている。素子の受光層面積は30μm×50μmである。
光入射端面41及びその近傍は、有機物質であるポリイミド49で埋められている。
【0024】
光入射端面41及びV字型溝48は、T字型の窓を有するシリコン窒化膜マスクを用い、ブロムメタノールを用いてウェットエッチングを行い、同時に形成した。
この時、光入射端面41及びV字型溝48は、(001)表面のウェハをブロムメタノールを用いたウェットエッチングでは(111)A面が図のように逆メサ形状で形成され、これに直交する方向では(−1−11)面が順メサ形状で形成されることを利用して形成した。
【0025】
この時、V字形状は面方位で精度よく製作され、従って、深さもマスクの窓幅で制御性よくコントロールできる。
もちろん、逆メサ部及びV字型溝48は他のウェットエッチング液やドライエッチング法を用いて形成しても良いし、他の結晶面を利用したり、エッチングマスクの密着性を利用し角度を制御して形成しても良い。
【0026】
V字型溝48は、左右の順メサ面の底辺がエッチング時間の経過と共に下に降りてゆき、両側の底辺が一致することで自動的に形成されるため、深さもマスク窓幅で制御性よくコントロールできるわけであるが、底辺が一致する前の状態はいわゆるU字型の形状になる。
このため、時間でエッチシグ深さを制御することにより必要に応じてU字型の溝も形成可能である。
【0027】
また、エッチング途中で異なるエッチング液に変えること等で形状の異なるU字型溝が形成可能である。
光入射端面41に無反射膜を形成した後、スピンコートにより全面にポリイミド49を塗布し、その上にレジストを塗布後、光入射端面41の先端部分より有限の長さ離してカバーするマスクを用いて露光及び現像を行った。
【0028】
この時、ポリイミドとしてレジスト現像液でエッチングされるものを用いることにより、図のようにひさし部分から有限の長さ離れた所までメサ形状で有機物質であるポリイミド49が残る。
なお、図4は、レジストをアセトンで除去した後の状態の模式図である。
V字型溝48に、シングルモードファイバ(図示省略)を乗せてガイドさせ、突き当てても、ファイバの先端部はポリイミド49で止まるのでファイバ先端が素子の光入射端面41にぶつかることはない。
【0029】
シングルモードファイバを突き合わせた後、素子とファイバ間も含めてポリイミド(図示省略)で固定して光受光装置である受光モジュールを製作した。
ここで、水平及び垂直方向の光入射位置はV字型溝48を形成するためのマスクの精度でほぼ決定でき、かつ、突き当てにより光軸方向の位置合わせも可能なため、ファイバの微妙な機械的移動による位置あわせによらず、高精度な位置決めが可能であった。
例えば、波長1.3μmの光を導入すると、印加逆バイアス1.5Vで受光感度0.8A/W以上の大きな値が得られた。
【0030】
また、シングルモードファイバの代わりに先球ファイバを用い、ビームサイズを微小化しても、同様に、高精度な位置決めが可能なため、焦点のビームサイズと同等程度まで素子受光部分を微小化できる。
従って、微小化による超高速応答が可能な素子がファイバと高結合な状態で実現でき、容易にモジュール化を図ることができる。
例えば、受光面積(10μm×20μm)の素子で、受光感度を高く保ちながら、3dB帯域40GHzの高速動作可能なモジュールが製作可能であった。
【0031】
本実施例では、レジストをマスクにしてレジスト現像液でポリイミド49をパターニングしているが、SiO2やメタル等のマスクを形成して酸素などの反応性イオンエッチング(RIE)やイオンビームエッチング(RIBE)などの他の手法でポリイミド49のパターニングを行っても良い。
また、ポリイミド以外のエポキシ等の別の有機物質を塗布して同様にパターニングを行い、同一物質で素子とファイバ間も含めて固定して光受光装置を製作しても良い。
本実施例では、表面側のp−InP層は結晶成長によって形成しているが、結晶成長ではアンドープInP層とし、表面側の主たる部分の半導体の導電形を、Znの拡散や、イオン注入法とその後のアニールによって決定しても良い。
【0032】
また、半導体受光素子部分は、第1導電形を有する半導体層上にあって、真性又は第一の導電型の半導体層、超格子半導体層又は多重量子井戸半導体層より成る光受光層とショットキー電極との間に、前記光受光層と前記ショットキー電極との間のショットキー障壁よりも高いショットキー障壁を前記ショットキー電極に対して有するショットキーバリアハイトの高い半導体属を介在した多層構造を基板上に構成してなる半導体受光素子や、前記ショットキーバリアハイトの高い半導体層は、In1−x−yGaxAlyAs(0≦x≦1,0≦y≦1)又はIn1−x−yGaxAlyAs(0≦x≦1,0≦y≦1)とその上の薄いIn1−uGauAs1−vPv(0≦u≦1,0≦v≦1)よりなる半導体受光素子で構成しても良い。
【0033】
また、本実施例では、基板として半絶縁性InPを用い、基板側にn−InPを用いた例であるが、p−InPを用いても上記のpとnを逆にして同様に製作可能であり、また、n−InPやp−InP基板を用いても同様に製作可能である。
また、ここでは、受光層として均一組成のバルクを用いているが、アバランシェフォトダイオードに用いられるSGAM(Separate−absorption−graded−multiplication )構造やSAM−SL(Separate absorption and multiplication superlattice)構造や他の超格子構造の半導体層等を用いても良い。
また、InGaAsP/InP系以外のInGaAlAs/InGaAsPやAlGaAs/GaAs系などの材料系や歪を内在するような材料系でも良い。
【0034】
〔実施例3〕
本発明の第3の実施例に係る導波路型半導体受光素子を図5に示す。
同図に示すように、半絶縁性InP基板57上には、1μm厚n−InP層56、2μm厚1.2μm組成n−InGaAsP光ガイド層55、3μm厚1.4μm組成InGaAsP光受光層54、2μm厚1.2μm組成p−InGaAsP光ガイド層53、1μm厚p−InP層52よりなる受光部分である半導体多層構造が積層されると共にp電極58、n電極59が形成され、光入射端面51に対向してV字型溝510が形成されている。素子の受光層面積は30μm×100μmである。
光入射端面51の近傍の溝部は、有機物質であるフォトレジスト511により埋められている。
光入射端面51は、ドライエッチングで形成後、V字型溝510はシリコン窒化膜マスクを用い、ブロムメタノールを用いてウェットエッチングを行い形成した。
【0035】
この時、V字型溝510は、(001)表面のウェハをブロムメタノールを用いたウェットエッチングでは図のように(−1−11)面が順メサ形状で形成されることを利用して形成した。
この時、V字形状は面方位で精度よく製作され、従って、深さもマスクの窓幅で制御性よくコントロールできる。
もちろん、光入射端面51はウェットエッチング法を用いて形成しても良い。また、V字型溝510は他のウェットエッチング液やドライエッチング法を用いて形成しても良いし、他の結晶面を利用したり、エッチングマスクの密着性を利用し角度を制御して形成しても良い。
【0036】
V字型溝510は、左右の順メサ面の底辺がエッチング時間の経過と共に下に降りてゆき、両側の底辺が一致することで自動的に形成されるため、深さもマスク窓幅で制御性よくコントロールできるわけであるが、底辺が一致する前の状態はいわゆるU字型の形状になる。
このため、時間でエッチング深さを制御することにより必要に応じてU字型の溝も形成可能である。
【0037】
また、エッチング途中で異なるエッチング液に変えること等で形状の異なるU字型溝が形成可能である。
光入射端面51に無反射膜を形成した後、全面にフォトレジストを塗布し、全面を露光装置にて露光すると、逆メサのひさし部分は露光されないため、レジスト現像により図のようにひさし部分から順メサ形状で有機物質であるレジスト511が残る。
露光時、露光時間を制御したり、基板を斜めに露光することで、レジスト511の順メサ形状は制御可能である。
【0038】
本実施例では、全面を露光してレジスト511の埋め込みを部分を形成しているが、マスクを用いて露光し、光入射端面51の先端部分より有限の長さ離してレジスト511の埋め込み部分を形成しても良い。
V字型溝510に、シングルモードファイバ(図示省略)を乗せてガイドさせ、突き当てても、ファイバの先端部エッジはレジスト511で止まるのでファイバ先端が素子の光入射端面51にぶつかることはない。
シングルモードファイバをエポキシ等で固定した後、有機溶剤でレジスト511のみを選択的に除去して光受光装置である受光モジュールを製作した。
【0039】
ここで、水平及び垂直方向の光入射位置はV字型溝510を形成するためのマスクの精度でほぼ決定でき、かつ、突き当てにより光軸方向の位置合わせも可能なため、ファイバの微妙な機械的移動による位置あわせによらず、高精度な位置決めが可能であった。
波長1.3μmの光を導入すると、印加逆バイアス3.0Vで受光感度0.8A/W以上の大きな値が得られた。
また、シングルモードファイバの代わりに先球ファイバを用い、ビームサイズを微小化しても、高精度な位置決めが可能なため、焦点のビームサイズと同等程度まで素子受光部分を微小化できる。
【0040】
従って、微小化による超高速応答が可能な素子がファイバと高結合な状態で実現でき、容易にモジュール化を図ることができる。
本実施例では、表面側のp−InP層及びp−InGaAsP光ガイド層は結晶成長によって形成しているが、結晶成長ではアンドープ層とし、表面側の主たる部分の半導体の導電形を、Znの拡散や、イオン注入法とその後のアニールによって決定しても良い。
また、本実施例では、基板として半絶縁性InPを用い、基板側にn−InPを用いた例であるが、p−InPを用いても上記のpとnを逆にして同様に製作可能であり、また、n−InPやp−InP基板を用いても同様に製作可能である。
【0041】
また、ここでは、受光層として均一組成のバルクを用いているが、アバランシェフォトダイオードに用いられるSGAM(Separate−absorption−graded−multiplication )構造やSAM−SL(Separate absorption and multiplication superlattice)構造や他の超格子構造の半導体層等を用いても良い。
また、InGaAsP/InP系以外のInGaAlAs/InGaAsPやAlGaAs/GaAs系などの材料系や歪を内在するような材料系でも良い。
【0042】
〔実施例4〕
本発明の第4の実施例に係る導波路型半導体受光素子を図6に示す。
同図に示すように、半絶縁性InP基板67上に、1μm厚n−InP層66、2μm厚1.2μm組成n−InGaAsP光ガイド層65、3μm厚1.4μm組成InGaAsP光受光層64、2μm厚1.2μm組成p−InGaAsP光ガイド層63、1μm厚p−InP層62よりなる受光部分である半導体多層構造が積層されると共にp電極68、n電極69が形成され、光入射端面61に対向して、V字型溝610が形成されている。素子の受光層面積は30μm×100μmである。
光入射端面61の近傍の溝部は、有機物質であるポリイミド611により埋められている。
【0043】
光入射端面61は、ドライエッチングで形成後、V字型溝610はシリコン窒化膜マスクを用い、ブロムメタノールを用いてウェットエッチングを行い形成した。
この時、V字型溝610は、(001)表面のウェハをブロムメタノールを用いたウェットエッチングでは図のように(−1−11)面が順メサ形状で形成されることを利用して形成した。
この時、V字形状は面方位で精度よく製作され、従って、深さもマスクの窓幅で制御性よくコントロールできる。
もちろん、光入射端面61はウェットエッチング法を用いて形成しても良い。
【0044】
また、V字型溝610は他のウェットエッチング液やドライエッチング法を用いて形成しても良いし、他の結晶面を利用したり、エッチングマスクの密着性を利用し角度を制御して形成しても良い。
V字型溝610は、左右の順メサ面の底辺がエッチング時間の経過と共に下に降りてゆき、両側の底辺が一致することで自動的に形成されるため、深さもマスク窓幅で制御性よくコントロールできるわけであるが、底辺が一致する前の状態はいわゆるU字型の形状になる。
【0045】
このため、時間でエッチング深さを制御することにより必要に応じてU字型の溝も形成可能である。
また、エッチング途中で異なるエッチング液に変えること等で形状の異なるU字型溝が形成可能である。
光入射端面61に無反射膜を形成した後、スピンコートにより全面にポリイミドを塗布し、その上にレジストを塗布後、光入射端面の先端部分より有限の長さ離してカバーするマスクを用いて露光及び現像を行った。
【0046】
この時、ポリイミドとしてレジスト現像液でエッチングされるものを用いることにより、図のようにひさし部分から有限の長さ離れた所までメサ形状で有機物質であるポリイミド611が残る。
なお、図6は、レジストをアセトンで除去した後の状態の模式図である。
V字型溝610にシングルモードファイバ(図示省略)を乗せてガイドさせ、突き当てても、ファイバの先端部はポリイミド611で止まるのでファイバ先端が半導体素子の光入射端面61にぶつかることはない。
【0047】
ファイバを突き合わせた後、素子とファイバ間も含めてポリイミド(図示省略)で固定して光受光装置である受光モジュールを製作した。
ここで、水平及び垂直方向の光入射位置はV字型溝610を形成するためのマスクの精度でほぼ決定でき、かつ、突き当てにより光軸方向の位置合わせも可能なため、フアイバの微妙な機械的移動による位置あわせによらず、高精度な位置決めが可能であった。
例えば、波長1.3μmの光を導入すると、印加逆バイアス3.0Vで受光感度0.8A/W以上の大きな値が得られた。
【0048】
また、シングルモードファイバの代わりに先球ファイバを用い、ビームサイズを微小化しても、高精度な位置決めが可能なため、焦点のビームサイズと同等程度まで素子受光部分を微小化できる。
従って、微小化による超高速応答が可能な素子がファイバと高結合な状態で実現でき、容易にモジュール化を図ることができる。
本実施例では、レジストをマスクにしてレジスト現像液でポリイミド611をパターニングしているが、SiO2やメタル等のマスクを形成して酸素などの反応性イオンエッチング(RIE)やイオンビームエッチング(RIBE)などの他の手法でポリイミドのパターニングを行っても良い。
【0049】
また、ポリイミド以外のエポキシ等の別の有機物質を塗布して同様にパターニングを行い、同一物質で素子とファイバ間も含めて固定して光受光装置を製作しても良い。
本実施例では、表面側のp−InP層及びp−InGaAsP光ガイド層は結晶成長によって形成しているが、結晶成長ではアンドーブ層とし、表面側の主たる部分の半導体の導電形を、Znの拡散や、イオン注入法とその後のアニールによって決定しても良い。
【0050】
また、本実施例では、基板として半絶縁性InPを用い、基板側にn−InPを用いた例であるが、p−InPを用いても上記のpとnを逆にして同様に製作可能であり、また、n−InPやp−InP基板を用いても同様に製作可能である。
また、ここでは、受光層として均一組成のバルクを用いているが、アバランシェフォトダイオードに用いられるSGAM(Separate−absorption−graded−multiplication )構造やSAM−SL(Separate absorption and multiplication superlattice)構造や他の超格子構造の半導体層等を用いても良い。
また、InGaAsP/InP系以外のInGaAlAs/InGaAsPやAlGaAs/GaAs系などの材料系や歪を内在するような材料系でも良い。
【0051】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明は、光受光層を含む半導体多層構造よりなる受光部分と端面に表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面を設けることにより、該光入射端面で入射光を屈折させて、前記光受光層を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにした屈折型半導体受光素子、又は、光受光層を含む半導体多層構造よりなる導波路型半導体受光素子において、光入射端面に対向してV又はU字型の溝が形成されており、かつ、光入射端面部分及びその近傍、又は、その近傍が有機物質で埋められているため、V又はU字型の溝部分がファイバ等の光導波路のガイドとして作用し、また、光入射端面側が有機物質で保護されているため突き合わせにより高精度な光結合が可能となる。
【0052】
水平及び垂直方向の光入射位置はV字型溝ガイドを形成するためのマスクの精度でほぼ決定でき、かつ、突き当てにより光軸方向の位置合わせも可能なため、ファイバの微妙な機械的移動による位置あわせによらず、高精度な位置決めが可能であり、モジュールなどの光受光装置も容易に製作できる。
また、シングルモードファイバの代わりに先球ファイバを用い、ビームサイズを微小化しても、高精度な位置決めが可能なため、焦点のビームサイズと同等程度まで素子受光部分を微小化でき、超高速応答が可能な素子がファイバと高結合な状態で容易にモジュール化できる。
【0053】
このように、受光部分とファイバを高精度にレンズ系なしに結合できるため、モジュール化において、部品点数の低減や製作工程の簡素化が図れ、低コストかつ超高速応答可能なモジュールが製作可能となる。
また、1チップ上に並列に本素子を配列するモノリシック構成により多数本のファイバとの光結合を一括して高精度に行うことが可能となり、そのモジュール化も容易に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に係る屈折型半導体受光素子の説明図である。
【図2】従来の屈折型半導体光受光素子の説明図である。
【図3】従来の導波路型半導体光受光素子の説明図である。
【図4】本発明の第2の実施例に係る屈折型半導体受光素子の説明図である。
【図5】本発明の第3の実施例に係る導波路型半導体受光素子の説明図である。
【図6】本発明の第4の実施例に係る導波路型半導体受光素子の説明図である。
【符号の説明】
11 光入射端面
12 1μm厚p−InP層
13 1μm厚InGaAs光受光層
14 1μm厚n−InP層
15 半絶縁性InP基板
16 p電極
17 n電極
18 V字型溝
19 フォトレジスト
21 光入射端面
22 p−InP層
23 InGaAs光受光層
24 n−InP層
25 n−InP基板
26 p電極
27 n電極
31 光入射端面
32 1μm厚p−InP層
33 2μm厚1.2μm組成p−InGaAsP光ガイド層
34 3μm厚1.4μm組成InGaAsP光受光層
35 2μm厚1.2μm組成n−InGaAsP光ガイド層
36 1μm厚n−InP層
37 n−InP基板
38 p電極
39 n電極
41 光入射端面
42 1μm厚p−InP層
43 1μm厚InGaAs光受光層
44 1μm厚n−InP層
45 半絶縁性InP基板
46 p電極
47 n電極
48 V字型溝
49 ポリイミド
51 光入射端面
52 1μm厚p−InP層
53 2μm厚1.2μm組成p−InGaAsP光ガイド層
54 3μm厚1.4μm組成InGaAsP光受光層
55 2μm厚1.2μm組成n−InGaAsP光ガイド層
56 1μm厚n−InP層
57 半絶縁性InP基板
58 p電極
59 n電極
510 V字型溝
511 フォトレジスト
61 光入射端面
62 1μm厚p−InP層
63 2μm厚1.2μm組成p−InGaAsP光ガイド層
64 3μm厚1.4μm組成InGaAsP光受光層
65 2μm厚1.2μm組成n−InGaAsP光ガイド層
66 1μm厚n−InP層
67 半絶縁性InP基板
68 p電極
69 n電極
610 V字型溝
611 ポリイミド
Claims (6)
- 光受光層を含む半導体多層構造よりなる受光部分と端面に表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面を設けることにより、該光入射端面で入射光を屈折させて、前記光受光層を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにし、かつ、該光入射端面に対向してV又はU字型の溝を有する屈折型半導体受光素子において、該光入射端面部分及びその近傍が有機物質で埋められ、該有機物質により前記光入射端面が保護され、突合せ結合される光ファイバ又は光導波路の先端が該有機物質で止まるようにしたことを特徴とする半導体受光素子。
- 請求項1記載の半導体受光素子を用い、前記光ファイバ又は前記光導波路と結合を図った後、前記有機物質を除去して製作することを特徴とする半導体受光装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体受光素子を用い、前記光ファイバ又は前記光導波路と結合を図った後、前記半導体受光素子と前記光導波路の間を有機物質で埋め込んで製作することを特徴とする半導体受光装置の製造方法。
- 光受光層を含む半導体多層構造よりなる導波路型半導体受光素子において、光入射端面に対向してV又はU字型の溝を有する半導体受光素子において、該光入射端面の近傍が有機物質で埋められ、該有機物質により前記光入射端面が保護され、突合せ結合される光ファイバ又は光導波路の先端が該有機物質で止まるようにしたことを特徴とする半導体受光素子。
- 請求項4記載の半導体受光素子を用い、前記光ファイバ又は前記光導波路と結合を図った後、前記有機物質を除去して製作することを特徴とする半導体受光装置の製造方法。
- 請求項4記載の半導体受光素子を用い、前記光ファイバ又は前記光導波路と結合を図った後、前記半導体受光素子と前記光導波路の間を有機物質で埋め込んで製作することを特徴とする半導体受光装置の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00823698A JP3608763B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 半導体受光素子及び半導体受光装置の製造方法 |
US09/184,218 US6353250B1 (en) | 1997-11-07 | 1998-11-02 | Semiconductor photo-detector, semiconductor photo-detection device, and production methods thereof |
US10/005,705 US6770945B2 (en) | 1997-11-07 | 2001-12-04 | Semiconductor photo-detector, semiconductor photodetection device, and production methods thereof |
US10/702,637 US7256062B2 (en) | 1997-11-07 | 2003-11-05 | Semiconductor photo-detector, semiconductor photo-detection device, and production methods thereof |
US10/702,577 US6917032B2 (en) | 1997-11-07 | 2003-11-05 | Semiconductor photo-detector, semiconductor photodetection device, and production methods thereof |
US11/825,413 US7575949B2 (en) | 1997-11-07 | 2007-07-06 | Semiconductor photo-detector, semiconductor photo-detection device, and production method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00823698A JP3608763B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 半導体受光素子及び半導体受光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11204809A JPH11204809A (ja) | 1999-07-30 |
JP3608763B2 true JP3608763B2 (ja) | 2005-01-12 |
Family
ID=11687526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00823698A Expired - Lifetime JP3608763B2 (ja) | 1997-11-07 | 1998-01-20 | 半導体受光素子及び半導体受光装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3608763B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004311801A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Sharp Corp | 半導体受光装置及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-01-20 JP JP00823698A patent/JP3608763B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11204809A (ja) | 1999-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100277695B1 (ko) | 에스 오 아이 광도파로를 이용한 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법 | |
JP3302458B2 (ja) | 集積化光装置及び製造方法 | |
US5247597A (en) | Optical fiber alignment | |
US5703980A (en) | Method for low-loss insertion of an optical signal from an optical fibre to a waveguide integrated on to a semiconductor wafer | |
US7575949B2 (en) | Semiconductor photo-detector, semiconductor photo-detection device, and production method thereof | |
US7235150B2 (en) | Multi-channel laser pump source for optical amplifiers | |
US8149891B2 (en) | Semiconductor device and optical module | |
EP0498169B1 (de) | Optoelektronisches Bauelement zum Aus- und Einkoppeln von Strahlung | |
EP3308206B1 (en) | Self-alignment for apparatus comprising photonic device | |
US6888989B1 (en) | Photonic chip mounting in a recess for waveguide alignment and connection | |
US11531171B2 (en) | Photonic chip with integrated collimation structure | |
KR19980030121A (ko) | 브이홈에 정렬된 렌즈를 가진 광모듈 및 그 제작방법 | |
Hauffe et al. | Methods for passive fiber chip coupling of integrated optical devices | |
US10151877B2 (en) | Optical circuit module, optical transceiver using the same, and semiconductor photonic device | |
Itoh et al. | Use of AuSn solder bumps in three-dimensional passive aligned packaging of LD/PD arrays on Si optical benches | |
JP3608763B2 (ja) | 半導体受光素子及び半導体受光装置の製造方法 | |
JP3928901B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
JPH11145488A (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 | |
JP4160825B2 (ja) | 光受光モジュール | |
JP3594510B2 (ja) | 光モジュール | |
OKANO et al. | Passive aligned hybrid integrated WDM transceiver module using planar lightwave circuit platform | |
KR100726806B1 (ko) | 레일형 하이브리드 광전 변환 장치 | |
JP3557157B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
Goodwill et al. | Laser-array to single-mode-fiber coupling module with increased tolerance budget using polymer waveguide tapers | |
JPH10281724A (ja) | 変位測定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040316 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040909 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041005 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20041008 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20041008 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20041008 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041008 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071022 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081022 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091022 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101022 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101022 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111022 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111022 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121022 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121022 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022 Year of fee payment: 9 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |